CH689846A5 - Electronic imager. - Google Patents

Electronic imager. Download PDF

Info

Publication number
CH689846A5
CH689846A5 CH02495/94A CH249594A CH689846A5 CH 689846 A5 CH689846 A5 CH 689846A5 CH 02495/94 A CH02495/94 A CH 02495/94A CH 249594 A CH249594 A CH 249594A CH 689846 A5 CH689846 A5 CH 689846A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
image converter
layer
electronic image
converter according
matrix
Prior art date
Application number
CH02495/94A
Other languages
German (de)
Inventor
Dan Ciulin
Original Assignee
Bosch Gmbh Robert
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bosch Gmbh Robert filed Critical Bosch Gmbh Robert
Publication of CH689846A5 publication Critical patent/CH689846A5/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Description

       

  
 


 Stand der Technik 
 



  Die Erfindung geht aus von einem elektronischen Bildwandler nach der Gattung des unabhängigen Anspruchs 1. Es ist bereits ein Fotodetektor der Firma Hamamatsu aus "Technical Notes", TN-102, 1982, Seiten 1 bis 10, bekannt, welcher vier Elektroden aufweist, die in Form eines Vierecks einander paarweise gegenüberliegend auf einem Halbleiter angeordnet sind und die Position eines Lichtpunkts auf der Halbleiteroberfläche detektieren. Die Grundlage für die Detektion des Lichtpunkts bildet der laterale Fotoeffekt ("Photoeffects in Nonuniformly Irradiated p-n-Junctions", Gerald Lucovsky, Journal of Applied Physics, Vol. 31, Nr. 6, 1960, Seiten 1088 bis 1095). Das Potential an den Elektroden entspricht einem Linienintegral bzw. Cauchy-Integral über die elektrische Potentialverteilung entlang einer geschlossenen Kurve auf der Halbleiteroberfläche, bei einer analytisch komplexen Darstellung.

   (Bronstein, Semendjajew, "Taschenbuch der Mathematik", Verlag Harri Deutsch, 23. Auflage 1987, S. 518-522). Für die Detektion mehrerer Lichtpunkte ist es  möglich, mehrere solcher Fotodetektoren z.B. in Matrixanordnung zu vereinen und so auf jedem Detektor einen Lichtpunkt zu detektieren. Die Anzahl der Fotodetektoren begrenzt dabei die Auflösung. 



  Weiter bekannt ist die Verwendung von Festkörperbildsensoren, z.B. aus "IS 256 Optic RAM 262, 144 Element Solid-State Image Sensor" (Micron Technology 1986) für die Detektion mehrerer Bildpunkte. Aufgrund der hierbei nötigen zeitlichen Abtastung kann auf einen Bildpunkt nur periodisch zugegriffen werden. Die Einhaltung des Abtasttheorems zur Vermeidung von Aliasing-Effekten führt dabei zu hohem technischem Aufwand und begrenzt die Leistungsfähigkeit des Systems. 


 Vorteile der Erfindung 
 



  Der erfindungsgemässe elektronische Bildwindler mit den kennzeichnenden Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, dass für die Detektion mehrerer Bildpunkte nur ein Bildwandler mit der erfindungsgemässen Anordnung der Einzelelektroden nötig ist. Des weiteren entstehen bei der Detektion mehrerer Bildpunkte keine räumliche Lücken, wie sie zwangsläufig bei der Anordnung mehrerer Bildwandler auftreten würden, so dass sich die Auflösung eines Bildes vorteilhaft verbessert. Als weiterer Vorteil ist anzusehen, dass mit relativ geringem Aufwand eine hohe Anzahl von Bildpunkten detektiert werden kann, wobei die Messung zeitkontinuierlich erfolgt. Dadurch entsteht der weitere Vorteil, dass kein zeitliches Abtasttheorem zu erfüllen ist und auch keine zeitlichen Aliasing-Effekte auftreten können.

   Der Bildwandler führt ausserdem den Vorteil mit sich, dass dasselbe Wandlerprinzip sowohl zur Umwandlung von optischen als auch akustischen Bildern in elektrische Signale und in umgekehrter Richtung einsetzbar ist. 



  Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Massnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im unabhängigen Anspruch angegebenen elektronischen Bildwandlers möglich. 



  Die Ausbildung des Trägerelements als Halbleiter führt den Vorteil der einfachen Herstellbarkeit und bessere Eignung für die Massenproduktion mit sich. 



  Die Ausgestaltung des Bildwandlers als pin-Schichthalbeiter führt in vorteilhafter Weise zu einer hohen Genauigkeit des Wandlers, da eine hohe Ausbeute an optisch generierten Ladungsträgerpaaren erreicht wird. 



  Besonders vorteilhaft ist es, die Referenzelektrode optisch transparent auszuführen, wodurch der elektronische Bildwandler von zwei Seiten her mit Licht bestrahlbar ist. Bestrahlt man den Wandler mit Licht von der Seite mit der transparenten Referenzelektrode, so können Störungen durch die am Rand der Halbleiteroberfläche verteilten Einzelelektroden, wie sie auf der gegenüberliegenden Seite vorliegen, verringert werden. 



  Die Ausbildung des elektronischen Bildwandlers mit einer hochohmigen und einer piezoelektrischen Schicht dient in vorteilhafter Weise zur Verwendung des elektronischen Bildwandlers zur Aufnahme oder Abgabe von akustischen, räumlich verteilten Signalen, d.h. akustischen Bildern. 



