CH521579A - Electron beam microprobe - Google Patents

Electron beam microprobe

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CH521579A
CH521579A CH1885770A CH1885770A CH521579A CH 521579 A CH521579 A CH 521579A CH 1885770 A CH1885770 A CH 1885770A CH 1885770 A CH1885770 A CH 1885770A CH 521579 A CH521579 A CH 521579A
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CH
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potential
electron beam
speed
evaluator
output signal
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Application number
CH1885770A
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German (de)
Inventor
Wilfred Flemming John Peter
Original Assignee
Int Standard Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/266Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
    • H01J37/268Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/05Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

  

  Elektronenstrahl-Mikrosonde    Die im Patentanspruch des Hauptpatentes definierte  Erfindung betrifft eine Elektronenstrahl-Mikrosonde, die  sich dadurch auszeichnet, dass an einen Sekundär  elektronen auffangenden Schnelligkeitsauswerter ein  Rückführungskreis angeschlossen ist um das Potential  des Objektträgers in bezug auf das Elektronenenergie  niveau des Schnelligkeitsauswertes beim Abtasten des  Objektes zu regeln. Diese Mikrosonde kann besonders  vorteilhaft zur Prüfung von integrierten Schaltung ver  wendet werden.  



  Wie im Hauptpatent wird auch hier unter   Schnelligkeitsauswerter  eine Vorrichtung verstanden,  welche ein Ausgangssignal angibt, das proportional ist  zur Eintrittsgeschwindigkeit von Elektronen in den  Auswerter, welche Energien aufweisen, die innerhalb  eines bestimmten Bereiches liegen.  



  Mit der Mikrosonde nach dem Patentanspruch des  Hauptpatentes ist es möglich, ein qualitatives Bild der  Variation der Potentialgradienten auf der Oberfläche  eines Objekts zu erhalten, indem man dieses abtastet,  wobei das Ausgangssignal des     Geschwindigkeitsaus-          werters    aufgezeichnet wird, wenn der     Primärelektronen-          strähl    über die Oberfläche des Objekts streicht. Bei einer  solchen Aufzeichnung werden üblicherweise den Details,  die von Potentialgradienten auf der Oberfläche her  rühren, Details, die zur Topologie der Oberfläche  gehören, und die Variationen des     Sekundäremissions-          Koeffizienten    und weitere Effekte überlagert sein.

   Das  gewünschte Spannungsdetail kann jedoch leicht erhalten  werden durch Bildung des Differenzsignales zwischen  zwei Abtastungen, wovon die eine mit und die andere  ohne die notwendige Spannung     ausgeführt    wird, die an  das Muster angelegt werden muss, um die Potentialver  teilung auf seiner Oberfläche zu erhalten. Es ist jedoch  nicht leicht, ein quantitatives Abbild der Potential  verteilungen aus diesen Messungen zu erhalten wegen    des nicht eindeutigen Zusammenhanges, zwischen dem  Ausgangsignal des Schnelligkeitsauswerters und der Va  riation der Spannung am Punkt der Oberfläche des  Objektes, auf welchem der Primärelektronenstrahl auf  tritt.

   Bei vielen Anwendungen und insbesondere beim  Prüfen von integrierten Schaltungen ist es wünschens  wert, ein quantitatives Bild der Potentialgradienten auf  der Oberfläche des Musters zu erhalten.  



  Dies wird durch eine Verbesserung der Elektronen  strahl-Mikrosonde nach dem Patentanspruch des Haupt  patentes ermöglicht, welche nach der vorliegenden Er  findung darin besteht, dass der Rückführungskreis durch  das Ausgangssignal des Schnelligkeitsauswerters derart  steuerbar ist, dass die beim Abtasten eines Objektes  auftretenden Änderungen des genannten Ausgangs  signals     vermindert    werden und dass     zwischen    dem  Objekthalter und dem Schenlligkeitsauswerter ein Gitter  vorgesehen ist zum Anlegen eines elektrischen Poten  tials, so dass die Bahnen der beim Abtasten der  Objektoberfläche durch den Elektronenstrahl von dieser  emittierten Sekundärelektronen von der Potentialver  teilung auf der Objektoberfläche praktisch unabhängig  sind.  



  Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun  anhand der Zeichnung, welche ein Blockschema der  Mikrosonde zeigt, näher beschrieben.  



  In der Zeichnung ist mit 10 ein Elektronenstrahl  generator bezeichnet, der eine Einrichtung zur     Fokussie-          rung    und Abtastung enthält. Dieser Generator 10  erzeugt einen     Primärelektronenstrom    11, welcher auf ein  Objekt 12 auffällt, das aus einer integrierten Schaltung  besteht und zwei Anschlüsse 12a und 12b aufweist, über  welche die integrierte Schaltung vorgespannt werden  kann. Ein     Geschwindigkeitsauswerter    13 ist so angeord  net, dass er die unter dem Einfluss des Primär  elektronenstromes vom Objekt emittierten Sekundär-      elektronen auffangen kann.

   Dieser     Geschwindigkeitsaus-          werter    gibt ein Ausgangssignal ab, das abhängig ist von  der Eintreffrate von eingefangenen Elektronen, deren  Energien innerhalb eines bestimmten Bereiches liegen,  welcher fest ist     in    Bezug auf Erdpotential und dadurch  auch in Bezug auf das Kathodenpotential des     Elektro-          nenstrahlgenerators.    Das - Ausgangssignal des     Ge-          schwindigkeitsauswerters    ist an einen Verstärker 14  angelegt, dessen Ausgangsspannung an die Objekt  klemme 12a und an eine Ausgangsklemme 15 angelegt  ist. Die Objektklemme 12b ist über einen Spannungs  generator 16 mit der Objektklemme 12a verbunden.  



  Vorausgesetzt, dass die Potentialvariation auf der       Oberfläche    des Objekts, welche     durch    den Spannungs  generator 16 erzeugt wird, unbedeutend ist verglichen  mit dem Potential zwischen dem Objekt und der  Kathode des Elektronenstrahlgenerators, wie dies immer  der Fall ist bei der     Prüfung    von     integrierten        Schaltungen,          ist    es klar, dass die ursprüngliche Geschwindigkeitsver  teilung der aus dem Objekt austretenden Sekundär  elektronen praktisch unabhängig ist vom Potential jenes  Teiles der Oberfläche des Objektes, von welchem sie       emittiert    werden.

   Auf seinem Weg von der Oberfläche  des Objektes zum Geschwindigkeitsauswerter wird je  doch ein Sekundärelektron um einen Betrag beschleu  nigt, der abhängig ist von der Potentialdifferenz zwi  schen den zwei     Orten.    Es ist also ersichtlich, dass beim  Fehlen der Rückkopplungsschleife, die durch die Ver  bindung zwischen dem Ausgang des     Schnelligkeitsaus-          werters    13 und dem Objekt 12 über den Verstärker 14  gebildet ist, der     Wert    der ursprünglichen Geschwindig  keit von Elektronen, die vom Schnelligkeitsauswerter  eingefangen werden, abhängig ist von der Potential  differenz, welche sie auf dem Weg zum     Sehnelligkeits-          auswerter    durchlaufen haben.

   Wenn die Rückkoppel  schleife vorhanden ist, wird das     Ausgangssignal    des  Geschwindigkeitsauswerters auf einen festen Wert stabi  lisiert, der durch den     Spannungsteiler    17 einstellbar ist.  Wenn also der Spannungsgenerator 16 auf Null einge  stellt wird, so dass das ganze Objekt auf dem Potential  der Klemme 12a ist, und nun der Elektronenstrahl sich  auf einem Punkt des Objektes bewegt, der eine grössere  Emission ergibt, will das Ausgangssignal des     Schnellig-          keitsauswerters    grösser werden, wodurch das Ver  stärkerausgangssignal auf ein positiveres Potential ge  bracht wird.

   Dies macht das Objekt positiver, was  bewirkt, dass die Beschleunigung der Sekundär  elektronen auf ihrem Weg zum Schnelligkeitsauswerter       vermindert    wird und dadurch die Sekundärelektronen,  die vom Schnelligkeitsauswerter eingefangen werden,  eine höhere anfängliche Geschwindigkeit haben. Vor  ausgesetzt, dass die Einstellung des     Spannungsteilers     derart ist, dass der Schnelligkeitsauswerter Sekundär  elektronen in jenem Teil der     Verteilungskurve    auf  nimmt, in welchem die Anzahl der Sekundärelektronen  mit höheren Energien abnimmt, ist die Einrichtung  stabil. Wenn also der Verstärkungsgrad des Verstärkers  gross ist, ist das Ausgangssignal des     Schnelligkeitsaus-          werters    praktisch konstant.

    



  Wenn nun ohne     Änderung    des Eintreffpunktes des  Primärelektronenstrahles der Spannungsgenerator 16 so  eingestellt     wird,    dass eine bestimmte Potentialdifferenz  zwischen den Klemmen 12a und 12b vorhanden ist und  dadurch die     integrierte    Schaltung 12 vorgespannt wird,  sodass Potentialgradienten auf seiner Oberfläche vor  handen sind, wird das Ausgangssignal des     Geschwindig-          keitsauswerters    vergrössert oder verkleinert, je nach    dem, ob das Potential in jenem Teil der Oberfläche des  Objektes unter dem Primärelektronenstrom abgesenkt  oder erhöht wurde.

   Wie vorher wird nun die Rück  koppelschleife derart wirken, dass das Ausgangssignal  des Schnelligkeitsauswerters auf seinem ursprünglichen  Wert gehalten wird. Nun kann die Erhöhung der       Ausgangsspannung    des Verstärkers 14, die notwendig  ist, um den Ausgang des Schnelligkeitsauswerters auf  seinen ursprünglichen Wert     zurückzubringen,    gerade  gleich der Potentialdifferenz zwischen der Objekt  klemme 12a und dem Punkt auf der     Oberfläche    des  Objektes betrachtet werden, der gerade im Brennpunkt  des Primärelektronenstrahles liegt.

   Es ist ersichtlich,  dass eine quantitative     Aufzeichnung    der Potential  gradienten auf der Oberfläche des Objektes     erhalten     werden kann, indem die Differenz zwischen dem Aus  gangssignal an der Ausgangsklemme 15 aufgezeichnet  wird, das auftritt, wenn der Spannungsgenerator 16 auf  die erforderliche Speisespannung für die integrierte  Schaltung eingestellt wird, und jener Ausgangsspannung,  die auftritt, wenn der Spannungsgenerator 16 auf Null  gestellt ist.  



  Eine solche Messung kann jedoch Fehlern unterwor  fen sein, die beträchtlichen Umfang annehmen können.  Dieser Fehler wird bewirkt durch die Tatsache, dass  normalerweise ein üblicher Schnelligkeitsauswerter nicht  in der Lage ist, alle vom Objekt emittierten Sekundär  elektronen einzufangen. Aus diesem Grunde wird jede  ändernde Feldverteilung, welche den Einfangwirkungs  grad des Schnelligkeitsauswerters ändert, einen Fehler in  die Messungen bringen. Eine solche Situation ist vorhan  den, wenn die Sekundärelektronen, welche das Objekt  verlassen, durch eine Verteilung des elektrischen Feldes  beeinflusst werden, die vorwiegend durch die Potential  verteilung in jenem Teil der Oberfläche des Objektes  bestimmt wird, die den Eintreffpunkt des Primärelektro  nenstrahles umgibt.

   Wenn nun die Elektronen  vergleichsweise langsam wandern, genügt ein vergleichs  weise kleiner Feldgradient, um die Bahnen der  Sekundärelektronen bemerkenswert zu verändern,     so-          dass    diese Bahnen an einen Ort neben der Eingangs  blende des Geschwindigkeitsauswerters führen.

   Diese  Schwierigkeit kann überwunden werden durch die Ein=       führung    eines Gitters 18, das nahe beim Objekt angeord  net ist und auf einem hinreichend hohen Potential       (VM1)    in Bezug auf das Objekt gehalten wird, um zu  bewirken, dass die Sekundärelektronen stark von der  Objektnähe weg beschleunigt werden, sodass deren  Bahnen praktisch unabhängig werden von den Potential  gradienten in der Oberflächenzone des Objekts, die den  Eintreffpunkt des     Primärelektronenstrahles    umgibt. Bei  der vorliegenden Mikrosonde hat dieser Schirm die  Form eines feinen Netzes, das auf einer Spannung von  ungefähr 1     kV    gegenüber dem Objekt gehalten wird und  von diesem ungefähr 2 mm weit     entfernt    ist.

   Die Grösse  der Öffnungen im Netz ist gerade gross genug, dass der  Primärelektronenstrahl das Objekt abtasten kann, ohne  dass er durch das Netz gehindert wird.  



       Vorteilhafterweise    wird ein zweites Netz 19 auf  einem festen Potential     (VM2),    nahe dem Objekt  potential, zwischen dem Beschleunigungsgitter 18 und  dem     Schnelligkeitsauswerter    13 angeordnet, sodass die  Sekundärelektronen nach dem Durchgang durch das  Beschleunigungsgitter 18 rasch verzögert werden, wobei  das in relativ grossem Abstand vom     Geschwindigkeits-          auswerter    geschieht.



