CN100470608C - 光干涉式彩色显示面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，首先是在一基板上形成一第一电极结构。之后在第一电极结构上定义出至少一第一区域、第二区域与第三区域。接着，在第一区域、第二区域与第三区域内的第一电极结构上形成一第一牺牲层，在第二区域与第三区域内的第一牺牲层上形成一第二牺牲层，并在第三区域内的第二牺牲层上形成一第三牺牲层，而对于相同或不同的蚀刻液而言，各牺牲层的被蚀刻速率皆不相同。接着，形成一图案化支撑层在第一电极结构上，随后形成一第二电极层并移除所有的牺牲层，以形成多个空气间隙。因此，由于各牺牲层的被蚀刻速率不相同，故可有效控制所形成的空气间隙。

Description

光干涉式彩色显示面板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，特别是涉及一种能够有效控制空气间隙的光干涉式彩色显示面板的制造方法。

背景技术

目前具有重量轻、厚度薄的平面显示器，例如液晶显示器(LCD)、有机电激发光显示元件(OLED)与电浆显示器(PDP)等已被广泛的应用于日常生活中。其中，液晶显示器已经渐渐成为显示器的主流，但液晶显示器仍然存在有许多的问题，例如是视角不够广、应答时间不够快以及需要使用偏光片(polarizer)而使光源利用效率不佳等问题。

现今已有一种光干涉式显示面板被发展出来，请参阅图1所示，其绘示为现有习知光干涉式彩色显示面板的结构示意图。现有习知光干涉式彩色显示面板100主要是由一透明基板110、一第一电极结构120、一图案化支撑层130以及第二电极层140所构成。其中，第一电极结构120由下至上依序是由多个第一电极122、吸收膜层(absorption layer)124与光学膜层126所构成。值得留意的是，在第二电极层140与光学膜层126之间会间隔出多个空气间隙(Air Gap)G1、G2与G3。

当光线由透明基板110进入至第一电极结构120后，会经过空气间隙G1、G2与G3并入射至第二电极层140上。接着，再藉由第二电极层140从第一电极结构120反射出来。由于光线在不同的空气间隙G1、G2与G3中会受到不同程度的干涉(interference)，进而呈现不同色光，如红光、绿光以及蓝光，以达到显示效果。然而，不同的空气间隙G1、G2、与G3乃是藉由形成不同厚度的牺牲层(将详述在后)所控制。换言之，牺牲层品质的好坏，将会严重影响光干涉式彩色显示面板100的光学显示特性。

图2A-2D绘示现有习知形成牺牲层的流程剖面图。请首先参阅图2A所示，首先，提供一透明基板110，在透明基板110上形成第一电极结构120，而第一电极结构120由下至上依序是由多个第一电极122、吸收膜层(absorption layer)124与光学膜层126所构成。此外，在第一电极结构120上可定义出第一区域10、第二区域20与第三区域30。

请参阅图2B所示，接着，全面性沉积第一牺牲层132(非晶硅)。然后，进行微影/蚀刻制程，以移除第一区域10、第二区域20与第三区域30以外的第一牺牲层132，以形成图案化的第一牺牲层132。

请参阅图2C所示，全面性沉积第二牺牲层134，而第二牺牲层134的材质与第一牺牲层132相同。然后，进行微影/蚀刻制程，以移除第二区域20与第三区域30以外的第二牺牲层134，以形成图案化的第二牺牲层134。值得注意的是，在藉由蚀刻制程移除第一显示区域10内的第二牺牲层132时，由于第一牺牲层132与第二牺牲层134为相同的材质(具有相同的被蚀刻速率)，因此，该蚀刻制程所使用的蚀刻液很容易对已形成的第一牺牲层132造成损害，而改变了第一牺牲层132的初始厚度，进而对后续制程造成影响。

请参阅图2D所示，接着，全面性沉积第三牺牲层136，而第三牺牲层136的材质与第一牺牲层132、第二牺牲层134皆相同。然后，接着进行微影/蚀刻制程，以移除第三区域30以外的第三牺牲层136，并形成图案化的第三牺牲层136，至此，各牺牲层便制作完成。值得注意的是，在藉由蚀刻制程移除第一显示区域10内的第三牺牲层136时，由于第三牺牲层136位于第一牺牲层132上，因此，很容易再对第一牺牲层132造成损害。同样地，在藉由蚀刻制程移除第二显示区域20内的第三牺牲层136时，由于第三牺牲层136位于第一牺牲层132上，且第三牺牲层136与第一牺牲层132的被蚀刻速率相同，因此，在移除第三牺牲层136时，很容易对第二牺牲层134造成损害。

最后，全面性涂布一层例如是光阻材料，并将光阻材料图案化以形成图案化支撑层130。接着，形成第二电极层140在第一区域10、第二区域与第三区域30内不同厚度的牺牲层上与图案化支撑层130的部份区域上，再利用六氟化氙(XeF6)将所有牺牲层132、134、136移除，以形成不同的空气间隙G1、G2、G3(请参阅图1)。

换言之，不同的空气间隙G1、G2与G3是由沉积牺牲层的厚度所控制。若是牺牲层因被损害而改变原先设计的厚度，便无法有效地控制所形成的空气间隙G1、G2与G3的大小，进而严重影响光干涉式彩色显示面板100的光学显示特性。在前述制程稳定度不佳的情况下，现有习知技术十分容易有良率下降与制造成本上升的问题。

由此可见，上述现有的光干涉式彩色显示面板的制造方法，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决光干涉式彩色显示面板的制造方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决的道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般制造方法又没有适切的制造方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的光干涉式彩色显示面板的制造方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的光干涉式彩色显示面板的制造方法，能够改进一般现有的光干涉式彩色显示面板的制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的光干涉式彩色显示面板的制造方法存在的缺陷，而提供一种新的光干涉式彩色显示面板的制造方法，所要解决的技术问题是使其可准确掌握形成牺牲层的厚度，进而形成品质较佳的空气间隙。

本发明另一目的在于，提供一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，所要解决的技术问题是使其可形成品质较佳的空气间隙，因此，更可提升光干式彩色显示面板的光学显示特性，从而更加适于实用。

为达上述的发明目的，一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，此方法先提供一基板，在基板上形成一第一电极结构。之后在第一电极结构上定义一第一区域、一第二区域与一第三区域。接着，在第一区域、第二区域与第区域内的第一电极结构上形成一第一牺牲层。此外，在第二区域与第三区域的第一牺牲层上形成一第二牺牲层。另外，在第三区域内的第二牺牲层上形成一第三牺牲层，而第一牺牲层、第二牺牲层与第三牺牲层的被蚀刻速率(etching rate)皆不相同。接着，形成一图案化支撑层于第一电极结构上，后形成一第二电极层在第一区域的第一牺牲层上、第二区域的第二牺牲层上、第三区域的第三牺牲层上与图案化支撑层的部分区域上。最后，移除第一牺牲层、第二牺牲层与第三牺牲层，以于第一电极结构与第二电极层之间形成多个空气间隙(air gap)。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中透明基板例如包括玻璃基板或塑胶基板。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第一电极结构的形成方法，首先，在基板上形成多个第一电极。接着，在多个第一电极上形成一吸收膜层(absorption layer)。最后，在吸收膜层上形成一光学膜层。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中多个第一电极例如是透明电极且其材质例如包括铟锡氧化物。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中吸收膜层的材质例如包括铬(Cr)与铬化钼(MoCr)其中之一。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中光学膜层的材质例如包括氮硅化物与氧硅化物其中之一。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中图案化支撑层的材质例如包括光阻材料。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第二牺牲层的被蚀刻速率大于第一牺牲层1.5倍，且第三牺牲层的被蚀刻速率大于第二牺牲层1.5倍。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第一牺牲层的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第二牺牲层的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第三牺牲层的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第二电极层为金属电极，而第二电极层的材质例如为钼、钼合金、铝、铝合金、铬、镍、钛及其组合的其中之一。

本发明提出一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，此方法首先提供一基板，在基板上形成一第一电极结构。之后在第一电极结构上定义出一第一区域、一第二区域与一第三区域。接着，在第一区域内形成一第一牺牲层于第一电极结构上。此外，在第二区域内形成一第二牺牲层于第一电极结构上。另外，在第三区域内形成一第三牺牲层于第一电极结构上，而第一牺牲层、第二牺牲层与第三牺牲层的被蚀刻速率与厚度皆不相同。接着，形成一图案化支撑层于第一电极结构上，随后形成一第二电极层于第一区域的第一牺牲层上、第二区域的第二牺牲层上与第三区域的第三牺牲层上与图案化支撑层的部分区域上。最后，移除第一牺牲层、第二牺牲层与第三牺牲层，以于第一电极结构与第二电极层之间形成多个空气间隙。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中透

明基板例如包括玻璃基板或塑胶基板。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第一电极结构的形成方法，首先，在基板上形成多个第一电极。接着，在多个第一电极上形成一吸收膜层(absorption layer)。最后，在吸收膜层上形成一光学膜层。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中多个第一电极例如是透明电极且其材质例如包括铟锡氧化物。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中吸收膜层的材质例如包括铬(Cr)与铬化钼(MoCr)其中之一。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中光学膜层的材质例如包括氮硅化物与氧硅化物其中之一。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中图案化支撑层的材质例如包括光阻材料。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第二牺牲层的被蚀刻速率大于第一牺牲层1.5倍，且第三牺牲层的被蚀刻速率大于第二牺牲层1.5倍。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第一牺牲层的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第二牺牲层的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第三牺牲层的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

本发明的一实施例所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其中第二电极层为金属电极，而第二电极层的材质例如为钼、钼合金、铝、铝合金、铬、镍、钛及其组合的其中之一。

本发明提出一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，此方法首先提供一基板，在基板上形成一第一电极结构。之后在第一电极结构上定义出一第一区域与一第二区域。在第一区域与该第二区域内的第一电极结构上形成一第一牺牲层。在第二区域内的第一牺牲层上形成一第二牺牲层，而第一牺牲层与第二牺牲层的被蚀刻速率皆不相同。接着，形成一图案化支撑层于第一电极结构上，随后形成一第二电极层在第一区域的第一牺牲层上、第二区域的该第二牺牲层上，以及图案化支撑层的部分区域上。最后，移除第一牺牲层与第二牺牲层，以于第一电极结构与第二电极层之间形成多个空气间隙。

本发明提出一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，此方法首先提供一基板，在基板上形成一第一电极结构。的后在第一电极结构上定义出一第一区域与一第二区域。接着，在第一区域内形成一第一牺牲层于第一电极结构上。此外，在第二区域内形成一第二牺牲层于第一电极结构上，而第一牺牲层与第二牺牲层的被蚀刻速率与厚度皆不相同。另外，形成一图案化支撑层于第一电极结构上，随后形成一第二电极层于第一区域的第一牺牲层上、第二区域的第二牺牲层上，以及图案化支撑层的部分区域上。最后，移除第一牺牲层与第二牺牲层，以于第一电极结构与第二电极层之间形成多数个空气间隙。

本发明的光干涉式彩色显示面板的制造方法是利用不同被蚀刻速率的材质来形成牺牲层。因此，利用各个牺牲层间具有不同被蚀刻速率的特性，可避免牺牲层被损害，进而形成品质较佳的空气间隙，更可提高光干涉式彩色显示面板的光学显示特性。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下：

为了达到上述目的，依据本发明的光干涉式彩色显示面板的制造方法能够使其可准确掌握形成牺牲层的厚度，进而形成品质较佳的空气间隙。

又，为了达到上述目的，依据本发明的光干涉式彩色显示面板的制造方法，更可提升光干涉式彩色显示面板的光学显示特性，从而更加适于实用。

借由上述技术方案，本发明光干涉式彩色显示面板的制造方法至少具有下列优点：

一、本发明的光干涉式彩色显示面板的制造方法可避免牺牲层受到损害。因此，可有效地控制空气间隙与制造上的良率，进而提升光干涉式彩色显示面板的光学显示特性。

二、本发明的光干涉式彩色显示面板的制造方法藉由沉积不同被蚀刻速率的材质形成牺牲层，避免牺牲层受到损害，更可准确控制牺牲层的厚度。

综上所述，本发明特殊的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类制造方法中未见有类似的设计公开发表或使用而确属创新，其不论在制造方法上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的光干涉式彩色显示面板的制造方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1为现有习知光干涉式彩色显示面板的结构示意图。

图2A～2D为现有习知形成牺牲层的流程剖面图。

图3A～3F为依照本发明第一实施例光干涉式彩色显示面板的制造方法流程剖面图。

图4A～4F绘示为依照本发明第二实施例光干涉式彩色显示面板的制造方法流程剖面图。

100、200、300：光干涉式彩色显示面板

110、210、310：透明基板

120、220、320：第一电极结构

122、222、322：第一电极

124、224、324：吸收膜层

126、226、326：光学膜层

130、230、330：图案化支撑层

132、232、332：第一牺牲层

134、234、334：第二牺牲层

136、236、336：第三牺牲层

140、240、340：第二电极层

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的光干涉式彩色显示面板的制造方法其具体实施方式、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

第一实施例

图3A～3F为依照本发明第一实施例光干涉式彩色显示面板的制造方法流程剖面图。请参阅图3A所示，首先，提供一透明基板210，其材料例如是玻璃基板或塑胶基板，并在透明基板210上形成第一电极结构220。

此第一电极结构220的形成方法例如是用物理气相沉积法或是其他适当的方式，将铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)沉积在透明基板210上。再经过微影/蚀刻制程将铟锡氧化物图案化，以形成多个透明的第一电极222。接着，沉积一层吸收膜层224在第一电极222与未形成第一电极222的基板210部分区域上。其中，吸收膜层224的材质例如是铬(Cr)或铬化钼(MoCr)。

最后，沉积一层光学膜层226在吸收膜层224上。其中，光学膜层226的材质例如是氮硅化物与氧硅化物。当然，光学膜层226并不限定是单一膜层，可藉由多层高介电是数与多层低介电是数的材料交互堆迭所组成。上述的步骤便完成了第一电极结构220，而第一电极结构220是由上述的多个第一电极222、吸收膜层224与光学膜层226所组成。此外，在第一电极结构220上定义出第一区域10、第二区域20与第三区域30。

请参阅图3B所示，接着，全面性沉积第一牺牲层232，其材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。然后，进行微影/蚀刻制程，以移除第一区域10、第二区域20与第三区域30以外的第一牺牲层232，进而形成图案化的第一牺牲层232。

请参阅图3C所示，然后，全面性沉积第二牺牲层234，而第二牺牲层234的材质，其被蚀刻速率(etching rate)至少大于第一牺牲层232例如是1.5倍。此第二牺牲层234的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。只要第二牺牲层234的材质，其被蚀刻速率大于第一牺牲层232的被蚀刻速率。当然也可选择相同的材质例如是非晶硅，再利用不同的成膜温度对非晶硅作处理，使得第一牺牲层232与第二牺牲层234的非晶硅材质具有不同的被蚀刻速率。无论如何，对于相同或不同的蚀刻液而言，只要各牺牲层的被蚀刻速率皆不相同即可。

接着，对第二牺牲层234进行微影/蚀刻制程，以移除第二区域20与第三区域30以外的第二牺牲层234，进而形成图案化的第二牺牲层234。值得注意的是，在蚀刻制程中移除第一显示区域10内的第二牺牲层234时，虽然第二牺牲层234位于第一牺牲层232上，但由于第二牺牲层234的被蚀刻速率较大。因此，在移除的过程中，例如是以湿蚀刻的方式或是利用其他适当的方式移除第二牺牲层234，利用两牺牲层间不同被蚀刻速率的特性可避免对其下层的第一牺牲层232造成损害，更可保持第一牺牲层232原来的厚度。

请参阅图3D所示，接着，全面性沉积第三牺牲层236。然后，进行微影/蚀刻制程，以移除第三区域30以外的第三牺牲层236，进而形成图案化的第三牺牲层236。至此位于第一区域10、第二区域20与第三区域30内的牺牲层便制作完成。

值得留意的是，为了图案化第三牺牲层236，会利用湿蚀刻或其他适当的方式移除第一区域10内的第三牺牲层236与第二区域20内的第三牺牲层236。位于第一区域10内的第三牺牲层236，其被蚀刻速率远大于第一牺牲层232。虽然，第一牺牲层232位于其下方，但在移除第三牺牲层236的过程中，并不会对第一牺牲层232造成损害。

同样地，在尚未图案化前，位于第二区域20内的第三牺牲层236，其被蚀刻速率大于第二牺牲层234例如是1.5倍。虽然，第二牺牲层234位于第三牺牲层236下方，但可藉由被蚀刻速率的差异，进而避免第二牺牲层234被损害。此外，更可精确控制各个牺牲层的厚度。

请参阅图3E所示，全面性涂布一层光阻材料，并将光阻材料图案化以形成图案化支撑层230。接着，全面性沉积第二电极层240，其材质通常是具有光反射性的金属材质例如是钼、钼合金、铝、铝合金、铬、镍、钛及其组合的其中之一。然后，进行微影/蚀刻制程，形成图案化的第二电极层240。此第二电极层240形成于第一区域10的第一牺牲层232上、第二区域20的第二牺牲层234上、第三区域30的第三牺牲层236上，以及图案化支撑层230的部分区域上。

最后，请参阅图3F所示，再利用例如是六氟化氙(XeF6)将所有牺牲层移除，进而形成出不同的空气间隙C1、C2与C3。更详细地说，将第二电极层240形成于不同厚度的牺牲层上，便可定义出不同的空气间隙C1、C2与C3，此外，空气间隙的间隙距一般约小于/等于1微米。在本实施例中，各个牺牲层间具有不同的被蚀刻速率，藉由先沉积被蚀刻速率较小的牺牲层，进层，进而避免较早沉积的牺牲层受到损害。

因此，与现有习知技术相比较，更可准确控制牺牲层的厚度，进而维

持空气间隙C1、C2与C3形成的品质与提升制造上的良率，更可提升光干涉式彩色显示面板200的光学显示特性。

第二实施例

图4A～4F为依照本发明第二实施例光干涉式彩色显示面板的制造方法流程剖面图。请参阅图4A，其表示在第一实施例的图3A中，形成第一电极结构320与定义出第一区域10、第二区域20与第三区域30的步骤。

请参阅图4B所示，接着全面性沉积第一牺牲层332，其材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。然后，进行微影/蚀刻制程，以移除第一区域10以外的第一牺牲层332，进而形成图案化的第一牺牲层332。

请参阅图4C所示，然后，全面性沉积第二牺牲层334，而第二牺牲层334的材质，其被蚀刻速率至少大于第一牺牲层332例如是1.5倍。此第二牺牲层334的材质例如是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。只要第二牺牲层334的材质，其被蚀刻速率大于第一牺牲层332的被蚀刻速率。当然也可选择相同的材质例如是非晶硅，再利用不同的成膜温度对非晶硅作处理，使得第一牺牲层332与第二牺牲层334的非晶硅材质具有不同的被蚀刻速率。无论如何，对于相同或不同的蚀刻液而言，只要各牺牲层的被蚀刻速率皆不相同即可。

接着，对第二牺牲层334进行微影/蚀刻制程，以移除第二区域20以外的第二牺牲层334，进而形成图案化的第二牺牲层334。值得注意的是，在蚀刻制程中移除第一显示区域10内的第二牺牲层334时，虽然第二牺牲层334位于第一牺牲层332上，但由于第二牺牲层334的被蚀刻速率较大。因此，在移除的过程中，例如是以湿蚀刻的方式或是利用其他适当的方式移除第二牺牲层334，利用牺牲层间不同被蚀刻速率的特性可避免对其下层的第一牺牲层332造成损害，更可保持第一牺牲层332原来的厚度。

请参阅图4D所示，接着，全面性沉积第三牺牲层336。然后，进行微影/蚀刻制程，以移除第三区域30以外的第三牺牲层336，进而形成图案化的第三牺牲层336。至此位于第一区域10、第二区域20与第三区域30内的牺牲层便制作完成。

值得留意的是，为了图案化第三牺牲层336，会利用湿蚀刻或其他适当的方式移除第一区域10内的第三牺牲层336与第二区域20内的第三牺牲层336。位于第一区域10内的第三牺牲层336，其被蚀刻速率远大于第一牺牲层332。虽然，第一牺牲层332位于其下方，但在移除第三牺牲层336的过程中，并不会对第一牺牲层332造成损害。

同样地，在尚未图案化前，位于第二区域20内的第三牺牲层336，其被蚀刻速率大于第二牺牲层334例如是1.5倍。虽然，第二牺牲层334位于第三牺牲层336下方，但可藉由被蚀刻速率的差异，进而避免第二牺牲层334被损害。此外，更可精确控制各个牺牲层的厚度。

请参阅图4E所示，全面性涂布一层光阻材料，并将光阻材料图案化以形成图案化支撑层330。接着，全面性沉积第二电极层340，其材质通常是具有光反射性的金属材质例如是钼、钼合金、铝、铝合金、铬、镍、钛及其组合的其中之一。然后，进行微影/蚀刻制程，形成图案化的第二电极层340。此第二电极层340形成于第一区域10的第一牺牲层332上、第二区域20的第二牺牲层334上、第三区域30的第三牺牲层336上，以及图案化支撑层330的部分区域上。

最后，请参阅图4F所示，其表示第一实施例的图3F中，形成不同的空气间隙C1、C2与C3的步骤。更详细地说，将第二电极层340形成于不同厚度的牺牲层上，便可定义出不同的空气间隙D1、D2与D3。在本实施例中，藉由先沉积被蚀刻速率较小的牺牲层，进而避免较早沉积的牺牲层受到损害。

前述实施例是以空气间隙C1、C2、C3以及空气间隙D1、D2、D3为例进行说明，但并非用以限定本发明。具体来说，本发明的光干涉式彩色显示面板的制造方法中，亦可仅制作出两种不同的空气间隙，其制作方式与前述内容所揭露的制程相似，唯其差异之处在于：此处仅进行第一牺牲层与第二牺牲层的制作。另一方面，本发明的光干涉式彩色显示面板的制造方法中，亦可制作出三种以上的空气间隙，其制作方式与前述内容所揭露的制程亦相似，唯其差异之处在于：此处除了进行第一牺牲层、第二牺牲层与第三牺牲层的制作之外，更包括进行其他种类牺牲层的制作。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (26)

1、一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板，在该基板上形成一第一电极结构；

在该第一电极结构上定义出一第一区域、一第二区域与一第三区域；

在该第一区域、该第二区域与该第三区域内的该第一电极结构上形成一第一牺牲层；

在该第二区域与该第三区域内的该第一牺牲层上形成一第二牺牲层，其中所述第二牺牲层的被蚀刻速率高于所述第一牺牲层的被蚀刻速率；

在该第三区域内的该第二牺牲层上形成一第三牺牲层，其中所述第三牺牲层的被蚀刻速率高于所述第二牺牲层的被蚀刻速率；

在该第一电极结构上形成一图案化支撑层；

形成一第二电极层在该第一区域的该第一牺牲层、该第二区域的该第二牺牲层、该第三区域的该第三牺牲层，以及该图案化支撑层的部分区域上；

以及移除该第一牺牲层、该第二牺牲层与该第三牺牲层，以在该第一电极结构与该第二电极层之间形成多数个空气间隙。

2、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述基板包括玻璃基板或塑胶基板。

3、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一电极结构的形成方法包括以下步骤：

在该基板上形成多数个第一电极；

在该些第一电极上形成一吸收膜层；以及

在该吸收膜层上形成一光学膜层。

4、根据权利要求3所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的该些第一电极为透明电极且该些第一电极的材质包括铟锡氧化物。

5、根据权利要求3所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的吸收膜层的材质包括铬(Cr)与铬化钼(MoCr)其中之一。

6、根据权利要求3所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的光学膜层的材质包括氮硅化物与氧硅化物其中之一。

7、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的图案化支撑层的材质包括光阻材料。

8、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二牺牲层的被蚀刻速率大于该第一牺牲层被蚀刻速率1.5倍，且该第三牺牲层的被蚀刻速率大于该第二牺牲层被蚀刻速率1.5倍。

9、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一牺牲层的材质是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

10、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二牺牲层的材质是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

11、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第三牺牲层的材质是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

12、根据权利要求1所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二电极层为金属电极，而该第二电极层的材质为钼、钼合金、铝、铝合金、铬、镍、钛及其组合的其中之一。

13、一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板，在该基板上形成一第一电极结构；

在该第一电极结构上定义出一第一区域、一第二区域与一第三区域；

在该第一区域内形成一第一牺牲层于该第一电极结构上；

在该第二区域内形成一第二牺牲层于该第一电极结构上，其中所述第二牺牲层的被蚀刻速率高于所述第一牺牲层的被蚀刻速率；

在该第三区域内形成一第三牺牲层于该第一电极结构上，而该第一牺牲层、该第二牺牲层与该第三牺牲层的厚度不相同，且所述第三牺牲层的被蚀刻速率高于所述第二牺牲层的被蚀刻速率；

在该第一电极结构上形成一图案化支撑层；

形成一第二电极层于该第一区域的该第一牺牲层、该第二区域的该第二牺牲层、该第三区域的该第三牺牲层，以及该图案化支撑层的部分区域上；

以及移除该第一牺牲层、该第二牺牲层与该第三牺牲层，以于该第一电极结构与该第二电极层之间形成多数个空气间隙。

14、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述基板为玻璃基板或塑胶基板。

15、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一电极结构的形成方法包括以下步骤：

在该基板上形成多数个第一电极；

在该些第一电极上形成一吸收膜层；以及

在该吸收膜层上形成一光学膜层。

16、根据权利要求15所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的该些第一电极为透明电极且该些第一电极的材质包括铟锡氧化物。

17、根据权利要求15所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的吸收膜层的材质包括铬与铬化钼其中之

18、根据权利要求15所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的光学膜层的材质包括氮硅化物与氧硅化物其中之一。

19、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的图案化支撑层的材质包括光阻材料。

20、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二牺牲层的被蚀刻速率大于该第一牺牲层被蚀刻速率1.5倍，且该第三牺牲层的被蚀刻速率大于该第二牺牲层被蚀刻速率1.5倍。

21、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第一牺牲层的材质是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

22、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二牺牲层的材质是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

23、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第三牺牲层的材质是选自铬化钼、钼、多晶硅、非晶硅与N型非晶硅。

24、根据权利要求13所述的光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其中所述的第二电极层为金属电极，而该第二电极层的材质为钼、钼合金、铝、铝合金、铬、镍、钛及其组合的其中之一。

25、一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板，在该基板上形成一第一电极结构；

在该第一电极结构上定义出一第一区域与一第二区域；

在该第一区域与该第二区域内的该第一电极结构上形成一第一牺牲层；

在该第二区域内的该第一牺牲层上形成一第二牺牲层，其中所述第二牺牲层的被蚀刻速率高于所述第一牺牲层的被蚀刻速率；

在该第一电极结构上形成一图案化支撑层；

形成一第二电极层在该第一区域的该第一牺牲层上、该第二区域的该第二牺牲层上，以及该图案化支撑层的部分区域上；以及移除该第一牺牲层与该第二牺牲层，以于该第一电极结构与该第二电极层之间形成多数个空气间隙。

26、一种光干涉式彩色显示面板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板，在该基板上形成一第一电极结构；

在该第一电极结构上定义出一第一区域与一第二区域；

在该第一区域内形成一第一牺牲层于该第一电极结构上；

在该第二区域内形成一第二牺牲层于该第一电极结构上，其中所述第二牺牲层的被蚀刻速率高于所述第一牺牲层的被蚀刻速率且该第一牺牲层与该第二牺牲层的厚度不相同；

在该第一电极结构上形成一图案化支撑层；

形成一第二电极层于该第一区域的该第一牺牲层上、该第二区域的该第二牺牲层上，以及该图案化支撑层的部分区域上；以及移除该第一牺牲层与该第二牺牲层，以于该第一电极结构与该第二电极层之间形成多数个空气间隙。

Images