CH704254B1 - A method of coating an adhesive pattern on a substrate by means of a movable writing nozzle along a predetermined path. - Google Patents

A method of coating an adhesive pattern on a substrate by means of a movable writing nozzle along a predetermined path. Download PDF

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Abstract

Eine Schreibdüse wird entlang eines aus einer vorbestimmten Anzahl N von Linien gebildeten Linienzugs (12) von einem Startpunkt (A) des Linienzugs (12) zu einem Endpunkt (F) des Linienzugs (12) bewegt, um ein Klebstoffmuster auf ein Substrat (1) aufzutragen. Die Anzahl N der Linien (7–11) des Linienzugs ist N = 5. Die Anfangs- und Endpunkte der fünf Linien (7–11) bilden insgesamt sechs Knoten (A–F), wobei der erste Knoten (A) den Startpunkt und der sechste Knoten (F) den Endpunkt des Linienzugs bildet. Die Schreibdüse durchfährt jede der Linien (7–11) nur einmal. Der Startpunkt (A), der dritte Knoten (C), der vierte Knoten (D) und der Endpunkt (F) bilden die Eckpunkte eines annähernd rechteckförmigen Vierecks (13).A writing nozzle is moved along a polyline (12) formed from a predetermined number N of lines from a starting point (A) of the polyline (12) to an end point (F) of the polyline (12) to apply an adhesive pattern to a substrate (1). apply. The number N of lines (7-11) of the polyline is N = 5. The beginning and end points of the five lines (7-11) form a total of six nodes (A-F), with the first node (A) the starting point and the sixth node (F) forms the end point of the polyline. The writing nozzle passes through each of the lines (7-11) only once. The starting point (A), the third node (C), the fourth node (D) and the end point (F) form the corner points of an approximately rectangular quadrangle (13).

Description

[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auftragen eines Klebstoffmusters auf ein Substrat mittels einer entlang einer vorbestimmten Bahn bewegbaren Schreibdüse gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1. The invention relates to a method for applying an adhesive pattern to a substrate by means of a movable along a predetermined path writing nozzle according to the preamble of claim 1.

[0002] Bei der Montage (engl. «bonding») von Halbleiterchips auf einem Substrat werden die Halbleiterchips und das Substrat mittels eines Klebstoffes miteinander verklebt. Als Klebstoff kommen sehr oft Epoxy-Klebstoffe zur Anwendung. Der Klebstoff wird entweder mit einer stationären Düse, die eine oder mehrere Austrittsöffnungen haben kann, oder mittels einer entlang einer vorbestimmten Bahn bewegbaren Schreibdüse auf das Substrat aufgebracht. Die Kontur des auf dem Substrat deponierten Klebstoffes wird als Klebstoffmuster bezeichnet. [0002] When semiconductor chips are mounted on a substrate, the semiconductor chips and the substrate are adhesively bonded to one another by means of an adhesive. Epoxy adhesives are very often used as adhesives. The adhesive is applied to the substrate either with a stationary nozzle, which may have one or more exit openings, or by means of a write nozzle movable along a predetermined path. The contour of the adhesive deposited on the substrate is referred to as an adhesive pattern.

[0003] Bei kleinen Halbleiterchips, d.h. bei Halbleiterchips, deren Abmessungen in der Grössenordnung von 1 x 1 mm liegen, ist das gemäss dem Stand der Technik verwendete Klebstoffmuster entweder ein Tropfen oder ein Kreuz. Bei rechteckförmigen Halbleiterchips wird gemäss dem Stand der Technik vielfach ein Klebstoffmuster verwendet, das als Doppel-Ypsilon (im Fachjargon DoubleY) bekannt ist. Das Doppelypsilon wird so platziert, dass die vier Y-Arme zu den Ecken des Rechtecks zeigen. Die Fig. 1 zeigt eine Abbildung aus der Praxis, die Farbe des Klebstoffes in dieser Aufnahme ist schwarz. In der linken Hälfte der Fig. 1 ist ein auf dem Substrat 1 aufgetragenes Klebstoffmuster 2 mit der Form eines Doppel-Ypsilon 3 zu sehen, in der rechten Hälfte ist ein auf dem Doppel-Ypsilon 3 gebondeter Halbleiterchip 4 («dummy die») zu sehen. Der Klebstoff wird bei der Montage der Halbleiterchips zusammengedrückt und fliesst vom Zentrum nach aussen. Das Ziel ist, die ganze Unterseite des Halbleiterchips 4 zu benetzen, so dass zwischen dem Halbleiterchip 4 und dem Substrat 1 keine Lufteinschlüsse entstehen. Bei der Aufnahme in der rechten Hälfte der Fig. 1 ist zu sehen, wie der Klebstoff 5 den Halbleiterchip 4 typischerweise vollständig umgibt. For small semiconductor chips, i. for semiconductor chips whose dimensions are of the order of 1 x 1 mm, the adhesive pattern used in the prior art is either a drop or a cross. In the case of rectangular semiconductor chips, according to the prior art, in many cases an adhesive pattern is used which is known as double ysilon (in the jargon DoubleY). Place the double-epsilon with the four Y-arms facing the corners of the rectangle. Fig. 1 shows a picture from the practice, the color of the adhesive in this recording is black. In the left half of Fig. 1, a coated on the substrate 1 adhesive pattern 2 is seen in the form of a double-Ypsilon 3, in the right half is bonded to the double-Ypsilon 3 semiconductor chip 4 («dummy die») see. The adhesive is compressed during assembly of the semiconductor chips and flows outside from the center. The goal is to wet the entire underside of the semiconductor chip 4, so that no air bubbles are created between the semiconductor chip 4 and the substrate 1. When recording in the right half of Fig. 1 it can be seen how the adhesive 5, the semiconductor chip 4 typically completely surrounds.

[0004] Das Auftragen des Klebstoffes auf das Substrat 1 erfolgt beim Doppel-Ypsilon 3 mittels einer Schreibdüse, die entlang einer vorbestimmten Bahn geführt wird. Die Bahn ist in der Fig. 2 gezeigt. Das Doppel-Ypsilon 3 besteht aus fünf geraden Abschnitten. Beim Schreiben des Doppel-Ypsilon 3 müssen zumindest vier der fünf Abschnitte zweimal durchlaufen werden, d.h. die Bahn besteht aus einem durch neun gerade Linien 6 gebildeten Linienzug, die von der Schreibdüse nacheinander durchfahren werden. Die Richtung, in der eine Linie 6 durchfahren wird, ist durch eine Pfeilspitze dargestellt. Der Startpunkt S und der Endpunkt R der Bahn liegen typischerweise auf dem geraden Abschnitt, der die Arme der beiden Einzel-Ypsilon verbindet. Bei dem in der Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel beginnt die Bahn der Schreibdüse beim Startpunkt S und führt entlang der vom Startpunkt S ausgehenden, gestrichelt gezeichneten Linie und dann entlang den anderen Linien bis zum Endpunkt R, wobei die beim Endpunkt R endende, gestrichelt gezeichnete Linie als letzte durchfahren wird. Die neun einzelnen Linien bilden zwar einen zusammenhängenden Linienzug, sind aus Gründen der zeichnerischen Klarheit jedoch versetzt zueinander dargestellt. The application of the adhesive to the substrate 1 takes place in the double-Ypsilon 3 by means of a writing nozzle, which is guided along a predetermined path. The web is shown in FIG. The double Ypsilon 3 consists of five straight sections. When writing the double-Ypsilon 3, at least four of the five sections must be traversed twice, i. the web consists of a line formed by nine straight lines 6, which are traversed by the writing nozzle in succession. The direction in which a line 6 is traversed is represented by an arrowhead. The starting point S and the end point R of the web are typically on the straight section connecting the arms of the two single Ypsilon. In the embodiment shown in FIG. 2, the path of the writing nozzle starts at the starting point S and leads along the dashed line starting from the starting point S and then along the other lines to the end point R, the line ending at the end point R being dashed is passed through as the last. Although the nine individual lines form a coherent polyline, they are offset from one another for reasons of clarity of drawing.

[0005] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei der Montage von rechteckförmigen Halbleiterchips die für das Auftragen des Klebstoffes auf das Substrat benötigte Zeit zu verringern. The invention is based, to reduce the time required for the application of the adhesive to the substrate in the assembly of rectangular semiconductor chips the task.

[0006] Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäss gelöst durch die Merkmale des Anspruchs 1. Eine vorteilhafte Lösung der Aufgabe ist durch die Merkmale des Anspruchs 2 definiert. The above object is achieved by the features of claim 1. An advantageous solution to the problem is defined by the features of claim 2.

[0007] Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen und anhand der Zeichnung näher erläutert. <tb>Fig. 1<SEP>zeigt ein auf ein Substrat aufgetragenes Klebstoffmuster gemäss dem Stand der Technik und einen darauf gebondeten Halbleiterchip, <tb>Fig. 2<SEP>zeigt die Bahn einer Schreibdüse zum Herstellen des Klebstoffmusters der Fig. 1 , <tb>Fig. 3<SEP>zeigt die Bahn einer Schreibdüse zum Herstellen eines erfindungsgemässen Klebstoffmusters, <tb>Fig. 4<SEP>zeigt ein Diagramm, anhand dem eine vorteilhafte Weise erläutert wird, die Bahn der Schreibdüse festzulegen, <tb>Fig. 5 , 6<SEP>zeigen Beispiele von Bahnen der Schreibdüse, die aufgrund des in der Fig. 4 gezeigten Diagramms festgelegt wurden, und <tb>Fig. 7<SEP>zeigt ein erfindungsgemässes Klebstoffmuster und einen darauf gebondeten Halbleiterchip.The invention will be explained in more detail with reference to embodiments and with reference to the drawing. <Tb> FIG. 1 <SEP> shows a prior art adhesive pattern applied to a substrate and a semiconductor chip bonded thereto, <Tb> FIG. 2 <SEP> shows the path of a writing nozzle for producing the adhesive pattern of FIG. 1, <Tb> FIG. 3 <SEP> shows the path of a writing nozzle for producing an adhesive pattern according to the invention, <Tb> FIG. 4 <SEP> is a diagram illustrating an advantageous way of defining the path of the writing nozzle; <Tb> FIG. Figs. 5, 6 <SEP> show examples of paths of the writing nozzle which have been decided on the basis of the diagram shown in Fig. 4, and Figs <Tb> FIG. 7 shows an adhesive pattern according to the invention and a semiconductor chip bonded thereto.

[0008] Der Gegenstand der Fig. 1 und 2 ist aus dem Stand der Technik bekannt und wurde in der Einleitung bereits beschrieben. The object of Figs. 1 and 2 is known from the prior art and has already been described in the introduction.

[0009] Die Fig. 3 zeigt eine Bahn nach der Erfindung, die ein durch fünf Linien 7 bis 11 gebildeter, zusammenhängender Linienzug 12 ist. Die Start- und Endpunkte der Linien 7 bis 11 ergeben insgesamt sechs Knoten A bis F, wobei der Knoten A der Startpunkt der Bahn und der Knoten F der Endpunkt der Bahn ist. Die Schreibdüse durchfährt jede der Linien 7–11 nur einmal und erzeugt so ein Klebstoffmuster, das dem Doppel-Ypsilon ähnlich ist, in wesentlich kürzerer Zeit. Fig. 3 shows a web according to the invention, which is a continuous lines 12 formed by five lines 7 to 11, 12 continuous. The start and end points of lines 7 to 11 result in a total of six nodes A to F, where node A is the start point of the path and node F is the end point of the path. The pen passes through each of the lines 7-11 only once, creating a pattern of adhesive similar to the double ypsilon in much less time.