  Electron beam microprobe The invention defined in the claim of the main patent relates to an electron beam microprobe, which is characterized in that a feedback circuit is connected to a secondary electron-collecting speed evaluator in order to increase the potential of the slide in relation to the electron energy level of the speed evaluation when scanning the object regulate. This microprobe can be used particularly advantageously for testing integrated circuits.



  As in the main patent, a speed evaluator is understood to mean a device which gives an output signal that is proportional to the speed of entry of electrons into the evaluator which have energies that are within a certain range.



  With the microprobe according to the patent claim of the main patent, it is possible to obtain a qualitative picture of the variation of the potential gradients on the surface of an object by scanning it, the output signal of the speed evaluator being recorded when the primary electron beam passes over the surface of the object. In such a recording, the details that arise from potential gradients on the surface, details that belong to the topology of the surface, and the variations of the secondary emission coefficient and other effects are usually superimposed.

   The desired voltage detail can, however, easily be obtained by forming the difference signal between two scans, one of which is carried out with and the other without the necessary voltage which must be applied to the sample in order to obtain the potential distribution on its surface. However, it is not easy to obtain a quantitative image of the potential distributions from these measurements because of the ambiguous relationship between the output signal of the speed evaluator and the variation of the voltage at the point on the surface of the object on which the primary electron beam occurs.

   In many applications, and particularly in integrated circuit testing, it is desirable to obtain a quantitative image of the potential gradients on the surface of the pattern.



  This is made possible by improving the electron beam microprobe according to the claim of the main patent, which according to the present invention consists in the fact that the feedback circuit can be controlled by the output signal of the speed evaluator in such a way that the changes in said output when an object is scanned signals are reduced and that a grid is provided between the object holder and the Schenlligkeitsauswerter to apply an electrical potential, so that the paths of the secondary electrons emitted by the electron beam when scanning the object surface are practically independent of the potential distribution on the object surface.



  An embodiment of the invention will now be described in more detail with reference to the drawing, which shows a block diagram of the microprobe.



  In the drawing, 10 denotes an electron beam generator which contains a device for focusing and scanning. This generator 10 generates a primary electron current 11 which is incident on an object 12 which consists of an integrated circuit and has two connections 12a and 12b via which the integrated circuit can be biased. A speed evaluator 13 is arranged in such a way that it can capture the secondary electrons emitted by the object under the influence of the primary electron flow.

   This speed evaluator emits an output signal that is dependent on the rate of arrival of trapped electrons, the energies of which are within a certain range, which is fixed in relation to earth potential and thus also in relation to the cathode potential of the electron beam generator. The output signal of the speed evaluator is applied to an amplifier 14, the output voltage of which is applied to the object terminal 12a and to an output terminal 15. The object terminal 12b is connected to the object terminal 12a via a voltage generator 16.



  Provided that the potential variation on the surface of the object generated by the voltage generator 16 is insignificant compared to the potential between the object and the cathode of the electron beam generator, as is always the case when testing integrated circuits, it is It is clear that the original speed distribution of the secondary electrons emerging from the object is practically independent of the potential of that part of the surface of the object from which they are emitted.

   On its way from the surface of the object to the speed evaluator, however, a secondary electron is accelerated by an amount that is dependent on the potential difference between the two locations. It can therefore be seen that in the absence of the feedback loop, which is formed by the connection between the output of the speed evaluator 13 and the object 12 via the amplifier 14, the value of the original speed of electrons that are captured by the speed evaluator, depends on the potential difference that you have passed through on the way to the tenderness evaluator.

   If the feedback loop is present, the output signal of the speed evaluator is stabilized to a fixed value that can be set by the voltage divider 17. So when the voltage generator 16 is set to zero so that the whole object is at the potential of the terminal 12a, and the electron beam now moves to a point on the object that produces a higher emission, the output signal of the speed evaluator wants to be higher be, whereby the Ver stronger output signal is brought to a more positive potential ge.

   This makes the object more positive, which has the effect that the acceleration of the secondary electrons on their way to the speed evaluator is reduced and thereby the secondary electrons that are captured by the speed evaluator have a higher initial speed. Given that the setting of the voltage divider is such that the speed evaluator takes secondary electrons in that part of the distribution curve in which the number of secondary electrons decreases with higher energies, the device is stable. So if the gain of the amplifier is high, the output signal of the speed evaluator is practically constant.

    



  If now, without changing the point of incidence of the primary electron beam, the voltage generator 16 is set so that a certain potential difference is present between the terminals 12a and 12b and the integrated circuit 12 is thereby biased so that potential gradients are present on its surface, the output signal of the speed becomes - keitsauswerters increased or decreased, depending on whether the potential in that part of the surface of the object under the primary electron flow was lowered or increased.

   As before, the feedback loop will now act in such a way that the output signal of the speed evaluator is kept at its original value. Now the increase in the output voltage of the amplifier 14, which is necessary to bring the output of the speed evaluator back to its original value, can be considered to be just equal to the potential difference between the object terminal 12a and the point on the surface of the object which is currently in the focus of the Primary electron beam lies.

   It can be seen that a quantitative recording of the potential gradients on the surface of the object can be obtained by recording the difference between the output signal at the output terminal 15 that occurs when the voltage generator 16 is set to the required supply voltage for the integrated circuit and that output voltage which occurs when the voltage generator 16 is set to zero.



  However, such a measurement can be subject to errors which can be of considerable magnitude. This error is caused by the fact that normally a standard speed evaluator is not able to capture all secondary electrons emitted by the object. For this reason, any changing field distribution that changes the trapping efficiency of the speed evaluator will introduce an error into the measurements. Such a situation exists when the secondary electrons leaving the object are influenced by a distribution of the electric field that is primarily determined by the potential distribution in that part of the surface of the object that surrounds the point of incidence of the primary electron beam.

   If the electrons now migrate comparatively slowly, a comparatively small field gradient is sufficient to change the orbits of the secondary electrons remarkably so that these orbits lead to a location next to the entrance aperture of the speed evaluator.

   This difficulty can be overcome by the introduction of a grid 18 which is arranged close to the object and is kept at a sufficiently high potential (VM1) with respect to the object to cause the secondary electrons to move strongly away from the object vicinity are accelerated so that their orbits are practically independent of the potential gradients in the surface zone of the object that surrounds the point of arrival of the primary electron beam. In the case of the present microprobe, this screen is in the form of a fine network which is kept at a voltage of approximately 1 kV with respect to the object and is approximately 2 mm away from it.

   The size of the openings in the network is just large enough that the primary electron beam can scan the object without being hindered by the network.



       A second network 19 is advantageously arranged at a fixed potential (VM2), close to the object potential, between the acceleration grid 18 and the speed evaluator 13, so that the secondary electrons are quickly decelerated after passing through the acceleration grid 18, which is at a relatively large distance from Speed evaluator happens.

 

Claims (1)

PATENTANSPRUCH Elektronenstrahl-Mikrosonde nach dem Patentan spruch des Hauptpatentes, dadurch gekennzeichnet, dass der Rückführungskreis durch das Ausgangssignal des Schnelligkeitsauswerters derart steuerbar ist, dass die beim Abtasten eines Objektes auftretenden Änderungen des genannten Ausgangssignals vermindert werden und dass zwischen dem Objekthalter und dem Schnelligkeits- auswerter ein Gitter vorgesehen ist zum Anlegen eines elektrischen Potentials, so dass die Bahnen der beim Abtasten der Objektoberfläche durch den Elektronen strahl von dieser emittierten Sekundärelektronen von -der Potentialverteilung auf der Objektoberfläche praktisch unabhängig sind. PATENT CLAIM Electron beam microprobe according to the patent claim of the main patent, characterized in that the feedback circuit can be controlled by the output signal of the speed evaluator in such a way that the changes in the output signal that occur when scanning an object are reduced and that between the object holder and the speed evaluator a Grid is provided for applying an electrical potential, so that the paths of the secondary electrons emitted by the electron beam when the object surface is scanned are practically independent of the potential distribution on the object surface. UNTERANSPRUCH Mikrosonde nach Patentanspruch, dadurch gekenn zeichnet, dass zwischen dem genannten Gitter und dem Schnelligkeitsauswerter ein weiteres Gitter angeordnet ist, das auf einem Potential liegt, das praktisch gleich dem Potential des Objektträgers ist. SUBClaim Microprobe according to claim, characterized in that a further grid is arranged between the said grid and the speed evaluator, which is at a potential that is practically equal to the potential of the slide.
CH1885770A 1967-10-25 1970-12-21 Electron beam microprobe CH521579A (en)

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GB48468/67A GB1194355A (en) 1967-10-25 1967-10-25 Improvements in or relating to Scanning Electron Microscopes.
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