CN101277099A - 适用于fbar的金属布拉格声波反射层结构 - Google Patents
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Abstract
本发明属于新型射频电子元器件领域,特别是涉及一种适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构;它包括高声抗阻层和低声抗阻层,其特征在于所述高声抗阻层和低声抗阻层为金属薄膜,其中高声抗阻层由钨与钼中的一种材料构成,低声抗阻层由金属铝构成,所述高声抗阻层与低声抗阻层交替叠合而成;所述高、低声抗阻层的厚度为1/4或3/4声波波长。所述高、低声抗阻层的层数相对应,其层数为3-7层;该布拉格反射层具有工艺简单、膜厚便于控制且重复性好、金属之间结力好和金属间热应力小,是一种用于薄膜体声波器件的布拉格声反射层的良好材料和结构。
Description
技术领域
本发明属于新型射频电子元器件领域,特别是涉及一种适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构。
背景技术
随着手机等便携式无线通信设备的大量使用,用于无线通信的射频收发机得到了广泛的应用,在该射频系统里面,目前广泛使用的射频滤波器,如声表器件、介质器件等因为体积达还不能集成到芯片中,而且这些器件功耗大或者滤波性差,从而严重阻碍了射频芯片的集成和性能提高,比如低功耗、全芯片化、零中频等。2001年美国HP公司研发出了基于薄膜声体波结构的谐振器(FBAR)及其射频滤波器,其结构是半波长的压电薄膜和上下表面电极的三明治结构,上下电极作用是馈入射频电场和形成声全反射层,压电薄膜(目前主要是AlN或ZnO)在该电场下产生射频段声波的纵波谐振,其具有工艺兼容半导体技术、可以集成到芯片中,并且Q值非常高、可以制成选频特性优良的射频滤波器,FBAR可以解决上述其他射频滤波器的所有缺点,正因为此,随后各大国际公司如菲利普、意法公司、LG等相继推出各种结构的FBAR。目前FBAR按照下电极表面声反射方式的不同,可以分为三种结构:(1)气囊结构,该结构是在下电极淀积牺牲层,通过腐蚀牺牲层在下电极下获得空气隙,压电薄膜产生的声波在此获得全反射,该结构缺点是牺牲层腐蚀很难彻底,使得生产的FBAR频率一致性差;(2)体腔结构,该结构是在下电极的硅片背面刻蚀穿硅片,这样下电极下同样是形成声波全反射的空气,该结构缺点是硅片刻蚀穿后,硅片应力非常大,切割获得单个FBAR地成品率极低;(3)布拉格反射层,在下电极下淀积声学的布拉格反射层,声波在布拉格反射层形成全反射,该结构简单、成品率高,是目前主流产品普遍采用的结构。目前布拉格反射层的高低声阻抗的薄膜材料主要有Al/SiO2或W/SiO2,其中SiO2是采用低温化学气相沉积PECVD、射频溅射或反应溅射获得,由于硅和氧存在两种化合物SiO2和SiO,一般获得的都是SiO2和SiO的混合物SiOx(x=1-2),因SiO2和SiO特征声阻抗不同,使得该层声反射特性差别很大,器件特性一致性低,另外,其制备工艺复杂、薄膜厚度和成分难控制、化合物和金属热膨胀系数差别大导致膜层间应力大。
发明内容
本发明目的是提供一种制备工艺简单、薄膜成分可以控制、成本低廉的适用于FBAR的金属布拉格反射层结构。
本发明的目的是采用这样的技术方案实现的:它包括高声抗阻层和低声抗阻层,其特征在于所述高声抗阻层和低声抗阻层为金属薄膜,其中高声抗阻层由钨与钼中的一种材料构成,低声抗阻层由金属铝构成,所述高声抗阻层与低声抗阻层交替叠合而成。
所述高声抗阻层与低声抗阻层依次按照Mo-Al-Mo-Al-Mo-Al的顺序交替叠合;所述高声抗阻层与低声抗阻层的厚度为1/4或3/4声波波长。
由于本发明中的金属薄膜采用半导体工艺里面成熟的工艺技术制成,如直流溅射,能够方便获得所需厚度的金属薄膜,而且工艺的可控性、重复性好;另外,金属薄膜之间结力好、金属间热应力小,器件结构简单可靠、性能稳定可靠,因此它是一种较为理想的金属布拉格声波反射层结构。
附图说明
图1为本发明的结构示意图
图2为本发明压电薄膜AlN的XRD
图3为本发明的使用的横断面电镜照
图4为本发明的应用于FBAR测量结果示意图
图5为本发明的测试原理示意图
具体实施方式