  Die Verwendung von Polyvinyliden-Fluorid als piezoelektrische Schicht bietet die Vorteile der Empfindlichkeit sowohl im optischen als auch im akustischen Bereich vereint mit der Eröffnung des Infrarot-Spektrums zur Bilderfassung, der leichten Beschichtbarkeit mit Elektroden- Strukturen und der Möglichkeit der Realisierung grosser, flexibler Schichten. Die Ausführung der Referenzelektrode als infrarotlichttransparente Elektrode eröffnet einem mit Polyvinyliden-Fluorid beschichteten elektronischen Bildwandler die Möglichkeit, ebenfalls zur Vermeidung von Randeffekten, von der Oberseite her bestrahlbar zu sein. 



  Weiter erweist es sich als vorteilhaft, den elektronischen Bildwandler mit einer elektrolumineszenten Schicht zu versehen, wodurch der Bildwandler als Geber für optische Bildsignale geeignet ist. 



  Eine weitere vorteilhafte Ausführung des Bildwandlers ist eine Kombination einer hochohmigen Schicht mit einer Flüssigkristallschicht, die in Verbindung mit einer Lichtquelle ebenfalls als optischer Geber fungieren kann. 



  Ein homogener Raumwiderstand vereinfacht in vorteilhafter Weise die weitere Verarbeitung der an den Einzelelektroden anliegenden Potentiale in reeller Darstellung, da eine einheitliche Gewichtung für bezüglich der Anordnung der Einzelelektroden symmetrische Einzelelektroden in der Potentialmatrix wählbar ist. 



  Durch die Berechnung der Matrix der gemessenen Potentiale in reeller Darstellung mittels Hilbert und inverser Fourier-Transformation erfolgt eine Zuordnung der an den Einzelelektroden anliegenden Potentiale zu den Intensitäten und Orten der auftreffenden Lichtstrahlen. 



  Eine Berechnung eines eindimensionalen Signals mittels Fourier-Transformation und Realteilbildung führt zu einer Darstellung der korrespondierenden zweidimensionalen Potentialmatrix und dem ebenfalls korrespondierenden Bild auf dem Bildwandler. 



  Zeichnung 



  Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. 



  Es zeigen: 
 
   Fig. 1 einen erfindungsgemässen elektronischen Bildwandler als optischen Bildaufnehmer in einer unteren Draufsicht, 
   Fig. 2 einen erfindungsgemässen elektronischen Bildwandler als optischen Bildaufnehmer im Querschnitt, 
   Fig. 3 einen erfindungsgemässen elektronischen Bildwandler als akustischen und optischen Bildaufnehmer bzw. -geber im Querschnitt, 
   Fig. 4 einen erfindungsgemässen elektronischen Bildwandler als optischen Bildgeber mit einer Flüssigkristallschicht im Querschnitt, 
   Fig. 5 ein Blockschaltbild mit einem Bildaufnehmer, Verstärkern und einem Bildgeber, 
   Fig. 6 ein Flussdiagramm zur Berechnung eines eindimensionalen Ausgangssignals aus der Potentialmatrix, 
   Fig. 7 ein Flussdiagramm zur Berechnung der Potentialmatrix aus dem eindimensionalen Ausgangssignal. 
 


 Beschreibung der Ausführungsbeispiele 
 



  Fig. 1 zeigt die Unterseite eines elektronischen Bildwandlers mit einem quadratischen mehrschichtigen Halbleiter 1, der eine Wandlerfläche 18 aufweist, an dessen gesamter quadratischer Randlinie 19 entlang gleichmässig verteilt einander paarweise gegenüberliegend mehrere rechteckige Einzelelektroden 2 nebeneinander angeordnet sind. Auf der Oberfläche des quadratischen mehrschichtigen  Halbleiters 1 innerhalb der Wandlerfläche 18 ist ein Auftreffpunkt eines Lichtstrahls 6 markiert. Wie Fig. 2 zeigt, ist der quadratische mehrschichtige Halbleiter 1 aus einer p-leitenden Schicht 3, einer n-leitenden Schicht 5 und einer zwischen den beiden Schichten 3, 5 liegenden intrinsischen Schicht 4 aufgebaut.

   Auf der der intrinsischen Schicht 4 gegenüberliegenden Seite der p-leitenden Schicht 3 befindet sich eine Referenzelektrode 12, die die gesamte Fläche der der intrinsischen Schicht 4 gegenüberliegenden Seite der p-leitenden Schicht 3 bedeckt. 



  Wird zwischen den Einzelelektroden 2 und der Referenzelektrode 12 eine Spannung angelegt, so bilden sich bei einem von oben oder unten auf den elektronischen Bildwandler einfallenden Lichtstrahl 6 durch den lateralen Fotoeffekt Ladungsträgerpaare, die durch das zwischen den Einzelelektroden 2 und der Referenzelektrode 12 bestehende elektrische Feld getrennt und abgesaugt werden, ehe Rekombination eintritt. Die Menge der Ladungsträger ist proportional der Lichtintensität. Durch Messung der an den Einzelelektroden 2 ankommenden Ladungsträger erhält man die Potentiale an den Einzelelektroden 2 als Messergebnisse, die von der Lichtintensität und dem Ort des Lichtstrahls 6 abhängen. Die Randlinie 19 der Wandlerfläche 18 begrenzt dabei in etwa die Fläche, innerhalb derer die Auftreffpunkte von Lichtstrahlen 6 liegen sollen, um ein exaktes Ergebnis der Wandlung zu erhalten. 



