CN101114735B - 一种能降低旁瓣电平的阵列天线 - Google Patents

一种能降低旁瓣电平的阵列天线 Download PDF

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Abstract

本发明是关于一种能降低旁波束位准(side lobe level)的阵列天线,其包含:一接地面、一馈入网络、多数个辐射金属片(该辐射金属片具有一第一非辐射边、一第二非辐射边及两辐射边)、多数个表面电流扰动元件。其中该表面电流扰动元件位于第二非辐射边上,并靠近阵列天线耦合辐射边,可用以降低阵列天线两靠近辐射边所造成的耦合效应,达成降低旁波束位准的效果。

Description

一种能降低旁瓣电平的阵列天线
技术领域
本发明是涉及一种降低旁波束位准(side lobe level)的阵列天线,特别是应用于无线通讯产品上的天线。 
背景技术
随着近年来无线通讯的快速发展,在产品的各项需求上也逐渐提高,除了达成电气特性的规格外,在外观上及实用便利性上也逐渐朝向多元化,在一些点对点的无线通讯应用上,需要使用具有高增益的阵列天线,而过高的阵列天线所造成旁波束,除造成天线增益下降外,并造成系统的干扰,如何降低阵列天线旁波束位准,对于阵列天线的设计上就变得非常重要。 
目前应用于行动式通讯设备的阵列天线,通常采用一样的辐射金属片,已知的阵列天线设计其结构如图1所示,其结构包含一与信号地端相接的接地面11、多数个形状相同的辐射金属片12及一控制各辐射金属片信号振幅及相位的馈入网络13,该馈入网络并包含一信号馈入点131,用以与高频信号正端相接。 
上述阵列天线设计中,都利用多个辐射金属片,来达成提高指向性的效果,进而增加天线增益,不过其会对传输信号干扰的旁波束却无法有效降低,而造成使用上的限制,如何降低低旁波束位准就变成阵列天线设计指针。本发明可由在天线一非辐射边加入表面电流扰动元件,有效降低旁波束位准,极具产业应用价值。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种能降低旁波束位准的阵列天线创新设计,可由位于第二非辐射边上的表面电流扰动元件,以降低阵列天线辐射边靠近所造成的耦合效应,进而降低阵列天线旁波束位准。 
本发明一种能降低旁波束位准的阵列天线,其特征在于,包含: 
一接地面,该接地面用以与高频信号地端相接; 
一馈入网络,用以传输并控制天线辐射元件的馈入信号振幅及向位,该馈入网络并包含: 
一信号馈入点,该信号馈入点用以与高频信号正端相接;及 
多数个信号端口,该多数个信号端口位于馈入网络的末端; 
多数个辐射金属片,该辐射金属片形状近似矩形并包含: 
一第一非辐射边,与馈入网络的信号端口相接; 
一第二非辐射边,位于该第一非辐射边相对的另一边;及 
两辐射边,该辐射边两端分别与两非辐射边相接;及 
多数个表面电流扰动元件,该表面电流扰动元件位于第二非辐射边上,并靠近两邻近耦合的辐射金属片的辐射边,用以降低阵列天线两靠近辐射边所造成的耦合效应,进而降低旁波束位准。 
其中该表面电流扰动元件是成对出现。 
其中该表面电流扰动元件为多边形。 
其中该表面电流扰动元件为三角形。 
其中该表面电流扰动元件为梯形。 
附图说明
为进一步说明本发明的具体技术内容,以下结合实施例及附图详细说明如后,其中: 
图1为已知阵列天线一实施例结构图。 
图2为本发明阵列天线第一实施例的上视结构图。 
图3为图2的AA剖面视图。 
图4为本发明天线第一实施例的返回损失实验结果。 
图5A为已知阵列天线的辐射场型实验结果。 
图5B为本发明天线第一实施例的辐射场型实验结果。 
图6为本发明阵列天线的第二实施例结构图。 
图7为本发明阵列天线的第三实施例结构图。 
具体实施方式
如图2所示为本发明的一种能降低旁波束的阵列天线的第一实施例,其包含:一接地面21、一馈入网络22(具有四个信号端口222)、四个辐射金属片23、四个表面电流扰动元件24。该馈入网络包含一信号馈入点221及四个信号端口222;该信号馈入点221用以与高频信号正端相接,该信号端口222则位于馈入网络22的末端。该辐射金属片23形状近似矩形并包含一第一非辐射边231、一第二非辐射边232及两辐射边233;该第一非辐射边231与馈入网络22的信号端口222相接;该第二非辐射边232位于与该第一非辐射边231相对的另一边;该辐射边233两端则分别与两非辐射边231与232相接。该表面电流扰动元件24位于该辐射金属片23的第二非辐射边232上,并靠近两邻近耦合的辐射金属片的辐射边,可有效降低阵列天线两邻近辐射边所造成的耦合效应,进而降低旁波束位准。 
如图3所示为图2的AA剖面视图,其包含:一接地面21、一馈入网络22并包含一信号馈入点221、多数个辐射 金属片23、一高频信号正端25与该馈入点221相接、一高频信号地端26与该接地面21相接及多数个表面电流扰动元件24。 
图4为本发明天线的第一实施例的返回损失及辐射场型实验结果。图5A则为已知阵列天线的辐射场型实验结果,其中曲线51为未加入表面电流扰动元件24的辐射场型量测结果,由图中可看出,主波束增益值510约为14dBi,而旁波束增益值511约为2dBi,因此旁波束位准约为-12dB(2-14=-12)。图5B为本发明天线第一实施例的辐射场型实验结果,曲线52为加入表面电流扰动元件24的辐射场型量测结果,由图中可看出,主波束增益值520仍约为16dBi,然而旁波束增益值521大幅下降至约为-8dBi,因此旁波束位准下降至约为-24dB,从结果可明显看出加入表面电流扰动元件后降低了约12dB的旁波束位准。 
如图6所示为本发明的一种能降低旁波束的阵列天线的第二实施例,其包含:一接地面61、一馈入网络62(具有四个信号端口622)、四个辐射金属片63、四个表面电流扰动元件64。该馈入网络62包含一信号馈入点621,四个信号端口622;该信号馈入点621用以与高频信号正端相接,该信号端口622位于该馈入网络62的末端。该辐射金属片63形状近似矩形并包含一第一非辐射边631、一第二非辐射边632及两辐射边633;该第一非辐射边631 与馈入网络62的信号端口622相接;该第二非辐射边632位于与该第一非辐射边631相对的另一边;该辐射边633两端则分别与两非辐射边631与632相接。该表面电流扰动元件64位于辐射金属片63的第二非辐射边632上,并靠近两邻近耦合的辐射金属片的辐射边,可有效降低阵列天线两邻近辐射边所造成的耦合效应,进而降低旁波束位准。 
如图7所示为本发明的一种能降低旁波束的阵列天线的第三实施例,其包含:一接地面71、一馈入网络72(具有十六个信号端口722)、十六个辐射金属片73、十二个表面电流扰动元件74。其中该馈入网络72包含一信号馈入点721,十六个信号端口722;该信号馈入点721用以与高频信号正端相接,该信号端口722位于馈入网络72的末端。该辐射金属片73形状近似矩形并包含一第一非辐射边731、一第二非辐射边732及两辐射边733;该第一非辐射边731与馈入网络72的信号端口722相接;该第二非辐射边732位于与该第一非辐射边731相对的另一边;该辐射边733两端则分别与该两非辐射边731与732相接。该表面电流扰动元件74位于辐射金属片73的第二非辐射边732上,并靠近两邻近耦合的辐射金属片的辐射边,可有效降低阵列天线两邻近辐射边所造成的耦合效应,进而降低旁波束位准。 
在本发明说明中所述的实施例仅为说明本发明的原理及 其功效,而非限制本发明。因此,任何熟悉此技术者所作的各种更动与润饰,在不脱离本发明的精神和范围内,均在本发明的创作内容范围的内。本发明的权利范围应如后述的申请专利范围所列。 

Claims (5)

1.一种能降低旁瓣电平的阵列天线,其特征在于,包含:
一接地面,该接地面用以与高频信号地端相接;
一馈入网络,用以传输并控制天线辐射元件的馈入信号振幅及相位,该馈入网络包含:
一信号馈入点,该信号馈入点用以与高频信号输出端相接;及
多个信号端口,该多个信号端口位于馈入网络的末端;
多个辐射金属片,该辐射金属片成矩形,并包含:
一第一非辐射边,与馈入网络的信号端口相接;
一第二非辐射边,位于该第一非辐射边相对的另一边;及
两辐射边,该辐射边两端分别与两非幅射边相接;及
多个附加金属片,该附加金属片,位于第二非辐射边上,并靠近两邻近耦合的辐射金属片的幅射边,用以降低阵列天线两靠近幅射边所造成的耦合效应,进而降低旁瓣电平。
2.如权利要求1项所述的一种能降低旁瓣电平的阵列天线,其特征在于,其中该附加金属片是成对出现。
3.如权利要求1项所述的一种能降低旁瓣电平的阵列天线,其特征在于,其中该附加金属片为多边形。
4.如权利要求1项所述的一种能降低旁瓣电平的阵列天线,其特征在于,其中该附加金属片为三角形。
5.如权利要求1项所述的一种能降低旁瓣电平的阵列天线,其特征在于,其中该附加金属片为梯形。 
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