CN101136214A - 一种双光束多阶存储光盘 - Google Patents
一种双光束多阶存储光盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101136214A CN101136214A CNA200710053046XA CN200710053046A CN101136214A CN 101136214 A CN101136214 A CN 101136214A CN A200710053046X A CNA200710053046X A CN A200710053046XA CN 200710053046 A CN200710053046 A CN 200710053046A CN 101136214 A CN101136214 A CN 101136214A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pits
- information
- twin
- disc
- mum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
一种双光束多阶存储光盘，其特征在于：将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T～14T，最短信息坑长度3T为0.4μm，宽度0.2～0.3μm，孪生信息坑间距0.3～0.4μm，道间距为0.74μm。本发明用两个较细的在弧线方向上并列的信息坑代替原有的单信息坑，通过两个孪生信息坑的有无进行编码(00，01，10，11)，这样，在不改变硬件参数的条件下可以将存储容量扩大，单面单层容量可达11G(不考虑编码效率和格式效率)，另外，读取速度也会加快。
Description
技术领域
本发明属于高密度光存储领域，利用目前的硬件设备实现红光的高密度光存储，改变了以往的二值化存储方式(即在一个数据单元上仅记录两种状态)，并且提出了一种新的多阶光存储方案，即利用双光束在原来数据单元上产生两个较窄的光斑，借此，在一个数据单元上可以存储四种状态，从而提升了光盘的存储容量，在不考虑编码和格式的情况下，单面单层存储容量可以达到11G以上。
背景技术
传统的提高光存储容量的方式主要是减小信息符尺寸和增加存储的维数。但是他们都没有改变传统的二值化存储方式，即在一个数据单元仅记录两种状态。多阶存储技术是借助多阶编码技术将多于两个的状态记录在一个数据单元中，也就是说，利用多阶技术使光盘存储容量在保持原有纪录符尺寸和记录单元数量的情况下得到大幅提高。
目前研究比较广泛的多阶存储方式有：
坑深调制：在这种多阶只读光盘中，信息坑的宽度固定，信息坑的深度具有M种不同的可能，代表着不同的阶次。根据光盘读出的衍射理论，对于不同深度的信息坑，其读出光在光电探测器上呈现不同光强，从而实现多阶坑深调制。这种方式的缺点是检测系统过于复杂，难以实现小型化和实用化；而且制造盘片的工艺基本采用了MEMS路线，应用于大批量生产难度较大。
信息坑长度调制：Sony公司研究了一种利用信息坑边沿相对于固定时钟的变化来存储信息的多阶技术，实际上是利用信息坑长度的变化实现多阶光存储效果。
Philips公司于2001年提出了一种LML(Limited Multi-Level)多阶光存储技术。LML多阶技术是在较长的信息坑(或岸)上加入一些“扰动”，稍微改变信息坑(或岸)的形状使其RF信号降低，从而实现多阶光存储。
本发明采用的通过现有的双光束母盘刻录设备能在一个数据单元上刻录两个信息坑从而产生(00，01，10，11)四种编码来实现多阶存储，增大了光盘的存储容量。
发明内容
本发明目的在于提出一种双光束多阶存储光盘，利用双光束能在母盘的一个记录单元上产生两个光斑的原理，然后对这两个光斑的有无进行编码(00，01，10，11)，从而实现了多阶光存储，提高了存储容量，其单面单层的容量可达11G。
本发明的技术方案是：一种双光束多阶存储光盘，其特征在于：将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T～14T，最短信息坑长度3T为0.4μm，宽度0.2～0.3μm，孪生信息坑间距0.3～0.4μm，道间距为0.74μm。通过这两个光斑的有无来确定这个数据单元的状态，由于状态数为4，故一个数据单元的存储量由DVD的1bit变为2bit。
有益效果：本发明用两个较细的在弧线方向上并列的信息坑代替原有的单信息坑，目前DVD信息坑宽度为0.4μm，本发明光盘的信息坑宽度为0.2～0.3μm，最短信息坑长度3T为0.4μm，两个孪生信息坑之间的间距控制在0.3～0.4μm，信道间距为0.74μm。通过两个孪生信息坑的有无进行编码(00，01，10，11)，这样，在不改变硬件参数的条件下可以将存储容量扩大，单面单层容量可达11G(不考虑编码效率和格式效率)，另外，读取速度也会加快。
附图说明
1.图1为目前DVD光盘信息坑示意图。
2.图2为本发明实施例的双光束多阶存储光盘信息坑示意图。
图中，L：信息坑长度，D：道间距，W：信息坑宽度，w：孪生信息坑间距，d：相邻信息轨道信息坑间距。
具体实施方式
参见图1和图2。本发明实施例的双光束多阶存储光盘，将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑光斑变为两个孪生信息坑光斑，信息坑长度L＝0.4μm，信息坑宽度W＝0.3μm，孪生信息坑间距w＝0.3μm，道间距为D＝0.74μm。通过这两个光斑的有无来确定这个数据单元的状态，由于状态数为4，故一个数据单元的存储量由DVD的1bit变为2bit。
其制作工艺如下：
1. 母盘编码 由于采用了多阶技术，故必须使用专门的母盘编码设备，例如采用多阶游程编码技术，并综合考虑编码效率等因素，以及采用新的调制技术，这必须在新的母盘编码设备上给予实现。
2. 母盘刻录利用现有的母盘双光束刻录设备，但是必须调整两束光的刻录位置，根据编码规则对上述编码后所得到的数据流进行刻录。必须严格控制刻录光强，控制两个孪生信息坑的宽度。
3. 母盘制作利用现有的母盘制作设备和工艺流程。需要严格控制或者调整的是显影时间，也是为了控制信息坑的宽度。
4. 盘片制作利用现有的DVD盘片制作设备和工艺流程。
5. 信息读取 由于采用了完全不同的编码方式，故在信息读取时也要完全采用与之对应的解码方式。由于本发明采用的方案为双光束多阶技术，故在读取时相对于坑深和坑长的调制技术的误码率会降低不少，而且可以采用传统的过零检测。
Claims (1)
1.一种双光束多阶存储光盘，其特征在于：将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T～14T，最短信息坑长度3T为0.4μm，宽度0.2～0.3μm，孪生信息坑间距0.3～0.4μm，道间距为0.74μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA200710053046XA CN101136214A (zh) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | 一种双光束多阶存储光盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA200710053046XA CN101136214A (zh) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | 一种双光束多阶存储光盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101136214A true CN101136214A (zh) | 2008-03-05 |
Family
ID=39160265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA200710053046XA Pending CN101136214A (zh) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | 一种双光束多阶存储光盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101136214A (zh) |
-
2007
- 2007-08-27 CN CNA200710053046XA patent/CN101136214A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101601092B (zh) | 光盘、光盘装置、光盘记录再生方法、集成电路 | |
| TWI233608B (en) | Disc recording medium, disc driving apparatus, reproduction method, and disc manufacturing method | |
| USRE44088E1 (en) | Record carrier having a servo track with position information in accordance with a modulation type and permanent information in accordance with a different modulation type, and apparatus for scanning the record carrier | |
| CN102290063B (zh) | 光盘、光盘记录再生方法 | |
| CN100412975C (zh) | 游程长度受限的多阶可录光盘的信息记录方法 | |
| CN101606202B (zh) | 信息记录方法及信息再生方法 | |
| CN201111894Y (zh) | 双光束多阶存储光盘 | |
| CN105264602A (zh) | 光信息记录介质、再生方法以及再生装置 | |
| US7385908B2 (en) | Record carrier including a servo track having first and second modulated parts representing a data type and a word sync type, respectively, and an apparatus for scanning the record carrier | |
| CN101136214A (zh) | 一种双光束多阶存储光盘 | |
| AU2002339218A1 (en) | Record carrier and apparatus for scanning the record carrier | |
| CN1122259C (zh) | 光盘的数据编码方法 | |
| CN102324239A (zh) | 编码装置和方法、记录装置和方法、解码装置和方法 | |
| CZ20023736A3 (cs) | Záznamový nosič a záznamové a/nebo přehrávací zařízení | |
| JP2007149320A (ja) | 追記型／書換型光ディスク及び同ディスクのためのアドレス情報記録方法 | |
| CN101740071B (zh) | 一种变阶次多阶游程受限调制编码方法 | |
| CN101136215A (zh) | 多阶游程受限只读光盘母盘及其刻录方法 | |
| CN101740078B (zh) | 变阶次多阶游长受限调制编码中的对称非零翻转方法 | |
| CN101075461A (zh) | 再现存储在光学信息存储介质中的信息的设备 | |
| JP2023026411A (ja) | ホログラフィック記憶用光ディスクのトラックフォーマット及びその符号化方法 | |
| JP2800695B2 (ja) | 光学的記録，再生方法及び記録，再生装置ならびに光学的記録媒体 | |
| EP2378521B1 (en) | Laser power management for Super-RENS optical recording media |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: RUAN HAO Free format text: FORMER OWNER: RUAN HAO; APPLICANT Effective date: 20080606 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20080606 Address after: Shanghai Yishan Road No. 800 Shanghai new era optical disk technology Co., Ltd. zip code: 200233 Applicant after: Ruan Hao Address before: Shanghai Yishan Road No. 800 Shanghai new era optical disk technology Co., Ltd. zip code: 200233 Applicant before: Ruan Hao Co-applicant before: Li Weiquan |
|
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |