CN101073855A - 激光加工装置 - Google Patents

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CN101073855A CNA2007101033252A CN200710103325A CN101073855A CN 101073855 A CN101073855 A CN 101073855A CN A2007101033252 A CNA2007101033252 A CN A2007101033252A CN 200710103325 A CN200710103325 A CN 200710103325A CN 101073855 A CN101073855 A CN 101073855A
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Abstract

本发明着眼于由聚光物镜聚光的激光光束的焦点深度越长、加工效果越大的情况,提供一种生产性高的激光加工装置。这种激光加工装置具备保持被加工物的卡盘台和对保持在卡盘台上的被加工物照射脉冲激光光束的激光光束照射机构,激光光束照射机构具备激光光束振荡机构和将由激光光束振荡机构振荡的激光光束聚光的聚光物镜,该激光加工装置具备微弱聚光机构,该微弱聚光机构配置在激光光束振荡机构和聚光物镜之间并进行聚光,使从激光光束振荡机构振荡并入射到聚光物镜的激光光束的光斑的实质上的NA值成为0.02以下。

Description

激光加工装置
技术领域
本发明涉及一种对被加工物实施激光加工的激光加工装置。
背景技术
在半导体器件制造工序中,通过在大致圆板形状的半导体晶片表面排列成格子状的被称作切割道的切割道划分了多个区域,在该划分的区域形成IC、LSI等器件。并且,将半导体晶片沿切割道切断,从而分割形成有器件的区域,制造各个半导体芯片。
为了谋求装置的小型化、高功能化,层叠多个半导体芯片并对被层叠的半导体芯片的电极进行连接的模块结构被实用化。该模块结构的构成是在半导体晶片上的形成有电极的部位形成贯通孔(通孔)、在该贯通孔中埋入与电极连接的铝等导电性材料。(例如,参照专利文献1。)
专利文献1:(日本)特开2003-163323号公报
上述设置在半导体晶片上的通孔,利用钻头形成。然而,由于设置在半导体晶片上的通孔的直径小,存在利用钻头进行穿孔的生产性差的问题。
为了消除上述问题,本申请人作为(日本)特愿2005-64867号提出一种能够在半导体晶片等被加工物上高效地形成细孔的激光加工装置。该激光加工装置具备对保持被加工物的卡盘台和激光光束照射机构的相对加工进给量进行检测的加工进给量检测机构、存储被加工物上形成的细孔的X、Y坐标值的存储机构、及根据存储在存储机构中的细孔的X、Y坐标值和来自加工进给量检测机构的检测信号控制激光光束照射机构的控制机构,被加工物上形成的细孔的X、Y坐标值一达到激光光束照射机构的聚光器的正下方就照射激光。
在上述的从半导体晶片的背面照射激光光束形成通孔的形成方法中,如果不照射非常多的脉冲激光光束就不能形成贯通的通孔,有改善的余地。例如,向厚度100μm的硅晶片照射脉冲激光光束形成贯通的通孔,需要照射每1个脉冲为0.5~1mJ的激光光束50发(shot)左右。另外,在硅晶片上形成的通孔,从激光光束的入口侧朝向出口侧呈尖细状,不是在整个范围内形成相同直径。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而做出的,着眼于由聚光物镜聚光的激光光束的焦点深度越长、加工效果越大,提供一种生产性高的激光加工装置。
为了解决上述主要技术课题,根据本发明提供一种激光加工装置,具备保持被加工物的卡盘台和对保持在该卡盘台上的被加工物照射脉冲激光光束的激光光束照射机构,该激光光束照射机构具备激光光束振荡机构和将由该激光光束振荡机构振荡的激光光束聚光的聚光物镜,上述激光加工装置的特征在于,具备微弱聚光机构,该微弱聚光机构配置在该激光光束振荡机构和该聚光物镜之间并进行聚光,使从该激光光束振荡机构振荡并入射到该聚光物镜的激光光束的光斑的实质上的NA值成为0.02以下。
发明的效果如下:本发明的激光加工装置具备微弱聚光机构,该微弱聚光机构配置在激光光束振荡机构和聚光物镜之间并进行聚光,使从激光光束振荡机构振荡并入射到聚光物镜的激光光束的光斑的实质上的NA值成为0.02以下,因此,由聚光物镜聚光的激光光束的焦点深度长,因此加工效果大,能够提高生产性。
附图说明
图1是根据本发明构成的激光加工装置的立体图。
图2是简略表示安装在图1所示的激光加工装置上的激光光束照射机构的结构的框图。
图3是表示利用图2所示的激光光束照射机构照射的激光光束的聚光状态的说明图。
图4是表示构成图2所示的激光光束照射机构的微弱聚光机构的其他实施方式的说明图。
图5是作为被加工物的半导体晶片的平面图。
图6是放大表示图5所示的半导体晶片的局部的平面图。
图7是表示将图5所示的半导体晶片粘贴在环状框架上安装的保护带表面的状态的立体图。
图8是表示图5所示半导体晶片被保持在图1所示的激光加工装置的卡盘台的规定位置的状态下与坐标的关系的说明图。
图9是利用图1所示的激光加工装置实施的穿孔工序的说明图。
图10是放大表示图示穿孔工序的详情的说明图。
图中,2-静止底座,3-卡盘台机构,36-卡盘台,37-加工进给机构,374-加工进给量检测机构,38-第1分度进给机构,384-分度进给量检测机构,4-激光光束照射组件支承机构,42-可动支承底座,43-第2分度进给机构,5-激光光束照射组件,51-组合架,52-激光光束照射机构,53-脉冲激光光束振荡机构,54-聚光器,541-聚光物镜,55-微弱聚光机构,6-摄像机构,8-控制机构。
具体实施方式
以下,关于根据本发明构成的激光加工装置的最佳实施方式,参照附图更详细地进行说明。
图1表示根据本发明构成的激光加工装置的立体图。图1所示的激光加工装置具备静止底座2,沿以箭头X表示的加工进给方向可移动地配置在该静止底座2上且保持被加工物的卡盘台机构3,沿与由上述箭头X表示的方向呈直角的、由箭头Y表示的分度进给方向可移动地配置在静止底座2上的激光光束照射组件支承机构4,以及沿由箭头Z表示的方向可移动地配置在该激光光束照射组件支承机构4上的激光光束照射组件5。
上述卡盘台机构3具备沿着由箭头X表示的加工进给方向平行配置在静止底座2上的一对导轨31、31、沿由箭头X表示的加工进给方向可移动地配置在该导轨31、31上的第1滑块32、沿由箭头Y表示的分度进给方向可移动地配置在该第1滑块32上的第2滑块33、由圆筒构件34支承在该第2滑块33上的盖形台35和作为被加工物保持机构的卡盘台36。该卡盘台36具备由多孔性材料形成的吸附卡盘361,在吸附卡盘361上,通过没有图示的吸引机构保持被加工物即例如圆盘状半导体晶片。如此构成的卡盘台36通过配置在圆筒构件34内的没有图示的脉冲电机而旋转。还有,在卡盘台36上配置有用于固定后述环状框架的扣片362。
上述第1滑块32在其下面设有与上述一对导轨31、31配合的一对被导向槽321、321,同时,在其上面设有沿着由箭头Y表示的分度进给方向平行形成的一对导轨322、322。如此构成的第1滑块32通过被导向槽321、321与一对导轨31、31配合,从而沿着一对导轨31、31能够沿由箭头X表示的加工进给方向移动。图示实施方式的卡盘台机构3具备用于使第1滑块32沿一对导轨31、31在由箭头X表示的加工进给方向上移动的加工进给机构37。加工进给机构37包括平行配置在上述一对导轨31、31之间的外螺纹杆371和用于旋转驱动该外螺纹杆371的脉冲电机372等驱动源。外螺纹杆371的一端由固定在上述静止底座2上的轴承块373旋转自由地支承,其另一端与上述脉冲电机372的输出轴传动连接。还有,外螺纹杆371与在第1滑块32的中央部下面突出设置的未图示的内螺纹块上形成的贯通内螺纹孔螺合。因而,利用脉冲电机372正转及反转驱动外螺纹杆371,从而,使第1滑块32沿着导轨31、31在由箭头X表示的加工进给方向上移动。
图示实施方式的激光加工装置,具备用于检测上述卡盘台36的加工进给量的加工进给量检测机构374。加工进给量检测机构374由沿导轨31配置的直线尺374a和配置在第1滑块32上并与第1滑块32一起沿着直线尺374a移动的读取头374b构成。在图示实施方式中,该进给量检测机构374的读取头374b每1μm向后述控制机构发送1脉冲的脉冲信号。然后,后述的控制机构对输入的脉冲信号进行计数,从而检测卡盘台36的加工进给量。还有,在采用脉冲电机372作为上述加工进给机构37的驱动源时,通过对向脉冲电机372输出驱动信号的后述控制机构的驱动脉冲进行计数,从而也能够检测卡盘台36的加工进给量。另外,在作为上述加工进给机构37的驱动源采用伺服电机时,将检测伺服电机的转数的旋转编码器输出的脉冲信号发送给后述的控制机构,控制机构对输入的脉冲信号进行计数,从而,也能够检测卡盘台36的加工进给量。
上述第2滑块33在其下面设有与设置在上述第1滑块32的上面的一对导轨322、322配合的一对被导向槽331、331,将该被导向槽331、331与一对导轨322、322配合,从而,能够在由箭头Y表示的分度进给方向上移动。图示实施方式的卡盘台机构3具备用于使第2滑块33沿着设置在第1滑块32上的一对导轨322、322在由箭头Y表示的分度进给方向上移动的第1分度进给机构38。第1分度进给机构38包括平行配置在上述一对导轨322、322之间的外螺纹杆381和用于旋转驱动该外螺纹杆381的脉冲电机382等驱动源。外螺纹杆381的一端由固定在上述第1滑块32的上面的轴承块383旋转自由地支承,其另一端与上述脉冲电机382的输出轴传动连接。还有,外螺纹杆381与在第2滑块33的中央部下面突出设置的、未图示的内螺纹块上形成的贯通内螺纹孔螺合。因而,利用脉冲电机382正转及反转驱动外螺纹杆381,从而使第2滑块33沿着导轨322、322在由箭头Y表示的分度进给方向上移动。
图示实施方式的激光加工装置具备用于对上述第2滑块33的分度进给量进行检测的分度进给量检测机构384。分度进给量检测机构384由沿着导轨322配置的直线尺384a和配置在第2滑块33上且与第2滑块33一起沿着直线尺384a移动的读取头384b构成。在图示实施方式中,该进给量检测机构384的读取头384b每1μm向后述控制机构发送1脉冲的脉冲信号。然后,后述的控制机构对输入的脉冲信号进行计数,从而检测卡盘台36的分度进给量。还有,在采用脉冲电机382作为上述第1分度进给机构38的驱动源时,通过对向脉冲电机382输出驱动信号的后述控制机构的驱动脉冲进行计数,由此能够检测卡盘台36的分度进给量。另外,在采用伺服电机作为上述加工进给机构37的驱动源时,将检测伺服电机的转数的旋转编码器输出的脉冲信号发送给后述的控制机构,控制机构对输入的脉冲信号进行计数,从而,也能够检测卡盘台36的分度进给量。
上述激光光束照射组件支承机构4具备沿由箭头Y表示的分度进给方向平行配置在静止底座2上的一对导轨41、41和沿由箭头Y表示的方向可移动地配置在该导轨41、41上的可动支承底座42。该可动支承底座42由可移动地配置在导轨41、41上的移动支承部421和安装在该移动支承部421上的安装部422构成。安装部422在一侧面平行设有沿由箭头Z表示的方向延伸的一对导轨423、423。图示实施方式的激光光束照射组件支承机构4具备第2分度进给机构43,该第2分度进给机构43用于使可动支承底座42沿一对导轨41、41在由箭头Y表示的分度进给方向上移动。第2分度进给机构43包括平行配置在上述一对导轨41、41之间的外螺纹杆431和用于旋转驱动该外螺纹杆431的脉冲电机432等驱动源。外螺纹杆431的一端由固定在上述静止底座2上的没有图示的轴承块旋转自由地支承,其另一端与上述脉冲电机432的输出轴传动连接。另外,螺纹杆431与在构成可动支承底座42的移动支承部421的中央部下面突出设置的、没有图示的内螺纹块上形成的贯通内螺纹孔螺合。因而,利用脉冲电机432正转及反转驱动外螺纹杆431,从而,使可动支承底座42沿着导轨41、41在由箭头Y表示的分度进给方向上移动。
图示实施方式的激光光束照射组件5具备组合架51和安装在该组合架51上的激光光束照射机构52。组合架51设有一对被导向槽511、511,该一对被导向槽511、511可滑动地嵌合在上述安装部422上设置的一对导轨423、423上,将该被导向槽511、511与上述导轨423、423配合,从而可移动地被支承在由箭头Z表示的方向上。
图示实施方式的激光光束照射组件5具备移动机构53,该移动机构用于使组合架51沿着一对导轨423、423在由箭头Z表示的方向(Z轴方向)上移动。移动机构53包括平行配置在一对导轨423、423之间的外螺纹杆(没有图示)和用于旋转驱动该外螺纹杆的脉冲电机532等驱动源。利用脉冲电机532正转及反转驱动没有图示的外螺纹杆,从而使组合架51及激光光束照射机构52沿导轨423、423在由箭头Z表示的方向(Z轴方向)上移动。还有,图示的实施方式中,通过正转驱动脉冲电机532使激光光束照射机构52向上方移动,通过反转驱动脉冲电机532使激光光束照射机构52向下方移动。
图示的激光光束照射机构52包括实际上水平配置的圆筒形状的壳体521。另外,激光光束照射机构52如图2所示地具备配置在壳体521内的脉冲激光光束振荡机构53、聚光器54和微弱聚光机构55,聚光器54具备将由该激光光束振荡机构53振荡的激光光束聚光的聚光物镜541,微弱聚光机构55配置在激光光束振荡机构53和聚光器54之间,并对由激光光束振荡机构53振荡并入射到聚光物镜541的激光光束进行聚光。
上述脉冲激光光束振荡机构53包括由YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光光束振荡器531、和附设在其上的重复频率设定机构532。
上述聚光器54包括聚光物镜541和方向转换镜542,聚光物镜541与保持在上述卡盘台36上的被加工物对置,方向转换镜542使从上述脉冲激光光束振荡机构53振荡的脉冲激光光束朝向聚光物镜541转换方向。
在图2所示的实施方式中,上述微弱聚光机构55由1个凸透镜551构成。该凸透镜551将由激光光束振荡机构53振荡的脉冲激光光束聚光,通过方向转换镜542以规定的光斑直径入射到聚光物镜541。并且,凸透镜551的焦距及到聚光物镜541之间的光路长度被设定成入射到聚光物镜541的脉冲激光光束的光斑的实质上的NA值成为0.02以下。并且,NA值由聚光物镜541的焦距和入射到聚光物镜541的脉冲激光光束的光斑直径规定。即,NA值可以将入射到聚光物镜541的激光光束的光斑的半径(r)除以聚光物镜541的焦距(f)而求出(NA=r/f)。使该NA值越小,则由聚光物镜541而使激光光束的焦点深度增长,加工效果增大。
在此,对于使上述NA值成为0.02的实施方式,参照图3进行说明。还有,在图3所示的实施方式中,设聚光物镜541的焦距(f1)为50mm、从脉冲激光光束振荡机构53振荡出的脉冲激光光束LB1的直径(D)为3mm。在这种设定中,要使上述NA值为0.02,则r/f1成为0.02即可(r/f1=0.02)。从而,由于聚光物镜541的焦距(f1)为50mm,因此,r=0.02×50=1。即,使入射到聚光物镜541的脉冲激光光束的光斑S的直径为2mm,从而能够使入射到聚光物镜541的脉冲激光光束的NA值为0.02。因此,对作为上述微弱聚光机构55的凸透镜551的焦距(f0)及从凸透镜551到聚光物镜541之间的光路长度进行设定,使得从脉冲激光光束振荡机构53振荡的直径(D)为3mm的脉冲激光光束LB1入射到聚光物镜541的脉冲激光光束的光斑S的直径成为2mm即可。若如此构成,则从脉冲激光光束振荡机构53振荡的脉冲激光光束LB1距离聚光物镜541为50mm的位置成为聚光点P,但是,以直径(D)3mm振荡的脉冲激光光束LB1入射到聚光物镜541之际,成为直径是2mm的光斑S,因此,焦点深度变长。还有,若将从脉冲激光光束振荡机构53振荡出的直径(D)为3mm的脉冲激光光束LB1直接向聚光物镜541入射,则NA值成为0.03(NA=r/f1=1.5/50=0.03)。若该NA值大,则由聚光物镜541聚光的脉冲激光光束的焦点深度短、加工效果小。为了增大由激光光束带来的加工效果,而优选使NA值为0.02以下,使由聚光物镜541聚光的脉冲激光光束的焦点深度变长。并且,凸透镜551的焦距(f2)优选为500mm以上,图示实施方式中设定为3000mm。
接着,关于微弱聚光机构55的其他实施方式,参照图4进行说明。
图4所示微弱聚光机构55,由2个凸透镜552、553构成。当设构成微弱聚光机构55的一个凸透镜552的焦距为(f2)、另一个凸透镜553的焦距为(f3)、设一个凸透镜552和另一个凸透镜553的间隔为(d)时,微弱聚光机构55的焦距(f0)可以根据f0=(f2×f3)/(f2+f3-d)求出。从而,对一个凸透镜552的焦距(f2)和另一个凸透镜553的焦距(f3)、及一个凸透镜552和另一个凸透镜553的间隔(d)进行设定,使微弱聚光机构55的焦距(f0)例如成为3000mm即可。
回到图1继续进行说明,则在构成上述激光光束照射机构52的壳体521的前端部配置有摄像机构6,对利用激光光束照射机构52应进行激光加工的加工区域进行检测。该摄像机构6由摄像元件(CCD)等构成,将拍摄的图像信号向控制机构8发送。
控制机构8由计算机构成,具备按照控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)81、存储控制程序等的只读存储器(ROM)82、存储后述的被加工物的设计值数据和运算结果等的可读写的随机存取存储器(RAM)83、计数器84、输入接口85及输出接口86。在控制机构8的输入接口85输入来自上述加工进给量检测机构374、分度进给量检测机构384及摄像机构6等的检测信号。并且,从控制机构8的输出接口86向上述脉冲电机372、脉冲电机382、脉冲电机432、脉冲电机532、激光光束照射机构52等输出控制信号。还有,上述随机存取存储器(RAM)83具备存储后述的被加工物的设计值数据的第1存储区域83a和存储后述的检测值数据的第2存储区域83b及其他存储区域。
图示实施方式的激光加工装置如以上构成,以下,关于利用该激光加工装置在作为被加工物的半导体晶片上形成通孔的实施方式,参照图5~图10进行说明。
图5表示进行了激光加工的作为被加工物的半导体晶片W的平面图。图5所示的半导体晶片W由在硅衬底91的表面91a排列成格子状的多条切割道92划分成多个区域,在该划分的区域分别形成有IC、LSI等器件93。这些各器件93均采用相同构成。在器件93的表面分别如图6所示地形成有多个接合焊盘94(94a~94j)。在图示实施方式中,这些多个接合焊盘94(94a~94j)由铜形成。还有,在图示实施方式中,接合焊盘94a和94f、94b和94g、94c和94h、94d和94i、94e和94j的X方向位置相同。在与这些多个接合焊盘94(94a~94j)部对应的硅衬底91上分别形成通孔。各器件93上的接合焊盘94(94a~94j)的X方向(在图4中为左右方向)的间隔A、及各器件93上形成的接合焊盘94中夹着分割预定92在X方向(图6中为左右方向上)邻接的接合焊盘、即接合焊盘94e和接合焊盘94a的间隔B,在图示实施方式中设定为相同间隔。另外,各器件93上的接合焊盘94(94a~94j)的Y方向(图6中为上下方向)的间隔C、及各器件93上形成的接合焊盘94中夹着切割道92在Y方向(图6中为上下方向)上邻接的接合焊盘、即接合焊盘94f和接合焊盘94a及接合焊盘94j和接合焊盘94e的间隔D,在图示实施方式中设定为相同间隔。对于如此构成的半导体晶片W,图5所示配置在各行E1……En及各列F1……Fn上的器件93的个数和上述各间隔A、B、C、D,其设计值数据被存储在上述控制机构8的随机存取存储器(RAM)83的第1存储区域83a中。
如图7所示,如上所述构成的半导体晶片W,在环状框架F上安装的由聚烯烃等合成树脂片构成的保护带T上粘贴硅衬底91的背面91b。从而半导体晶片W的硅衬底91的表面91a成为上侧。
这样隔着保护带T支承在环状框架F上的半导体晶片W,在图1所示的激光加工装置的卡盘台36上放置保护带T侧。并且,通过使没有图示的吸引机构工作,从而,半导体晶片W隔着保护带T被吸引保持在卡盘台36上。另外,环状框架F由扣片362固定。
如上所述吸引保持半导体晶片W的卡盘台36通过加工进给机构37定位于摄像机构6的正下方。当卡盘台36位于摄像机构6的正下方时,卡盘台36上的半导体晶片W成为定位于图8所示的坐标位置上的状态。在该状态下,执行在卡盘台36上保持的半导体晶片W上所形成的格子状的切割道92是否配置成平行于X轴方向和Y轴方向的校准作业。即,利用摄像机构6对保持在卡盘台36上的半导体晶片W进行摄像,进行图像匹配等图像处理,进行校准作业。
接着,移动卡盘台36,使半导体晶片W上形成的器件93上的最上位的行E1上的、在图8中最左端的器件93定位于摄像机构6的正下方。然后,再使在器件93上形成的多个接合焊盘94(94a~94j)中的、在图8中左上的接合焊盘94a定位于摄像机构6的正下方。在该状态下,假设摄像机构6检测出接合焊盘94a,就将其坐标值(a1)作为第1加工进给开始位置坐标值发送给控制机构8。然后,控制机构8将该坐标值(a1)作为第1加工进给开始位置坐标值存储在第1存储机构83a中(加工进给开始位置检测工序)。此时,摄像机构6和激光光束照射机构52的聚光器54在X轴方向上隔开规定间隔配置,因此,X坐标值存储加上上述摄像机构6和聚光器54间隔的值。
这样一来,假设检测出图8中最上位的行E1的器件93的第1加工进给开始位置坐标值(a1),就将卡盘台36沿Y轴方向仅分度进给切割道92的间隔,同时沿X轴方向移动,使从图8中最上位开始第2行E2的最左端的器件93定位于摄像机构93的正下方。然后,再使在器件93上所形成的接合焊盘94(94a~94j)中、在图8左上的接合焊盘94a定位于摄像机构6的正下方。在该状态下,假设摄像机构6检测出接合焊盘94a,就将其坐标值(a2)作为第2加工进给开始位置坐标值向控制机构8发送。然后,控制机构8将该坐标值(a2)作为第2加工进给开始位置坐标值存储在第2存储机构83b中。此时,摄像机构6和激光光束照射机构52的聚光器54如上所述地在X轴方向隔开规定间隔配置,因此,X坐标值存储加上了上述摄像机构6和聚光器54的间隔的值。以后,将上述的分度进给和加工进给开始位置检测工序重复执行到图8中最下位的行En,对在各行上形成的器件93的加工进给开始位置坐标值(a3~an)进行检测,把它存储在上述控制机构8的随机存取存储器(RAM)83的第2存储机构83b中。
接着,实施穿孔工序,在与半导体晶片W的各器件93上形成的各接合焊盘94(94a~94j)部对应的硅衬底91上穿孔形成通孔。穿孔工序,首先使加工进给机构37工作并移动卡盘台36,将存储在上述控制机构8的第2存储机构83b中的第1加工进给开始位置坐标值(a1)定位于激光光束照射机构52的聚光器54的正下方。这样第1加工进给开始位置坐标值(a1)定位于聚光器54的正下方的状态为图9所示的状态。从图9所示的状态,控制机构8使激光光束照射机构52的脉冲激光光束振荡机构53工作,从聚光器54向硅衬底91照射具有吸收性的波长(例如355nm)的脉冲激光光束。还有,从聚光器54照射的脉冲激光光束的聚光点P,对准构成半导体晶片W的硅衬底91表面91a(上表面)附近。还有,穿孔工序中的加工条件,例如设定为如下。
光源:LD激励Q开关Nd:YVO4
波长:355nm
重复频率:3kHz
平均功率:1.5W
聚光光斑直径:Φ20μm
如上所述,在穿孔工序中,若向硅衬底91照射脉冲激光光束,则在硅衬底91上形成细孔。在上述加工条件下,脉冲激光光束的每1脉冲的功率为0.5mJ,根据本发明者的实验,对厚度100μm的硅晶片按照上述加工条件照射13发脉冲激光光束,从而,如图10所示,能够形成贯通硅衬底91的细孔911。并且,贯穿设置在硅衬底91上的细孔911,在遍及表面91a到背面91b,形成为相同直径。
如上所述,假设对第1加工进给开始位置坐标值(a1)实施了穿孔工序,就使加工进给机构37工作并使卡盘台36仅移动上述间隔A,使对应于接合焊盘94b的位置定位于激光光束照射机构52的聚光器54的正下方。然后实施上述穿孔工序。这样使半导体晶片W上形成的所有与接合焊盘94对应的位置定位于激光光束照射机构52的聚光器54的正下方,实施上述穿孔工序,从而能够在硅衬底91上形成贯通表面91a到背面91b的细孔911。
以上,示出了利用根据本发明构成的激光加工装置,在半导体晶片W上形成通孔的例子,但是,本发明的激光加工装置的、由聚光物镜541聚光的激光光束的焦点深度长,因此加工效果大,从而,沿着半导体晶片W的切割道92形成激光加工槽、将半导体晶片W沿着切割道92进行分割的情况下也有效。

Claims (1)

1.一种激光加工装置,具备保持被加工物的卡盘台和对保持在该卡盘台上的被加工物照射脉冲激光光束的激光光束照射机构,该激光光束照射机构具备激光光束振荡机构和将由该激光光束振荡机构振荡的激光光束聚光的聚光物镜,上述激光加工装置的特征在于,
具备微弱聚光机构,该微弱聚光机构配置在该激光光束振荡机构和该聚光物镜之间并进行聚光,使从该激光光束振荡机构振荡并入射到该聚光物镜的激光光束的光斑的实质上的NA值成为0.02以下。
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