[0010] Der erfindungsgemässe Linienzug 12 lässt sich durch folgende Merkmale charakterisieren: Die Anzahl N der Linien 7–11 des Linienzugs 12 ist N = 5. Dabei bilden die Anfangs- und Endpunkte der fünf Linien 7–11 insgesamt sechs Knoten A bis F, wobei der erste Knoten A den Startpunkt und der sechste Knoten F den Endpunkt des Linienzugs 12 bildet. Bei den Knoten B bis E erfolgt ein Richtungswechsel. Die Schreibdüse wird ausgehend vom Startpunkt A entlang der ersten Linie 7 zum zweiten Knoten B, dann entlang der zweiten Linie 8 zum dritten Knoten C, dann entlang der dritten Linie 9 zum vierten Knoten D, dann entlang der vierten Linie 10 zum fünften Knoten E und dann entlang der fünften Linie 11 zum Endpunkt F bewegt. Der Startpunkt A, der dritte Knoten C, der vierte Knoten D und der Endpunkt F bilden die Eckpunkte eines Vierecks 13. Das Viereck 13 ist annähernd, d.h. im Grossen und Ganzen rechteckförmig oder rhomboid. Es kann beispielsweise ein Parallelogramm oder ein Rechteck sein, aber auch nur annähernd eine dieser geometrischen Formen haben.The inventive line 12 can be characterized by the following features: The number N of lines 7-11 of the polyline 12 is N = 5. Here, the start and end points of the five lines 7-11 form a total of six nodes A to F, where the first node A is the start point and the sixth node F is the end point the polyline 12 forms. At the nodes B to E there is a change of direction. The writing nozzle becomes starting from the starting point A along the first line 7 to the second node B, then along the second line 8 to the third node C, then along the third line 9 to the fourth node D, then along the fourth line 10 to the fifth node E and then moved along the fifth line 11 to the end point F. The starting point A, the third node C, the fourth node D and the end point F form the vertices of a quadrangle 13. The quadrangle 13 is approximately, i. on the whole, rectangular or rhomboid. It may, for example, be a parallelogram or a rectangle, but also have only approximately one of these geometric shapes.

[0011] Die erste Linie 7 und die fünfte Linie 11 können miteinander fluchten, d.h. sie liegen dann im Wesentlichen auf einer gemeinsamen Geraden. Die zweite Linie 8 und die dritte Linie 9 schliessen einen Winkel α ein, die dritte Linie 9 und die vierte Linie 10 schliessen einen Winkel β ein, wobei die Winkel α und β zwar ein Nullwinkel sein können, bevorzugt jedoch verschieden von 0° sind. The first line 7 and the fifth line 11 may be aligned with each other, i. they are then essentially on a common line. The second line 8 and the third line 9 enclose an angle α, the third line 9 and the fourth line 10 enclose an angle β, although the angles α and β may be a zero angle, but are preferably different from 0 °.

[0012] Die Lage der Knoten A bis F in Bezug auf die Grösse des auf dem Substrat zu montierenden Halbleiterchips wird bevorzugt gemäss dem in der Fig. 4 gezeigten Diagramm festgelegt. Das Diagramm zeigt ein Rechteck 14, das die vom Halbleiterchip 4 eingenommene Fläche in Aufsicht darstellt. Das Rechteck 14 hat zwei Längsseiten 16 und 17, zwei Schmalseiten 18 und 19 sowie zwei Diagonalen 20 und 21. The position of the nodes A to F with respect to the size of the semiconductor chip to be mounted on the substrate is preferably determined according to the diagram shown in FIG. 4. The diagram shows a rectangle 14, which represents the area occupied by the semiconductor chip 4 in plan view. The rectangle 14 has two longitudinal sides 16 and 17, two narrow sides 18 and 19 and two diagonals 20 and 21.

[0013] Die Lage der Knoten A bis F wird bevorzugt mit den folgenden Verfahrensschritten festgelegt: Unterteilen der Fläche des Rechtecks 14 in 4*4 gleich grosse, rechteckförmige Teilflächen 15; Bezeichnen der vier Teilflächen, die je eine Ecke des Rechtecks 14 beinhalten, mit den Ziffern 1, 3, 4 und 6, wobei die Teilflächen 15 mit den Ziffern 1 und 4 an die Längsseite 16, die Teilflächen 15 mit den Ziffern 3 und 6 an die Längsseite 17, die Teilflächen 15 mit den Ziffern 1 und 3 an die Schmalseite 18 und die Teilflächen 15 mit den Ziffern 4 und 6 an die Schmalseite 19 angrenzen; Die Reihenfolge der Ziffern entlang dem Umfang des Rechtecks 14 ist 1–4–6–3. Die Teilflächen 15 mit den Ziffern 1 und 6 liegen auf der Diagonalen 20. Bezeichnen der beiden Teilflächen 15, die auf der gleichen Diagonale 20 liegen wie die beiden Teilflächen 15 mit den Ziffern 1 und 6, mit den Ziffern 2 und 5, wobei die Reihenfolge der Ziffern entlang der Diagonalen 20 wie folgt ist 1–2–5–6; und Platzieren des Knotens A innerhalb der Teilfläche 15 mit der Ziffer 1, Platzieren des Knotens B innerhalb der Teilfläche 15 mit der Ziffer 2, Platzieren des Knotens C innerhalb der Teilfläche 15 mit der Ziffer 3, Platzieren des Knotens D innerhalb der Teilfläche 15 mit der Ziffer 4, Platzieren des Knotens E innerhalb der Teilfläche 15 mit der Ziffer 5, und Platzieren des Knotens F innerhalb der Teilfläche 15 mit der Ziffer 6.The location of nodes A to F is preferably determined by the following method steps: Dividing the surface of the rectangle 14 into 4 * 4 equal, rectangular partial surfaces 15; Designate the four sub-areas, each containing a corner of the rectangle 14, with the numbers 1, 3, 4 and 6, wherein the faces 15 with the numbers 1 and 4 to the longitudinal side 16, the faces 15 with the numbers 3 and 6 at the longitudinal side 17, the partial surfaces 15 with the numbers 1 and 3 to the narrow side 18 and the faces 15 with the numbers 4 and 6 adjoin the narrow side 19; The order of the digits along the circumference of the rectangle 14 is 1-4-6-3. The faces 15 with the numbers 1 and 6 are on the diagonal 20th Denoting the two partial areas 15 lying on the same diagonal 20 as the two partial areas 15 with the numbers 1 and 6, with the numbers 2 and 5, the order of the numbers along the diagonal 20 being as follows 1-2-5- 6; and Placing the node A within the sub-area 15 with the number 1, Placing the node B within the sub-area 15 with the number 2, Placing the node C within the face 15 with the numeral 3, Placing the node D within the face 15 with the numeral 4, Placing the node E within the face 15 with the numeral 5, and Placing the node F within the face 15 with the number 6.

[0014] Die mit einer der Ziffern 1 bis 6 bezeichneten Teilflächen 15 sind mit grauer Hintergrundfarbe dargestellt. The designated with one of the numerals 1 to 6 faces 15 are shown with a gray background color.

[0015] Die Fig. 5 und 6 zeigen zwei Beispiele, wie die Knoten A bis F innerhalb der Teilflächen 15 mit den Ziffern 1, 2, 3, 4, 5 und 6 gemäss diesem Verfahren platziert werden können. Die Knoten A bis F sind durch den Linienzug 12 verbunden. 5 and 6 show two examples of how the nodes A to F can be placed within the faces 15 with the numbers 1, 2, 3, 4, 5 and 6 according to this method. The nodes A to F are connected by the line 12.

[0016] Um am Schluss des Montageprozesses eine möglichst gleichmässige Verteilung des Klebstoffes unterhalb dem montierten Halbleiterchip 4 zu erreichen, wird mit Vorteil darauf geachtet, dass die Knoten A, C, D und F von den Eckpunkten des Rechtecks 14 beabstandet sind, die Knoten C und D weiter vom jeweiligen Eckpunkt entfernt sind als die Knoten A und F, weil zu den Knoten A und F nur eine Linie des Linienzugs 12, zu den Knoten C und D hingegen zwei Linien des Linienzugs 12 führen, die Knoten B und E einerseits nicht zusammenfallen, sondern voneinander beabstandet sind, und dass andererseits der Abstand zwischen den Knoten B und E nicht zu gross ist, damit kein Lufteinschluss entstehen kann, der Linienzug 12 invariant gegenüber einer Drehung um 180° ist um den Punkt, der in der Mitte zwischen den Knoten A und F liegt.In order to achieve the most uniform possible distribution of the adhesive below the mounted semiconductor chip 4 at the end of the assembly process, it is advantageously ensured that the nodes A, C, D and F are spaced from the vertices of the rectangle 14, the nodes C and D are farther from the respective vertex than the nodes A and F, because to the nodes A and F only one line of the line 12 leads to the nodes C and D two lines of the line 12, Nodes B and E, on the one hand, do not coincide, but are spaced apart from each other, and on the other hand that the distance between nodes B and E is not too large, so that air can not be trapped, the line 12 is invariant with respect to a rotation through 180 ° around the point which lies in the middle between the nodes A and F.

[0017] Die Fig. 7 zeigt in der linken Hälfte eine Aufnahme des Klebstoffmusters 2, das gemäss der in der Fig. 3 gezeigten Bahn auf das Substrat 1 auf getragen wurde, und in der rechten Hälfte eine Aufnahme eines auf dieses Klebstoffmuster 2 gebondeten Halbleiterchips 4. Der Klebstoff 5 umgibt den Halbleiterchip 4 vollständig. Fig. 7 shows in the left half of a recording of the adhesive pattern 2, which was carried on the substrate 1 according to the path shown in FIG. 3, and in the right half of a recording of a semiconductor chip bonded to this adhesive pattern 2 4. The adhesive 5 completely surrounds the semiconductor chip 4.

[0018] Das Schreiben des Klebstoffmusters erfolgt mittels einer zumindest parallel zur Oberfläche des Substrats 1 bewegbaren Schreibdüse, die aus einem Klebstoffbehälter mit Klebstoff versorgt wird und den Klebstoff abgibt, typischerweise wie folgt: Platzieren der Schreibdüse am Anfangspunkt A der ersten Linie 8, Beginnen mit Abgabe von Klebstoff aus der Schreibdüse und Bewegen der Schreibdüse entlang der ersten Linie 8 und Anhalten der Schreibdüse am Ende der ersten Linie 8, d.h. beim Knoten B, Bewegen der Schreibdüse entlang der zweiten Linie 9 und Anhalten der Schreibdüse beim Knoten C, Bewegen der Schreibdüse entlang der dritten Linie 9 und Anhalten der Schreibdüse beim Knoten D, Bewegen der Schreibdüse entlang der vierten Linie 10 und Anhalten der Schreibdüse beim Knoten E, Bewegen der Schreibdüse entlang der fünften Linie 11 und Anhalten der Schreibdüse beim Endpunkt F, sowie Stoppen der Abgabe von Klebstoff, und Anheben der Schreibdüse, bis der auf das Substrat abgegebene Klebstoff vom Klebstoff in der Schreibdüse vollständig getrennt ist.The writing of the adhesive pattern by means of a movable at least parallel to the surface of the substrate 1 writing nozzle, which is supplied from an adhesive container with adhesive and emits the adhesive, typically as follows: Placing the writing nozzle at the starting point A of the first line 8, Begin dispensing adhesive from the writing nozzle and moving the writing nozzle along the first line 8 and stopping the writing nozzle at the end of the first line 8, i. at node B, Moving the writing nozzle along the second line 9 and stopping the writing nozzle at the node C, Moving the writing nozzle along the third line 9 and stopping the writing nozzle at the node D, Moving the writing nozzle along the fourth line 10 and stopping the writing nozzle at the node E, Moving the writing nozzle along the fifth line 11 and stopping the writing nozzle at the end point F, and stopping the release of adhesive, and Lift the writing nozzle until the adhesive on the substrate is completely separated from the glue in the writing nozzle.

[0019] Die Schreibdüse kann auch in umgekehrter Richtung, d.h. von dem Knoten F als Startpunkt zu dem Knoten A als Endpunkt, bewegt werden. The writing nozzle can also be reversed, i. E. from the node F as a starting point to the node A as an end point.

[0020] Die Vorteile der Erfindung sind: Die für das Schreiben der fünf Linien 7–11 benötigte Zeit ist deutlich kürzer als die für das Schreiben eines Doppel-Ypsilon benötigte Zeit, da die Schreibdüse nur fünfmal beschleunigt und abgebremst werden muss, während sie zum Schreiben des Doppel-Ypsilon neunmal beschleunigt und abgebremst werden muss. Die Zeit, die vergeht, bis der Klebstoff in der Schreibdüse und der abgegebene Klebstoff vollständig voneinander getrennt sind, die so genannte «tail breaking time», ist ebenfalls kürzer als beim Doppel-Ypsilon, da am Ende der Bahn weniger abgegebener Klebstoff vorhanden ist, aus dem die Schreibdüse herausbewegt werden muss. Die erreichte Prozessqualität ist gleich wie die Prozessqualität des Doppel-Ypsilon.The advantages of the invention are: The time required to write the five lines 7-11 is significantly shorter than the time required to write a double Ypsilon, since the writing nozzle only has to be accelerated and decelerated five times, while it accelerates and decelerates nine times to write the double Ypsilon must become. The time that elapses until the adhesive in the writing nozzle and the dispensed adhesive are completely separated from each other, the so-called "tail breaking time", is also shorter than with the double Ypsilon, since there is less adhesive released at the end of the web, from which the writing nozzle has to be moved out. The process quality achieved is the same as the process quality of the double Ypsilon.

Claims (2)

1. Verfahren zum Auftragen eines Klebstoffmusters auf ein Substrat (1), bei dem eine Schreibdüse entlang eines aus einer vorbestimmten Anzahl N von Linien gebildeten Linienzugs (12) von einem Startpunkt (A) des Linienzugs (12) zu einem Endpunkt (F) des Linienzugs (12) oder in umgekehrter Richtung bewegt wird, um das Klebstoffmuster auf das Substrat (1) zu schreiben, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der Linien (7–11) des Linienzugs (12) N = 5 ist, wobei die Anfangs- und Endpunkte der fünf Linien (7–11) insgesamt sechs Knoten (A–F) bilden und wobei der erste Knoten (A) den Startpunkt und der sechste Knoten (F) den Endpunkt des Linienzugs (12) bildet, dass die Schreibdüse ausgehend vom Startpunkt (A) entlang der ersten Linie (7) zum zweiten Knoten (B), dann entlang der zweiten Linie (8) zum dritten Knoten (C), dann entlang der dritten Linie (9) zum vierten Knoten (D), dann entlang der vierten Linie (10) zum fünften Knoten (E) und dann entlang der fünften Linie (11) zum Endpunkt (F) bewegt wird, so dass jede der Linien (7–11) nur einmal durchfahren wird, und dass der Startpunkt (A), der dritte Knoten (C), der vierte Knoten (D) und der Endpunkt (F) die Eckpunkte eines im Grossen und Ganzen rechteckförmigen Vierecks (13) bilden, und dass der zweite Knoten (B) und der fünfte Knoten (E) innerhalb des Vierecks (13) liegen.A method of applying an adhesive pattern to a substrate (1), wherein a writing nozzle is formed along a line train (12) formed from a predetermined number N of lines from a starting point (A) of the polyline (12) to an end point (F) of FIG Line trace (12) or in the reverse direction is moved to write the adhesive pattern on the substrate (1), characterized in that the number of lines (7-11) of the polyline (12) is N = 5, with the start and end points of the five lines (7-11) forming a total of six nodes (A-F) and the first node (A) the starting point and the sixth node (F) forms the end point of the line (12), in that the writing nozzle moves from the starting point (A) along the first line (7) to the second node (B), then along the second line (8) to the third node (C), then along the third line (9) to the fourth node ( D), then along the fourth line (10) to the fifth node (E) and then along the fifth line (11) to the end point (F), so that each of the lines (7-11) is traversed only once, and that the starting point (A), the third node (C), the fourth node (D) and the end point (F) form the vertices of a generally rectangular rectangle (13), and the second node (B) and the fifth node (E) lie within the quadrangle (13). 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Lage der Knoten (A–F) in Bezug auf die Grösse eines auf dem Substrat (1) zu montierenden Halbleiterchips (4) durch folgende Merkmale festgelegt ist: – die vom Halbleiterchip (4) eingenommene Fläche ist ein durch zwei Längsseiten (16, 17) und zwei Schmalseiten (18, 19) begrenztes Rechteck (14), das in 4*4 gleich grosse, rechteckförmige Teilflächen (15) unterteilbar ist; – der erste Knoten (A) liegt innerhalb einer Teilfläche (15), der die Ziffer 1 zugeordnet ist, der zweite Knoten (B) liegt innerhalb einer Teilfläche (15), der die Ziffer 2 zugeordnet ist, der dritte Knoten (C) liegt innerhalb einer Teilfläche (15), der die Ziffer 3 zugeordnet ist, der vierte Knoten (D) liegt innerhalb einer Teilfläche (15), der die Ziffer 4 zugeordnet ist, der fünfte Knoten (E) liegt innerhalb einer Teilfläche (15), der die Ziffer 5 zugeordnet ist, der sechste Knoten (F) liegt innerhalb einer Teilfläche (15), der die Ziffer 6 zugeordnet ist, wobei – die vier Teilflächen (15), denen die Ziffern 1, 3, 4 und 6 zugeordnet sind, je an eine Ecke des Rechtecks (14) angrenzen, wobei die Teilflächen (15) mit den Ziffern 1 und 4 an die erste Längsseite (16), die Teilflächen (15) mit den Ziffern 3 und 6 an die zweite Längsseite (17), die Teilflächen (15) mit den Ziffern 1 und 3 an die erste Schmalseite (18) und die Teilflächen (15) mit den Ziffern 4 und 6 an die zweite Schmalseite (19) angrenzen; wobei die Reihenfolge der Ziffern entlang dem Umfang des Rechtecks (14) 1–4–6–3 ist und wobei die Teilflächen (15) mit den Ziffern 1 und 6 auf einer Diagonalen (20) des Rechtecks (14) liegen; und – die beiden Teilflächen (15) mit den Ziffern 2 und 5 auf der gleichen Diagonale (20) liegen wie die beiden Teilflächen (15) mit den Ziffern 1 und 6, wobei die Reihenfolge der Ziffern entlang der Diagonalen (20) 1–2–5–6 ist.2. Method according to claim 1, characterized in that the position of the nodes (A-F) with respect to the size of a semiconductor chip (4) to be mounted on the substrate (1) is defined by the following features: The surface occupied by the semiconductor chip (4) is a rectangle (14) delimited by two longitudinal sides (16, 17) and two narrow sides (18, 19), which is subdivided into 4 * 4 equally sized, rectangular partial surfaces (15); - The first node (A) is within a subarea (15), which is assigned the numeral 1, the second node (B) is within a subarea (15), which is assigned the numeral 2, the third node (C) is located within a partial area (15) to which the number 3 is assigned, the fourth node (D) lies within a partial area (15) to which the number 4 is assigned, the fifth node (E) lies within a partial area (15) the numeral 5 is assigned, the sixth node (F) lies within a sub-area (15), which is assigned the numeral 6, wherein - The four faces (15) to which the numbers 1, 3, 4 and 6 are assigned, each adjacent to a corner of the rectangle (14), wherein the partial surfaces (15) with the numbers 1 and 4 to the first longitudinal side (16 ), the partial surfaces (15) with the numbers 3 and 6 to the second longitudinal side (17), the partial surfaces (15) with the numbers 1 and 3 to the first narrow side (18) and the partial surfaces (15) with the numbers 4 and 6 adjacent to the second narrow side (19); wherein the order of the digits along the circumference of the rectangle (14) is 1-4-6-3, and wherein the partial faces (15) with the numerals 1 and 6 lie on a diagonal (20) of the rectangle (14); and - the two faces (15) with the numbers 2 and 5 on the same diagonal (20) as the two faces (15) with the numbers 1 and 6, wherein the order of the digits along the diagonal (20) 1-2 -5-6 is.
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