CN101300915A - 球形调准机构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了用于操作工件的一腔室或一系列腔室,其被形成为一系列嵌套壳层的多层形式。所述壳层具有外部结构壳体和围绕超导壳层的电磁屏蔽。超导壳层或处于室温下或浸入容纳于贮槽中的低温冷却剂中。所述工件也可用动能操纵,使它运动通过电磁场放大器,并可利用所述工件有助于用于动力产生或运动推进的能量释放。
Description
技术领域
本发明涉及超导材料,尤其涉及带有电磁屏蔽的超导壳层,该壳层将工件包围在熵隔离(entropically isolated)的环境中。
本申请要求享有分别于2005年4月18日和2005年7月29日递交的美国专利申请No.11/108,424和No.11/192,610的优先权。
背景技术
通常,量子物理预测所有的空间都充满零点起伏(zero-pointfluctuations),也叫做零点场(zero-point field),产生特别巨大的(universal sea)零点振动能(zero-point energy)。这种能量的密度取决于频率中零点起伏停在何处。由于空间本身被认为是会在所谓普朗克尺度(Planck scale)(10-33cm)的微小距离刻度下崩裂为一种量子泡沫(quantum foam),所以零点起伏必需停止在相应的普朗克频率(1043Hz)处。根据这一理论,零点振动能密度可达110次方的量级,大于太阳中心的辐射能量。
有许多专利主张采用电磁辐射以有助于零点振动能向可使用的电能的转换,如美国专利No.5,590,031。还有人建议,利用超导球体与外部地磁场相互作用以驱动该场内的车辆,如美国专利No.6,318,666,以及利用电磁性使等离子体定相为干涉波,如美国专利No.5,966,452。然而,现有的这些装置没有披露本发明的超导壳层或给出有关的启示,本发明的超导壳层不与外部地磁场或任何其他周围磁场或电场相互作用,而是使壳层内部与这些场屏蔽,以便使用声音作为能量驱动。因此,现有的这些装置不能为这些装置中的工件提供熵隔离环境。
发明内容
一般而言,本发明为腔室中的工件提供熵隔离环境。具体地说,本发明为由一系列嵌套的壳层(shell)形成的腔室,所述壳层将腔室中的工件与来自腔室四周的周围环境的电磁场屏蔽起来,且至少一个壳层是超导的。超导壳层或可由叠置的独立超导体制成或由固态超导壁构成。可利用在一个壳层或一系列连接壳层中的电磁能和动能来操作工件。
本发明通过创建熵隔离环境实现零点振动能对原子强/弱作用力和分子结构的影响,在这种隔绝环境中在零点振动能的能量转换的关键初始阶段中使周围电磁场最小。更具体地说,本发明的腔室维持了高熵之后的低熵混合状态,且影响放置在腔室中的工件的原子和分子结构。据此,这种腔室可用于生物/生命科学、电子、计算机科学、能量产生、推进器、粒子物理、电磁学、化学、制药和材料科学。
本发明其他应用领域可从下文提供的详细描述中更明显可见。应理解的是,详细描述和示出了本发明的优选实施例的一些具体实例都仅用于解释本发明,而不是对本发明范围的限制。
附图说明
从详细描述和所附附图可更加全面地理解本发明。附图中:
图1示出了本发明的等轴剖视图;
图2A、2B和2C为图1所示腔室的截面图;
图3A和3B为图1所示腔室的分解视图;
图4示意性地示出了本发明;
图5示出了本发明一可供选择的实施例;
图6A和6B示出了本发明一可供选择的实施例;
图7示出了本发明一可供选择的实施例;
图8A和8B的截面图示出了腔室的内部;
图9示意地示出了一回转的(gyroscopic)实施例;
图10和11示出了本发明的一些可供选择的实施例;
图12示出了带有桥式连接部的单一腔室;
图13为图14和15的单一腔室的截面图;
图14示出了所谓ESD(Entropic Step Down,降熵)的本发明的一可供选择的实施例;
图15示出了所谓EPS(Entropic Perturbation System,熵扰动系统)的本发明的一可供选择的实施例;
图16示出了用于本发明的波消除装置。
具体实施方式
参考所附附图,其中相同的附图标记代表相同的元件,图1为一示例性实施例中的球形校准机构腔室10的部分剖视图。腔室10以多层形式、即以将处于腔室10内部的工件14包围起来的一系列嵌套壳层12的形式构成。外结构壳体(casing)16形成腔室10的外表面。在该结构壳体16中,存在包围超导壳层20的电磁屏蔽层18。超导壳层20优选浸入容纳于贮槽24中的低温冷却剂22中。贮槽24优选由位于超导壳层20的相对侧的一对杜瓦瓶26、28形成,即超导壳层被密封在外杜瓦瓶26和内杜瓦瓶28之间。内杜瓦瓶28优选被内壳体30保护起来,内壳体30围绕腔室10的内部。
如图2A所示,腔室10可由位于支承结构36中的两个互相连接的半球体32、34形成。具体地说,极38对准半球体32、34,同时允许上半球体32相对于下半球体34滑动并将下半球体34保持在适当位置。半球体32、34优选包括重叠部分40,该重叠部分40与可以提供压力密封42’的突缘42密封在一起。图2B详细示出了重叠部分40中的腔室层12。每一个半球体32、34优选具有进口阀44,低温冷却剂可以通过该进口阀44循环流动。腔室10打开时,可将工件14设置在平台46上或直接放置在内表面上。
如图2C所示,一旦腔室10关闭,工件14和腔室10的内部与外界电磁辐射48屏蔽开来,外部电磁辐射48包括电场、磁场和噪声。在封闭的腔室10内侧,工件14处于熵隔离环境中。具体地说,当腔室10打开时,腔室中的工件14所处的熵水平(entropic level)近似等于围绕腔室10外部的周围环境。然而,一旦腔室10封闭,包括工件14在内的腔室10内部具有较高的熵静态水平(entropic stasis level)。电磁场屏蔽18可由许多材料制造,这些材料包括铅、铌和如MUMETAL(镍铁高导磁率合金)和/或METGLAS(金属玻璃非晶态金属)之类的金属合金以及这些屏蔽材料的结合。例如,可将铅箔和/或铌背衬与杜瓦瓶26或28制造在一起或加到杜瓦瓶26或28上。可在腔室10内、通过真空或加压系统、相对于标准大气条件形成内部真空或加压状态,并分别通过加压突缘42密封。工件台46可包括用于这些系统46’、46”的机构。
图3A和3B为腔室层12的分解视图。超导壳层可形成为固态、连续的壳层20’,如重叠壳层部分20”或其任何等效形式。应理解的是,嵌套超导壳层还可用在本发明的其他实施例中。如上所述,优选的是,由超导壳层20完全包围腔室10的内部区域。屏蔽18可由多层制成,如可以是与铅箔和/或铌背衬18”结合的MUMETAL和/或METGLAS 18’的一层。
应理解的是,可将腔室的内部10维持在与周围相同的压力和温度条件,且不需要低温冷却或抽真空以使腔室10中的熵静态水平超过腔室10外界周围环境的熵静态水平。当使用低温冷却剂时,双杜瓦瓶使冷却剂与腔室10的内部及外部之间的传热最少。低温冷却剂的例子包括液氮、液氢、液氦和铝泡沫剂中的固态氮。还应理解的是,本发明中可使用任何超导元件,包括目前已知的第一类和第二类超导体以及它们的等同物,这些等同物包括任何可以由在海平面标准条件下、即室温下具有超导电性的材料制成的超导体。对于某些应用来说,可以使用单个杜瓦瓶。
图4示出了腔室的大致的示意性布置形式。按库伦定律(coulombically)呈现为具有球体半径R、正位于超导壳层表面的上方的高斯表面(G)。可将腔室10设计成使得通过创建熵隔离环境而使电磁场衰减。根据高斯定律,下面的方程式1给出了电通量的方程,其中A为表面面积,e为导体表面正上方的电场强度:
如上所述以及如图4所示,腔室10的内部与电磁场48屏蔽开来,且如下面参考图3B的详细讨论所述,腔室可包括电磁脉冲发生器,以改变腔室的内部熵状态。
还应理解的是,腔室10并不限于形成为球形,也不必由一对半球体32、34构成。腔室10可形成任何几何形状,且可具有任何数量的包围工件14的部分,如图5、6和7所示。如图5所示,腔室10可由壁部分12’形成。每个壁部分12’由一系列类似于图1、2和3所述的嵌套的壳层12形成。对于半球形壳层12来说,壁部分12’可彼此重叠。通常,壳层12、12’包围工件14并允许工件14进入腔室10的内部。
具体如图5所示,壁部分12’可以是平板,其具有外部结构壳体16和围绕超导壳层20的电磁屏蔽18。这些壁可包围工作区域,减少有生理创伤的患者的细胞坏死。在一种工作环境下,可以使用诸如固态氮和铝泡沫剂之类的外来材料,并与带有METGLAS的铌一道面向包含在隔绝密封的杜瓦瓶和金属壳中的超导壁。
图6A示出了一实施例,其中腔室10为图1所示的沿x轴线的细长形状,壳层12形成为椭圆形,而图7具体示出了腔室10的一实施例,其中壳层12为圆柱形且形成围绕作为工件14的导线的护层12”。椭圆形组件可通过将当事人置于腔室中而用于减少由于钝器创伤导致的细胞坏死,如图6B所示。如通过去除腔室的端部、即图6A和6B中虚线所示的端部可使腔室具有便于携带的尺寸。若包围工件或通过从颈部到大腿完全包围患者包围当事人的部分封闭的腔室10的一个实例是球形悬式外套(Sapheric SuspensionJacket),可确定这种便携实施例的尺寸。这种球形悬式外套可用于在急救环境中减少带生理创伤的患者的细胞坏死。这可通过将周围环境电磁场相互作用悬置于患者脊髓中的细胞来完成,使得细胞坏死最少并在转送至用于进一步创伤治疗的全托架或悬吊外科手术室(full pod or suspension surgicaltheater)之前暂时稳定创伤。图7所示的金属护皮电线组件可用于任何一个腔室10中的大功率电子设备。
在闭合的内腔室10中,可在高熵静止模式和低熵激励模式之间操作工件14。工件14和内腔室10的激励可通过将电磁能和/或动能引入腔室10来实现。将动能引入腔室的一个例子是驱动件50,可将它装在底座52中并使腔室10旋转。另一例子可以是声音扰动系统54,也可将该声音扰动系统装在底座52处或围绕腔室10的其他地方。可将声音扰动系统54调谐到工件14的材料频率。放大器和扬声器可位于腔室10的外部,声音可通过调谐式共振管(tuned resonant tube)56进入腔室10,且可以进行引导或按其他方式聚焦以便扰动工件。优选使用如METGALS之类的能增强共振还具有屏蔽性能的材料来构造调谐共振管。因而,本发明的腔室10通过维持之一上是低熵而随后立即在另一中为高熵的混合状态,在零点振动能的能量转换的关键初始阶段中消除、避免电磁辐射和/或使电磁辐射最小。
作为这种动能操作的一实例,可将钇工件14放置在打开的腔室10中。腔室10关闭并密封,可通过声音扰动系统54来创建从存储媒介处发出的(played)钇量子振动的声波或相关频率并将其注入腔室10。对于合成材料来说,可根据合成组分材料的频谱创建并混合量子振动,以实现谐振。
也可通过多种方法将电磁能量传送到腔室10中。导线58可将腔室10中的电磁电路60连接至腔室10外侧的能源62。可用如磁场引发器、电磁场脉冲触发器、激光和光之类公知的电磁电路60激励工件14。导线58优选通过底座52将电力传导至电路60。优选对导线58进行电磁屏蔽并将其封闭在超导护层12”中,如图7所示,且可类似地形成电极。多根导线58可连接至多个电极和腔室10中的其他电磁电路60。电磁装置可位于平台46上或围绕壳层12的内侧间隔放置。例如,可围绕半球体32、34的四个等距离点间隔放置电磁组件。如图8A和8B所示的另一实例那样,可在六个点间隔放置电磁组件。
具体如图8A和8B所示,六点场引发器64可位于腔室10中的铌晶格(lattice)66中,且可由穿过底座52进入的电线58供电。虽然没有列举出所有类型的场引发器,但引发器的功能是在腔室中创建电磁场68,例如包括可见光谱和相干激光在内的光、放电器(spark gap)、以及通过伽马波的放射性(radio)。场脉冲是可变的,且电磁场用于触发低熵脉冲。如以上关于声音扰动系统54所述的那样,声音还可用于工件的原子和分子结构中的高熵相互作用。此外,腔室的内部可装配有消声插入物70。大腔室可使用超导量子干涉器件(SQuID),以测量高熵腔室中变化分子的共振势能(resonantpotential),随后利用脉冲驱动器产生谐频,以重新排列分子结构。消声插入物70和其他类似插入物可用于限制外部声音和振动进入腔室,且有助于在腔室中导引声音。
小型化的电磁隔绝玻色爱因斯坦光学台可用来从凝聚态建立物质的新状态形式(phase forms)。在这种状态形式中,物质可另外被类似于金刚石砧压力式单元的机械组件干扰,产生用于强制地将物质的两种变化形式有效合在一起的势能。根据本发明,如在腔室10内可见到的那样,可采用比目前已知的不在高熵环境中施加压力和能量的系统低得多的压力和能量。例如,根据大阪大学对超导磁性金属的实验,如在Journal of Physics:CondensedMatter,Vol.14,p.10467-10470(发表于2002年11月11日)中报导的那样,研究人员发现在处于压力下的铁的情况下开始呈现超导电性。具体地说,使用电阻测量,在20GPa的压力下观察到超导转变温度的最大值为2K。研究人员还报导了与根据检测的抗磁信号的迈斯纳效应(Meissner effect)有关的现象。根据本发明,大阪大学的实验在高熵腔室中需要很低的能量和压力,根据本发明这可通过电磁屏蔽18和超导壳层20产生。因此,腔室10还能更加有效地形成玻色-爱因斯坦凝聚物和有条件地建立仿真重力类场(artificial gravity-like field),这种场与所施加的力成比例。
在本发明中,还可将多个超导壳层20嵌套在一起。例如,示意性地示于图9中的回转的实施例具有四个嵌套的超导壳层20。对于所有实施例而言,如上面对于电磁辐射、电场和磁场的屏蔽所讨论的那样,通过电磁屏蔽18使腔室10的内部与外部电磁场屏蔽。为了形成回转效果,每个嵌套壳层可具有带状电源条72,在模拟运动中的回转运动的不同方向(x+,x-,y+45°,z-45°)引导电流。通过各启动开关或通过控制流过每个球体的电力的计算机程序而在每个球体中建立电信号。
给定的回转动量G总是会导致相同的能量-频率比。其他的例子是外部磁场中的电子。电子具有回转动量和磁场。电子具有电磁辐射损耗并在起使电子倒转作用的线性外部磁场中运行。然而,回转数学(gyroscopic math)与电子的回转动量是相等的。在下面的方程式2中,E为能量,v为主轴线的进动,G为回转动量且为普朗克常数。
E/v=2.G
=2.(h/2),[方程式2]
=h
普朗克常数对电磁场没有任何贡献,为单纯的回转性质。电子自旋为1/2这一概念与它的h/2的动量有关。在附加的室温超导体的实施例中,还可以物理地旋转每一个球体。在室温超导体的情况下,也可以物理地旋转每个球体。
本发明可采用四个不同的超导壁。这四个超导壁具有独立的旋转,每一个通过例如安装在基座上的盘/轮之类的转动块操作,以使得其轴线可沿一个或多个方向自由地转动,由此不管基座马达或主轴的任何运动都能维持其取向。也可沿不同方向引导电磁能量穿过四个不同的、空间分开的球体,实现不变的(stationary)电磁回转。对于嵌套壳层12包括冷却剂贮槽24的实施例而言,还可使用电磁场、激光或可见光、包括从射频到伽马射线的所有波形的不可见光、磁场或它们的结合。
从上面的描述和相应的说明中可以理解的是,本发明使用超导场来改变腔室10中的零点振动能系统。如此,腔室10起催化作用,用于通过能量转移来提高处理材料的效率。具体地说,在关闭的腔室中,作用在工件14的原子体积上的强作用力和弱作用力处于低等级结构和验证状态(configuration and confirmation),随后工件可被电磁场和/或动能场扰动/激励,以实现工件的原子和分子结构的较高等级处理。此外,可将腔室10形成为不同的形状和尺寸。例如,图5所示的腔室大到足以装入人体、设备和其他结构,而图6所示的腔室足够小到可以携带。腔室10可用于改变工件14的原子,工件14可以是从无生命的材料和物体到有生命的器官甚至患病者。因而,这种腔室可用于生命科学,以使钝器外伤造成的细胞坏死最少。腔室可增大患者原子和分子结构的总熵,而允许对全身组织损伤最少地向局部施以药物。此外,腔室还可用作外科手术的手术室,使对全身组织的损伤最小。在制造业中可使用这种腔室来改变化学制品、药物、超导体的材料性质影响分子结构和验证过程。可使用多种几何形状来实现相同的电磁隔绝环境。例如,图10示出了根据本发明而设计的带有壳体10的电磁设备74。