在附图1中,本发明所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构包括高声抗阻层3、5、7和低声抗阻层4、6、8构成,所述高声抗阻层3、5、7和低声抗阻层4、6、8和为金属薄膜,其中高声抗阻层3、5、7由钨与钼中的一种材料制成,低声抗阻层4、6、8由金属铝制成,所述高声抗阻层3、5、7和低声抗阻层4、6、8交替叠合而成;
所述高声抗阻层3、5、7和低声抗阻层4、6、8依次按照金属Mo-Al-Mo-Al-Mo-Al的顺序交替叠合;所述高声抗阻层3、5、7和低声抗阻层4、6、8的厚度为1/4或3/4声波波长。
本发明所述的布拉格反射层全反射膜设置在谐振器FBAR的硅片9上,在布拉格反射层全反射膜有压电薄膜2,压电薄膜2的上方为上电极1、所述高声抗阻层3亦为下电极。
所述高声抗阻层3、5、7与低声抗阻层4、6、8采用成熟的直流溅射工艺技术制成,该工艺可方便获得所需厚度的金属薄膜;如,在FBAR的硅片9上,采用直流溅射淀积工艺依次制成交替叠合的金属Mo薄膜层和金属AL薄膜层,所述高声抗阻层与低声抗阻层的层数相对应,其层数为3-7层。
参照图3,本发明所述的布拉格反射层全反射膜的横断面电镜照,它包括高声阻抗层3、5、7的金属Mo结构层和低声阻抗层4、6、8的金属Al结构层,高、低声阻抗层的金属Mo层和金属Al层依次按照Mo-Al-Mo-Al-Mo-Al的顺序交替直流溅射淀积在硅片9上,如图3所示;
参照图4:在布拉格反射层全反射膜上射频反应溅射制备C轴取向的AlN压电薄膜2,AlN压电薄膜2具有良好的压电特性,用醋酸∶硝酸=1∶2比例的刻蚀液刻蚀出AlN压电薄膜2加下电极Mo层的方框,再直流溅射上电极1金属Al层,KOH标准液刻蚀出金属Al薄膜方框,所述AlN压电薄膜2厚度是工作声波的半波长,其他金属层厚度都是四分之一工作声波的波长,下电极和布拉格反射层各层的面积是1×1平方毫米,AlN压电薄膜2在上述面积内,AlN压电薄膜2面积是500×500平方微米,上电极1面积是200×200平方微米。测量使用探针台和矢量网络分析仪10测量,地线探针与下电极连接,上电极1接射频信号源,由探针和矢量网络分析仪馈入射频信号。测量结果见图4。
实验结果表明:结果和其他结构的FBAR谐振曲线相似,说明在上下电极间存在声波的纵波谐振,也就是布拉格反射层起到了声波反射的作用。
Claims (10)
1、适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,包括高声抗阻层和低声抗阻层,其特征在于所述高声抗阻层和低声抗阻层为金属薄膜,其中高声抗阻层由钨与钼中的一种材料构成,低声抗阻层由金属铝构成,所述高声抗阻层与低声抗阻层交替叠合而成。
2、根据权利要1所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层依次按照Mo-Al-Mo-Al-Mo-Al的顺序交替叠合而成。
3、根据权利要1所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的层数相对应,其层数为3-7层。
4、根据权利要1所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的厚度为1/4声波波长。
5、根据权利要1所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的厚度为3/4声波波长。
6、根据权利要2所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的厚度为1/4声波波长。
7、根据权利要2所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的厚度为3/4声波波长。
8、根据权利要2所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的层数相对应,其层数为3-7层。
9、根据权利要3所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的厚度为1/4声波波长。
10、根据权利要3所述的适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构,其特征在于所述高声抗阻层与低声抗阻层的厚度为3/4声波波长。
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