CN101255603B - 模板电沉积法制备ⅱ-ⅵ族半导体纳米线的方法 - Google Patents
模板电沉积法制备ⅱ-ⅵ族半导体纳米线的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101255603B CN101255603B CN2007101718067A CN200710171806A CN101255603B CN 101255603 B CN101255603 B CN 101255603B CN 2007101718067 A CN2007101718067 A CN 2007101718067A CN 200710171806 A CN200710171806 A CN 200710171806A CN 101255603 B CN101255603 B CN 101255603B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- electrode
- powder
- electrolyte
- electrodeposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000001661 cadmium Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009415 formwork Methods 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) Chemical compound [Cd+2] WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract description 14
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract 5
- -1 and stirred Substances 0.000 abstract 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000006250 one-dimensional material Substances 0.000 description 2
- 241001274216 Naso Species 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000005492 condensed matter physics Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical class Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，搅拌，以形成SO3 2-、HSeO2 +或HTeO2 +溶液；配制可溶性镉盐或锌盐溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；将上述配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，调节该混合电解液的pH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；以上述制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从-1V到0V，扫描步长为0.1V/s，建立电沉积时用电流—电压曲线以确定电沉积电位；搅拌下，以上述步骤确定的电沉积电压进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。
Description
技术领域：
本发明涉及一种模板电沉积法制备II-VI族半导体纳米线的方法，特别是一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。
背景技术：
纳米材料是指尺寸在10-100nm之间的团簇和亚微米体系，纳米材料与自然固体性能差别巨大，具有独特的效应，即小尺寸效应，表面界面效应，量子尺寸效应和宏观量子隧道效应。纳米线为准一维材料，指直径处于纳米尺度10-100nm而长度可达微米量级的线性纳米材料。近年来，随着许多准一维材料如的碳纳米管、半导体和一些金属纳米线的合成，低维半导体材料制备成为了凝聚态物理研究的热点之一，而准一维纳米材料的纳米线和纳米管是可用于有效的电子输运和光学激发的最小维数结构，所以一维半导体纳米线阵列因其在微观理论研究中的重要性和在电子、光学和纳米机械装置中的广泛应用，日益成为当前纳米材料研究领域的热点。近年来，低维半导体纳米材料的研制工作获得了巨大的进展，但仍有许多问题需要继续深入研究，而在制备低维半导体材料纳米线阵列时，获得排列整齐、分布均匀且结晶度高的纳米线是该项研究的难点。目前，制备纳米线有多种方法，如物理法中的激光烧蚀法、气相蒸发冷凝法、电弧放电法等；化学法中的化学气相沉积法(CVD)，溶液反应法、碳纳米管限制反应、电化学模板法等。在多种方法中，模板直流电沉积合成法因其操作简单且成本低廉，得到了广泛的应用。在众多模板中，阳极氧化铝膜由于具有均一和近乎平行的纳米孔洞，从而成为了化学和电化学方法制备纳米线的首选模板，且在模板上的平行纳米孔洞可调，从而使电沉积法得到的半导体纳米线的尺寸可调。这些优点使阳极氧化铝模板电沉积法成为了制备纳米线应用最广泛的方法之一。
纳米材料研制中，II-VI族化合物半导体是半导体纳米线中研究得较多的材料，广泛用于太阳能电池、光电子和光致发光装置等方面的应用。而传统方法一般将过饱和的Se粉或Te粉高温溶解于二甲基亚砜(DMSO)中，将电解槽浸于油浴中，在高温下(185℃)直流电沉积。沉积结束后，再用在160℃的DMSO中清洗，乙醇清洗，然后空气中干燥，保存。这种制备方法条件苛刻，工艺复杂，而且所用的有机溶剂DMSO有价格昂贵，毒性大等缺点；另外一种通用的方法是在多孔阳极氧化铝模板上以交流电电 沉积II-VI族化合物半导体纳米线，但交流电场连续变化，使得所制备的纳米线通常存在大量缺陷，结晶度差等缺点。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种模板电沉积法制备II-VI族半导体纳米线的方法。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种模板电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：
a.将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，使形成的SO3 2-、HSeO2 +或HTeO2 +离子的浓度为0.1～0.5M；