  Durch Rechnung kann aus den gemessenen Potentialen sowohl der Ort als auch die Intensität des Lichtstrahls 6 ermittelt werden. Als Grundlage dafür dienen die Hilbert-Transformation (siehe z.B. H.Marko "Methoden der Systemtheorie", Nachrichtentechnik 1, Springer Verlag 1986 S. 114 ff), die Fourier-Transformation (siehe z.B. H.Marko "Methoden der Systemtheorie", Nachrichtentechnik 1, Springer  Verlag 1986 S. 15 ff), bzw. das Cauchy-Integral (siehe z.B. Schaum's Outline Series, "Theory and problems of Complex Variables", Murray R. Spiegel, Mc Graw Hill Book Company, S. 92-97, 118-120). 



  Bei einer Anordnung von beispielsweise je vier Einzelelektroden 2 an jeder Seite der quadratischen Randlinie 19 auf der Oberfläche des quadratischen mehrschichtigen Halbleiters 1 entsteht eine Matrixanordnung aus 16 in einem Quadrat angeordneten Feldern. Da durch die Anordnung der Einzelelektroden 2 die Wandlerfläche 18 virtuell in eine Matrixstrukur aufgeteilt wird und somit bereits der Ort jedes Matrixelements bekannt ist, muss lediglich die Intensität des Lichtstrahls 6 im jeweiligen Matrixelement ermittelt werden. An jeder Einzelelektrode 2 wird eine lineare Kombination der Potentiale aller Matrixelemente gemessen. 



  Aus den gemessenen Potentialen erfolgt eine Berechnung in ein eindimensionales Ausgangssignal A. Die Berechnung wird anhand der Fig. 6 noch erläutert. 



  Während mit einer Anordnung aus Sensoren vom Typ Hamamatsu für 16 Bildpunkte 16 Sensoren mit je fünf Elektroden, was einer Gesamtanzahl von 80 Elektroden entspricht, nötig wäre, ist bei einer Anordnung vom erfindungsgemässen Typ bei geringer Auflösungseinbusse nur eine Anzahl von 17 Einzelelektroden nötig. Bei einer Anordnung von vielen Matrixelementen entsteht aufgrund der Bandbegrenztheit reeller Bilder der Effekt einer Bandbreitenreduzierung, wodurch weniger Einzelelektroden angeordnet sein müssen, als Matrixelemente vorhanden sind. Dieser Effekt verläuft nichtlinear. 



  Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines  erfindungsgemässen elektronischen Bildwandlers. Eine piezoelektrische Schicht 8 weist an ihrer Oberseite eine Referenzelektrode 12 auf. Auf der Unterseite ist die piezoelektrische Schicht 8 mit der Oberseite einer hochohmigen Schicht 7 verbunden. Auf der Unterseite der hochohmigen Schicht 7 befinden sich wieder an der Randlinie 19 der Wandlerfläche 18 verteilt analog Fig. 1 die Einzelelektroden 2. Mit dieser Ausgestaltung des elektronischen Bildwandlers ist eine Raumverteilung von Schall messbar. Für eine gegebene Raumverteilung des Schalls 13 auf der Oberfläche der Referenzelektrode 12 entsteht eine äquivalente elektrische Potentialverteilung auf der Grenzfläche zwischen piezoelektrischer Schicht 8 und hochohmiger Schicht 7.

   Da die hochohmige Schicht 7 einen einheitlichen Raumwiderstand aufweist, können die auf der Grenzfläche existierenden elektrischen Potentiale mit den Einzelelektroden 2 erfasst werden. Diese Art des elektronischen Bildwandlers kann auch als akustischer Bildgeber eingesetzt werden. Ein Anlegen von elektrischen Potentialen an die Einzelelektroden 2 führt zum Ausbilden eines äquivalenten Schalldruckpotentials auf der piezoelektrischen Schicht 8. 



  Die Verwendung von Polyvinyliden-Fluorid als Material für die piezoelektrische Schicht 8 ist besonders zweckmässig. Dieses Material weist fast die gleiche akustische Impedanz wie Wasser auf und ist somit besonders für Unterwasser-Schallwandler geeignet. Ausserdem erweist sich Polyvinyliden-Fluorid als infrarotempfindlich. Damit kann der erfindungsgemässe elektronische Bildwandler mit einer Polyvinyliden-Fuorid-Schicht gleichzeitig als akustischer und optischer Bildgeber und -aufnehmer eingesetzt werden. 



  Weiterhin ist es vorgesehen, die piezoelektrische Schicht 8 durch eine elektrolumineszente Schicht 8 zu ersetzen. In  diesem Fall muss die Referenzelektrode 12 optisch transparent sein. Ein so ausgestalteter elektronischer Bildwandler fungiert als optischer Bildgeber. Ein Anlegen eines elektrischen Potentials an die Einzelelektroden 2 führt zur Abgabe eines optischen Signals von der elektrolumineszenten Schicht. Ein solcher Bildwandler kann daher ein elektronisch kodiertes Bild wiedergeben, dessen Kodierung z.B. mittels eines weiteren nach dem gleichen Prinzip aufgebauten Bildwandlers erzeugt wurde. Dabei bedingt die Art der Kodierung eine Ermittlung der elektrischen Potentiale entlang einer geschlossenen Linie, die die Randlinie des Bildwandlers darstellt. 



  Fig. 4 zeigt eine Ausgestaltung des elektronischen Bildwandlers mit einer Flüssigkristallschicht. Eine Flüssigkristallschicht 11 wird von Seitenverschlüssen 10 und einer auf der Unterseite einer Frontscheibe 9 angebrachten Referenzelektrode 12 nach oben hin verschlossen. Die Unterseite der Flüssigkristallschicht 11 liegt auf einer hochohmigen Schicht 7 auf, an deren Unterseite an der Randlinie 19 der Wandlerfläche 18 entlang die Einzelelektroden 2 angebracht sind. Unter der Anordnung befindet sich eine Lichtquelle 14. 



  Der so aufgebaute Bildwandler fungiert ebenfalls als optischer Bildgeber. Auch hier wird eine an den Einzelelektroden 2 anliegende elektrische Potentialverteilung auf eine Verteilung der Transparenz der Flüssigkristallschicht 11 abgebildet. Die Transparenzverteilung auf der Wandleroberfläche erscheint durch die Beleuchtung der Lichtquelle 14 als optisches Bild. 



  Fig. 5 zeigt ein Blockschaltbild mit zwei erfindungsgemässen elektronischen Bildwandlern mit dazwischengeschalteten Verstärkern. Ein erster elektronischer Bildwandler 15 mit  rundem Querschnitt und auf seiner Oberfläche entlang der Randlinie 19 verteilten Einzelelektroden 2 weist an jeder seiner Einzelelektroden 2 eine elektrische Verbindung zu je einem Verstärker 16 auf. Der Ausgang jedes Verstärkers 16 ist auf die Einzelelektroden 2 eines zweiten elektronischen Bildwandlers 17 geführt. 



  Das mit dem ersten elektronischen Bildwandler 15 aufgenommene Bild wird umgewandelt in elektrische Potentiale an den Einzelelektroden 2 abgegriffen und über den jeweiligen Verstärker 16 auf den zweiten elektronischen Bildwandler 17 geführt, wo die elektrischen Potentiale an dessen Einzelelektroden 2 wieder in ein optisches Bild umgewandelt werden. 



  In Fig. 6 ist ein Flussdiagramm zur Berechnung eines eindimensionalen Ausgangssignals A aus der Potentialmatrix E dargestellt. In Analogie zum Linienintegral (Cauchy-Integral) für eine analytische komplexe Potentialverteilung erfolgt dabei eine Umformung der Potentialmatrix E in reeller Darstellung in ein äquivalentes Ausgangssignal A. Dabei wird die Matrix E der Elektrodenpotentiale mittels der Hilbert-Transformation H(E) in eine komplexe Matrix K = E + j*H(E) erweitert und dann mittels der inversen Fourier-Transformation F<-><1> in das eindimensionale Ausgangssignal A = F<-><1>(K) umgeformt. 



  In Fig. 7 ist die Berechnung der Matrix der Elektrodenpotentiale aus dem Ausgangssignal A als Flussdiagramm dargestellt. 



  Nach der Anordnung des Ausgangssignals A in eine Matrixform A erfolgt eine Fouriertransformation F(A). Mittels Realteilbildung Re(F) erhält man die Potentialmatrix E, deren Elemente die an die Einzelelektrode 2 anzulegenden  Potentiale zur Wiedergabe des korrespondierenden Bildes auf der Wandlerfläche 18 darstellen. 



  Die elektrische Potentialverteilung kann ebenso als analytische komplexe Funktion dargestellt werden, die dann mittels des Cauchy-Linien-Integrals in ein eindimensionales Signal umgewandelt wird. 



  Eine besondere Anwendung kann der Bildwandler bei Elektrokardio- und Elektroenzephalogrammen finden, wobei vorteilhafterweise eine hohe Anzahl von Einzelelektroden 2 zur Ermittlung einer Potentialverteilung am Herzen oder am Gehirn dient. 



  Die Einzelelektroden 2 können auch andere als eine rechteckige Form, wie z.B. rund oder oval aufweisen, was unter anderem von der Geometrie der Wandlerfläche abhängen kann. 



  Eine Ausführung des in Fig. 1 gezeigten Bildwandlers mit an nur zwei Seiten des quadratischen mehrschichtigen Halbleiters 1 verteilten Einzelelektroden 2 ist bereits zur Detektion mehrerer Bildpunkte geeignet. Im Sinne einer geringen Redundanz und hoher Signalgüten ist jedoch eine gleichmässige Verteilung entlang der gesamten Randlinie 19 vorzuziehen. 



  
 


 State of the art
 



  The invention is based on an electronic image converter according to the preamble of independent claim 1. A photodetector from Hamamatsu from "Technical Notes", TN-102, 1982, pages 1 to 10, is already known, which has four electrodes, which in The shape of a square are arranged in pairs opposite to each other on a semiconductor and detect the position of a light spot on the semiconductor surface. The basis for the detection of the light spot is the lateral photo effect ("Photoeffects in Nonuniformly Irradiated p-n-Junctions", Gerald Lucovsky, Journal of Applied Physics, Vol. 31, No. 6, 1960, pages 1088 to 1095). The potential at the electrodes corresponds to a line integral or Cauchy integral over the electrical potential distribution along a closed curve on the semiconductor surface, in an analytically complex representation.

   (Bronstein, Semendjajew, "Taschenbuch der Mathematik", Verlag Harri Deutsch, 23rd edition 1987, pp. 518-522). For the detection of several light spots, it is possible to use several such photo detectors e.g. to combine in a matrix arrangement and thus to detect a light spot on each detector. The number of photo detectors limits the resolution.



  The use of solid-state image sensors, e.g. from "IS 256 Optic RAM 262, 144 Element Solid-State Image Sensor" (Micron Technology 1986) for the detection of several pixels. Due to the time sampling required here, a pixel can only be accessed periodically. Compliance with the sampling theorem to avoid aliasing effects leads to high technical expenditure and limits the performance of the system.


 Advantages of the invention
 



  In contrast, the electronic image diaper according to the invention with the characterizing features of independent claim 1 has the advantage that only one image converter with the arrangement of the individual electrodes according to the invention is necessary for the detection of several image points. Furthermore, when several image points are detected, there are no spatial gaps that would inevitably occur if several image converters were arranged, so that the resolution of an image is advantageously improved. Another advantage is that a high number of pixels can be detected with relatively little effort, the measurement taking place continuously in time. This has the further advantage that no temporal sampling theorem can be fulfilled and that temporal aliasing effects cannot occur.

   The image converter also has the advantage that the same converter principle can be used both for converting optical and acoustic images into electrical signals and in the opposite direction.



  The measures listed in the dependent claims allow advantageous developments and improvements of the electronic image converter specified in the independent claim.



  The formation of the carrier element as a semiconductor has the advantage of being easy to manufacture and more suitable for mass production.



  The configuration of the image converter as a pin layer semiconductor advantageously leads to a high accuracy of the converter, since a high yield of optically generated charge carrier pairs is achieved.



  It is particularly advantageous to make the reference electrode optically transparent, as a result of which the electronic image converter can be irradiated with light from two sides. If the transducer is irradiated with light from the side with the transparent reference electrode, interference from the individual electrodes distributed at the edge of the semiconductor surface, as are present on the opposite side, can be reduced.



  The formation of the electronic image converter with a high-resistance and a piezoelectric layer advantageously serves to use the electronic image converter to record or emit acoustic, spatially distributed signals, i.e. acoustic images.



  The use of polyvinylidene fluoride as the piezoelectric layer offers the advantages of sensitivity in both the optical and acoustic areas combined with the opening of the infrared spectrum for image acquisition, the ease of coating with electrode structures and the possibility of realizing large, flexible layers. The design of the reference electrode as an infrared-transparent electrode opens up the possibility for an electronic image converter coated with polyvinylidene fluoride to also be able to be irradiated from the top in order to avoid edge effects.



  It also proves to be advantageous to provide the electronic image converter with an electroluminescent layer, as a result of which the image converter is suitable as a transmitter for optical image signals.



  Another advantageous embodiment of the image converter is a combination of a high-resistance layer with a liquid crystal layer, which can also function as an optical transmitter in conjunction with a light source.



  A homogeneous spatial resistance advantageously simplifies the further processing of the potentials present at the individual electrodes in a real representation, since a uniform weighting for individual electrodes symmetrical with respect to the arrangement of the individual electrodes can be selected in the potential matrix.



  By calculating the matrix of the measured potentials in real representation by means of Hilbert and inverse Fourier transformation, the potentials at the individual electrodes are assigned to the intensities and locations of the incident light beams.



  A calculation of a one-dimensional signal by means of Fourier transformation and real part formation leads to a representation of the corresponding two-dimensional potential matrix and the likewise corresponding image on the image converter.



  drawing



  Embodiments of the invention are shown in the drawing and explained in more detail in the following description.



  Show it:
 
   1 shows an electronic image converter according to the invention as an optical image sensor in a bottom plan view,
   2 shows an electronic image converter according to the invention as an optical image sensor in cross section,
   3 shows an electronic image converter according to the invention as an acoustic and optical image sensor or transmitter in cross section,
   4 shows an electronic image converter according to the invention as an optical image generator with a liquid crystal layer in cross section,
   5 is a block diagram with an image sensor, amplifiers and an image generator,
   6 shows a flowchart for calculating a one-dimensional output signal from the potential matrix,
   7 shows a flowchart for calculating the potential matrix from the one-dimensional output signal.
 


 Description of the embodiments
 



  1 shows the underside of an electronic image converter with a square multilayer semiconductor 1, which has a converter surface 18, along the entire square edge line 19 of which several rectangular individual electrodes 2 are arranged next to one another in an evenly distributed manner opposite one another in pairs. A point of incidence of a light beam 6 is marked on the surface of the square multilayer semiconductor 1 within the transducer surface 18. 2 shows, the square multilayer semiconductor 1 is made up of a p-type layer 3, an n-type layer 5 and an intrinsic layer 4 lying between the two layers 3, 5.

   On the side of the p-type layer 3 opposite the intrinsic layer 4 there is a reference electrode 12 which covers the entire surface of the side of the p-type layer 3 opposite the intrinsic layer 4.



  If a voltage is applied between the individual electrodes 2 and the reference electrode 12, then in the case of a light beam 6 incident on the electronic image converter from above or below, pairs of charge carriers are formed by the lateral photo effect, which are separated by the electrical field existing between the individual electrodes 2 and the reference electrode 12 and suctioned off before recombination occurs. The amount of charge carriers is proportional to the light intensity. By measuring the charge carriers arriving at the individual electrodes 2, the potentials at the individual electrodes 2 are obtained as measurement results which depend on the light intensity and the location of the light beam 6. The edge line 19 of the transducer surface 18 roughly delimits the surface within which the points of incidence of light rays 6 should lie in order to obtain an exact result of the conversion.



  The location and the intensity of the light beam 6 can be determined from the measured potentials by calculation. The basis for this is the Hilbert transformation (see, for example, H.Marko "Methods of System Theory", Telecommunications 1, Springer Verlag 1986 pp. 114 ff), the Fourier Transformation (see, for example, H.Marko "Methods of System Theory", Telecommunications 1 , Springer Verlag 1986 pp. 15 ff), or the Cauchy-Integral (see e.g. Schaum's Outline Series, "Theory and problems of Complex Variables", Murray R. Spiegel, Mc Graw Hill Book Company, pp. 92-97, 118 -120).