不管组件的形状如何都存在均匀地围绕该组件的电磁屏蔽;组件的形状可以呈抛物形、三角形、立方体形、管形、或其他几何形状。从所示出的各实施例中可明显看到,可用不同的几何形状实现相同的电磁隔绝环境。例如,如图11具体所示出的那样,腔室10由电磁隔绝环境78中的抛物形集中部分76构建。这种电磁隔绝环境78的一个实例可以是被设计为完全屏蔽外界电磁场不使其进入内部腔室的空间。六个凹入的超导表面76中的每一个都集中于放置有工件的中心点区域。从本发明的该实施例中可以理解,在电磁隔绝环境78中,腔室10可以以部分包围的形式围绕工件。
通常,在封闭腔室中维持低等级的高熵静态场,且能扰动原子球的强或弱作用力的内部能量的数量最小。因而,扰动封闭腔室10的静态场中的工件14的原子或分子所必需的力与腔室外侧所必需的力相比成比例地低。本发明能形成新分子结构、已有元素的更强分子键、稳定原子结构的改变和辐射中和、甚至产生新的物质形式和来自已存在的玻色-爱因斯坦凝聚物的重力概率波。
图13示意地示出了同时用于一系列互连腔室中的一个腔室的横截面,这些互连腔室既用于ESD实施例又用于EPS实施例。该腔室形成为一系列嵌套壳层的一些层的形式,所述壳层围绕位于腔室内部的工件14。外部结构壳体16形成腔室的外表面。在结构壳体16中,电磁屏蔽18围绕超导壳层20。超导壳层20优选浸入容纳在贮槽24中的低温冷却剂22中。贮槽24优选由位于超导壳层20的相对侧的一对杜瓦瓶26、28构成,即超导壳层被密封于外杜瓦瓶26和内杜瓦瓶28之间。内杜瓦瓶28优选受围绕腔室10内部的内壳体30保护。环形件79的剖面完全围绕球形罩声音机构,用于传递到腔室88中,以有助于工件的动力操作。由嵌套的超导壳层构成的桥部81和底座52用于将一系列腔室相互连接起来,所述腔室共同调解与分子范德瓦尔斯(van der Waals)和电磁场有关的空间时间效应,以维持使工件穿过系统到基态边界条件的隔绝的电磁环境。在Marco Scandurra的题为“QFTLimnit ofthe Casimir Force”的文章中探讨了关闭球形壳层的空腔共振器和在离开共振器中心的方向的可能的卡西米尔力(Casimir Force)。基座52为工件穿过进入腔室的基座的隔绝通道80而进入的入口。环形件79容纳可相互改变的包括从白噪声直至超声的次声的多频声音驱动器,所述驱动器包围腔室,将声音扰动集中于腔室内部14中的工件上。如J.A.Peacock的题为“Large-Scale Surveys and Cosmic Structure”的文章中论述了:“物质辐射相等性的宇宙水平线(cosmological horizon)也影响重子组成的性质。由于声速具有量级c,所以可经受单个声振荡的最大范围具有所述水平线的量级(order thehorizon)。单纯重子领域(universe)的转移函数显示出大的调制,反映出在所述领域(universe)成为主导物质和压力支撑下降以前已完成的振荡数目。在实际数据中缺少这样大的调制是认为无振荡的暗物质的最普通的理由之一。然而,即使重子是次主导的也能坚持声振荡,并且可作为转移函数中的低水平调制而检测到。”集中的声音的使用也在于1998年12月4日由PhysicsWeb发表的文章“The Force Of Acoustics”中有所讨论。电磁屏蔽驱动器能量来自外部电源。
图14a为俯视图,而图14b为SAM ESD熵降电力产生系统的示意图。ESD由一系列壳层83、85、86、87、88构成,所有壳层都被建造为是超导的嵌套壳层形式,如图13的示意图和图14c和14d所示。环形件79可用在一个腔室上或可跨过一系列腔室83、84、85、86、87和88(见图14a、14b、15b和15c)。在图14d中,另外的环形件92与环形件79一前一后地使用,也可将这种结合用于跨过任何腔室和多个腔室。每个腔室可调整为以指定频率共振,见图15b中虚线所示的环形件。例如,可将腔室83调整为以它的环形件79发出的振动频率共振,以激励氢,同时将腔室84调整为以氢/氦的交替激发频率共振并将腔室87调整为以氦的频率共振(见Arthur Kosowsky的文章“Seeing Sound Waves in the Early Universe”和C.E.Aguiar,E.S.Fraga,和T.Kodama的文章“Spinodal Instability in the Quark-Gluon Plasma”)。在87的“电磁真空”腔室中释放的零点振动能ZPE导致单一的波物质状态势能。M.D.Roberts在其的题为“Vacuum Energy”的文章中提到:“Larraza和Denardo(1998)给出了两个刚性的平行板之间由于存在受声带限制的噪声的辐射压力而产生的作用力规律(force law)的理论和实验结果。他们宣称理论和实验之间呈现出极好的吻合。虽然这些结果构成了卡西米尔效应的声音模拟,但还存在重要的差别,即,限制声带的噪声可能导致与平板间隔开的距离大小有关的吸引力或斥力。对于声学卡西米尔效应在本底噪声的传导和非共振声悬浮(acoustic levitation)方面的应用提出了建议。”
图14a的能量驱动器从ZPE腔室87开始工作。在腔室88中,工件被分成由两个内部声学分离的球形腔室100a、100b构成的波消除装置100(见图16)。在图16中,内部腔室100a的工件以氦的频率共振,且腔室100b的工件以腔室100a的工件从相反相位180°至与100a的工件同相位的可变时间反转来共振(见G.F.Edelmann的文章“An Overview of Time-Reversal AcousticCommunications”和D.Cassereau,M.Fink的文章“The Phased ArrayTechnology-Application to Time-Reversal in Acoustics”)。在图16中,等离子体音频驱动波状态动力地运动到内部腔室100c中,该腔室100c使100a和100b的波状态工件(wave state work product)相互混合,有助于使所激励的氦等离子体单波动状态的特定相位消除成波群(wave packets),有助于控制进入隔室100d中的分布。从100d处,工件动力地被驱动到超导屏蔽的通路管(router tubes),每一根管都具有其自己的相位反转的氦共振频率音频驱动器,所述驱动器使下凹的(notched)等离子体波“群”利用角向约束场(poloidalcontainment field)89流入多个特定调谐的电磁场放大器,在该处在最后分布到由图中90所示的转换涡轮驱动系统之前,在小的混合共振调谐的自动防故障腔室91中波群从零点转换为电磁能量(见K.P.Singh,V.L.Gupta,LalitaBhasin和V.K.Tripathi的文章“Electron Acceleration by a Plasma Wave in aSheared Magnetic Field”)。在另一实施例中,超导仿星器或托卡马克(tokomak)或任何对ZPE转变有足够强度的磁角向封闭组件和电磁保护组件都能增大或替代如图14b和15b所示的核磁共振器89、94、95、96、97。
利用磁流体动力学可研究动压下在内部零点振动能力和核磁共振器的力之间平衡的力。可从下式获得有磁场的动压的平衡力
cΔp=J×B [方程式3]
在此情况下,J为腔室中工件的ZPE密度,B为总磁场,p为工件上的动压,c为光速。尽管方程式需要在某些边界条件下进行求解,但可以获得分析结果。与桥部相结合的核磁共振器(NMR)89、94、95、96、97起到类似带有旋转对称性的托卡马克的作用,且穿过该对称轴线的每个横截面都相同,使得大致二维均衡(利用磁场平衡动压的力)。磁场在NMR环形件内侧较强且变化约为1/R,其中R是从桥部81中的工件中的一点到NMR环状部的距离,所示NMR环形件带有用于放置工件的角向场线圈且形状为有助于跨过共振器89、94、95、96、97的长度的恒定的磁流体力学过程。电磁屏蔽场驱动器能量来自外部电源。
图15b和15c示出了SAM EPS熵扰动系统且采用了图14中的腔室10、环状声音施加部分79、基座52和桥部81的相同的基本结构。单个波状态运动到一系列渐增(0-100%)窄带聚焦的电磁场放大器94、95、96和97,有助于跨过完整的单个波状态的零点振动能向电磁能量的转换,用于通过产生能量势能的电磁控制喷嘴98在磁通量管的范围内推进(见S.You,G.Yun和P.M.Bellan的文章“Dynamic and Stagnating Plasma Flow Leading toMagnetic Flux Tube Collimation”)。中央桥部81在电磁场放大器94、95、96和97的中心轴芯上延伸,跨过94、95和96的虚线剖面所示的电磁场放大器将超导熵从(100%-0)逐渐变化。用于ESP推进的一备选实施例可将波群分割器并入腔室87中,该腔室87被分成87中的两个内部声学分离的球形腔室。第一内部腔室以氦的频率共振,而二个腔室以氦的时间反转共振,这可实现用于可变受控推力(variable controlled thrust)的多波群物质流。
本发明的描述实际上仅是示例性的,没有超出本发明构思的一些变型均落入本发明的保护范围内。从上面对实施例的描述可以理解,声音是优选的工件扰动体,但其他类型的动能甚至能量也可用于操作工件。作为这些备选操作体的例子,具体讨论了压力、光和电磁能。无论腔室10中用于工件上的能量是哪种类型,腔室10的内部与它的周围环境是电磁屏蔽的。因此,所有向腔室10的电力输入都通过电磁屏蔽超导导线引入且不会向在腔室中工件的缺少受控的空间扰动的周围状态引入任何电磁场。据此,可认为这些变型没有超出本发明的构思和范围。
Claims (38)
1、一种用于减弱工件中强作用力键的腔室,该腔室包括:
一位于所述工件周围的电磁屏蔽,其中,所述电磁屏蔽基本上不受电磁辐射、电场和磁场的影响;和
一超导壳层,其位于所述电磁屏蔽中且围绕所述工件。
2、如权利要求1所述的腔室,其中,所述电磁屏蔽是从包括铅、铌、金属合金及它们的任何组合在内的材料组中选取的,其中,所述超导壳层是从包括多个叠置超导元件、一连续超导元件和一对相对的相互连接的超导半壳组成的超导壁的组中选择的。
3、如权利要求2所述的腔室,其中,所述超导壳层还包括一对相互连接的半球体,这些半球体具有打开位置和关闭位置。
4、如权利要求3所述的腔室,其中,还包括处于所述一对相互连接的半球体之间的突缘。
5、如权利要求4所述的腔室,其中,所述一对相互连接的半球体中的至少之一叠置在所述相互连接的半球体中的另一个上,其中,所述突缘提供压力密封。
6、如权利要求1所述的腔室,其中,所述超导壳层还包括在所述电磁屏蔽中的多个超导部分,所述电磁屏蔽将工件与所述电磁屏蔽的外部电磁场隔绝开,且所述多个超导部分部分地包围所述工件。
7、如权利要求6所述的腔室,其中,所述多个超导部分包括集中于所述工件上的抛物形部分。
8、如权利要求1所述的腔室,其中,还包括在所述超导壳层的相对侧的一对杜瓦瓶、所述一对杜瓦瓶中的至少一种冷却剂、和冷却剂进口阀,其中,所述一对杜瓦瓶形成容纳所述冷却剂和所述超导壳层的贮槽,其中,所述冷却剂进口阀与所述贮槽流体连通,其中,所述冷却剂为低温流体,其中,所述低温流体与所述贮槽中的所述超导壳层的相对侧接触。
9、如权利要求1所述的腔室,其中,还包括位于所述超导壳层中的另外的电磁屏蔽。
10、如权利要求1所述的腔室,其中,还包括围绕所述工件的嵌套的超导壳层,且还包括用于将能量转移到腔室中的构件。
11、一种用于减弱工件中强作用力键的腔室,该腔室包括:
一用于使工件与电磁辐射、电场和磁场屏蔽的构件;
一围绕所述工件的超导壳层,其中,所述超导壳层具有打开位置和关闭位置;和
一用于将能量转移到所述腔室中的构件。
12、如权利要求11所述的腔室,其中,所述屏蔽构件包括位于所述超导壳层周围的电磁屏蔽,其中,所述能量转移构件包括将电力导入腔室的导线。
13、如权利要求12所述的腔室,其中,所述导线的至少一部分被超导电磁屏蔽护层包围。
14、如权利要求12所述的腔室,其中,还包括处于腔室中的电磁电路,所述电路通过所述导线连接至腔室外侧的能量源。
15、如权利要求14所述的腔室,其中,所述电磁电路是从包括磁场引发器、电磁场脉冲电路、激光电路和光电路在内的一组电路中选择的。
16、如权利要求14所述的腔室,其中,还包括在所述腔室中等距离地间隔开的多个所述电磁电路。
17、如权利要求11所述的腔室,其中,所述能量转移构件由从原动气体、原动流体和原动固体中选择的动力传递部分构成。
18、如权利要求18所述的腔室,其中,所述动力传递部分还包括用于所述工件扰动的直接或聚焦的声音放大系统。
19、如权利要求18所述的腔室,其中,所述动力传递部分还包括通过主轴可操作地连接至所述超导壳层的驱动件,所述驱动件通过所述主轴使所述超导壳层旋转。
20、如权利要求11所述的腔室,其中,所述超导壳层还包括在所述屏蔽构件中的多个超导部分,所述多个超导部分部分地包围所述工件。
21、如权利要求11所述的腔室,其中,还包括围绕所述工件的嵌套的超导壳层。
22、一种用于减弱工件中强作用力键的腔室,该腔室包括:
一外壳体;
在所述外壳体中且位于所述工件周围的一电磁屏蔽;
在所述外壳体中且完全包围所述工件的一超导壳层;
处于所述超导壳层的相对侧的一对杜瓦瓶;和
处于所述一对杜瓦瓶中的至少一种冷却剂,其中,所述一对杜瓦瓶形成容纳所述冷却剂和所述超导壳层的贮槽。
23、如权利要求22所述的腔室,其中,所述超导壳层是从包括多个叠置的超导元件、一连续超导元件、一对相对的相互连接的超导半壳层、和多个嵌套的超导壳层在内的构成超导壁的组中选取的。
24、如权利要求22所述的腔室,其中,所述超导壳层还包括一对相互连接的半球体。
25、如权利要求24所述的腔室,其中,还包括在所述一对相互连接的超导半球体之间的突缘。
26、如权利要求25所述的腔室,其中,所述一对相互连接的半球体中的至少之一叠置在所述一对相互连接的半球体的另一个上,其中,所述突缘提供压力密封。
27、如权利要求26所述的腔室,其中,还包括用于支承所述外壳体的基座、处于所述腔室中用于支承所述工件的样品台、和与所述贮槽流体连通的冷却剂进口阀,其中所述冷却剂为低温流体,其中,所述低温流体与所述贮槽中的所述超导壳层的所述相对侧接触,其中,所述一对相互连接的半球体具有彼此接触的第一位置和彼此分离的第二位置。
28、如权利要求22所述的腔室,其中,还包括用于将能量转移到所述腔室中的机构。
29、一种用于减弱工件中强作用力键的腔室,该腔室包括:
一位于所述工件周围的电磁屏蔽,其中,所述电磁屏蔽基本上不受电磁辐射、电场和磁场的影响;
围绕所述工件的多个超导壳层;和
至少一个共同操作地连接所述超导壳层的桥部,其中,所述工件可在所述超导壳层之间通过所述桥部运动。
30、如权利要求29所述的腔室,其中,所述电磁屏蔽是从包括铅、铌、金属合金及它们的任何组合在内的材料组中选取的,其中,所述超导壳层是从包括多个叠置超导元件、一连续超导元件和一对相对的相互连接的超导半壳组成的超导壁的组中选择的。
31、如权利要求29所述的腔室,其中,所述多个超导壳层包括一对相互连接的半球体和在所述一对半球体之间的突缘,能实现真空环境势能。
32、如权利要求31所述的腔室,其中,所述一对相互连接的半球体中的至少之一叠置在所述相互连接的半球体中的另一个上,其中,所述突缘提供压力密封。
33、一系列用于减弱工件中强作用力键的腔室,所述腔室包括:
一用于使所述工件与电磁辐射、电场和磁场屏蔽的构件;
一围绕所述工件的超导壳层,其中所述超导壳层具有打开位置和关闭位置;和
一用于将所述工件转移到电磁场约束放大器中的构件,用于将零点振动能转换为电磁能量。
34、如权利要求33所述的一系列腔室,其中,还包括在所述腔室之间的一系列桥部,其中,所述桥部包括保持横过隔绝系统的熵的超导嵌套壳层。
35、如权利要求33所述的一系列腔室,其中,还包括处于所述腔室下方的基座,其中,所述工件通过所述基座靠压力引入所述系统中,且所述基座包括超导嵌套壳层。
36、如权利要求33所述的一系列腔室,其中,在原子结构、分子结构和工件结构上的范德瓦尔斯电磁场的空间时间效应被变为其最低的基态。
37、如权利要求36所述的一系列腔室,其中,利用声音来扰动工件,有助于非电磁激励,在所述腔室中实现零点振动能的释放。
38、如权利要求33所述的一系列腔室,其中,低电磁基态及其相关的零点振动能通过一组大功率电磁场角向约束放大器被升高到其最高的激励电磁态,有助于产生用于动力应用或推进和改变运动方向的能量。
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