CN101335371A - 一种铁电薄膜移相器及其制作方法 - Google Patents
一种铁电薄膜移相器及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101335371A CN101335371A CNA2007100546701A CN200710054670A CN101335371A CN 101335371 A CN101335371 A CN 101335371A CN A2007100546701 A CNA2007100546701 A CN A2007100546701A CN 200710054670 A CN200710054670 A CN 200710054670A CN 101335371 A CN101335371 A CN 101335371A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- phase shifter
- interdigital
- transmission line
- micron
- ferroelectric thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 lanthanum aluminate Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910000836 magnesium aluminium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000010141 design making Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明属于微波工程技术领域的一种铁电薄膜移相器，包括共面线结构，共面线结构包括常规导电薄膜构成的传输线及其两侧的接地面，接地面与传输线之间是等宽的缝，传输线和其两侧的接地面上相互周期性地设置有叉指状电容结构，所述导电薄膜直接设附于衬底基片上，在传输线和接地面的相互叉指之间的夹缝内设有铁电薄膜。本发明交叉指状电容结构兼顾了常规交叉指状电容制作工艺简单的优点及平行板电容器结构能够把外加电场高度集中在铁电薄膜当中，从而在小电压下实现大移相能力的优点，具有潜在的广泛的实用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型铁电薄膜移相器，同时，还涉及一种该铁电薄膜移相器的制作方法，属于微波工程技术领域。
背景技术
相控阵天线在雷达及通信系统领域有着广泛的应用。在高精度相控阵列天线中，制作移相器的费用约占整个相控阵列天线成本的40％。到目前为止，研究得最为深入的移相器是基于铁氧体材料或半导体器件设计制作的移相器。基于铁氧体材料制作的相控阵列天线体积大，功耗大，并且波束随控制信号的响应也比较慢。故此在要求快速扫描的应用领域存在明显不足。由半导体器件设计制作的相控阵列天线虽然可以满足快速扫描的要求，但在微波及毫米波频段，它会产生较高的插入损耗，这样限制了其功率承载能力的提高。为了克服上述相控阵列天线的缺点，自二十世纪六十年代以来，铁电材料已被研究应用于铁电调制相控阵列天线的制作。和铁氧体材料移相器及半导体器件移相器相比，基于铁电材料制作的移相器具有以下优点：扫描速度快，体积小及重量轻。此外由于它们利用外加电场改变介电常数，所以功耗也很低。
到目前为止，在铁电移相器应用领域研究得最为广泛的铁电材料是钛酸锶钡薄膜(BaxSr1-xTiO3)，分子式中x/(1-x)是钡与锶组份的比例，其x值可从0变到1，相应的钛酸锶钡薄膜的居里转变温度点可从钛酸锶的居里温度点(小于0K)到钛酸钡薄膜的居里温度点(400K)。这样通过调整钡锶组份的方法可以选择钛酸锶钡薄膜的工作温区，通常当x取0.5左右时，钛酸锶钡薄膜常被用来制作在室温下工作的器件。
在利用铁电薄膜材料设计制作的移相器中，通常采用两种结构形式，微带线结构和共面线结构。尤其是以共面线周期性加载铁电调制电容的方案报导的最多。这种结构有下述优点：铁电薄膜只存在于制作可调电容的区域，其余部分的铁电薄膜均被腐蚀或者刻蚀掉，这样做可以减少铁电薄膜对整个器件插入损耗的贡献，此外，这种结构还利于施加外加电压。在共面线结构中，所加载的铁电电容通常采用平行板电容结构或常规交叉指状电容结构。前者采用下电极金属层-钛酸锶钡薄膜-上电极金属层这种夹心三明治结构，上下电极间的距离就是钛酸锶钡薄膜的厚度。平行板电容器工艺通常包括如下几个步骤：1、沉积铂电极前躯体，金属铂电极，沉积铁电薄膜，氮化硅绝缘层。铂电极前躯体是为了让金属铂电极能够很好的和衬底基片结合；2、光刻掩模，反应离子束刻蚀氮化硅，氢氟酸溶液腐蚀铁电薄膜到金属铂电极；剥离光刻胶，反应离子束刻蚀铂电极。二次光刻掩模，氢氟酸腐蚀铂电极前躯体；3、剥离光刻胶，沉积氮化硅绝缘层；4、在氮化硅上光刻掩模，用反应离子束刻蚀氮化硅制作上接触电极；剥离光刻胶，沉积上电极；5、光刻掩模，隔离上电极。由于钛酸锶钡薄膜的厚度通常在亚微米量级或者更薄，即使在较小的外加电压下亦可在钛酸锶钡薄膜中产生较强的电场，从而实现在小电压下具有较大调制能力的优点。此外，外加电场可以较好地限制在钛酸锶钡薄膜中，提高了钛酸锶钡薄膜调制能力的利用率。但在平行板电容器的制作工艺中，需多次沉积绝缘层和金属导电层，多次光刻掩模，多次反应离子束刻蚀及化学腐蚀。过多的工艺步骤直接影响器件的成品率及制作成本，另外由于沉积绝缘层和导电层所需要的生长温度不同，这对平行板电容器制作过程中的前后工艺步骤的兼容性提出苛刻的条件。如在沉积钛酸锶钡薄膜的过程中会给下电极质量的退化带来难以接受的损伤，从而降低整个器件的性能。常规交叉指状电容结构制作工艺流程简单、易于加工、便于和电路集成。但该结构自身具有较大的边缘电容，不能充分利用钛酸锶钡薄膜的调制能力，通常几微米量级的叉指间距导致在同样的外加电压下产生较弱的调制电场。利用该结构设计制作的铁电电容调制能力弱。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铁电薄膜移相器，以提高铁电电容器的调制能力，使利用该结构设计制作的移相器可在较低的外加电压下实现较强的移相能力。
本发明的目的还在于，同时提供一种铁电薄膜移相器的制作方法。
为达到上述发明目的，本发明提供的技术方案是：一种铁电薄膜移相器，包括共面线结构，共面线结构包括常规导电薄膜构成的传输线及其两侧的接地面，接地面与传输线之间是等宽的缝，传输线和其两侧的接地面上相互周期性地设置有叉指状电容结构，所述导电薄膜直接沉积在衬底基片上，在传输线和接地面的相互叉指之间的夹缝内设有铁电薄膜。
所述的铁电材料为钛酸锶钡。
所述的导电薄膜和铁电薄膜的厚度在2-50微米，叉指间距在1-10微米，叉指长度在10-1000微米。
所述的衬底材料为氧化镁、氧化铝或铝酸镧材料制成。
与上述铁电薄膜移相器相对应，本发明的技术方案还提供了该铁电薄膜移相器的制作方法，该方法步骤如下：
1)在衬底基片上沉积导电薄膜材料；
2)光刻掩模后，氩离子刻蚀或者湿法腐蚀形成共面线结构的传输线和其两侧接地面及传输线和其两侧的接地面上相互周期性加载的叉指状电容结构；
3)在交叉指状电容区域沉积微米量级的铁电薄膜，最终形成共面线周期性加载交叉指状电容结构的移相器。
所述的铁电材料为钛酸锶钡。
所述的导电薄膜和铁电薄膜的厚度在5-50微米，叉指间距在1-10微米，叉指长度在10-1000微米。
所述的衬底材料为氧化镁、氧化铝或铝酸镧材料制成。
本发明和常规的交叉指状电容周期性加载共面线移相器的制作工艺相比，本交叉指状电容周期性加载共面线结构移相器的制作工艺仅仅在制作工序上作了调整，没有增加器件制作的工序步骤。在新型叉指电容结构中，导电薄膜的厚度通常在微米量级，主要是为减小移相器在高频段工作时的导体损耗，铁电薄膜位于叉指之间，而不是位于常规交叉指状电容的叉指下面，这将非常有利于把外加电场高度限制在铁电薄膜中，从而显著地提高了铁电薄膜的调制能力，使得利用该结构设计制作的移相器具有在小电压下具有大移相能力的优点。基于本发明交叉指状电容的铁电薄膜移相器具有制作工艺流程简单、铁电薄膜的调制能力利用率高、结构紧凑、尺寸较小等优点。本发明交叉指状电容结构兼顾了常规交叉指状电容制作工艺简单的优点及平行板电容器结构能够把外加电场高度集中在铁电薄膜当中，从而在小电压下实现大移相能力的优点，具有潜在的广泛的应用前景。
附图说明
图1是本发明共面线周期性加载铁电电容结构的移相器版图；
图2是图1的A-A剖面图；
图3是图1中标号33处叉指状电容结构的放大图；
图4是图3的B-B剖面图；
图5是常规交叉指状电容结构的俯视图；
图6是常规交叉指状电容结构的截面图。
具体实施方式
参照图1、2、3、4，共面线周期性加载新型交叉指状电容结构的移相器制作工艺如下：(1)在衬底基片1上沉积导电薄膜材料2；(2)光刻掩模后，氩离子刻蚀或者湿法腐蚀形成共面线结构(传输线21和接地面22)及周期性加载的交叉指状电容结构33；(3)在交叉指状电容区域沉积微米量级的铁电薄膜3，形成共面线周期性加载新型交叉指状电容结构的移相器，加载电容为新型交叉指状电容。即在共面线上周期性加载新型交叉指状电容。和平行板结构电容周期性加载共面线移相器的制作工艺相比，新型交叉指状电容周期性加载共面线结构移相器的制作工艺要简单得多。显而易见，新型交叉指状电容周期性加载共面线结构移相器的制作工艺要经济得多。
本发明中提到的共面线结构指的是上层导体构成的几何结构。共面线结构为：一条传输线和两个位于传输线两侧的接地面，接地面和传输线共同附着在基片的同一平面上，接地面与传输线之间是等宽度的缝。传输线和接地面可由常规金属薄膜(如金、银、铜、铂)或者超导薄膜构成。衬底材料可以氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)和铝酸镧(LaAlO3)等常用基片材料。
Claims (8)
1、一种铁电薄膜移相器，包括共面线结构，共面线结构包括导电薄膜构成的传输线及其两侧的接地面，接地面与传输线之间是等宽的缝，传输线和其两侧的接地面上相互周期性地设置有叉指状结构，其特征在于：所述导电薄膜直接设附于衬底基片上，在传输线和接地面的相互叉指之间的夹缝内设有铁电薄膜。
2、根据权利要求1所述的移相器，其特征在于：所述的铁电材料为钛酸锶钡。
3、根据权利要求1或2所述的移相器，其特征在于：所述的导电薄膜和铁电薄膜的厚度在5-50微米，叉指间距在1-10微米，叉指长度在10-1000微米。
4、根据权利要求3所述的移相器，其特征在于：所述的衬底材料为氧化镁、氧化铝或铝酸镧材料制成。
5、一种铁电薄膜移相器的制作方法，其特征在于：该方法步骤如下：
1)在衬底基片上沉积导电薄膜材料；
2)光刻掩模后，氩离子刻蚀或者湿法腐蚀形成共面线结构的传输线和其两侧接地面及传输线和其两侧的接地面上相互周期性加载的叉指状电容结构；
3)在交叉指状电容区域沉积微米量级的铁电薄膜，最终形成共面线周期性加载交叉指状电容结构的移相器。
6、根据权利要求5所述的移相器的制作方法，其特征在于：所述的铁电材料为钛酸锶钡。
7、根据权利要求5或6所述的移相器的制作方法，其特征在于：所述的导电薄膜和铁电薄膜的厚度在5-50微米，叉指间距在1-10微米，叉指长度在10-1000微米。
8、根据权利要求7所述的移相器的制作方法，其特征在于：所述的衬底材料为氧化镁、氧化铝或铝酸镧材料制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710054670A CN101335371B (zh) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | 一种铁电薄膜移相器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710054670A CN101335371B (zh) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | 一种铁电薄膜移相器及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101335371A true CN101335371A (zh) | 2008-12-31 |
| CN101335371B CN101335371B (zh) | 2012-10-24 |
Family
ID=40197772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710054670A Expired - Fee Related CN101335371B (zh) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | 一种铁电薄膜移相器及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101335371B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101909419A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-12-08 | 电子科技大学 | 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法 |
| CN103956539A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-30 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种超低损耗的高频信号移相处理器件 |
| CN105871341A (zh) * | 2016-03-24 | 2016-08-17 | 重庆邮电大学 | 利用双负铁电材料实现的高线性度多尔蒂功率放大器 |
| CN105915182A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-08-31 | 重庆邮电大学 | 基于铁电电容的后失真线性化多尔蒂功放 |
| CN105958947A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-09-21 | 重庆邮电大学 | 基于可调铁电功分器的多尔蒂功放 |
| CN111615774A (zh) * | 2018-01-18 | 2020-09-01 | 东友精细化工有限公司 | 薄膜天线和包括该薄膜天线的显示装置 |
| CN112909452A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-04 | 宁波大学 | 一种基于铁电材料的可调谐反射式移相器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100511827C (zh) * | 2005-09-29 | 2009-07-08 | 中国科学院物理研究所 | 铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法 |
-
2007
- 2007-06-27 CN CN200710054670A patent/CN101335371B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101909419A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-12-08 | 电子科技大学 | 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法 |
| CN103956539B (zh) * | 2014-04-29 | 2017-01-11 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种超低损耗的高频信号移相处理器件 |
| CN103956539A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-30 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种超低损耗的高频信号移相处理器件 |
| CN105871341A (zh) * | 2016-03-24 | 2016-08-17 | 重庆邮电大学 | 利用双负铁电材料实现的高线性度多尔蒂功率放大器 |
| CN105871341B (zh) * | 2016-03-24 | 2018-09-28 | 重庆邮电大学 | 利用双负铁电材料实现的高线性度多尔蒂功率放大器 |
| CN105915182B (zh) * | 2016-04-11 | 2018-07-27 | 重庆邮电大学 | 基于铁电电容的后失真线性化多尔蒂功放 |
| CN105915182A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-08-31 | 重庆邮电大学 | 基于铁电电容的后失真线性化多尔蒂功放 |
| CN105958947A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-09-21 | 重庆邮电大学 | 基于可调铁电功分器的多尔蒂功放 |
| CN105958947B (zh) * | 2016-04-21 | 2018-11-06 | 重庆邮电大学 | 基于可调铁电功分器的多尔蒂功放 |
| CN111615774A (zh) * | 2018-01-18 | 2020-09-01 | 东友精细化工有限公司 | 薄膜天线和包括该薄膜天线的显示装置 |
| US11342686B2 (en) | 2018-01-18 | 2022-05-24 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Film antenna and display device comprising same |
| CN111615774B (zh) * | 2018-01-18 | 2022-12-27 | 东友精细化工有限公司 | 薄膜天线和包括该薄膜天线的显示装置 |
| CN112909452A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-04 | 宁波大学 | 一种基于铁电材料的可调谐反射式移相器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101335371B (zh) | 2012-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101335371B (zh) | 一种铁电薄膜移相器及其制作方法 | |
| US7154357B2 (en) | Voltage tunable reflective coplanar phase shifters | |
| Acikel et al. | A new high performance phase shifter using Ba/sub x/Sr/sub 1-x/TiO 3 thin films | |
| CN110137636A (zh) | 移相器和液晶天线 | |
| CN101017930B (zh) | 电调谐微带天线 | |
| CN1373916A (zh) | 带有介电移相器的串行馈送相控阵天线 | |
| CN108963402A (zh) | 一种用于制作射频微波器件及天线的传输结构及制作方法 | |
| CN1253661A (zh) | 集成电路中的电容器 | |
| EP3745526A1 (en) | Radio frequency phase shift device | |
| CN102593588A (zh) | 基于bst薄膜移相器的可扫描端射阵列天线 | |
| CN109216904A (zh) | 一种宽带低剖面微带天线 | |
| KR20150035688A (ko) | 서파 무선주파수 전달선 | |
| CN100511827C (zh) | 铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法 | |
| CN201117767Y (zh) | 铁电薄膜移相器 | |
| CN209571545U (zh) | 一种基于集成基片间隙波导的宽带双极化天线 | |
| CN208674340U (zh) | 一种用于制作射频微波器件及天线的传输结构 | |
| CN113889768A (zh) | 一种液晶可调谐超表面 | |
| CN100495811C (zh) | 铁电移相器 | |
| CN112531355B (zh) | 一种±45°双极化毫米波阵列天线 | |
| CN101728643A (zh) | 一种液晶聚合物毫米波超宽带槽天线 | |
| CN210668686U (zh) | 新型单过孔探针馈电isgw圆极化天线 | |
| CN107706526A (zh) | 高功率埋入式极化转换天线罩 | |
| CN103956540B (zh) | 一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器 | |
| EP1530249A1 (en) | Voltage tunable coplanar phase shifters | |
| RU2510551C1 (ru) | Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121024 Termination date: 20130627 |