CN100585757C - 高耦合因子变压器及其制造方法 - Google Patents
高耦合因子变压器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100585757C CN100585757C CN200610143592A CN200610143592A CN100585757C CN 100585757 C CN100585757 C CN 100585757C CN 200610143592 A CN200610143592 A CN 200610143592A CN 200610143592 A CN200610143592 A CN 200610143592A CN 100585757 C CN100585757 C CN 100585757C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- coil
- protuberances
- those
- transformer
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
本发明公开一种高耦合因子变压器及其制造方法,其中变压器包括第一线圈以及第二线圈。第二线圈邻近于第一线圈,并且第二线圈互感于第一线圈。第一线圈包含多个第一凸部。第二线圈包含多个第二凸部。其中,该些第一凸部伸向该第二线圈而不电性接触,并且该些第二凸部伸向该第一线圈而不电性接触。
Description
技术领域
本发明涉及一种变压器及其制造方法,特别是涉及一种高耦合因子(coupling factor)变压器及其制造方法。
背景技术
在某些应用电路中,例如射频、压控振荡、混频等应用电路,往往具有一或多个变压器。在电子产品日益轻薄短小的趋势下,电子电路中的变压器往往需要实施在集成电路中。在变压器的应用中,耦合因子(couplingfactor)k是电路设计中非常重要的参数。较高的k值意味者拥有较高的能量(或讯号)变换率,以减少能量(或讯号)损耗。
图7是说明一般变压器的布局图。请参照图7,此现有变压器700是一种平面式变压器(Planar transformer)。一般而言,为了避免变压器与集成电路的其它元件之间的耦合效应,都会让变压器尽可能的远离基底。例如,若变压器700的制程具有八个金属层,则变压器700的一次侧线圈710与二次侧线圈720通常会被配置于第八金属层M8。图8A是说明图7中变压器的耦合因子k值特性图。图8A是以一次侧线圈710与二次侧线圈720各为二圈的变压器实际测量而得,其测量频率为0~20GHz。此变压器700的外径为250um,而线宽与线距分别为9um与1.6um。图8B是说明图8A中频率范围0~3.5GHz的耦合因子k值特性图。由图8B可以清楚看出,变压器700在工作频率1GHz的耦合因子k值约为0.745。
另外,尚有各种文献揭露各种不同变压器的实施方式,以期提升耦合因子k值。例如,电机电子工程师协会(Institute of Electrical and ElectronicEngineers,IEEE)于2005年“电子元件会刊”第52卷第7期第1410-1414页(Journal of Solid-State Circuit,Vol.52,No.7,page 1410-1414,July 2005)刊载的“Implementation of High-Coupling and Broadband Transformer inRFCMOS Technology”、在2001年“固态电路期刊”第36卷第4期第620-628页(Journal of Solid-State Circuit,Vol.36,No.4,page 620-628,April 2001)刊载的“Stacked Inductors and Transformers in CMOS Technology”、在2005年“固态电路期刊”第40卷第3期第652-660页(Vol.40,No.3,page 652-660,March 2005)刊载的“Ultra-Low-Voltage High-Performance CMOS VCOs UsingTransformers Feedback”、在2005年“微波与无线元件通信”第15卷第11期第733-735页(Microwave and Wireless Components Letters,Vol.15,No.11,page 733-735,November 2005)刊载的“11-GHz CMOS Differential VCO WithBack-Gate Transformer Feedback”、在2003年“固态电路期刊”第38卷第3期第427-435页(Vol.38,No.3,page 427-435,March 2003)刊载的“A1-VTransformer-Feedback Low-Noise Amplifier for 5-GHz Wireless LAN in0.18-μm CMOS”、“国际固态电路研讨会”(International Solid-State CircuitsConference,ISSCC98)论文编号FA8.6的“A Fully Integrated CMOS 900MHzLNA utilizing Monolithic Transformers”,以及美国专利公告第4816784号、第6577219号、第6608364号、第6927664号等,其分别揭露各种不同变压器的实施方式。
发明内容
本发明的目的在于提供一种变压器,通过线圈之间多个凸部以提升变压器耦合因子(coupling factor)值。
本发明的又一目的在于提供一种变压器的制造方法,以形成具有高耦合因子(coupling factor)值的变压器。
基于上述及其它目的,本发明提出一种变压器,包括第一线圈以及第二线圈。第二线圈邻近于第一线圈,并且第二线圈互感于第一线圈。第一线圈包含多个第一凸部。第二线圈包含多个第二凸部。其中,该些第一凸部伸向该第二线圈而不电性接触,并且该些第二凸部伸向该第一线圈而不电性接触。
从另一观点来看,本发明提出一种变压器,包括第一线圈以及第二线圈。此第二线圈邻近于第一线圈,并且第二线圈互感于第一线圈。第一线圈包含多个第一凸部以及多个第一镂空槽。第二线圈包含多个第二凸部以及多个第二镂空槽。其中,前述第一凸部伸向该第二线圈的第二镂空槽中,且各第一凸部与第二线圈之间不电性接触;以及前述第二凸部伸向第一线圈的第一镂空槽中,且各第二凸部与第一线圈之间不电性接触。
从另一观点来看,本发明提出一种变压器的制造方法,包括:大体上于一第一平面形成一第一线圈,在该第一线圈上方形成多个第一凸部以及多个第二凸部,以及大体上于一第二平面形成一第二线圈。其中,第一线圈包含多个第一镂空槽,而第二线圈包含多个第二镂空槽。上述第一凸部配置于第一线圈上,且第一凸部的第一端电性连接至第一线圈。第一凸部的第二端配置于第二镂空槽,且各第一凸部与第二线圈之间没有电性连接。上述第二凸部的第一端配置于第一镂空槽,且各第二凸部与第一线圈之间没有电性连接。第二凸部的第二端电性连接至该第二线圈。
依照本发明的较佳实施例所述变压器,上述的第一凸部与第二凸部可以是方柱体、圆柱体或其它柱状体。
依照本发明的较佳实施例所述变压器,上述的第一凸部与第二凸部可以是以单排或多排方式分别配置于第一线圈与第二线圈上。
依照本发明的较佳实施例所述变压器,上述的第一凸部与该些第二凸部之间是以指插状方式配置。
依照本发明的较佳实施例所述变压器,上述的第一线圈大体上配置于一第一平面,而第二线圈大体上配置于一第二平面。其中,该第一平面平行于该第二平面。
依照本发明的较佳实施例所述变压器,上述每一个第一凸部是以一对一方式伸向第二镂空槽其中之一;而每一个第二凸部是以一对一方式伸向第一镂空槽其中之一。
本发明另提出一种变压器,包括第一线圈以及第二线圈。第一线圈包含多个凸部。第二线圈包含多个镂空槽。此第二线圈邻近于第一线圈,并且第二线圈互感于第一线圈。其中,前述凸部伸向该第二线圈的镂空槽,且第一线圈不与第二线圈电性接触。
依照本发明的较佳实施例所述变压器,上述的第一线圈大体上配置于第一平面与第三平面,而第二线圈大体上配置于第二平面。其中,第二平面位于第一平面与第三平面之间,且前述三平面相互平行。
本发明另提出一种变压器的制造方法,包括下述步骤。首先大体上于第一平面形成第一线圈的部分电性路径。然后在第一平面的电性路径上形成多个凸部,其中上述凸部电性连接至第一线圈。接着大体上于一第二平面形成一第二线圈。于该第二线圈形成多个镂空槽,其中上述凸部穿过此些镂空槽,且各凸部与该第二线圈之间没有电性连接。大体上于第三平面形成第一线圈的另一部分电性路径。通过该些凸部电性连接第一平面与第三平面的电性路径而成为前述第一线圈。其中,第二平面位于第一平面与第三平面之间,且前述三平面相互平行。
本发明因于第一线圈与第二线圈之间形成多个凸部,因此可以有效提升变压器的耦合因子k,进而改善其能量(或讯号)转换效率,以减少能量(或讯号)的损耗。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明实施例所绘示一种高耦合因子变压器中第一线圈的俯视图;
图1B是依照本发明实施例所绘示一种高耦合因子变压器中第二线圈的俯视图;
图1C是依照本发明实施例所绘示一种高耦合因子变压器的完整俯视图;
图1D是依照本发明实施例所绘示一种高耦合因子变压器的立体图;
图2是依照本发明另一实施例说明变压器的俯视图;
图3A是依照本发明另一实施例所绘示一种高耦合因子变压器中第一线圈的俯视图;
图3B是依照本发明另一实施例所绘示一种高耦合因子变压器中第二线圈的俯视图;
图3C是依照本发明另一实施例所绘示一种高耦合因子变压器的完整俯视图;
图4A~图4D是依照本发明实施例说明另一种高耦合因子变压器的俯视图;
图5是依照本发明实施例说明图4D变压器中于凸部剖面线A的立体剖面图;
图6A是说明图4D中变压器400于测量频率0~20GHz的耦合因子k值特性图;
图6B是说明图6A中频率范围0~3.5GHz的耦合因子k值特性图;
图7是说明一般变压器的布局图;
图8A是说明图7中变压器于测量频率0~20GHz的耦合因子k值特性图;
图8B是说明图8A中频率范围0~3.5GHz的耦合因子k值特性图。
主要元件符号说明:
100、200、300、400:高耦合因子变压器
101、201、301、401:第一线圈
102、202、302、402:第二线圈
111、211、311:第一凸部
112、212、312:第一镂空槽
121、221、321:第二凸部
122、222、322:第二镂空槽
331、334:第一线圈的部分电性路径
341、344:第二线圈的部分电性路径
332、333、335、336、342、343、345、346、403、404:介层窗插塞
400-1:第一平面
400-2:第二平面
400-3:第三平面
410:凸部
420:镂空槽
700:传统变压器
710:传统变压器的一次侧线圈
720:传统变压器的二次侧线圈
A:凸部的剖面线
具体实施方式
图1A~图1D是依照本发明实施例所绘示一种高耦合因子(couplingfactor)变压器。其中,图1A是变压器100中第一线圈101的俯视图,图1B是变压器100中第二线圈102的俯视图。图1C是完整变压器100的俯视图,此变压器100是由第二线圈102叠于第一线圈101上方而组成。图1D是完整变压器100的立体图。
请参照图1A~图1D,变压器100包括第一线圈101与第二线圈102。此第二线圈102邻近于第一线圈101,并且第二线圈102互感于第一线圈101。在本实施例中,变压器100的第一线圈101大体上配置于第一平面,而第二线圈102大体上配置于第二平面,其中第一平面平行于第二平面。若前述第一平面是第4金属层,则第二平面可以是第五金属层。此领域中具有通常知识者可视其需求而决定将第一线圈101与第二线圈102配置于集成电路中的任二个金属层。
第一线圈101包含多个第一凸部111与多个第一镂空槽112。第一凸部111配置于第一线圈101上,且各第一凸部111的第一端电性连接至第一线圈101。第二线圈102包含多个第二凸部121与多个第二镂空槽122。在图1B中以虚线方框表示第二凸部121是被配置于第二线圈102的下方。第二凸部121自第二线圈102伸向第一线圈101。第二凸部121的第一端配置于第一镂空槽312中,且第二凸部121与第一线圈101之间没有电性连接。第二凸部121的第二端电性连接至第二线圈102。第一凸部111伸向第二线圈102。第二镂空槽122的配置位置恰可容纳第一凸部111的第二端,且第一凸部111与第二线圈102之间没有电性连接。前述第一凸部111与第二凸部121可以用介层窗插塞(via)实现之。第一凸部111与第二凸部121可以是方柱体、圆柱体、或是其它几何形状的导电体。在本实施例中,第一凸部111与第二凸部121均以单排方式各自配置于第一线圈101与第二线圈102。如图所示,第一凸部111与第二凸部121是以指插状方式配置于第一线圈101与第二线圈102之间。
虽然前述诸实施例中每一个凸部均以“一对一方式”伸向其中一个镂空槽中,然而不应以此限制本发明的实施方式。例如,设计者也可使二或多个凸部伸向同一个镂空槽中。
在变压器中,第一线圈与第二线圈的凸部的排列方式并不限于前述实施例所采用的方式。此领域中具有通常知识者可视其需求而决定以单排方式、双排方式、多排方式、或是其它几何排列方式来配置第一线圈与第二线圈的凸部。图2是依照本发明另一实施例说明变压器的俯视图。此变压器200是由第二线圈202叠于第一线圈201上方而组成。本实施例相似于前一实施例,因此本实施例未述及的部分可以参照前一实施例的说明实施之。变压器200的第一线圈201大体上配置于第一平面,而第二线圈202大体上配置于第二平面,其中第一平面平行于第二平面。第一线圈201包含多个第一凸部211与多个第一镂空槽212。第一凸部211配置于第一线圈201上,且各第一凸部211的第一端电性连接至第一线圈201。第二线圈202包含多个第二凸部221与多个第二镂空槽222。在本实施例中,第一凸部211与第二凸部221是以双排方式以及指插状方式配置于第一线圈101与第二线圈102之间。
上述第一线圈与第二线圈的圈数并不限制。此领域中具有通常知识者可视其需求而以任何圈数来实施变压器。图3A~图3C是依照本发明另一实施例说明一种高耦合因子变压器的俯视图。此变压器300是由第一线圈301叠于第二线圈302上方而组成。其中,图3A是变压器300中第一线圈301的俯视图,图3B是变压器300中第二线圈302的俯视图。图3C是完整变压器300的俯视图。本实施例未述及的部分可以参照前述诸实施例的说明实施之。
请参照图3A~图3C,变压器300包括第一线圈301与第二线圈302。此第二线圈302邻近于第一线圈301,并且第二线圈302互感于第一线圈301。在本实施例中,变压器300的第一线圈301大体上配置于第一平面,而第二线圈302大体上配置于第二平面,其中第一平面平行于第二平面。
请参照图3A,第一线圈301大体上配置于第一平面。由于第一线圈301是一个具有3圈数的平面式电感,因此第一线圈301中必须将部分电性路径(例如电性路径331与334)配置于其它平面。例如若前述第一平面是第4金属层,则第一线圈301的部分电性路径331与334可以被配置于第5金属层。其中,电性路径331可以经由介层窗插塞332与333电性连接至第一线圈301,另外电性路径334也可经由介层窗插塞335与336电性连接至第一线圈301。第一线圈301包含多个第一凸部311与多个第一镂空槽312。于图3A中以虚线方框表示第一凸部311是被配置于第一线圈301的下方,且各第一凸部311的第一端电性连接至第一线圈301。
请参照图3B,第二线圈302大体上配置于第二平面。由于第二线圈302也是一个具有三圈数的平面式电感,因此第二线圈302中必须将部分电性路径(例如电性路径341与344)配置于其它平面。例如若前述第二平面是第三金属层,则第二线圈302的部分电性路径341与344可以被配置于第二金属层。其中,电性路径341可以经由介层窗插塞342与343电性连接至第二线圈302,另外电性路径344也可经由介层窗插塞345与346电性连接至第二线圈302。此领域中具有通常知识者可视其需求而决定将第一线圈301与第二线圈302配置于集成电路中的任二个金属层。
请参照图3A~图3C,第二线圈302包含多个第二凸部321与多个第二镂空槽322。第二凸部321配置于第二线圈302上。第二凸部321自第二线圈302伸向第一线圈301。第二凸部321的第一端配置于第一镂空槽312中,且第二凸部321与第一线圈301之间没有电性连接。第二凸部321的第二端电性连接至第二线圈302。第一凸部311伸向第二线圈302。第二镂空槽322的配置位置恰可容纳第一凸部311的第二端,且第一凸部311与第二线圈302之间没有电性连接。前述第一凸部311与第二凸部321可以用介层窗插塞实现之。第一凸部311与第二凸部321可以是方柱体、圆柱体、或是其它几何形状的导电体。在本实施例中,第一凸部311与第二凸部321均以单排方式各自配置于第一线圈301与第二线圈302。如图所示,第一凸部311与第二凸部321是以指插状方式配置于第一线圈301与第二线圈302之间。
虽然前述诸实施例中每一个凸部均以“一对一方式”伸向其中一个镂空槽中,然而不应以此限制本发明的实施方式。例如,设计者也可使二或多个凸部伸向同一个镂空槽中。在变压器中,第一线圈与第二线圈的凸部的排列方式并不限于前述实施例所采用的方式。此领域中具有通常知识者可视其需求而决定以单排方式、双排方式、多排方式、或是其它几何排列方式来配置第一线圈与第二线圈的凸部。
上述变压器的制造方法可以包括下列步骤。首先,大体上于第一平面形成第一线圈,其中第一线圈包含多个第一镂空槽。然后,在第一线圈上方形成多个第一凸部以及多个第二凸部。其中,各第一凸部配置于第一线圈上,且各第一凸部的第一端电性连接至第一线圈;而第二凸部的第一端配置于第一镂空槽,且各第二凸部与第一线圈之间没有电性连接。最后,大体上于第二平面形成第二线圈,其中第二线圈包含多个第二镂空槽。前述第二镂空槽是被配置于第一凸部的第二端,且各第一凸部与第二线圈之间没有电性连接。前述第二凸部的第二端电性均连接至第二线圈。
在本实施例中,上述的第一凸部与第二凸部可以是方柱体、圆柱体或其它柱状体。前述第一凸部与第二凸部的配置方式,可以是以单排或多排方式分别配置于第一线圈与第二线圈上。第一凸部与第二凸部之间可以是以指插状方式或是其它方式配置于第一线圈与第二线圈之间。
依照其它较佳实施例所述,第一线圈大体上配置于一第一平面,而第二线圈大体上配置于一第二平面。其中,第一平面平行于第二平面。
依照其它较佳实施例所述,每一个第一凸部是以一对一方式伸向第二镂空槽其中之一,而每一个第二凸部也是以一对一方式伸向第一镂空槽其中之一。然而,设计者也可使二或多个凸部伸向同一个镂空槽中。
本发明所属技术领域中具有通常知识者当可以依据本发明的精神与前述实施例的教示、建议而以不同方式实施本发明。例如,图4A~图4D是依照本发明实施例说明另一种高耦合因子变压器的俯视图。此变压器400包括第一线圈401与第二线圈402。其中,图4A是变压器400中于第三平面400-3的布局图,图4B是变压器400中于第二平面400-2的布局图,而图4C则是变压器400中于第一平面400-1的布局图。变压器400的第一线圈401大体上配置于第一平面400-1与第三平面400-3,而第二线圈402大体上配置于第二平面400-2,其中第二平面400-2位于第一平面400-1与第三平面400-3之间,且前述三平面相互平行。前述第一平面400-1、第二平面400-2与第三平面400-3分别可以是集成电路中任何一层导电层(例如金属层、多晶硅层等)。例如,第一平面400-1为第六金属层M6,第二平面400-2为第七金属层M7,而第三平面400-3为第八金属层M8。图4D是完整变压器400的俯视图。本实施例未述及的部分可以参照前述诸实施例的说明实施之。
第一线圈401包含多个凸部410。第二线圈402包含多个镂空槽420。其中,第一线圈401的凸部410伸向第二线圈402的镂空槽420,且第一线圈401不与第二线圈402电性接触。图5是依照本发明实施例说明图4D变压器400中于凸部剖面线A的立体剖面图。第一线圈401于第一平面400-1、第三平面400-3的电性路径通过多个凸部410而彼此电性连接。凸部410穿过镂空槽420,且凸部410与第二线圈402之间没有电性连接。前述凸部410可以用介层窗插塞实现之。凸部410可以是方柱体、圆柱体、或是其它几何形状的导电体,而镂空槽420可以具有任何几何形状。
在本实施例中,凸部410与镂空槽420均以单排方式各自配置于第一线圈401与第二线圈402。第一线圈401的凸部410与第二线圈402的镂空槽420的排列方式并不限于前述实施例所采用的方式。此领域中具有通常知识者可视其需求而决定以单排方式、双排方式、多排方式、或是其它几何排列方式来配置凸部410与镂空槽420。
虽然实施例中每一个凸410部均以“一对一方式”伸向其中一个镂空槽420中,然而不应以此限制本发明的实施方式。例如,设计者也可使二或多个凸部伸向同一个镂空槽中。
此领域中具有通常知识者可视其需求而决定第一线圈401与第二线圈402的圈数、变压器400的外径、线宽与线距。为便于与现有技术做比较,本实施例中将假设变压器400的外径、线宽与线距分别为250um、9um与1.6um,第一线圈401与第二线圈402的圈数各为二圈,且第一平面400-1、第二平面400-2、第三平面400-3分别为金属层M6、M7、M8。图6A是说明图4D中变压器400于测量频率0~20GHz的耦合因子k值特性图。图6B是说明图6A中频率范围0~3.5GHz的耦合因子k值特性图。由图6B可以清楚看出,变压器400在工作频率1GHz的耦合因子k值约为0.942。与图7的传统变压器700相比较,本实施例变压器400的耦合因子k值明显提升。
以下将举例说明变压器400的制造方法。首先大体上于第一平面400-1形成第一线圈401的部分电性路径与第二线圈402的部分电性路径(如图4C所示)。在第一平面400-1中第一线圈401的电性路径上形成多个凸部410,其中各凸部410电性连接至第一平面400-1中第一线圈401的电性路径。另外,在第一平面400-1中第二线圈402的电性路径两端配置介层窗插塞403与404。
接下来大体上于第二平面400-2形成第二线圈402(如图4B所示)。其中,在第二平面400-2中第二线圈402的电性路径经由介层窗插塞403与404电性连接至第一平面400-1中第二线圈402的电性路径,而构成二圈线圈。在第二线圈402形成多个镂空槽420。前述凸部410穿过镂空槽420,且凸部410与第二线圈402之间没有电性连接。
然后,大体上于第三平面400-3形成第一线圈401的另一部分电性路径(如图4A所示)。其中,通过该些凸部410电性连接第一平面400-1与第三平面第三平面400-3的电性路径而成为第一线圈401。
在变压器的应用中,耦合因子k是电路设计中非常重要的参数。较高的k值意味者拥有较高的能量(或讯号)变换率,并意味着此变压器可以减少能量(或讯号)损耗。本发明因于第一线圈与第二线圈之间形成多个凸部,因此可以有效提升变压器的耦合因子k,进而改善其能量(或讯号)转换效率,以减少能量(或讯号)的损耗。
虽然结合以上较佳实施例揭露了本发明,然而其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,可作一些的更动与润饰,因此本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
Claims (44)
1.一种变压器,包括:
一第一线圈,包含多个第一凸部;以及
一第二线圈,包含多个第二凸部,此第二线圈邻近于该第一线圈,并且该第二线圈互感于该第一线圈;
其中,该些第一凸部伸向该第二线圈而不电性接触,并且该些第二凸部伸向该第一线圈而不电性接触。
2.如权利要求1所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部均为方柱体。
3.如权利要求1所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部均为圆柱体。
4.如权利要求1所述的变压器,其中该些第一凸部是以单排方式配置于该第一线圈上。
5.如权利要求4所述的变压器,其中该些第二凸部是以单排方式配置于该第二线圈上。
6.如权利要求5所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部之间是以指插状方式配置于该第一线圈与该第二线圈之间。
7.如权利要求1所述的变压器,其中该些第一凸部是以多排方式配置于该第一线圈上。
8.如权利要求7所述的变压器,其中该些第二凸部是以多排方式配置于该第二线圈上。
9.如权利要求8所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部之间是以指插状方式配置于该第一线圈与该第二线圈之间。
10.如权利要求1所述的变压器,其中该第一线圈大体上配置于一第一平面,该第二线圈大体上配置于一第二平面,其中该第一平面平行于该第二平面。
11.一种变压器,包括:
一第一线圈,包含多个第一凸部以及多个第一镂空槽;以及
一第二线圈,包含多个第二凸部以及多个第二镂空槽,此第二线圈邻近于该第一线圈,并且该第二线圈互感于该第一线圈;
其中,该些第一凸部伸向该第二线圈的第二镂空槽中,且该些第一凸部与该第二线圈之间不电性接触;以及该些第二凸部伸向该第一线圈的第一镂空槽中,且该些第二凸部与该第一线圈之间不电性接触。
12.如权利要求11所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部均为方柱体。
13.如权利要求11所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部均为圆柱体。
14.如权利要求11所述的变压器,其中该些第一凸部是以单排方式配置在该第一线圈上。
15.如权利要求14所述的变压器,其中该些第二凸部是以单排方式配置于该第二线圈上。
16.如权利要求15所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部之间是以指插状方式配置于该第一线圈与该第二线圈之间。
17.如权利要求11所述的变压器,其中该些第一凸部是以多排方式配置于该第一线圈上。
18.如权利要求17所述的变压器,其中该些第二凸部是以多排方式配置于该第二线圈上。
19.如权利要求18所述的变压器,其中该些第一凸部与该些第二凸部之间是以指插状方式配置于该第一线圈与该第二线圈之间。
20.如权利要求11所述的变压器,其中该第一线圈大体上配置于一第一平面,该第二线圈大体上配置于一第二平面,其中该第一平面平行于该第二平面。
21.如权利要求11所述的变压器,其中每一该些第一凸部是以一对一方式伸向该些第二镂空槽其中之一中;以及每一该些第二凸部是以一对一方式伸向该些第一镂空槽其中之一中。
22.一种变压器的制造方法,包括:
大体上于一第一平面形成一第一线圈,其中该第一线圈包含多个第一镂空槽;
在该第一线圈上方形成多个第一凸部以及多个第二凸部,其中该些第一凸部配置于该第一线圈上,且该些第一凸部之第一端电性连接至该第一线圈;而该些第二凸部的第一端配置于该些第一镂空槽,且该些第二凸部与该第一线圈之间没有电性连接;以及
大体上于一第二平面形成一第二线圈,其中该第二线圈包含多个第二镂空槽;该些第二镂空槽配置于该些第一凸部的第二端,且该些第一凸部与该第二线圈之间没有电性连接;以及该些第二凸部的第二端电性连接至该第二线圈。
23.如权利要求22所述的变压器的制造方法,其中该些第一凸部与该些第二凸部均为方柱体。
24.如权利要求22所述的变压器的制造方法,其中该些第一凸部与该些第二凸部均为圆柱体。
25.如权利要求22所述的变压器的制造方法,其中该些第一凸部是以单排方式配置于该第一线圈上。
26.如权利要求25所述的变压器的制造方法,其中该些第二凸部是以单排方式配置于该第二线圈上。
27.如权利要求26所述的变压器的制造方法,其中该些第一凸部与该些第二凸部之间是以指插状方式配置于该第一线圈与该第二线圈之间。
28.如权利要求22所述的变压器的制造方法,其中该些第一凸部是以多排方式配置于该第一线圈上。
29.如权利要求28所述确变压器的制造方法,其中该些第二凸部是以多排方式配置于该第二线圈上。
30.如权利要求29所述的变压器的制造方法,其中该些第一凸部与该些第二凸部之间是以指插状方式配置于该第一线圈与该第二线圈之间。
31.如权利要求22所述的变压器的制造方法,其中每一该些第一凸部是以一对一方式从该第一线圈伸向该些第二镂空槽其中之一;以及每一该些第二凸部是以一对一方式从该第二线圈伸向该些第一镂空槽其中之一。
32.一种变压器,包括:
一第一线圈,包含多个凸部;以及
一第二线圈,包含多个镂空槽,此第二线圈邻近于该第一线圈,并且该第二线圈互感于该第一线圈;
其中,该些凸部伸向该第二线圈的镂空槽,且该第一线圈不与该第二线圈电性接触。
33.如权利要求32所述的变压器,其中该些凸部为方柱体。
34.如权利要求32所述的变压器,其中该些凸部为圆柱体。
35.如权利要求32所述的变压器,其中该些凸部是以单排方式配置于该第一线圈上。
36.如权利要求32所述的变压器,其中该些凸部是以一对一方式伸向该些镂空槽。
37.如权利要求32所述的变压器,其中该些凸部是以多排方式配置于该第一线圈上。
38.如权利要求32所述的变压器,其中该第一线圈大体上配置于一第一平面与一第三平面,该第二线圈大体上配置于一第二平面,其中该第二平面位于该第一平面与该第三平面之间,且前述三平面相互平行。
39.一种变压器的制造方法,包括:
大体上于一第一平面形成一第一线圈的部分电性路径;
在该第一平面的电性路径上形成多个凸部,其中该些凸部电性连接至该第一线圈;
大体上于一第二平面形成一第二线圈;
于该第二线圈形成多个镂空槽,其中该些凸部穿过该些镂空槽,且该些凸部与该第二线圈之间没有电性连接;以及
大体上于一第三平面形成该第一线圈的另一部分电性路径,其中通过该些凸部电性连接该第一平面与该第三平面的电性路径而成为该第一线圈;
其中该第二平面位于该第一平面与该第三平面之间,且前述三平面相互平行。
40.如权利要求39所述的变压器的制造方法,其中该些凸部为方柱体。
41.如权利要求39所述的变压器的制造方法,其中该些凸部均为圆柱体。
42.如权利要求39所述的变压器的制造方法,其中该些凸部是以单排方式配置于该第一线圈。
43.如权利要求39所述的变压器的制造方法,其中该些凸部是以一对一方式伸向该些镂空槽。
44.如权利要求39所述的变压器的制造方法,其中该些凸部是以多排方式配置于该第一线圈。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200610143592A CN100585757C (zh) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 高耦合因子变压器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200610143592A CN100585757C (zh) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 高耦合因子变压器及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101178970A CN101178970A (zh) | 2008-05-14 |
CN100585757C true CN100585757C (zh) | 2010-01-27 |
Family
ID=39405169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200610143592A Active CN100585757C (zh) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 高耦合因子变压器及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100585757C (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102314999B (zh) * | 2010-07-08 | 2013-12-04 | 晨星软件研发(深圳)有限公司 | 变压器 |
CN104952834B (zh) * | 2014-03-26 | 2019-01-18 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 集成变压器 |
-
2006
- 2006-11-09 CN CN200610143592A patent/CN100585757C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101178970A (zh) | 2008-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7656264B2 (en) | High coupling factor transformer and manufacturing method thereof | |
US7405642B1 (en) | Three dimensional transformer | |
US8068003B2 (en) | Integrated circuits with series-connected inductors | |
US20070126544A1 (en) | Inductive component | |
US7612645B2 (en) | Integrated inductor | |
US8581799B2 (en) | Ground radiation antenna | |
US20060214760A1 (en) | Air core inductive element on printed circuit board for use in switching power conversion circuitries | |
US9508480B2 (en) | Vertical slow-wave symmetric inductor structure for semiconductor devices | |
US7489218B2 (en) | Inductor structure | |
US7420452B1 (en) | Inductor structure | |
US7420451B2 (en) | Symmetrical differential inductor | |
CN100585757C (zh) | 高耦合因子变压器及其制造方法 | |
CN102738124A (zh) | 新型的分形图案接地屏蔽结构 | |
CN104347584A (zh) | 集成电路变压器结构及其构造方法 | |
US8604998B2 (en) | Ground radiation antenna | |
CN101034614B (zh) | 对称式差动电感结构 | |
TW200428421A (en) | Inductor formed between two layout layers | |
CN114582586A (zh) | 集成式电感及其制造方法、直流-直流转换器 | |
Wang et al. | Group-cross symmetrical inductor (GCSI): A new inductor structure with higher self-resonance frequency and Q factor | |
KR100806299B1 (ko) | 고임피던스 변환비를 가지며 소형화에 적합한 전송선변압기 | |
US9729123B2 (en) | Common-mode filter | |
CN217405211U (zh) | 集成式电感以及集成有集成式电感的直流-直流转换器 | |
Stojanović et al. | A New Fractal‐Based Design of Stacked Integrated Transformers | |
CN114823048A (zh) | 一种片上堆叠式差分电感 | |
US20230230764A1 (en) | Offset transformer structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |