CN101340084A - 放电过流保护恢复驱动电路、电池保护电路及系统 - Google Patents
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- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018095 Ni-MH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018477 Ni—MH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009784 over-discharge test Methods 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种电池保护电路中的放电过流保护恢复驱动电路，其具有VM连接端及VSS连接端，所述恢复驱动电路包括隔离NMOS晶体管及第一电阻，所述隔离NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻与所述第一连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的源极与所述第二连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的栅极用于接收放电过流信号，所述隔离NMOS晶体管的栅极在接收到放电过流信号时，所述隔离NMOS晶体管的漏极与源极接通，进而将所述VM连接端与所述VSS接端接通。在所述隔离NMOS晶体管的衬底与源极之间形成有二极管，所述二极管的负极与所述隔离NMOS晶体管的源极相连，所述二极管的正极与所述隔离NMOS晶体管的衬底相连。在VM相对VSS为负电压时，由于晶体管MN1的衬底与VSS之间具有二极管D1，所述二极管D1会反向偏置，阻碍漏电流的发生。
Description
技术领域
本发明涉及电池保护电路，尤其涉及电池保护电路中的放电过流保护恢复驱动电路。
背景技术
由于锂离子电池没有记忆效应，当前逐渐在越来越多的电子系统中替代传统的镍氢电池，成为便携电子设备中主要电源。但是锂电池存在许多安全性问题。因此，在锂电池系统中都存在复杂的保护电路，以确保在各种意外情况下防止发生不安全情形导致电池损坏。
图1示出了现有的一种锂电池保护电路系统。如图1所示，在电池的外部负极V_与内部负极VSS之间设置有充电开关MC及放电开关MD，通过控制充电开关MC的开启或关断可以实现电池的允许充电或禁止充电功能。相应的，通过控制放电开关MD的开启或关断可以实现电池的允许放电或禁止放电功能。虚线框内的电路为电池保护电路，所述电池保护电路包括有过充电检测电路、过放电检测电路、充电过流检测电路、放电过流检测电路及控制电路。所述控制电路根据各检测电路的检测结果输出控制信号来确定充电开关MC的开启/关断和放电开关MD的开启/关断。
当发生放电过流时，放电过流检测电路会在检测到VM端的电压(即放电电流电压)高于放电过流电压阈值VEDI(一般为150mV)且持续超过预定时间TEDI后，生成过电过流信号EDI给控制电路。所述控制电路将Dout置低以关断放电开关MD，这样就实现了禁止对电池放电，也就是说进入了放电过流保护状态。一般而言，VM的电压与V_的电压基本相等(本专利申请都是基于这一情况进行说明的)，在两节点间存在一个较小的电阻Rm，Rm的阻值一般为1～2.2Kohm，所述电阻Rm可以用于防止保护电路在电池装反时被损坏。
在放电电流保护状态下，为了使电池能在负载变轻时恢复正常放电，在保护电路中还会引入恢复驱动电路。因为当进入放电过流保护状态时，放电开关MD会被关断，从而V_节点的电压会被负载拉到更高电位，更接近VCC的电压，相应的，VM节点的电压也同样会很高。如果没有额外的恢复驱动电路，在此状态下即使负载变得很轻时，放电过流检测电路依然会继续判断当前处于放电过流状态，使整个系统死锁在放电过流状态，无法恢复。所述恢复驱动电路的工作原理在于：在进入放电过流状态后，其会试图利用VSS拉低VM，即连通VM端和VSS端。如果此时负载依然较大，则VM会依然大于放电过流电压阈值VEDI，而一旦负载变小，所述VM会被VSS拉低直至VM小于放电过流电压阈值VEDI，这样电池系统就可以重新进入正常放电状态。
图2示出了现有的一种放电过流保护恢复驱动电路。如图2所示，所述恢复驱动电路包括NOMS晶体管MN1及电阻R1，所述晶体管MN1的栅极接收所述放电过流信号EDI，所述晶体管MN1的漏极通过电阻R1与VM相连，所述晶体管MN1的源极与VSS相连。在放电过流信号EDI有效时，即系统进入放电过流状态时，所述晶体管MN1开启从而连通VM至VSS的通路。此时，如果外部负载变小，VM就会被VSS拉低，从而使电池系统重新进入正常放电状态。
但是，晶体管MN1为普通的NMOS晶体管，在其衬底端和漏极端存在一个寄生的二极管。当VM的电位相对VSS的电位为负电压时(比如在给电池充电时，VM的电位就会低于VSS的电位)，此寄生的二极管会正向导通，从而产生从VSS端经由电阻R1、晶体管MN1至VM端的漏电流。这种漏电还可能会把晶体管MN1的衬底电位抬高，从而容易触发寄生三极管，导致严重后果。而且，在给电池充电时，可能由于充电过压或充电过流而需要禁止对电池充电，然而此时恢复驱动电路上的漏电流会依然从VSS流向VM，这就意味着，所述漏电流依然在给电池充电，从而使禁止充电功能失效。此外，此漏电还会影响充电过流保护阈值偏离设计值。
在现有技术中一般是通过增大电阻R1的方式减少漏电，但漏电却始终存在。这种漏电仍可能会导致前述的各种问题。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种电池保护电路中的放电过流保护恢复驱动电路，其可以实现放电过流保护状态在过放电解除后自动恢复的功能，同时也能有效的切断充电漏电。
本发明的目的之二在于提供一种具有放电过流保护恢复驱动电路的电池保护电路，其可以实现放电过流保护状态在过放电解除后自动恢复的功能，同时也能有效的切断充电漏电。
本发明的目的之三在于提供一种电池保护电路系统，其可以实现放电过流保护状态在过放电解除后自动恢复的功能，同时也能有效的切断充电漏电。
为了达到上述目的，根据本发明的一方面，本发明提供了一种电池保护电路中的放电过流保护恢复驱动电路，其具有第一连接端及第二连接端，所述恢复驱动电路包括隔离NMOS晶体管及第一电阻，所述隔离NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻与所述第一连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的源极与所述第二连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的栅极用于接收放电过流信号。所述隔离NMOS晶体管的栅极在接收到放电过流信号时，所述隔离NMOS晶体管的漏极与源极接通，进而将所述第一连接端与所述第二连接端接通。在所述隔离NMOS晶体管的衬底与源极之间形成有二级管，所述二极管的负极与所述隔离NMOS晶体管的源极相连，所述二极管的正极与所述隔离NMOS晶体管的衬底相连。
进一步的，在所述隔离NMOS晶体管的漏极与所述第一电阻之间还串联有开关单元，所述开关单元具有与所述隔离NMOS晶体管的漏极相连的一连接端及与所述电阻相连的另一连接端，所述开关单元还具有控制端，所述开关单元的控制端与电池的充电开关的控制端相连，使所述开关单元与所述充电开关的开启与关闭同步。
更进一步的，所述开关单元由N个隔离NMOS晶体管串联形成，所述隔离NMOS晶体管的栅极相互连接形成所述开关单元的控制端，所述N大于等于1小于等于4。
进一步的，所述第一连接端经由第二电阻与电池外部负极相连，所述第二连接端与电池内部负极相连。
更进一步的，在第一连接端相对于第二连接端为负电压时，所述二极管反向偏置，阻碍漏电流的发生。
根据本发明的另一方面，本发明提供了一种电池保护电路，其包括：放电过流检测电路、如前面所述恢复驱动电路、充电器过压检测电路、电池的充电开关的控制电路。所述充电器过压检测电路在检测到充电器过压时生成充电器过压信号。所述放电过流检测电路在检测到放电过流时生成放电过流信号。所述控制电路在接收到放电过流信号后生成预关断信号。电池的充电开关的控制端在收到所述预关断信号和所述充电器过压信号中任何一个时，所述充电开关关断以禁止对电池充电。
进一步的，在所述恢复驱动电路中的隔离NMOS晶体管的漏极与所述电阻之间还串联有开关单元，所述开关单元具有与所述隔离NMOS晶体管的漏极相连的一连接端及与所述电阻相连的另一连接端，所述开关单元具有控制端，所述开关单元的控制端与电池的充电开关的控制端相连，使所述开关单元与所述充电开关的开启与关闭同步。
更进一步的，所述开关单元由N个隔离NMOS晶体管串联形成，所述隔离NMOS晶体管的栅极相互串联形成所述开关单元的控制端，所述N大于等于1小于等于4。
进一步的，所述第一连接端经由第二电阻与电池外部负极相连，所述第二连接端与电池内部负极相连。
更进一步的，在第一连接端相对于第二连接端为负电压时，所述二极管反向偏置，阻碍漏电流的发生。
进一步的，所述预关断信号和所述充电器过压信号经由一逻辑与门连接至所述充电开关的控制端。
根据本发明的再一方面，本发明提供了一种电池保护电路系统，其包括：电池、充电开关及如前面所述的所述电池保护电路。所述充电开关连接于所述电池的内部负极与外部负极之间。所述恢复驱动电路的第一连接端经由第二电阻与所述电池外部负极相连，所述恢复驱动电路的第二连接端与电池内部负极相连。
与现有技术相比，在本发明的技术方案的恢复驱动电路中采用隔离NMOS的晶体管MN1，在其衬底与源极之间会具有二级管D1，在VM相对VSS为负电压时，由于晶体管MN1的衬底与VSS之间具有二级管D1，所述二级管D1会反向偏置，阻碍漏电流的发生。
附图说明
下面将参照附图对本发明的具体实施方案进行更详细的说明，附图中：
图1为现有的一种电池保护电路系统的电路图；
图2为现有的一种放电过流保护恢复驱动电路的电路图；
图3为本发明电池保护电路系统的一个实施方式的电路图；
图4为图3中的充电器过压检测电路的一个实施方式的电路图；
图5为图3中的放电过流保护恢复驱动电路的一个实施方式的电路图；
图6为图4中的晶体管MN1及二极管D1的第一实施方式的结构图；
图7为图4中的晶体管MN1及二极管D1的第二实施方式的结构图；
图8为图4中的晶体管MN1及二极管D1的第三实施方式的结构图；
图9为图4中的晶体管MN1及二极管D1的第四实施方式的结构图；
图10为图4中的晶体管MN1及二极管D1的第五实施方式的结构图；和
图11为图4中的晶体管MN1及二极管D1的第六实施方式的结构图。
具体实施方式
请参阅图3，其示出了本发明电池保护电路系统的一种实施方式。与图2所示的现有的电池保护电路系统相比，图3所示的电池保护电路系统增加了充电器过压检测电路及一个逻辑与门And2，同时也改进了放电过流保护恢复驱动电路。
所述充电器过压检测电路用于检测VM端的电压，在将VM端的电压与预定参考电压Vref比较后输出充电器过压检测结果OVCHG，充电器过压检测结果包括充电器过压和充电器未过压。所述逻辑与门And2将控制电路输出的控制信号Co_pre与充电器过压检测结果OVCHG做逻辑与后用作充电开关MC的开关控制信号Cout。在本实施例中，由于充电开关MC在开关控制信号为低时为关，因此控制信号Co_pre和充电器过压检测结果OVCHG中有任何一个为低(充电器过压检测结果为低电平代表充电过压信号)，逻辑与门And2就输出低作为开关控制信号Cout以关断充电开关MC。在其他实施例中，逻辑与门也可以用其他逻辑门来取代，不过过压检测结果OVCHAG和控制信号Co_pre的逻辑也要相应修改。总之这里逻辑门的作用在于：在控制信号Co_pre和充电器过压检测结果OVCHG中任何一个为关信号时，逻辑门的输出Cout就会关闭充电开关MC，以达到禁止充电的效果。
充电器过压检测电路及逻辑与门的加入使得本发明中的电池保护系统又多了一项保护方式，即在充电器的充电电压过高时，能够及时的切断充电通路，从而达到保护电池的效果。需要解释一下，一般来说充电电压过高意味着电池外部负极V_(也可以说VM节点)与电池内部负极VSS之间的压差超过正常水平，此时充电会给电池造成破坏。另外，虽然在充电器过压时给电池充电可能会造成充电过流从而由控制电路的控制信号关断充电开关MC，然而这需要一定的时间，而这段时间可能给电池造成很大的损坏。因此，可以说增加这一项充电器过压保护功能是十分必要的。
图4示出了本发明中的充电器过压检测电路的一种实施方式。如图4所示，所述充电器过压检测电路包括一比较器，所述比较器的正相输入端接VM、反向输入端接预定参考电压Vref，在VM端的电压小于Vref时，其输出充电器过压信号作为充电器过压检测结果OVCHG；在VM端的电压大于等于Vref时，其输出充电器未过压信号作为充电器过压检测结果OVCHG。所述预定参考电压Vref根据应用可以设为-6～-8V。
本发明中改进的放电过流保护恢复电路可以有效的切断充电漏电，同时可以实现在放电过流保护状态下拉低VM端，进而实现过放电保护状态在放电过流解除后自动恢复的功能。
图5示出了本发明中的放电过流保护恢复驱动电路的一种实施方式。
与图2所示的恢复驱动电路相比，本发明中改进的恢复驱动电路中增加了开关单元50，同时也改进了晶体管MN1。具体请参阅图5所示，本发明的恢复驱动电路包括开关单元50、晶体管MN1及电阻R1。所述开关单元50的一个连接端经由电阻R1与VM连接，所述开关单元50的另一个连接端与晶体管MN1的漏极相连，所述开关单元50的控制端与充电开关的栅极即Cout端相连，所述晶体管MN1的栅极(Gate)接收放电过流信号EDI，所述晶体管MN1的源极(Source)与VSS端相连。所述晶体管MN1为带衬底阻隔的隔离NMOS晶体管，在其衬底(bulk)与源极之间会存在寄生或专门设计的二级管D1，这样所述衬底通过二级管D1连接至VSS端。
在本实施例中，所述开关单元50由三个隔离NMOS晶体管MN2、MN3、MN4串联而成，所述三个晶体管的栅极相连形成所述开关单元50的控制端。R1的值由具体应用条件决定，一般可以为10K～200Kohm。
在给电池放电时，如果进入放电过流状态，放电过流信号EDI为逻辑高，充电开关MC的栅极电压Cout也为高电平，晶体管MN1、MN2、MN3、MN4都导通，具有把VM拉低的功能，即放电过流保护自动恢复功能。在给电池放电时，如果不进入放电过流状态，放电过流信号EDI为逻辑低，充电开关MC的栅极电压Cout为高电平，晶体管MN2、MN3、MN4都导通，而晶体管MN1不导通，从而保持正常的放电状态。
在给电池充电时，VM相对VSS为负电压。在正常的充电状态下，放电过流信号EDI为逻辑低，充电开关MC的栅极电压Cout为高电平，晶体管MN2、MN3、MN4都导通，而晶体管MN1不导通。此时由于晶体管MN1的衬底与VSS之间具有二级管D1，所述二级管D1会反向偏置，阻碍漏电流的发生。在给电池充电时，可能由于充电过压或充电过流而需要禁止对电池充电，在本发明中，所述晶体管MN2、MN3、MN4会随着充电开关MC一起关闭，从而可以进一步阻碍漏电流的发生。
当发生充电器过压的情况时，即当VM为非常低的负电压时，充电器过压电路输出OVCHG会变成低电平，通过与门And2，使Cout变低，实现禁止充电。此时，晶体管MN2、MN3、MN4都被关断。此时，晶体管MN1也处于关断状态，这样，VM与VSS之间的压差就可以由四个晶体管MN1-MN4来分担，这样可以防止这些晶体管被击穿。在单节锂电池保护电路中，可以使用击穿电压大于9V的低压隔离NMOS，那么它们可以承受36V的电压。
可以看出，所述开关单元50具有两个显著的作用。第一是在发生充电器过压的情况下，给晶体管MN1分压以防止其被击穿；第二是在需要禁止充电时，进一步关断VM与VSS之间经由晶体管MN1的通路，防止漏电的产生。因此，关于所述开关单元50由几个晶体管组成，可以由所设计电路的防击穿能力所决定。如果不需要很高的防击穿能力，那所述开关单元50完全可以由一个晶体管组成。当然，在另一方面，晶体管的数目增加也有助于进一步阻碍漏电流的生成。
需说明的是，Cout为Vcc与VM之间的逻辑电平，即当Cout等于Vcc的电压时，表示高电平；当Cout等于VM的电压时，表示低电平。
需要说明的一点是：充电器过压保护功能的加入可以不以恢复驱动电路的改进为前提，相应的，恢复驱动电路的改进也可以不以充电器过压保护功能的加入为前提。
在本发明的改进的恢复驱动电路中的MN1、MN2、MN3、MN4都采用阻隔NMOS。下面就介绍一下晶体管MN 1及二极管D1的几种实施方式。
图6为晶体管MN1及二极管D1的第一实施方式的结构图，drain是漏极，EDI连接的是栅极，VSS接的是源极，bulk为隔离衬底连接端，连接至VSS，Pwell被称之为P阱，为隔离衬底，P-sub为公共衬底，Nwell被称之为N阱，所述N阱将公共衬底与隔离衬底隔离开来，所述N阱接电源Vcc以防止N阱与公共衬底或隔离衬底发生正向偏置。Bulk与P阱之间形成的PN结就是图5中的二极管D1。
图7为晶体管MN1及二极管D1的第一实施方式的结构图，drain是漏极，EDI连接的是栅极，VSS接的是源极，bulk为隔离衬底连接端，连接至VSS，Pwell被称之为P阱，为隔离衬底，P-sub为公共衬底，Nwell被称之为N阱，NBL(N Buried Layer)为N型埋层，一般为重掺杂。所述N阱及NBL将公共衬底与隔离衬底隔离开来，所述N阱接电源Vcc以防止N阱与公共衬底或隔离衬底发生正向偏置。Bulk与P阱之间形成的PN结就是图5中的二极管D1。
图8为晶体管MN1及二极管D1的第三实施方式的结构图。与图6所示的第一实施方式不同的是：所述衬底连接端为P杂区，并且这个衬底连接端并不连接至VSS，而是悬空。这样同样可以达到二级管D1的效果。
图9为晶体管MN1及二极管D1的第四实施方式的结构图。与图7所示的第二实施方式不同的是：所述衬底连接端为P杂区，并且这个衬底连接端并不连接至VSS，而是悬空。这样同样可以达到二级管D1的效果。
图10为晶体管MN1及二极管D1的第五实施方式的结构图。与图8所示的第三实施方式不同的是：所述衬底连接端(bulk)连接至二级管的阳极，所述二极管的负极接VSS。
图11为晶体管MN1及二极管D1的第六实施方式的结构图。与图9所示的第四实施方式不同的是：所述衬底连接端(bulk)连接至二级管的阳极，所述二极管的负极接VSS。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (12)
1、一种电池保护电路中的放电过流保护恢复驱动电路，其具有第一连接端及第二连接端，其特征在于，所述恢复驱动电路包括隔离NMOS晶体管及第一电阻，所述隔离NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻与所述第一连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的源极与所述第二连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的栅极用于接收放电过流信号，
所述隔离NMOS晶体管的栅极在接收到放电过流信号时，所述隔离NMOS晶体管的漏极与源极接通，进而将所述第一连接端与所述第二连接端接通，
在所述隔离NMOS晶体管的衬底与源极之间形成有二级管，所述二极管的负极与所述隔离NMOS晶体管的源极相连，所述二极管的正极与所述隔离NMOS晶体管的衬底相连。
2、如权利要求1所述的恢复驱动电路，其特征在于：在所述隔离NMOS晶体管的漏极与所述第一电阻之间还串联有开关单元，所述开关单元具有与所述隔离NMOS晶体管的漏极相连的一连接端及与所述电阻相连的另一连接端，所述开关单元还具有控制端，所述开关单元的控制端与电池的充电开关的控制端相连，使所述开关单元与所述充电开关的开启与关闭同步。
3、如权利要求2所述的恢复驱动电路，其特征在于：所述开关单元由N个隔离NMOS晶体管串联形成，所述隔离NMOS晶体管的栅极相互连接形成所述开关单元的控制端，所述N大于等于1小于等于4。
4、如权利要求1所述的恢复驱动电路，其特征在于：所述第一连接端经由第二电阻与电池外部负极相连，所述第二连接端与电池内部负极相连。
5、如权利要求4所述的恢复驱动电路，其特征在于：在第一连接端相对于第二连接端为负电压时，所述二极管反向偏置，阻碍漏电流的发生。
6、一种电池保护电路，其特征在于，其包括：
放电过流检测电路、如权利要求1所述的恢复驱动电路、充电器过压检测电路、电池的充电开关的控制电路，
所述充电器过压检测电路在检测到充电器过压时生成充电器过压信号；
所述放电过流检测电路在检测到放电过流时生成放电过流信号；
所述控制电路在接收到放电过流信号后生成预关断信号；
电池的充电开关的控制端在收到所述预关断信号和所述充电器过压信号中任何一个时，所述充电开关关断以禁止对电池充电。
7、如权利要求6所述的电池保护电路，其特征在于：在所述恢复驱动电路中的隔离NMOS晶体管的漏极与所述电阻之间还串联有开关单元，所述开关单元具有与所述隔离NMOS晶体管的漏极相连的一连接端及与所述电阻相连的另一连接端，所述开关单元具有控制端，所述开关单元的控制端与电池的充电开关的控制端相连，使所述开关单元与所述充电开关的开启与关闭同步。
8、如权利要求7所述的电池保护电路，其特征在于：所述开关单元由N个隔离NMOS晶体管串联形成，所述隔离NMOS晶体管的栅极相互串联形成所述开关单元的控制端，所述N大于等于1小于等于4。
9、如权利要求6所述的电池保护电路，其特征在于：所述第一连接端经由第二电阻与电池外部负极相连，所述第二连接端与电池内部负极相连。
10、如权利要求9所述的电池保护电路，其特征在于：在第一连接端相对于第二连接端为负电压时，所述二极管反向偏置，阻碍漏电流的发生。
11、如权利要求6所述的电池保护电路，其特征在于：所述预关断信号和所述充电器过压信号经由一逻辑与门连接至所述充电开关的控制端。
12、一种电池保护电路系统，其特征在于，其包括：
电池、充电开关及如权利要求6-8、11任一所述电池保护电路，
所述充电开关连接于所述电池的内部负极与外部负极之间，
所述恢复驱动电路的第一连接端经由第二电阻与所述电池外部负极相连，所述恢复驱动电路的第二连接端与电池内部负极相连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810118104A CN101340084B (zh) | 2008-08-12 | 2008-08-12 | 放电过流保护恢复驱动电路、电池保护电路及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810118104A CN101340084B (zh) | 2008-08-12 | 2008-08-12 | 放电过流保护恢复驱动电路、电池保护电路及系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101340084A true CN101340084A (zh) | 2009-01-07 |
| CN101340084B CN101340084B (zh) | 2012-09-05 |
Family
ID=40214077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810118104A Active CN101340084B (zh) | 2008-08-12 | 2008-08-12 | 放电过流保护恢复驱动电路、电池保护电路及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101340084B (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102983556A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-03-20 | 无锡中星微电子有限公司 | 具有放电过流保护后自恢复功能的电池保护电路 |
| CN104716704A (zh) * | 2013-12-11 | 2015-06-17 | 精工电子有限公司 | 电池状态监视电路以及电池装置 |
| CN106487209A (zh) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 苏州冉芯电子科技有限公司 | 一种电源设计中多电源域选择的方法 |
| CN108923489A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-30 | 南京中感微电子有限公司 | 电池保护电路 |
| CN109672249A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-23 | 深圳流量链科技有限公司 | 一种电池管理保护装置 |
| CN112242736A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-01-19 | 苏州赛芯电子科技股份有限公司 | 一种锂电池保护电路和装置 |
| CN112564469A (zh) * | 2019-09-25 | 2021-03-26 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 开关变换器及其低压启动电路 |
| CN114421433A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-04-29 | 合肥中感微电子有限公司 | 电池保护电路及其充电功率开关控制信号产生电路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4616222B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2011-01-19 | セイコーインスツル株式会社 | 充放電制御回路および充電式電源装置 |
-
2008
- 2008-08-12 CN CN200810118104A patent/CN101340084B/zh active Active
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102983556B (zh) * | 2012-11-22 | 2016-03-09 | 无锡中星微电子有限公司 | 具有放电过流保护后自恢复功能的电池保护电路 |
| CN102983556A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-03-20 | 无锡中星微电子有限公司 | 具有放电过流保护后自恢复功能的电池保护电路 |
| CN104716704B (zh) * | 2013-12-11 | 2019-12-31 | 艾普凌科有限公司 | 电池状态监视电路以及电池装置 |
| CN104716704A (zh) * | 2013-12-11 | 2015-06-17 | 精工电子有限公司 | 电池状态监视电路以及电池装置 |
| CN106487209A (zh) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 苏州冉芯电子科技有限公司 | 一种电源设计中多电源域选择的方法 |
| CN108923489A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-30 | 南京中感微电子有限公司 | 电池保护电路 |
| CN108923489B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-10-27 | 南京中感微电子有限公司 | 电池保护电路 |
| CN109672249A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-23 | 深圳流量链科技有限公司 | 一种电池管理保护装置 |
| CN112564469A (zh) * | 2019-09-25 | 2021-03-26 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 开关变换器及其低压启动电路 |
| CN112564469B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-05-20 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 开关变换器及其低压启动电路 |
| CN112242736A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-01-19 | 苏州赛芯电子科技股份有限公司 | 一种锂电池保护电路和装置 |
| CN114421433A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-04-29 | 合肥中感微电子有限公司 | 电池保护电路及其充电功率开关控制信号产生电路 |
| CN114421433B (zh) * | 2022-02-24 | 2023-09-12 | 合肥中感微电子有限公司 | 电池保护电路及其充电功率开关控制信号产生电路 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101340084B (zh) | 2012-09-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
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| TR01 | Transfer of patent right |
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|
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