  With an arrangement of, for example, four individual electrodes 2 on each side of the square edge line 19 on the surface of the square multilayer semiconductor 1, a matrix arrangement of 16 fields arranged in a square is created. Since the arrangement of the individual electrodes 2 virtually divides the transducer surface 18 into a matrix structure and thus the location of each matrix element is already known, only the intensity of the light beam 6 in the respective matrix element has to be determined. A linear combination of the potentials of all matrix elements is measured at each individual electrode 2.



  The measured potentials are used to calculate a one-dimensional output signal A. The calculation is explained with reference to FIG. 6.



  While with an arrangement of sensors of the Hamamatsu type for 16 pixels, 16 sensors with five electrodes each, which corresponds to a total of 80 electrodes, would be necessary, with an arrangement of the type according to the invention, only a number of 17 individual electrodes are required with a low loss of resolution. In the case of an arrangement of many matrix elements, the bandwidth limitation effect of real images creates the effect of a bandwidth reduction, as a result of which fewer individual electrodes have to be arranged than there are matrix elements. This effect is non-linear.



  3 shows a further exemplary embodiment of an electronic image converter according to the invention. A piezoelectric layer 8 has a reference electrode 12 on its upper side. On the underside, the piezoelectric layer 8 is connected to the top of a high-resistance layer 7. On the underside of the high-resistance layer 7, the individual electrodes 2 are again distributed along the edge line 19 of the transducer surface 18 analogously to FIG. 1. With this configuration of the electronic image transducer, a spatial distribution of sound can be measured. For a given spatial distribution of the sound 13 on the surface of the reference electrode 12, an equivalent electrical potential distribution is created on the interface between the piezoelectric layer 8 and the high-resistance layer 7.

   Since the high-resistance layer 7 has a uniform spatial resistance, the electrical potentials existing at the interface can be detected with the individual electrodes 2. This type of electronic image converter can also be used as an acoustic image generator. Applying electrical potentials to the individual electrodes 2 leads to the formation of an equivalent sound pressure potential on the piezoelectric layer 8.



  The use of polyvinylidene fluoride as material for the piezoelectric layer 8 is particularly expedient. This material has almost the same acoustic impedance as water and is therefore particularly suitable for underwater sound transducers. In addition, polyvinylidene fluoride proves to be sensitive to infrared. The electronic image converter according to the invention with a polyvinylidene fluoride layer can thus be used simultaneously as an acoustic and optical image generator and sensor.



  Furthermore, it is provided to replace the piezoelectric layer 8 by an electroluminescent layer 8. In this case, the reference electrode 12 must be optically transparent. An electronic image converter designed in this way functions as an optical image generator. Applying an electrical potential to the individual electrodes 2 leads to the emission of an optical signal from the electroluminescent layer. Such an image converter can therefore reproduce an electronically encoded image, the encoding of which, e.g. was generated by means of another image converter constructed according to the same principle. The type of coding requires the electrical potentials to be determined along a closed line which represents the edge line of the image converter.



  4 shows an embodiment of the electronic image converter with a liquid crystal layer. A liquid crystal layer 11 is closed at the top by side closures 10 and a reference electrode 12 attached to the underside of a windscreen 9. The underside of the liquid crystal layer 11 lies on a high-resistance layer 7, on the underside of which the individual electrodes 2 are attached along the edge line 19 of the transducer surface 18. A light source 14 is located below the arrangement.



  The image converter constructed in this way also functions as an optical image generator. Here, too, an electrical potential distribution applied to the individual electrodes 2 is mapped onto a distribution of the transparency of the liquid crystal layer 11. The distribution of transparency on the transducer surface appears as an optical image due to the illumination of the light source 14.



  5 shows a block diagram with two electronic image converters according to the invention with amplifiers connected in between. A first electronic image converter 15 with a round cross section and individual electrodes 2 distributed on its surface along the edge line 19 has an electrical connection to each of its individual electrodes 2 to an amplifier 16. The output of each amplifier 16 is routed to the individual electrodes 2 of a second electronic image converter 17.



  The image recorded with the first electronic image converter 15 is tapped converted into electrical potentials at the individual electrodes 2 and passed via the respective amplifier 16 to the second electronic image converter 17, where the electrical potentials at its individual electrodes 2 are converted back into an optical image.



  6 shows a flowchart for calculating a one-dimensional output signal A from the potential matrix E. In analogy to the line integral (Cauchy integral) for an analytical complex potential distribution, the potential matrix E is transformed into a real output signal A in real representation. The matrix E of the electrode potentials is converted into a complex matrix by means of the Hilbert transformation H (E) K = E + j * H (E) expanded and then converted into the one-dimensional output signal A = F <-> <1> (K) by means of the inverse Fourier transformation F <-> <1>.



  FIG. 7 shows the calculation of the matrix of the electrode potentials from the output signal A as a flow chart.



  After the output signal A has been arranged in a matrix form A, a Fourier transformation F (A) takes place. Real part formation Re (F) gives the potential matrix E, the elements of which represent the potentials to be applied to the individual electrode 2 for rendering the corresponding image on the transducer surface 18.



  The electrical potential distribution can also be represented as an analytical complex function, which is then converted into a one-dimensional signal by means of the Cauchy line integral.



  The image converter can be used particularly in electrocardio- and electroencephalograms, a large number of individual electrodes 2 advantageously being used to determine a potential distribution on the heart or brain.



  The individual electrodes 2 can also have a shape other than rectangular, e.g. have round or oval, which can depend, among other things, on the geometry of the transducer surface.



  An embodiment of the image converter shown in FIG. 1 with individual electrodes 2 distributed on only two sides of the square multilayer semiconductor 1 is already suitable for detecting a plurality of pixels. In the sense of low redundancy and high signal quality, however, a uniform distribution along the entire edge line 19 is preferable.


    

Claims (12)

1. Elektronischer Bildwandler mit einem scheibenförmigen, mehrschichtigen Trägerelement, das eine Wandlerfläche aufweist, und mit auf der untersten Schicht des Trägerelements angeordneten, aus zwei einander gegenüberliegend entlang der Randlinie der Wandlerfläche angeordneten Elektroden gebildeten Elektrodenpaaren, mit einer auf der obersten Schicht des Trägerelements angeordneten, flächenhaften Referenzelektrode, dadurch gekennzeichnet, dass, zur Umwandlung eines Bildes mit mehr als einem Bildpunkt in eine Folge elektrischer Signale oder umgekehrt, die Elektroden wenigstens eines Elektrodenpaars entlang der Randlinie der Wandlerfläche (18) in mehrere Einzelelektroden (2) aufgeteilt sind und dass innerhalb der Wandlerfläche (18) keine Einzelelektroden (2) angeordnet sind.     1.Electronic image converter with a disk-shaped, multilayer carrier element which has a transducer surface, and with electrode pairs arranged on the bottom layer of the carrier element and formed from two electrodes arranged opposite one another along the edge line of the transducer surface, with one arranged on the top layer of the carrier element, Areal reference electrode, characterized in that, for converting an image with more than one pixel into a sequence of electrical signals or vice versa, the electrodes of at least one pair of electrodes are divided into several individual electrodes (2) along the edge line of the transducer surface (18) and that within the Transducer surface (18) no individual electrodes (2) are arranged. 2. 2nd Elektronischer Bildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement ein Halbleiter (1) ist.  Electronic image converter according to claim 1, characterized in that the carrier element is a semiconductor (1). 3. Elektronischer Bildwandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter (1) als übereinander angeordnete Schichten eine p-dotierte Schicht (3), eine intrinsische Schicht (4) und eine n-dotierte Schicht (5) aufweist. 3. Electronic image converter according to claim 2, characterized in that the semiconductor (1) as layers arranged one above the other has a p-doped layer (3), an intrinsic layer (4) and an n-doped layer (5). 4. Elektronischer Bildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzelektrode (12) optisch transparent ist. 4. Electronic image converter according to one of claims 1 to 3, characterized in that the reference electrode (12) is optically transparent. 5. Elektronischer Bildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement als unterste Schicht eine hochohmige Schicht (7) und als oberste Schicht eine piezoelektrische Schicht (8) aufweist. 5. Electronic image converter according to claim 1, characterized in that the carrier element has a high-resistance layer (7) as the bottom layer and a piezoelectric layer (8) as the top layer. 6. Elektronischer Bildwandler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die piezoelektrische Schicht (8) aus Polyvinyliden-Fluorid besteht. 6. Electronic image converter according to claim 5, characterized in that the piezoelectric layer (8) consists of polyvinylidene fluoride. 7. 7. Elektronischer Bildwandler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzelektrode (12) für den Infrarotbereich optisch transparent ist.  Electronic image converter according to claim 6, characterized in that the reference electrode (12) is optically transparent for the infrared range. 8. Elektronischer Bildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement als unterste Schicht eine hochohmige Schicht (7) und als oberste Schicht eine elektrolumineszente Schicht (8) aufweist, wobei die Referenzelektrode (12) optisch transparent ist. 8. An electronic image converter according to claim 1, characterized in that the carrier element has a high-resistance layer (7) as the bottom layer and an electroluminescent layer (8) as the top layer, the reference electrode (12) being optically transparent. 9. Elektronischer Bildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement als unterste Schicht eine hochohmige Schicht (7) und als oberste Schicht eine Flüssigkristallschicht (11) aufweist, wobei die Referenzelektrode (12) und die hochohmige Schicht (7) optisch transparent sind und die Lichtdurchlässigkeit der Flüssigkristallschicht (11) durch an den Einzelelektroden (2) anliegende elektrische Signale steuerbar ist. 9. An electronic image converter according to claim 1, characterized in that the carrier element has a high-resistance layer (7) as the bottom layer and a liquid crystal layer (11) as the top layer, the reference electrode (12) and the high-resistance layer (7) being optically transparent and the light transmission of the liquid crystal layer (11) can be controlled by electrical signals applied to the individual electrodes (2). 10. 10th Elektronischer Bildwandler nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die hochohmige Schicht (7) einen homogenen Raumwiderstand aufweist.  Electronic image converter according to one of claims 5 to 9, characterized in that the high-resistance layer (7) has a homogeneous spatial resistance. 11. Verfahren zur Bildwandlung mit einem elektronischen Bildwandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ermittlung des Ortes und der Intensität von auf der Bildwandleroberfläche auftreffendem Licht oder Schall a) die an den Einzelelektroden (2) gemessenen Potentiale in Matrixform zu einer Potentialmatrix E angeordnet werden, b) dass weiter die Potentialmatrix E einer Hilbert-Transformation H unterworfen wird und c) dass die mit dieser Transformierten komplex erweiterte Potentialmatrix E einer inversen Fourier-Transformation F<-><1> unterworfen wird, 11. A method for image conversion with an electronic image converter according to one of the preceding claims, characterized in that for determining the location and the intensity of light or sound impinging on the image converter surface  a) the potentials measured on the individual electrodes (2) are arranged in matrix form to form a potential matrix E,  b) that the potential matrix E is further subjected to a Hilbert transformation H and  c) that the potential matrix E, which is complexly expanded with this transform, is subjected to an inverse Fourier transformation F <-> <1>, aus der ein eindimensionales der Intensität des auf der Bildwandleroberfläche auftreffenden Lichts oder Schalls proportionales Ausgangssignal A folgt.  from which follows a one-dimensional output signal A proportional to the intensity of the light or sound impinging on the image converter surface. 12. Verfahren zur Bildwandlung mit einem elektronischen Bildwandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung des Ortes und der Intensität von Licht oder Schall auf der Bildwandleroberfläche aus einem nach dem Verfahren nach Anspruch 11 gewonnenen Ausgangssignal A a) das Ausgangssignal A in Matrixform angeordnet wird, b) dass diese Matrix einer Fourier-Transformation F unterworfen wird und c) dass der Realteil Re(F) der Ergebnismatrix der Fourier-Transformation F in Matrixform angeordnet wird und an den Elektroden (2) in Form elektrischer Potentiale mit dem Zahlenwert des jeweiligen Matrixelements entsprechender Amplitude angelegt wird. 12. A method for image conversion with an electronic image converter according to one of the preceding claims 1 to 10, characterized in that for generating the location and the intensity of light or sound on the image converter surface from an output signal A obtained by the method according to claim 11  a) the output signal A is arranged in matrix form,  b) that this matrix is subjected to a Fourier transformation F and  c) that the real part Re (F) of the result matrix of the Fourier transformation F is arranged in matrix form and is applied to the electrodes (2) in the form of electrical potentials with the numerical value of the corresponding matrix element and corresponding amplitude.  
CH02495/94A 1993-08-18 1994-08-12 Electronic imager. CH689846A5 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4327687A DE4327687B4 (en) 1993-08-18 1993-08-18 Electronic image converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH689846A5 true CH689846A5 (en) 1999-12-15

Family

ID=6495420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH02495/94A CH689846A5 (en) 1993-08-18 1994-08-12 Electronic imager.

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH689846A5 (en)
DE (1) DE4327687B4 (en)
FR (1) FR2709208B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590359B2 (en) 2000-02-17 2003-07-08 Carl Zeiss Jena Gmbh Method for effecting the synchronous control of several stepping motors

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2549299A (en) * 2016-04-12 2017-10-18 Bae Systems Plc Electroacoustic transducer
WO2017178787A1 (en) 2016-04-12 2017-10-19 Bae Systems Plc Electroacoustic transducer
US10791400B2 (en) 2016-04-12 2020-09-29 Bae Systems Plc Electroacoustic transducer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4139278A (en) * 1975-07-31 1979-02-13 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US4887140A (en) * 1989-04-27 1989-12-12 Board Of Regents, The Univ. Of Texas System Clover design lateral effect position-sensitive device
DE59005107D1 (en) * 1990-01-12 1994-04-28 Siemens Ag X-ray diagnostic device.
DE4002551A1 (en) * 1990-01-30 1991-08-01 Unimed Egon Struck Entwicklung Piezo-pressure sensor for measurement of press variation - uses polyvinyl-fluoride elastic foil floating in fluid which transfers membrane pressure to foil
US5194918A (en) * 1991-05-14 1993-03-16 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of providing images of surfaces with a correlation microscope by transforming interference signals

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590359B2 (en) 2000-02-17 2003-07-08 Carl Zeiss Jena Gmbh Method for effecting the synchronous control of several stepping motors

Also Published As

Publication number Publication date
FR2709208B1 (en) 1998-07-03
FR2709208A1 (en) 1995-02-24
DE4327687A1 (en) 1995-02-23
DE4327687B4 (en) 2004-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60127246T2 (en) ULTRA-SENSITIVE PHOTODETECTOR WITH INTEGRATED PINHOLE FOR CONFOCAL MICROSCOPES AND METHOD FOR DETECTING OPTICAL SIGNAL
DE3727188C2 (en) Optical displacement detection device
DE3650220T2 (en) Device for scanning an optical wavefront.
DE60026833T2 (en) POSITION-SENSITIVE DETECTOR FOR DETECTING A LIGHT POINT
DE3830417C2 (en)
EP0343366A1 (en) Camera
EP0377078B1 (en) Semiconductor image sensor, in particular for a CCD structure
DE2161405A1 (en) Optical device for determining the location of a point on a surface
DE1930111A1 (en) Optical measuring probe for dynamic distance measurement
DE3229343A1 (en) Sensor for relative motions
DE102011053219B4 (en) Combined pixel with phase-sensitive and color-selective sub-pixel
DE2640832C3 (en) Electroacoustic device for reading a one-dimensional optical image
DE69200878T2 (en) Radiometer with correction device.
CH689846A5 (en) Electronic imager.
DE102011015478B4 (en) Apparatus and method for detecting and analyzing laser radiation
DE112017001734T5 (en) Image capture device and image acquisition process
CH616508A5 (en)
DE2457361A1 (en) PHOTOELECTRIC ELEMENT FOR CAPTURING THE FOCUS IN THE PICTURE PLANE OF A LENS
DE2451352C3 (en) Device for focusing an optical system
DE102012223301A1 (en) Time-of-flight sensor for time-of-flight camera system, has time-of-flight pixel and multiple reference time-of-flight pixels for receiving modulated reference light, where two reference pixels have different dimensioned modulation gates
DE19532749A1 (en) Method and arrangement for non-contact length measurement in repetitive processes
DE1547136B2 (en)
DE69026168T2 (en) Light detection method
DE4115534A1 (en) Opto-electronic appts. for measuring structure edges, e.g. for image evaluation - has opto-electronic receiving surfaces as electrodes with circle-annulus structure forming input and reference capacitances for amplifier
DE2920773A1 (en) Opto-electronic sensor circuit - has two separately adjusted photodiodes controlling integrated evaluation loop

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased