CN100411112C - 用于监视材料处理系统的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及用于监视材料处理系统的方法和设备。在本发明的用于监视材料处理系统中的零件的改进的设备和方法中，所述材料处理系统包括处理设备、多个耦接到所述处理设备以产生和发射电气数据的RF响应电气传感器，以及被配置为从所述多个RF响应电气传感器接收所述电气数据的传感器接口组件(SIA)。
Description
对相关申请的引用
本申请与以下共同待审申请相关：10/__，律师卷号231748US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method and Apparatusfor Monitoring a Material Processing System″；10/__，律师卷号231749US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method andApparatus for Monitoring a Material Processing System″；10/__，律师卷号231227US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method and Apparatus for Monitoring Parts in a MaterialProcessing System″；and 10/__，律师卷号231228US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method and Apparatus for Monitoring aPlasma in a Material Processing System″。这些申请的全部内容在此引为参考。
技术领域
本发明涉及对处理系统中的过程的监视，尤其涉及使用具有一体的传输设备的监视设备来监视一个过程。
背景技术
半导体工业中，集成电路(IC)的制造一般使用等离子体来在等离子体反应室中建立和辅助从基片移除材料或者在基片上淀积材料所需的表面化学。一般，通过加热电子以使之具有足以维持与所供应的处理气体的离子化碰撞的充分能量，从而在真空条件下在等离子体反应器中形成等离子体。另外，被加热的电子具有足以维持离解碰撞(dissociative collision)的足够能量，因此，选择预定条件(例如室压、气体流速等)的特定气体集合，来产生适合在该室内执行的特定处理(例如从基片上移除材料的蚀刻处理，或者在基片上添加材料的淀积处理)的大量带电荷核素和化学活性核素。
例如在蚀刻过程中，在判断等离子体处理系统的状态、确定正生产的设备质量时，监视等离子体处理系统可能是非常重要的。可以使用另外的处理数据来避免对系统状态和正在生产的产品的状态得出错误的结论。例如，等离子体处理系统的连续使用可能会导致等离子体处理性能的逐渐下降，最终导致系统完全失灵。另外的与处理相关的数据以及与设备相关的数据会改善对材料处理系统的管理以及所生产的产品的质量。
发明内容
本发明提供了一种设备和方法，用于监视处理系统中的处理，尤其是具有一体的传输设备的处理监视设备，以及使用具有一体的传输设备的处理监视设备监视处理系统中的处理的方法。
本发明提供了一种设备和方法，用于监视材料处理系统中的等离子体处理，尤其是具有一体的传输设备的等离子体监视设备，以及使用具有一体的传输设备的等离子体建设设备监视材料处理系统中的等离子体处理的方法。
本发明还提供了用于监视材料处理系统中的处理的装置，其包括至少一个RF响应传感器，耦接到至少一个传感器接口组件(sensorinterface assembly(SIA))。
附图说明
从下面对本发明的实施例结合附图所做的详细说明，更容易理解本发明的上述以及其它优点。附图中：
图1图解了根据本发明的一个实施例的材料处理系统的简化框图；
图2图示了根据本发明的一个实施例的RF响应电气传感器以及传感器接口组件(SIA)的简化框图；
图3a到3c是根据本发明的实施例的RF响应电气传感器的简化框图；
图4a到4c是根据本发明的另外的实施例的RF响应电气传感器的简化框图；
图5a到5c是根据本发明的另外的实施例的RF响应电气传感器的简化框图；
图6a到6c是根据本发明的实施例的传感器接口组件的简化框图；
图7a到7c是根据本发明的另外的实施例的传感器接口组件的简化框图；
图8a到8c是根据本发明的另外的实施例的传感器接口组件的简化框图；
图9图示了根据本发明的一个实施例的用于监视材料处理系统的方法。
具体实施方式
本发明提供了一种改进的材料处理系统，其包括处理设备，处理设备可以包括一个或者多个处理室。另外，该处理系统可以包括多个RF响应电气传感器和传感器接口组件(SIA)，RF响应电气传感器耦接到所述处理设备，以生成和发射电气数据，传感器接口组件被配置为从至少一个所述多个RF响应电气传感器接收电气数据。
图1图示了根据本发明的一个实施例的材料处理系统的简化方框图。例如，材料处理系统100可以包括一个蚀刻系统，比如等离子体蚀刻器。或者，材料处理系统100可以包括一个光致抗蚀剂涂覆系统，比如光致抗蚀剂旋涂系统，并且/或者，材料处理系统100可以包括光致抗蚀剂构图系统，比如光刻系统。在另一个实施例中，材料处理系统100可以包括电介质涂覆系统比如旋压玻璃(spin-on-glass(SOG))或者旋压电介质(spin-on-dielectric(SOD))系统。在另一个实施例中，材料处理系统100可以包括淀积室比如化学气相淀积(CVD)系统、物理气相淀积(PVD)系统、原子层淀积(atomic layer deposition(ALD))系统以及/或者它们的组合。在另外的实施例中，材料处理系统100可以包括热处理系统比如快速热处理(rapid thermal processing(RTP))系统。在另一个实施例中，材料处理系统100可以包括批处理扩散炉(batch diffusion furnace)或者其它半导体处理系统。
在图示的实施例中，材料处理系统100包括处理室110、上组件120、用于支承基片135的基片保持器130、抽气系统160以及控制器170。例如，抽气系统160能够在处理器110中提供受控的压强。例如，处理室110能够帮助在与基片135相邻的处理空间115中形成处理气体。材料处理系统100可以被配置为处理200mm基片、300mm基片或者更大的基片。或者，材料处理系统可以通过在一个或者多个处理室中生成等离子体而工作。
基片135例如可以通过一个槽阀(slot valve)(未图示)和处理室连接通道(未图示)，借助于基片运送机器人系统被转移到处理室110中，或者从处理室110转出，在所述基片运送机器人系统中，可以由被容纳在基片保持器130内的基片升降顶杆(lift pin)(未图示)接收所述基片，所述基片升降顶杆可由容纳在其中的设备机械平移。从基片运送系统接收到基片135之后，可以将基片下降到基片保持器130的上表面上。
基片135例如可以通过静电吸附系统被固定到基片保持器130上。另外，基片保持器130可以进一步包括一个冷却系统。该冷却系统包括从基片保持器130接收热量并将热量转移给热交换系统(未图示)，或者，在加热时，转移来自热交换系统的热量的再循环冷却流体。另外，例如，可以通过背面气体系统向基片135的背面输送气体，以改善基片135和基片保持器130之间的气隙热传导。当在较高或者较低温度对基片进行温度控制时可以使用这样的系统。在其它的实施例中，可以包括加热元件，比如电阻加热元件或者热电加热器/冷却器。
在另外的实施例中，基片保持器130例如可以进一步包括垂直位移设备(未图示)，其可以被一个连接到基片保持器130和处理室110的波纹管(未图示)包起来，波纹管用来将垂直平移设备与处理室110中的降压氛围密封隔离开来。另外，例如可以将一个波纹管屏蔽(未图示)连接到基片保持器130，用来保护所述波纹管。基片保持器130例如可以进一步提供一个聚焦环(未图示)、一个屏蔽环(未图示)和一个折流板(未图示)。
在图1所示的实施例中，基片保持器130可以包括一个电极(未图示)，通过该电极，可以将RF能量耦合到处理空间115中的处理气体中。例如，基片保持器130可以通过来自RF系统150的RF功率的传输在RF电压被电偏置。在某些情况下，RF偏压可以用来加热电子以形成和维持等离子体。用于RF偏压的典型频率可以从1MHz到100MHz。例如，使用13.56MHz的用于等离子体处理的半导体处理系统对本领域普通技术人员来说是公知的。
如图1所示，上组件120可以被耦合到处理室110，用来执行下述功能中的至少一个：提供气体注入系统，提供容性耦合等离子体(capacitively coupled plasma(CCP))源，提供电感耦合等离子体(inductively coupled plasma(ICP))源，提供变压器耦合等离子体(transformer-coupled plasma(TCP))源，提供微波供能等离子体源(microwave powered plasma source)，提供电子回旋共振(electroncyclotron resonance(ECR))等离子体源，提供螺旋波等离子体源，以及提供表面波等离子体源。
例如，上组件120可以包括电极、绝缘体环、天线、传输线和/或其它RF部件(未图示)。另外，上组件120可以包括永久磁体、电磁体和/或其它磁体系统部件(未图示)。另外，上组件120可以包括供应管线、注入设备和/或其它气体供应系统部件(未图示)。另外，上组件120可以包括外壳、盖子、密封装置和/或其它机械部件(未图示)。
在另外的实施例中，处理室110例如可以还包括保护处理室110不受处理空间115中的处理等离子体影响的处理室里衬(未图示)或者处理管(process tube)(未图示)。另外，处理室110可以包括监视口(未图示)。监视口例如能够允许对处理空间115进行光学监视。
材料处理系统100还包括至少一个具有一体的传输装置的测量设备。如所图解的实施例所示，可以用至少一个RF响应电气传感器190来生成和发射电气数据。例如，处理器110可以包括至少一个RF响应电气传感器190，并且/或者上组件120可以包括至少一个RF响应标识器190，并且/或者基片保持器可以包括至少一个RF响应电气传感器190。
材料处理系统100还包括至少一个具有一体的接收装置的接口设备。如图1所示，可以用一个传感器接口组件(SIA)180来与至少一个RF响应电气传感器190通信。例如，SIA 180能够接收电气数据。
在一个实施例中，RF响应电气传感器190可以包括一个电气传感器(未图示)和一个一体的发射器(未图示)，SIA 180可以包括一个一体的接收器(未图示)。RF响应电气传感器190可以使用所述发射器发送数据，所述SIA 180可以使用所述接收器接收所发射的数据。RF响应电气传感器190可以使用相同或者不同的频率工作，SIA180可以使用一个或者多个频率工作。
材料处理系统100还包括一个控制器170。控制器170可以耦接到处理室110、上组件120、基片保持器130、RF系统150、抽气系统160以及SIA 180。该控制器可以被配置为向SIA提供控制数据和从SIA接收电气数据。例如，控制器170可以包括微处理器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)7以及数字I/O端口。数字I/O端口能够生成足以传送和激活对处理系统100的输入以及监视处理系统100的输出的控制电压。另外，控制器170可以与处理室110、上组件120、基片保持器130、RF系统150、抽气系统160以及SIA 180交换信息。另外，存储在存储器中的程序可以用来根据工艺配方来控制材料处理系统100的前述部件。另外，控制器170可以被配置为分析所述电气数据、比较所述电气数据与目标电气数据，并使用比较结果来改变处理和/或控制处理设备。另外，控制器可以被配置为分析电气数据、比较电气数据与历史电气数据，并利用比较结果预测、防止和/或报告故障。
图2图示了根据本发明的一个实施例的RF响应电气传感器和SIA的简化框图。在图示的实施例中，SIA180包括SIA接收器181和SIA发射器182，RF响应电气传感器190包括电气传感器191和RF响应发射器192。
SIA 180可以使用通信链路195耦接到RF响应电气传感器190。例如，RF响应电气传感器190和SIA 180可以使用从0.1MHz到10.0GHz的范围内的一个或者多个RF频率工作。或者，通信链路195可以包括光学装置。
SIA接收器181可以被配置为从一个或者多个电气传感器接收信号。例如，SIA接收器181可以被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收响应信号，响应信号可以包括数据，数据可以包括电气数据。
另外，SIA发射器182可以被配置为向一个或多个RF响应电气传感器发射信号。例如，SIA发射器182可以被配置为向至少一个RF响应电气传感器发射输入信号，所述输入信号可以包括数据，数据可以包括控制数据。
电气传感器191可以被配置为提供一个或者多个与部件相关的属性。例如，电气传感器191可以被配置为生成电气数据，并将电气数据提供给RF响应发射器192，电气数据可以包括电压数据、电流数据、幅度数据、频率数据、谐波数据、频谱数据、场强数据以及相位数据中的至少一种。电气数据可以包括能够用来控制处理过程、处理室和/或处理设备的测量到的和/或经过处理的数据。电气数据可以包括关于AC信号和/或DC信号的信息，其中AC信号可以包括一个或者多个RF频率。电气数据还可以包括电荷密度、离子密度和基团密度信息。电气数据可以包括能够用来控制处理工艺、处理室和/或处理设备的测量到的和/或经过处理的数据。
在各种实施例中，电气传感器191可以包括天线、电压探针、电流探针、电压/电流(V/I)探针、场探针、朗缪尔探针、功率传感器、频率分析仪和波形分析仪中的至少一种。例如，天线可以是耦合到系统部件的窄带或者宽带器件，能够用来接收一个或者多个RF信号。另外，探针可以是窄带或者宽带器件，探针可以测量、存储和/或处理电气数据。
或者，电气传感器191可以进一步包括电源、接收器、发射器、控制器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)以及外壳中的至少一个。
电气传感器191可以被配置为持续长期时间或者短期时间生成电气数据。例如，电气传感器可以包括连续运行定时器和触发定时器中的至少一种，触发定时器可以由与处理相关的事件或者与处理无关的事件触发。电气传感器可以将RF能量转换为DC信号，使用该DC信号操作传感器。这样，可以生成与处理相关的数据，比如RF小时数据。
RF响应发射器192可以被配置为向至少一个SIA 180发射信号。例如，RF响应发射器192可以被配置为发射响应信号，该响应信号可以包括数据，数据可以包括电气数据。另外，发射器可以用来处理和发射窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，发射器还可以处理和发射编码信号和/或扩展频谱信号，以在高干扰环境比如半导体处理设施中提升其性能。
在各种实施例中，RF响应发射器192可以包括电源、信号源、调制器、编码器、放大器、天线、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、外壳和控制器中的至少一种。在一种情况下，RF响应发射器192可以包括一个天线(未图示)，该天线当被放置在RF场中时用作反向散射设备。
在另外的实施例中，RF响应电气传感器190还可以包括电源、信号源、接收器、天线、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、定时器、外壳和控制器中的至少一种。另外，RF响应电气传感器190还可以包括传感器，比如在下述同时待审申请中所描述的传感器：10/__，律师卷号231748US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method and Apparatus for Monitoring a Material ProcessingSystem″；10/__，律师卷号231749US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method and Apparatus for Monitoring a Material ProcessingSystem″；10/__，律师卷号231227US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method and Apparatus for Monitoring Parts in a MaterialProcessing System″；以及10/__，律师卷号231228US6YA，申请日与本申请相同，题为″Method and Apparatusfor Monitoring a Plasma in a Material Processing System″，这些文献的全部内容在此引为参考。
图3a到3c图示了根据本发明的实施例的RF响应电气传感器的简化框图。在图示的实施例中，RF响应电气传感器190包括电气传感器191、RF响应发射器192和电源194。
如图3a所示，电源194可以耦接到RF响应发射器192。或者，电源194可以被包括在RF响应发射器192中。如图3b所示，电源194可以耦接到电气传感器191。或者，电源194可以被包含在电气传感器191中。如图3c所示，电源194可以耦接到电气传感器191和RF响应发射器192。或者，电源194可以被包含在电气传感器191和RF响应发射器192中。
电源194可以包括RF到DC转换器、DC到DC转换器以及电池中的至少一个。例如，RF到DC转换器可以包括天线、二极管和滤波器中的至少一个。在一种情况下，RF到DC转换器可以将至少一个与处理相关的频率转换为DC信号。在另一种情况下，RF到DC转换器可以将至少一个与处理无关的频率转换为DC信号。例如，可以向转换器提供一个外部信号。或者，RF到DC转换器可以将至少一个与等离子体相关的频率转换为DC信号。
图4a到4c图示了根据本发明的另外的实施例的RF响应电气传感器的简化框图。在图示的实施例中，RF响应电气传感器190包括电气传感器191、RF响应发射器192和接收器196。
如图4a所示，接收器196可以耦接到RF响应发射器192。或者，接收器196可以被包括在RF响应发射器192中。如图4b所示，接收器196可以耦接到电气传感器191。或者，接收器196可以被包含在电气传感器191中。如图4c所示，接收器196可以耦接到电气传感器191和RF响应发射器192。或者，接收器196可以被包含在电气传感器191和RF响应发射器192中。
接收器196可以包括电源、信号源、天线、下变频器、解调器、解码器、控制器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)以及变换器中的至少一种。例如，接收器可以用来接收和处理窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，接收器还可以接收和处理编码信号和/或扩展频谱信号，以在高干扰环境比如半导体处理设施中提升其性能。
图5a到5c图示了根据本发明的另外的实施例的RF响应电气传感器的简化框图。在图示的实施例中，RF响应电气传感器190包括电气传感器191、RF响应发射器192和控制器198。
如图5a所示，控制器198可以耦接到RF响应发射器192。或者，控制器198可以被包括在RF响应发射器192中。如图5b所示，控制器198可以耦接到电气传感器191。或者，控制器198可以被包含在电气传感器191中。如图5c所示，控制器198可以耦接到电气传感器191和RF响应发射器192。或者，控制器198可以被包含在电气传感器191和RF响应发射器192中。
控制器198可以包括微处理器、微控制器、定时器、数字信号处理器(DSP)、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、A/D转换器以及D/A转换器中的至少一种。例如，控制器可以用来处理从AM信号、FM信号和/或PM信号接收到的数据，并可以用来处理要在AM信号、FM信号和/或PM信号上传送的数据。另外，控制器198可以用来处理编码的和/或扩展频谱信号。另外，控制器198还可以用来存储信息，比如测量数据、指令代码、传感器信息和/或部件信息，部件信息可以包括传感器标识和零件标识数据。例如，输入信号数据可以被提供给控制器198。
图6a到6c图示了根据本发明的实施例的SIA的简化框图。在图示的实施例中，SIA 180包括SIA接收器181、SIA发射器182和电源184。
SIA发射器182可以被配置为将输入信号发射给至少一个RF响应电气传感器，该至少一个RF响应电气传感器可以使用输入信号来控制其操作。例如，RF响应电气传感器可以使用所述输入信号信息来判断何时生成电气数据和/或何时发射响应信号。
SIA发射器182可以包括电源、信号源、天线、上变频器、放大器、调制器、编码器、定时器、控制器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、D/A转换器以及A/D转换器中的至少一种。例如，发射器可以用来处理和发射窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，SIA发射器182可以被配置为处理和发射编码信号和/或扩展频谱信号，以在高干扰环境比如半导体处理设施中提升性能。
SIA接收器181可以被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收响应信号，该响应信号可以包括电气数据。
SIA接收器181可以包括电源、信号源、天线、下变频器、解调器、解码器、定时器、控制器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、D/A转换器以及A/D转换器中的至少一种。例如，SIA接收器可以用来接收和处理窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，SIA接收器181可以被配置为接收和处理编码信号和/或扩展频谱信号，以在高干扰环境比如半导体处理设施中提升性能。
如图6a所示，电源184可以耦接到SIA发射器182。或者，电源184可以被包括在SIA发射器182中。如图6b所示，电源184可以耦接到SIA接收器181。或者，电源184可以被包含在SIA接收器181中。如图6c所示，电源184可以耦接到SIA接收器181和SIA发射器182。或者，电源184可以被包含在SIA接收器181和SIA发射器182中。
电源184可以包括RF到DC转换器、DC到DC转换器、电池、滤波器、定时器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)以及控制器中的至少一种。另外，电源可以在处理室外部，并使用一条或者多条电缆连接到SIA。
图7a到7c图示了根据本发明的另外的实施例的传感器接口组件的简化框图。在图示的实施例中，SIA 180包括SIA接收器181、SIA发射器182和控制器186。
如图7a所示，控制器186可以耦接到SIA接收器181。或者，控制器186可以被包括在SIA接收器181中。如图7b所示，控制器186可以耦接到SIA发射器182。或者，控制器186可以被包含在SIA发射器182中。如图7c所示，控制器186可以耦接到SIA接收器181和SIA发射器182。或者，控制器186可以被包含在SIA接收器181和SIA发射器182中。
控制器186可以包括微处理器、微控制器、数字信号处理器(DSP)、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、A/D转换器以及D/A转换器中的至少一种。例如，控制器可以用来处理从响应信号接收到的数据，并可以用来处理要在输入信号上传送的数据。另外，控制器186可以用来存储信息，比如测量数据、指令代码、传感器信息和/或部件信息，部件信息可以包括传感器标识和零件标识数据。
图8a到8c图示了根据本发明的另外的实施例的传感器接口组件的简化框图。在图示的实施例中，SIA 180包括SIA接收器181、SIA发射器182和接口188。
如图8a所示，接口188可以耦接到SIA接收器181。或者，接口188可以被包括在SIA接收器181中。如图8b所示，接口188可以耦接到SIA发射器182。或者，接口188可以被包含在SIA发射器182中。如图8c所示，接口188可以耦接到SIA接收器181和SIA发射器182。或者，接口188可以被包含在SIA接收器181和SIA发射器182中。
接口188可以包括电源、信号源、接收器、发射器、控制器、处理器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、定时器和转换器中的至少一种。例如，接口可以用来处理从系统级部件比如控制器170(图1)接收到的数据，或者要向所述系统级部件发送的数据。
本领域的普通技术人员知道，发射器和接收器可以被组合到收发器中。
图9图解了根据本发明的一种实施例，用于监视材料处理系统的方法。过程900始于步骤910。
在920，提供至少一个RF响应电气传感器。可以在材料处理系统中的多个不同位置提供RF响应电气传感器。例如，可以将RF响应电气传感器耦接到处理室部件、上组件部件以及基片保持器部件中。另外，当在材料处理系统中使用处理室里衬(处理管)时，可以将RF响应电气传感器耦接到处理室里衬(处理管)。另外，当在材料处理系统中使用运送系统部件、RF系统部件、气体供应系统部件和/或排气系统部件中的一种或者多种时，RF响应电气传感器可以耦接到运送系统部件、RF系统部件、气体供应系统部件和/或排气系统部件。
RF响应电气传感器可以包括耦接到电气传感器的RF响应发射器。在各种实施例中，电气传感器可以包括天线、电压探针、电流探针、电压/电流(V/I)探针、场探针、朗缪尔探针、功率传感器、频率分析仪和波形分析仪、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、处理器、定时器以及外壳中的至少一种。例如，天线和/或探针可以用来测量处理室中和/或处理室外部的电信号。探针可以耦接到用来向处理器和/或处理设备提供RF信号的部件。
电气传感器可以被配置为生成数据比如电气数据，并将数据提供给RF响应发射器。另外，电气传感器可以包括处理器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、定时器和和电源中的至少一个，并包括一个电气传感器来使用内部控制程序生成、存储和/或处理数据比如零件ID数据，然后将数据提供给RF响应发射器。电气传感器可以使用与处理相关和/或与处理无关的信号来判断何时工作。或者，电气传感器可以进一步包括接收器、发射器和外壳中的至少一个。
在各种实施例中，RF响应发射器包括发射器和天线。例如，发射器可以被配置为使用数据比如电气数据对输入信号进行调制和/或编码，所述天线可以被配置为发射所述输入信号。
在其它情况下，RF响应发射器可以包括调制器和天线。调制器可以被配置为使用状态数据对输入信号进行调制，所述天线可以被配置为发射所调制的信号。或者，RF响应发射器可以包括天线和反向散射调制器(backscatter modulator)。
在930，提供传感器接口组件(SIA)。可以在材料处理系统中的多个不同位置提供SIA。例如，可以将SIA耦接到处理室、上组件以及基片保持器中。在其它的实施例中，如果能够与RF响应电气传感器建立通信链路，那么SIA可以被安装在处理室外部。或者，SIA可以耦接到监视端口或者另一个输入端口。
SIA可以包括被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收响应信号的接收器，所述响应信号可以包括数据，比如电气数据。例如，RF响应电气传感器可以被配置为使用内部控制程序生成和发射响应信号，所述内部控制程序可以是与处理相关的，或者是与处理无关的。
另外，SIA可以包括被配置为向至少一个RF响应电气传感器发射输入信号的发射器，所述输入信号可以包括用于所述至少一个RF响应电气传感器的操作数据。例如，RF响应电气传感器可以被配置为当其从SIA接收到输入信号时生成和发射响应信号。
在其它情况下，SIA可以包括可以耦接到SIA发射器和SIA接收器的电源。在另外的实施例中，SIA可以包括可以耦接到SIA发射器和SIA接收器的控制器。
在940，具有电气传感器和RF响应发射器的RF响应电气传感器可以用来生成电气数据。电气传感器可以在处理之前、处理期间或者处理之后生成数据，比如电气数据。例如，RF响应电气传感器可以针对处理室部件、上组件部件以及基片保持器部件生成电气数据。另外，在材理处理系统中使用了处理室里衬(处理管)时，RF响应电气传感器可以对处理室里衬(处理管)生成电气数据。另外，RF响应电气传感器可以针对运送系统部件、RF系统部件、气体供应系统部件和/或排气系统部件生成电气数据。
RF响应电气传感器可以被配置为提供一个或者多个与部件相关的属性。例如，电气传感器可以被配置为生成电气数据并将电气数据提供给RF响应发射器，电气数据可以包括电压数据、电流数据、幅度数据、频率数据、谐波数据、频谱数据、场强数据和相位数据中的至少一种。电气数据可以包括测量的和/或经过处理的数据，它们可以用来控制工艺、处理室和/或处理设备。电气数据还可以用在安装、操作和/或维护过程中。电气数据可以包括关于AC信号和/或DC信号的信息，其中，AC信号可以包括一个或者多个RF频率。电气数据还可以包括电荷密度、离子密度和基团密度信息。
在一个另外的实施例中，RF响应电气传感器还可以生成和发射磁数据，比如场强、均匀性和极化数据。
在一个或者多个实施例中，RF响应电气传感器可以包括电源，该电源可以被配置为使用与处理相关的频率使得RF响应电气传感器生成电气数据。例如，所述电源可以将提供给处理室的部分RF能量转换为DC信号，使用所述DC信号操作所述RF响应电气传感器中的电气传感器。或者，RF响应电气传感器可以包括连接到所述电气传感器的电池，所述DC信号可以用来使得所述电气传感器开始生成电气数据。
在另外的实施例中，RF响应电气传感器可以包括电源，该电源可以被配置为使用与等离子体无关的频率使得所述RF响应电气传感器生成电气数据。例如，所述电源可以将输入信号提供的部分RF能量转换为DC信号，利用该DC信号操作所述RF响应电气传感器中的电气传感器。或者，RF响应电气传感器可以包括连接到所述电气传感器的电池，所述输入信号可以用来使得所述电气传感器开始生成电气数据。
在另外的实施例中，RF响应电气传感器可以用在等离子体处理系统中，并可以被配置为与等离子体相关的和与等离子体无关的频率来生成诸如电气数据之类的数据。
在950，至少一个RF响应电气传感器使用其RF响应发射器发射所述电气数据。例如，RF响应发射器可以发射包括诸如电气数据之类的数据的响应信号。在另外的实施例中，RF响应电气传感器可以耦接到一个以上的电气传感器，RF响应发射器可以连接到一个或者多个附加传感器。
可以在材料处理系统中的多个不同位置提供RF响应电气传感器，并可以将其配置为在由材料处理系统执行等离子体处理之前、期间和/或之后发射电气数据。例如，RF响应电气传感器可以被耦接到处理室部件、上组件部件和基片保持器部件中的至少一个，并可以发射来自系统中的不同位置的电气数据。另外，当在材料处理系统中使用处理室里衬(处理管)时，RF响应电气传感器可以发射来自处理室里衬(处理管)的电气数据。另外，RF响应电气传感器可以发射来自运送系统部件、RF系统部件、气体供应系统部件和/或排气系统部件的电气数据。
在某些实施例中，RF响应电气传感器可以包括电源，电源可以被配置为使用与等离子体相关的频率使得RF响应电气传感器发射电气数据。例如，电源可以将提供给处理室的部分RF能量转换为DC信号，使用所述DC信号操作所述RF响应电气传感器中的发射器。另外，RF响应电气传感器可以包括连接到所述发射器的电池，并可以使用与处理相关的信号使得所述RF响应发射器开始发射数据。
在另外的实施例中，RF响应电气传感器可以包括电源，电源可以被配置为使用与处理无关的频率使得RF响应电气传感器发射电气数据。例如，电源可以将输入信号提供的部分RF能量转换为DC信号，使用所述DC信号操作所述RF响应电气传感器中的发射器。另外，RF响应电气传感器可以包括连接到所述发射器的电池，并可以使用所述输入信号使得所述RF响应发射器开始发射数据。
另外，RF响应电气传感器可以用在等离子体处理系统中，可以被配置为当发射数据比如电气数据时，使用与等离子体相关的频率或者与等离子体无关的频率发射响应信号。
在另外的实施例中，RF响应电气传感器可以包括用来接收输入信号的接收器。例如，接收器可以被配置为接收输入信号，并使用输入信号生成用于控制RF响应电气传感器的操作数据。另外，RF响应电气传感器可以使用输入信号判断何时生成数据和/或何时发射数据。
在另外的实施例中，RF响应电气传感器可以包括用来存储数据比如电气数据的存储器。电气数据可以在处理的部分期间被存储起来，并在处理的另外部分期间被发射。例如，电气数据可以在等离子体事件期间被存储，在等离子体事件结束之后被发射。
在另外的实施例中，RF响应电气传感器可以包括可以用来控制RF响应电气传感器的操作的控制器。该控制器可以包括操作数据和/或从SIA接收操作数据。例如，控制器可以用来判断何时生成和发射电气数据。
在某些实施例中，RF响应电气传感器可以包括定时器。定时器可以包括连续运行定时器和触发定时器(triggered timer)中的至少一种，触发定时器可以由与处理相关的或者与处理无关的频率触发。例如，定时器可以将RF能量转换为DC信号，并使用DC信号来操作所述定时器。这样，可以生成RF小时数据(RF hour data)。定时器也可以由RF响应电气传感器接收到的输入信号触发。
在960，SIA可以用来从一个或者多个RF响应电气传感器接收响应信号，响应信号可以包括诸如电气数据之类的数据。例如，SIA中的接收器可以被配置为在整个处理或者部分处理期间接收一个或者多个响应信号。在某些情况下，当将RF信号提供给处理室时，RF响应电气传感器可以发射电气数据。
另外，SIA可以被用来向一个或者多个RF响应电气传感器发射输入信号。例如，SIA中的发射器可以被配置为在整个处理或者部分处理期间发射一个或者多个输入信号。在某些情况下，当RF响应电气传感器从SIA接收到输入信号时，其可以向SIA发射电气数据。输入信号可以包括例如RF响应电气传感器的操作数据。
SIA可以使用内部和/或外部控制数据来判断何时接收、何时发射信号。例如，SIA可以被配置为在由材料处理系统执行处理之前、期间和/或之后工作。
可以在材料处理系统中的一个或者多个位置提供SIA。例如，SIA可以耦接到处理室壁、上组件、基片保持器中的至少一个，并可以从系统中的不同位置接收电气数据。另外，当在材料处理系统中使用处理室里衬(处理管)时，SIA可以从耦接到处理室里衬(处理管)的RF响应电气传感器接收电气数据。另外，SIA可以从耦接到RF系统部件、气体供应系统部件和/或排气系统部件的RF响应电气传感器接收电气数据。
在某些实施例中，SIA可以包括电源，电源可以被配置为使用与等离子体相关的频率使SIA工作。例如，电源可以包括RF到DC转换器，RF到DC转换器可以将提供给等离子体室的部分RF能量转换为DC信号，该DC信号可以被用来操作SIA中的发射器和/或接收器。
在其它实施例中，SIA可以包括电源，电源可以被配置为使用与等离子体无关的频率使SIA工作。例如，电源可以包括RF到DC转换器，RF到DC转换器可以将由外部信号提供的部分RF能量转换为DC信号，该DC信号可以被用来操作SIA中的发射器和/或接收器。
另外，电源可以在处理室的外部，并使用一个或者多个电缆连接到SIA。另外，电源可以包括电池。
在970，SIA可以发送数据比如电气数据给控制器。另外，SIA可以对电气数据进行预处理。例如，SIA可以对数据进行压缩和/或加密。过程900结束于980。
SIA和/或系统控制器可以被配置为分析数据比如电气数据，并使用分析结果来控制处理和/或控制处理设备。SIA和/或系统控制器可以被配置为将电气数据与目标电气数据进行比较，利用比较结果来控制处理和/或控制处理设备。另外，SIA和/或系统控制器可以被配置为比较电气数据与历史电气数据，并利用比较结果预测、防止和/或报告故障。另外，SIA和/或系统控制器可以被配置为分析数据比如电气数据，并使用分析结果判断何时对部件执行维护。
尽管上面具体描述了本发明的特定实施例。但是，本领域的普通技术人员知道，在不实质性偏离本发明的新颖性内容和优点的前提下，可以对实施例进行许多修改。因此，所有这样的修改都应在本发明的范围之内。
Claims (84)
1. 一种材料处理系统，包括：
处理设备，其中该处理设备包括至少一个处理室；
耦接到所述处理设备的内部的多个RF响应电气传感器，RF响应电气传感器被配置为对所述处理设备生成电气数据，并发射所述电气数据，其中所述电气数据包括被用于控制由所述处理设备执行的过程的测量数据或经过处理的数据；以及
传感器接口组件(SIA)，其被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收所述电气数据。
2. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述电气数据包括电压、电流、幅度、频率、谐波、频谱、场强、功率、密度和相位数据中的至少一种。
3. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF响应电气传感器包括：
用于生成磁数据的传感器；以及
耦接到所述传感器、用于发射所述磁数据的RF响应发射器。
4. 如权利要求3所述的材料处理系统，其中，所述磁数据包括场强数据、场均匀性数据和极化数据中的至少一种。
5. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF响应电气传感器包括：
用于生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器，用于发射所述电气数据的RF响应发射器。
6. 如权利要求5所述的材料处理系统，其中，所述探针包括电压探针、电流探针、电压/电流(V/I)探针、场探针、功率传感器、频谱分析仪、波形分析仪和朗缪尔探针中的至少一个。
7. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF响应电气传感器耦接到一个处理室部件。
8. 如权利要求7所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括：
被配置为对所述处理室部件生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器，用于发射所述处理室部件的电气数据的RF响应发射器。
9. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，还包括一个上组件，其中，至少一个RF响应电气传感器耦接到所述上组件的至少一个部件。
10. 如权利要求9所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括：
被配置为对所述上组件的所述至少一个部件生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器，用于发射所述上组件的所述至少一个部件的电气数据的RF响应发射器。
11. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，还包括基片保持器，其中，至少一个RF响应电气传感器耦接到该基片保持器。
12. 如权利要求11所述的材料处理系统，其中，所述基片保持器包括卡盘、静电吸盘(ESC)、屏蔽、聚焦环、折流板和电极中的至少一个。
13. 如权利要求11所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括：
被配置为对所述基片保持器生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器、用于发射所述基片保持器的电气数据的RF响应发射器。
14. 如权利要求11所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括：
被配置为对所述基片保持器上的晶片生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器、用于发射所述晶片的电气数据的RF响应发射器。
15. 如权利要求1所述的材料处理系统，还包括一个环，其中，至少一个RF响应电气传感器耦接到该环。
16. 如权利要求15所述的材料处理系统，其中，所述环包括聚焦环、屏蔽环、淀积环、电极环以及绝缘体环中的至少一种。
17. 如权利要求15所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括：
被配置为对所述环生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器、用于发射所述环的电气数据的RF响应发射器。
18. 如权利要求1所述的材料处理系统，还包括一个板，其中，至少一个RF响应电气传感器耦接到该板。
19. 如权利要求18所述的材料处理系统，其中，所述板包括排泄板、折流板、电极板以及绝缘体板中的至少一种。
20. 如权利要求18所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括：
被配置为对所述板生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器、用于发射所述板的电气数据的RF响应发射器。
21. 如权利要求5所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到电气传感器和RF响应发射器中的至少一个的定时器。
22. 如权利要求5所述的材料处理系统，其中，所述RF响应发射器包括被配置为发射响应信号的天线，以及耦接到该天线的发射器，其中，该发射器被配置为使用所述电气数据对所述响应信号进行调制和/或编码。
23. 如权利要求5所述的材料处理系统，其中，所述RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的电源。
24. 如权利要求23所述的材料处理系统，其中，所述电源包括被配置为将从工艺相关信号发射的能量转换为DC信号的RF到DC转换器、被配置为将与工艺无关的信号转换为DC信号的RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。
25. 如权利要求24所述的材料处理系统，其中，所述电源将所述DC信号提供给所述电气传感器。
26. 如权利要求24所述的材料处理系统，其中，所述电源将所述DC信号提供给所述RF响应发射器。
27. 如权利要求5所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的控制器。
28. 如权利要求27所述的材料处理系统，其中，所述控制器包括微处理器、微控制器、定时器、数字信号处理器(DSP)、存储器、接收器、A/D转换器和D/A转换器中的至少一个。
29. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF响应电气传感器包括：
用于生成电气数据的电气传感器；
耦接到所述电气传感器、用于发射所述电气数据的RF响应发射器；以及
耦接到所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的接收器。
30. 如权利要求29所述的材料处理系统，其中，所述RF响应发射器包括天线和反向散射调制器。
31. 如权利要求29所述的材料处理系统，其中，所述RF响应发射器包括被配置为发射响应信号的天线以及耦接到所述天线的发射器，其中，所述发射器被配置为使用所述电气数据对所述响应信号进行调制和/或编码。
32. 如权利要求31所述的材料处理系统，其中，所述RF响应发射器还包括RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。
33. 如权利要求29所述的材料处理系统，其中，所述RF响应电气传感器还包括至少一个电源，电源使用RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种产生DC信号。
34. 如权利要求29所述的材料处理系统，其中，所述接收器包括天线和处理器，该天线被配置为接收输入信号，该处理器被配置为使用所述输入信号生成操作数据，并使用该操作数据控制所述RF响应发射器、所述接收器和所述电气传感器中的至少一个。
35. 如权利要求34所述的材料处理系统，其中，所述接收器还包括被配置为将从与处理相关的信号发射的能量转换为DC信号的RF到DC转换器、被配置为将与处理无关的信号转换为DC信号的RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。
36. 如权利要求29所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述接收器、所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的控制器。
37. 如权利要求36所述的材料处理系统，其中，所述控制器包括微处理器、微控制器、定时器、数字信号处理器(DSP)、存储器、A/D转换器和D/A转换器中的至少一种。
38. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF响应电气传感器包括：
用于生成电气数据的电气传感器；以及
耦接到所述电气传感器，用于发射所述电气数据的RF响应收发器。
39. 如权利要求38所述的材料处理系统，其中，所述RF响应收发器包括被配置为发射响应信号的天线、耦接到该天线并被配置为使用所述电气数据对所述响应信号进行调制和/或编码的发射器、第二天线、接收器和处理器，该第二天线被配置为接收输入信号，该接收器被配置为使用所述输入信号生成操作数据，该处理器被配置为使用所述操作数据控制所述RF响应收发器。
40. 如权利要求38所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应收发器中的至少一个的控制器。
41. 如权利要求40所述的材料处理系统，其中，所述控制器包括微处理器、微控制器、定时器、数字信号处理器(DSP)、定时器、存储器、A/D转换器和D/A转换器中的至少一种。
42. 如权利要求38所述的材料处理系统，其中，所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应收发器中的至少一个的至少一个电源，电源包括RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。
43. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述SIA包括：
被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收包含电气数据的响应信号的接收器；以及
被配置为向所述至少一个RF响应电气传感器发射输入信号的发射器，其中，所述输入信号使所述至少一个RF响应电气传感器向所述接收器发送所述响应信号。
44. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述材料处理系统还包括：
耦接到所述SIA的控制器，该控制器被配置为分析所述电气数据，其中，该控制器比较所述电气数据与目标电性能数据，并使用比较结果改变处理。
45. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述材料处理系统还包括：
耦接到所述SIA的控制器，该控制器被配置为分析所述电气数据，其中，该控制器比较所述电气数据与历史电气数据，并使用比较结果预测故障。
46. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述材料处理系统还包括：
耦接到所述SIA的控制器，该控制器被配置为分析所述电气数据，其中，该控制器比较所述电气数据与历史电气数据，并使用比较结果报告故障。
47. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述材料处理系统还包括：
耦接到所述SIA的控制器，该控制器被配置为向所述SIA提供指令数据。
48. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述材料处理系统还包括：
耦接到所述SIA的控制器，该控制器被配置为分析所述电气数据和控制所述处理设备。
49. 如权利要求1所述的材料处理系统，还包括一个RF系统，其中，所述RF响应电气传感器耦接到至少一个RF系统部件。
50. 如权利要求1所述的材料处理系统，还包括一个气体供应系统，其中，所述RF响应电气传感器耦接到至少一个气体供应系统部件。
51. 如权利要求1所述的材料处理系统，还包括一个运送系统，其中，所述RF响应电气传感器耦接到至少一个运送系统部件。
52. 如权利要求1所述的材料处理系统，还包括一个排气系统，其中，所述RF响应电气传感器耦接到至少一个排气系统部件。
53. 如权利要求1所述的材料处理系统，其中，所述材料处理系统还包括：
耦接到所述SIA的控制器，该控制器被配置为分析所述电气数据，并使用分析结果判断何时对处理设备进行维护。
54. 一种RF响应电气传感器，包括：
被配置为耦接到处理设备的内部且对材料处理系统中的部件生成电气数据的电气传感器，其中所述电气数据包括被用于控制由所述材料处理系统执行的过程的测量数据或经过处理的数据；以及
耦接到所述电气传感器、用于发射所述部件的电气数据的RF响应发射器。
55. 如权利要求54所述的RF响应电气传感器，其中，所述部件是蚀刻系统的零件。
56. 如权利要求54所述的RF响应电气传感器，其中，所述部件是淀积系统的零件。
57. 如权利要求54所述的RF响应电气传感器，其中，所述部件是清洁系统的零件。
58. 如权利要求54所述的RF响应电气传感器，其中，所述部件是运送系统的零件。
59. 一种等离子体处理系统，包括：
处理设备，其中，该处理设备包括等离子体室；
耦接到所述处理设备的内部以产生和发射电气数据的多个RF响应电气传感器，所述电气数据包括被用于控制由所述处理设备执行的过程的测量数据或经过处理的数据，其中，至少一个RF响应电气传感器耦接到所述等离子体室；以及
被配置为从所述多个RF响应电气传感器接收所述电气数据的传感器接口组件(SIA)。
60. 如权利要求59所述的材料处理系统，其中，所述处理系统还包括：
耦接到所述SIA的控制器，该控制器被配置为分析所述电气数据并控制所述等离子体处理系统。
61. 一种监视包括处理设备的材料处理系统的方法，其中，所述处理设备包括至少一个处理室，该方法包括：
提供耦接到所述处理设备的内部的RF响应电气传感器，其中，该RF响应电气传感器被配置为生成和发射电气数据，该电气数据包括被用于控制由所述处理设备执行的过程的测量数据或经过处理的数据；以及
提供传感器接口组件(SIA)，其中，该SIA被配置为从所述RF响应电气传感器接收所述电气数据。
62. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
生成所述电气数据；以及
发射所述电气数据，其中，所述RF响应电气传感器接收包括操作数据的输入信号，使用该操作数据来使用响应信号发射所述电气数据。
63. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
生成电气数据；以及
发射所述电气数据，其中，所述电气数据包括等离子体密度、等离子体均匀性和等离子体化学性质中的至少一种。。
64. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个RF响应电气传感器耦接到一个处理室部件；
生成该处理室部件的电气数据；以及
发射该处理室部件的所述电气数据，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器。
65. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个RF响应电气传感器耦接到上组件的一个部件；
生成上组件的所述部件的电气数据；以及
发射上组件的所述部件的电气数据，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器。
66. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个RF响应电气传感器耦接到基片保持器
生成基片保持器的电气数据；以及
发射基片保持器的电气数据，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器。
67. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个RF响应电气传感器耦接到晶片；
生成晶片的电气数据；以及
发射晶片的电气数据，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器。
68. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个RF响应电气传感器耦接到运送系统部件、RF系统部件、气体供应系统部件和排气系统部件中的至少一个；
生成所述部件的电气数据；以及
发射所述部件的电气数据，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器。
69. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个RF响应电气传感器耦接到一个环；
生成该环的电气数据；以及
发射该环的电气数据，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器。
70. 如权利要求69所述的监视材料处理系统的方法，其中，所述环包括聚焦环、屏蔽环、淀积环、电极环和绝缘体环中的至少一种。
71. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个RF响应电气传感器耦接到一个板；
生成该板的电气数据；以及
发射该板的电气数据，其中，所述至少一个RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器。
72. 如权利要求71所述的监视材料处理系统的方法，其中，该板包括折流板、排泄板、电极板和注入板中的至少一种。
73. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
将至少一个电源耦接到RF响应电气传感器，其中，该RF响应电气传感器包括电气传感器和耦接到该电气传感器的RF响应发射器；
生成DC信号；以及
将该DC信号提供给所述RF响应发射器和所述电气传感器中的至少一个。
74. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
使用电池、滤波器、RF到DC转换器和DC到DC转换器中的至少一种生成所述DC信号。
75. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
使用所述SIA发射输入信号，该SIA包括发射器，其中，所述输入信号包括操作数据；以及
接收所述电气数据，其中，所述SIA包括被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收响应信号的接收器。
76. 如权利要求75所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
生成所述电气数据；以及
发射所述电气数据，其中，所述RF响应电气传感器接收所述输入信号，并使用所述操作数据来使用所述响应信号发射所述电气数据。
77. 如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
使用所述SIA发射输入信号，该SIA包括发射器，其中，所述输入信号包括操作数据；
接收所述输入信号，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为接收所述输入信号并从该输入信号获得操作数据的接收器；
生成所述电气数据，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为生成所述电气数据的电气传感器；
发射所述电气数据，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为使用响应信号发射所述电气数据的发射器；以及
接收所述电气数据，所述SIA包括被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收所述响应信号的接收器。
78. 如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
当没有正在生成等离子体时使用所述SIA发射所述输入信号；以及
当没有正在生成等离子体时接收所述输入信号。
79. 如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
当正在执行处理时生成所述电气数据；
当没有正在生成等离子体时使用所述RF响应电气传感器发射所述响应信号；以及
当没有正在生成等离子体时接收所述响应信号。
80. 如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
存储所述电气数据，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为存储所述电气数据的存储器。
81. 如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
提供DC信号，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为产生所述DC信号的电源，该电源并被配置为将该DC信号提供给所述RF响应电气传感器接收器和RF响应电气传感器发射器中的至少一个。
82. 如权利要求81所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
提供DC信号，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为通过将至少一个与等离子体相关的频率转换为DC信号而产生所述DC信号的电源。
83. 如权利要求81所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
提供DC信号，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为通过将至少一个与等离子体无关的频率转换为DC信号而产生所述DC信号的电源。
84. 如权利要求81所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
提供DC信号，其中，所述RF响应电气传感器包括被配置为通过将一部分所述输入信号转换为DC信号而产生所述DC信号的电源。
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