b.将可溶性镉盐或锌盐溶于去离子水中，配制成浓度为0.1～0.5M的溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；
c.将上述步骤a和b配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，缓慢滴加0.5M HNO3或HCl，H2SO4调节该混合电解液的PH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；其中SO3 2-、HSeO2 +或HTeO2 +离子与镉离子或锌离子的摩尔比为：1∶100-1000；
d.以步骤c中制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从-1V到0V，扫描步长为0.1V/S，建立电沉积时用电流-电压曲线以确定电沉积电位；
e.搅拌下，以步骤d中确定的电沉积电位进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。
上述的可溶性镉盐为CdCl2、CdSO4或Cd(NO3)2；所述的可溶性锌盐为ZnCl2、ZnSO4 或Zn(NO3)2；所述的钠盐为NaCl、(Na)2SO4、或NaNO3。
与现有技术相比，本发明方法制备的CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线具备如下特点：本发明方法工艺简单，操作方便，避免了使用有毒试剂，在室温、直流电沉积下制备的纳米线尺寸均匀，相均一，且可以通过改变电解液中的组分从而制备出相应的II-VI族半导体纳米线。
附图说明
图1为半导体材料CdTe电解液溶液的循环伏安曲线图
图2为CdTe半导体材料纳米线的TEM图。
具体实施方式
本发明采用的多孔阳极氧化铝模板的制备方法请参见(“孔性氧化铝模板与一维纳米新材料的制备”，无机化学学报，第18卷，第7期，P647-653)，具体步骤如下：
a多孔有序Al2O3模板的制备：
(1)将纯度为99.999％的铝片用丙酮清洗其表面油脂，用氢氧化钠溶液除表面自然氧化层。
(2)将铝片电抛光处理处理1～3分钟。
(4)将铝片在0.4M草酸作电解液中作第一次阳极氧化处理2～3小时。
(5)再将氧化过的铝片用的磷酸和铬酸混合液浸泡处理2～3小时。
(6)用去离子水清洗铝片，进行二次阳极氧化4～6小时；
(7)用饱和四氯化锡溶液腐蚀去除铝基底，用磷酸溶液将氧化铝膜除阻挡层，扩孔。
b氧化铝模板电极的制备过程。
(1)对多孔氧化铝模板蒸金作电极；
(2)用导电胶将蒸金的模板和导电玻璃(ITO)结合起来；
(3)待整个电极完全固化后，将制备好的Al2O3混合模板浸泡到已配制好的源体电解液中，
实施例一：CdTe纳米线的制备，具体步骤如下：
一、半导体材料CdTe电解液溶液的配制：
(1)5M浓HNO3及0.5M HNO3溶液的配制；
分别取11mL和1.1mL分析纯硝酸加入到50ml去离子水中，搅匀，分别配制成5M HNO3及0.5M HNO3溶液。
(2)量取10mL 5M的HNO3溶液，加入2.5mmoL Te粉，搅拌溶解，形成HTeO2 +离子，使HTeO2 +离子的浓度为0.25M。
(3)量取50mmoL的Cd(NO3)2结晶粉末和50mmoL NaNO3电解质溶于200ml去离子水中，使电解液中Cd2+浓度为0.25M。
(4)将上述步骤(1)的溶液1.5mL毫升和步骤(2)的溶液150mL毫升混合，使其中HTeO2 +离子与Cd2+离子的摩尔比为1∶100，充分搅拌后，缓慢滴加0.5M的HNO3溶液，调节混合电解液的PH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液。
二、在多孔有序Al2O3模板上直流电沉积CdTe半导体纳米线，具体步骤如下：
1作循环伏安确定电沉积电压：
(1)典型电沉积过程中，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极。以上述步骤中制备的电解液溶液为电解液，常温下，作循环伏安特性，扫描方向从-1V到0V，扫描步长为0.1V/S，记录循环伏安曲线，参见图2，确定其电沉积电位为-0.75V。
(2)电沉积：以-0.75V电压进行电沉积，搅拌加速电沉积速度，沉积时间为2-4小时。沉积时，搅拌，以增加其沉积速率和沉积纳米线的均匀性。沉积中多孔阳极氧化铝模板变色，直至整个模板都变成黑色，停止。电沉积时用电流—电压曲线来监测其反应过程。本实施例制备的CdTe半导体纳米线的TEM图，参见图2
实施例二：CdSe纳米线的制备，具体步骤如下：
一、半导体材料CdSe电解液溶液的配制：
(1)5M浓HNO3及0.5M HNO3溶液的配制；具体过程见实施例一
(2)量取10mL 5M的HNO3溶液，加入5mmoL Se粉，加热搅拌溶解，形成HSeO2 +离子，使HSeO2 +离子的浓度为0.5M。
(3)量取75mmoL的Cd SO4结晶粉末和75mmoL NaSO4电解质溶于150ml去离子水中，使电解液中Cd2+浓度为0.5M。
(4)将上述步骤(1)的溶液0.1mL和步骤(2)的溶液100mL混合，使其中HSeO2 +离子与Cd2+离子的摩尔比为：1∶1000。充分搅拌后，缓慢滴加0.5M的HNO3溶液，调节混合电解液的PH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液。
二、在多孔有序Al2O3模板上直流电沉积CdSe半导体纳米线步骤如下：
1作循环伏安确定电沉积电压：具体过程见实施例一，确定其电沉积电位为-0.7V。
2电沉积：以步骤(1)中确定的-0.7V进行电沉积，搅拌加速电沉积速度，沉积时间为2-4小时。沉积时，搅拌，以增加其沉积速率和沉积纳米线的均匀性。沉积中多孔阳极氧化铝模板变色，直至整个模板都变成黑色，停止。电沉积时用电流-电压曲线来监测其反应过程。
实施例三：ZnSe纳米线的制备，具体步骤如下：
一、半导体材料ZnSe电解液溶液的配制：
(1)5M浓HNO3及0.5M HNO3溶液的配制；具体过程见实施例一
(2)量取5mL 5M的HNO3溶液，加入0.5mmoL Se粉，加热搅拌溶解，形成HSeO2 +离 子，使HSeO2 +离子的浓度为0.1M。
(3)量取25mmoL的Zn(NO3)2结晶粉末和25mmoL NaNO3溶于250ml去离子水中，使电解液中Cd2+浓度为0.1M。
(4)将上述步骤(1)的溶液0.2mL和步骤(2)的溶液100mL混合，使其中HSeO2 +离子与Cd2+离子的摩尔比为：1∶500。充分搅拌后，缓慢滴加0.5M的HNO3溶液，调节混合电解液的PH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液。
二、在多孔有序Al2O3模板上直流电沉积ZnSe半导体纳米线步骤如下：
1作循环伏安确定电沉积电压：具体过程见实施例一，确定其电沉积电位为-0.9V。
2电沉积：以步骤(1)中确定的-0.9V进行电沉积，搅拌加速电沉积速度，沉积时间为2-4小时。沉积时，搅拌，以增加其沉积速率和沉积纳米线的均匀性。沉积中多孔阳极氧化铝模板变色，直至整个模板都变成黑色，停止。电沉积时用电流-电压曲线来监测其反应过程。
Claims (2)
1. 一种模板电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：
a.将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，使形成的SO3 2-、HSeO2 +或HTeO2 +离子的浓度为0.1～0.5mM；
b.将可溶性镉盐或锌盐溶于去离子水中，配制成浓度为0.1～0.5M的溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；
c.将上述步骤a和b配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，缓慢滴加0.5M HNO3或HCl，H2SO4调节该混合电解液的PH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；其中SO3 2-、HSeO2 +或HTeO2 +离子与镉离子或锌离子的摩尔比为：1∶100～1000；
d.以步骤c中制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从-1V到0V，扫描步长为0.1V/S，建立电沉积时用电流-电压曲线以确定电沉积电位；
e.搅拌下，以步骤d中确定的电沉积电位进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。
2. 根据权利要求1所述的模板电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法，其特征在于所述的可溶性镉盐为CdCl2、CdSO4或Cd(NO3)2；所述的可溶性锌盐为ZnCl2、ZnSO4或Zn(NO3)2；所述的钠盐为NaCl、(Na)2SO4、或NaNO3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007101718067A CN101255603B (zh) | 2007-12-06 | 2007-12-06 | 模板电沉积法制备ⅱ-ⅵ族半导体纳米线的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007101718067A CN101255603B (zh) | 2007-12-06 | 2007-12-06 | 模板电沉积法制备ⅱ-ⅵ族半导体纳米线的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101255603A CN101255603A (zh) | 2008-09-03 |
| CN101255603B true CN101255603B (zh) | 2011-11-23 |
Family
ID=39890689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101718067A Expired - Fee Related CN101255603B (zh) | 2007-12-06 | 2007-12-06 | 模板电沉积法制备ⅱ-ⅵ族半导体纳米线的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101255603B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008058400A1 (de) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Istituto Italiano Di Tecnologia | Nanodrähte auf Substratoberflächen, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
| CN102220603B (zh) * | 2010-04-16 | 2013-11-06 | 中国石油大学(北京) | 一种NbTi纳米线及其制备方法 |
| CN102060278B (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-04 | 中国天辰工程有限公司 | 一种制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法 |
| CN106082120A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-11-09 | 西安交通大学 | 一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法 |
| CN110231378A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-09-13 | 桂林理工大学 | 一种超疏水金电极的制备方法 |
-
2007
- 2007-12-06 CN CN2007101718067A patent/CN101255603B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101255603A (zh) | 2008-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lohar et al. | Photoelectrochemical cell studies of Fe2+ doped ZnSe nanorods using the potentiostatic mode of electrodeposition | |
| Ni et al. | Electrodeposition of p‐type CuSCN thin films by a new aqueous electrolyte with triethanolamine chelation | |
| US11453952B2 (en) | Photoelectrochemical cells | |
| Ojo et al. | Analysis of electrodeposited CdTe thin films grown using cadmium chloride precursor for applications in solar cells | |
| Mammadov et al. | Electrodeposition of cadmium sulfide | |
| Chen et al. | Plastic based dye-sensitized solar cells using Co 9 S 8 acicular nanotube arrays as the counter electrode | |
| Shinde et al. | Electrochemical synthesis of photosensitive nano-nest like CdSe0. 6Te0. 4 thin films | |
| Echendu et al. | Characterization of n-type and p-type ZnS thin layers grown by an electrochemical method | |
| CN101255603B (zh) | 模板电沉积法制备ⅱ-ⅵ族半导体纳米线的方法 | |
| Aliyev et al. | Electrochemical Studies on the Cathodic Electrodeposition of n-type semiconductor CdS thin film from Thiosulfate Acidic Aqueous Solution | |
| Kois et al. | Electrochemical and photoelectrochemical characterization of SnS photoabsorber films | |
| Madugu et al. | Preparation of indium selenide thin film by electrochemical technique | |
| Prabukanthan et al. | Structural, morphological, electrocatalytic activity and photocurrent properties of electrochemically deposited FeS 2 thin films | |
| Ishizaki et al. | Electrodeposition of CuInTe2 film from an acidic solution | |
| CN103757688A (zh) | 一种制备碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法 | |
| Pandit et al. | Electrochemical deposition toward thin films | |
| Tian et al. | Electrochemical synthesis of wheat-like CdSe array and their photoelectrochemical properties | |
| Gan et al. | Bath temperature and deposition potential dependences of CuSCN nanorod arrays prepared by electrochemical deposition | |
| Khan et al. | Substrate controls photovoltage, photocurrent and carrier separation in nanostructured Bi 2 S 3 films | |
| CN102485960A (zh) | 一种树枝状氧化锌多级结构纳米材料及其电化学制备方法 | |
| Liu et al. | Fabrication of ZnO nanostructures sensitized with CdS quantum dots for photovoltaic application using a convenient solution method | |
| Strawski et al. | Comparative studies of properties of CdSe/POMA hybrid films electrodeposited on HOPG, Au and Pt substrates | |
| Mahmoud et al. | Electrochemical Synthesis of CdS on Multi Walled Carbon Nanotubes Paste Electrode | |
| Zyoud et al. | Influence of the redox couple concentration and activity of a NaOH/Na2S/S electrolyte on the performance of CdS thin-film photoelectrochemical cells | |
| Haris et al. | Investigation on Stability of Electroplated-Sulfurized CuInS2-based Photocathode Modified with an In2S3 Layer for H2 Evolution under Various pH Conditions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: NANTONG HENGRUI PLATING CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SHANGHAI UNIVERSITY Effective date: 20140530 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200444 BAOSHAN, SHANGHAI TO: 226600 NANTONG, JIANGSU PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140530 Address after: 226600 Hainan village, Haian Town, Haian County, Jiangsu City, Nantong province twenty-one Patentee after: NANTONG HENGRUI PLATING Co.,Ltd. Address before: 200444 Baoshan District Road, Shanghai, No. 99 Patentee before: Shanghai University |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20111123 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |