Condensateur électrique La présente invention concerne un condensateur électrique formé sur un support permettant éventuelle ment de l'intégrer dans un microcircuit.
Le condensateur électrique selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comporte un ensemble constitué par une couche diélectrique comprise entre deux arma tures, appliqué sur un support non conducteur par l'in- termédiaire d'une couche tampon de matériau non con- ducteur,
liée par fusion à l'ensemble et au support et dotée d'un coefficient de dilatation thermique compa tible avec celui de la couche diélectrique.
Pour fabri quer ce condensateur on procède par exemple comme suit: on dépose sur une première couche tampon ap- pliquée sur un support non conducteur, une première armature en métal finement pulvérisé, une couche di- électrique en matériau vitreux fritté et une seconde armature elle aussi en métal finement pulvérisé.
La couche tampon est constituée par un matériau vitreux cristallisable fritté et non conducteur dont le coefficient de dilatation thermique est compatible avec celui du diélectrique. Le tout ainsi constitué est chauffé afin que les constituants organiques éventuels se volatilisent, que les différentes couches se soudent, par fusion,
entre elles et au support et que le diélectrique et la première couche tampon cristallisent au moins partiellement.
On dépose ensuite sur la surface libre de la seconde armature une seconde couche tampon, elle aussi en matériau vitreux fritté et non conducteur. On applique une fritte de glaçure sur l'ensemble ainsi obtenu en sorte qu'une portion de chacune des armatures reste à découvert afin d'en permettre la connexion électrique.
La seconde couche tampon est en matériau au moins partiellement cristallisable et compatible, au point de vue chimique, avec la glaçure et les armatures. L'en semble est ensuite chauffé une nouvelle fois pour ache ver la cristallisation du diélectrique et de la première couche tampon, pour cristalliser la seconde couche tara- port, dans la mesure où ces couches sont cristallisables, et pour fondre la glaçure, obtenant ainsi un condensa teur pour microcircuit,
hermétiquement étanche et non polarisé.
Coefficient de dilatation thermique compatible signifie que la différence entre les coefficients de dila- tation des matériaux considérés est nulle ou suffisam- ment faible pour que les contraintes qu'elle provoque au refroidissement soient négligeables.
Non polarisé signifie, que le condensateur garde la même capacitance quand on inverse la tension appli quée à ses bornes.
La description détaillée ci-après et des dessins en annexe illustrent, à titre d'exemple, une version parti culièrement avantageuse de l'invention.
Les fig. de 1 à 6 : vues de dessus fragmentaires des différentes étapes de la fabrication du condensateur de la présente invention.
La fig. 7: coupe transversale en élévation d'un condensateur fabriqué selon la présente invention.
La fig. 1 montre un support plan 10 propre à la formation de microcircuits, sur l'une des faces planes duquel on applique une première couche tampon 12. Des exemples de matériaux convenant comme support sont: le verre, la céramique, le verre céramique, la céramique émaillée, etc. L'alumine émaillée convient particulièrement bien dans ce cas. La couche tampon a des dimensions légèrement supérieures à celles des armatures du condensateur.
On dépose sur la couche tampon un film: de métal finement pulvérisé constituant la première armature 14 du condensateur, comme le montre la fig. 2. Le maté riau de l'armature est préparé sous forme de mélange visqueux ou de pâte, obtenu en mélangeant de la poudre métallique finement divisée et un véhicule organique comme, par exemple, de l'essence de térébenthine amé.-. ricaine ou de l'essence de lavande.
Une couche diélectrique 16 est appliquée -sur l'ar mature 14 de telle sorte que seule la borne 18 soit à découvert, comme le montre la fig. 3. Le matériau formant la couche diélectrique est préparé sous forme de mélange visqueux ou de pâte, obtenu en mélangeant de la fritte de matériau diélectrique vitreux au moins partiellement cristallisable et un véhicule organique comme, par exemple, de l'essence de térébenthine amé ricaine ou de l'essence de lavande.
On trouvera des compositions de diélectriques appropriés dans les exem ples 86 et 88 du brevet français No 1272036 du 30 juin 1960 et dans le tableau T ci-dessous.
EMI0002.0013
<I>Tableau <SEP> 1</I>
<tb> 1 <SEP> 2 <SEP> 3 <SEP> 4 <SEP> 5
<tb> BaO <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> 20 <SEP> 18 <SEP> 15 <SEP> 11 <SEP> 39
<tb> Pb0 <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> 34 <SEP> <B>22 <SEP> -, <SEP> 21</B> <SEP> 18 <SEP> 10 SrO <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> 3 <SEP> 2 <SEP> 10 <SEP> 9 <SEP> NbzO, <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> 30 <SEP> 45 <SEP> 40 <SEP> 50 <SEP> - <SEP> 40
<tb> S'02 <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> 8 <SEP> 7 <SEP> 7 <SEP> 7 <SEP> 5
<tb> <B>A1203</B> <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> .
<SEP> 2 <SEP> 4 <SEP> 4 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> B203 <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> 3 <SEP> 2 <SEP> 3 <SEP> 3 <SEP> 3
<tb> <B>MgO</B> <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> - <SEP> . <SEP> - <SEP> - <SEP> - <SEP> 1 La titulaire a établi que la couche tampon 12 doit avoir -un coefficient de dilatation thermique compatible avec celui de la couche diélectrique 16 en sorte qu'après chauffage de l'unité, il ne se produise pas de contraintes internes excessives, ce qui affecterait les propriétés électriques du condensateur,
ou entrainerait des fêlures néfastes à son étanchéité. Pour ces raisons, il est préfé rable d'utiliser le même matériau pour la couche di électrique et la couche tampon 12. La couche tampon est donc aussi appliquée sous forme de mélange vis queux ou de pâte, et est au moins partiellement cristal- lisable.
On dépose ensuite la seconde armature 20 du con- -densateur de =la même manière que l'armature 14, comme le montre la fig. 4. Des métaux susceptibles de convenir sont l'or; l'argent, le platine ou le palladium.
On chauffe ensuite l'unité ainsi Obtenue pour que les constituants organiques se volatilisent et que la cristal- lisation des premières couches tampon et diélectrique s'amoree au moins.
On dépose ensuite, sur la surface libre de l'arma ture 20 une seconde couche tampon 22 en laissant seu lement à découvert les bornes 18 et 24 des armatures 14 et 20, comme le montre la fig. 5. Cette seconde couche tampon est destinée à permettre une transition entre le condensateur et la glaçure vitreuse 26 repré sentée sur. la fig. 6.
La glaçure 26 est appliquée sous forme de mélange visqueux ou pâte, obtenu en mélan geant une fritte de matériau vitreux et un, liant orga nique tel que l'essence de térébenthine américaine ou l'essence de lavande, par exemple. Cette glaçure est im perméable et- enferme le condensateur de façon- étanche comme pourront facilement le comprendre les spécia- listes. Seules les-bornes 18 et 24 du condensateur émer gent de la glaçure.
La seconde couche tampon 22 est en matériau au moins partiellement cristallisable et compa tible,. au point. de vue chimique,. avec l'armature. et la glaçure. La matière utilisée pour la couche tampon 12 et la couche diélectrique 16 convient pour la couche tampon 22. Des matériaux convenant pour la glaçure sont donnés dans le tableau II.
EMI0002.0069
<I>Tableau <SEP> 11</I>
<tb> 1 <SEP> 2
<tb> S'02 <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> -30 <SEP> - <SEP> 38
<tb> , <SEP> A1203 <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> <B>10 <SEP> 7</B>
<tb> B203 <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> 20 <SEP> 20
<tb> Pb0 <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> . <SEP> .
<SEP> 40 <SEP> 35 L'unité est ensuite chauffée une deuxième fois afin que les constituants organiques résiduels se volatilisent, que la cristallisation des premières couches, amorcée lors du précédent chauffage, se poursuive et que la seconde couche tampon cristallise dans la mesure où ces couches sont cristallisables.
Comme on l'a vu, les deux couches tampons, les armatures, la couche diélectrique et la glaçure vitreuse sont appliquées sous forme de mélange visqueux ou pâte. L'application de ces couches peut se faire à l'écran de soie; par pulvérisation, au couteau, en utilisant un ruban imprimant ou par d'autres procédés similaires bien connus des spécialistes.
On a. établi que l'interposition d'une couche. tam pon, en matériau dont le coefficient de dilatation ther mique est compatible avec celui de la -couche diélec trique, entre le support et la première armature du .condensateur, réduit suffisamment les contraintes pre nant naissance dans le condensateur pour en éviter la polarisation et réduire la sensibilité de la capacitance aux fluctuations de tension.
L interposition d'une couche tampon entre la seconde armature et la glaçure en matériau au moins partiellement cristallisable et, d'autre part compatible, au point de vue chimique,. à la fois avec l'armature et avec la glaçure, permet d'obtenir un condensateur dont les armatures sont électriquement saines.
Si la glaçure étaÀt appliquée directement sur l'armature métallique du condensateur, sa fusion au cours du chauffage entraînerait la mise en solution, le déplacement ou autre réaction de cette armature sur le constituant de la glaçure, ce qui conduirait à un con densateur défectueux de capacitance absolument impré- visible. L'utilisation d'une couche tampon cristallisable qui reste à l'état fondu pendant un temps très court, réduit le temps pendant lequel le métal peut être mis en solution,
se déplacer ou se combiner de toute autre manière avec. les matériaux adjacents.
En outre, on a établi que le chauffage de l'unité après application de la seconde armature favorisait la volati,?isation des constituants organiques des couches déjà appliquées et,<B>de</B> plus;
permettait aux armatures de se souder à la première couche tampon et au diélec- trique, et aux -bornes de se souder au support avant que la seconde couche tampon et que -la glaçure ne soient appliquées, =ce qui réduit encore les possibilités de déplacement de l'armature et des bornes.
La fi-. 7 représente un condensateur non polarisé et étanche de la présente invention, destiné à être inté gré dans un microcircuit. Seules les bornes du condén- satëur-émergent de la glaçure. - L'exemple<B>-</B>suivant illustre de façon typique la pré sente invention On disposait d'un, support en alumine émaillée, de -0,76 mm d'épaisseur, propre à 1a formation d'un micro circuit.
On préparait tout d'abord une pâte, en. mélan= géant 70 % en poids de verre cristallisable finement pulvérisé -du type donné, dans l'exemple 1 du tableau I -ci-dessus, la grosseur des grains étant inférieure à 10 microns,
et 30 % en poids d'essence de térébenthine américaine pour mouiller les particules de verre en vue de leur application à l'écran de soie.
Le matériau cons- tituant les armatures du condensateur était préparé en mélangeant environ 70 % en poids d'or finement pulvé- risé, 1a grosseur des grains étant d'environ 1 micron ou moins,
avec environ 30'% en poids d'essence de téré- benthine américaine pour former un second mélange visqueux.
Une troisième pâte, destinée à la glaçure, était préparée en mélangeant 701% en poids de parti- cules de verre du type donné dans l'exemple 1 du ta bleau II ci-dessus, ayant une dimension telle qu'elles puissent passer à l'écran de soie de 23 (norme Afnor)
et 30% en poids d'essence de térébenthine américaine.
La première couche tampon, de dimensions légère ment supérieures à celles des armatures et formée de la première pâte, a été appliquée sur le support en alumine au moyen d'un écran de soie de 21.
Une première armature formée avec la deuxième pâte a ensuite été appliquée au moyen d'un écran de soie de 16 sur la couche tampon, en sorte que seule la borne de l'arma ture débordait sur la première couche. Une couche di électrique formée avec la première pâte a ensuite été appliquée au moyen d'un écran de soie de 21, recou vrant toute l'armature à l'exception de la borne, suivie par une seconde armature du condensateur, appliquée au moyen d'un écran de soie de 16 sur la couche diélectrique.
Seules dépassaient de la couche diélec trique les deux bornes des armatures.
On plaçait l'unité ainsi formée dans un four et on la chauffait pendant 3 minutes et demie à 925o C pour que les constituants organiques se volatilisent et que la cristallisation des couches tampon et diélec trique s'amorce au moins. Après refroidissement, on déposait sur la surface libre de la seconde armature une seconde couche tampon. Cette couche était cons- tituée en même matériau et appliquée de la même ma nière que la première couche tampon.
On a recouvert l'unité tout entière, à l'exception des bornes, par une matière de glaçure, appliquée au moyen d'un écran de soie de 23. L'article a ensuite été chauffé pendant 12 mn à 9251, C pour volatiliser les constituants orga niques des dernières couches appliquées, terminer la cristallisation des premières couches tampon et diélec trique, et cristalliser la seconde couche tampon, dans la mesure où ces couches étaient cristallisables. La couche superficielle constituait, en fondant, un enro bage étanche pour le condensateur.
Sur la pièce passée au four, la couche tampon interposée entre la première armf#.ture du condensateur et le support avait une épais seur d'environ 0,012 mm et un coefficient de dilata tion thermique d'environ 80 X 10-7/0 C qui était préci sément celui de la couche diélectrique dont l'épaisseur était de 0,025 mm.
La capacitance du condensateur obtenu était de 100 picofarads. On a établi que la va leur de la capacitance était indépendante du sens de la tension appliquée aux bornes du condensateur et que sa sensibilité aux fluctuations de tension était faible.
Electric capacitor The present invention relates to an electric capacitor formed on a support possibly allowing it to be integrated into a microcircuit.
The electric capacitor according to the invention is characterized in that it comprises an assembly consisting of a dielectric layer between two armatures, applied to a non-conductive support by means of a buffer layer of non-conductive material. driver,
bonded by fusion to the assembly and to the support and provided with a coefficient of thermal expansion compatible with that of the dielectric layer.
To manufacture this capacitor, the procedure is for example as follows: on a first buffer layer applied to a non-conductive support, a first frame of finely pulverized metal, a dielectric layer of sintered vitreous material and a second frame is deposited on it. also in finely powdered metal.
The buffer layer is formed by a sintered, non-conductive, crystallizable glassy material, the coefficient of thermal expansion of which is compatible with that of the dielectric. The whole thus formed is heated so that the possible organic constituents volatilize, so that the different layers are welded, by fusion,
between them and to the support and that the dielectric and the first buffer layer crystallize at least partially.
A second buffer layer is then deposited on the free surface of the second frame, also made of sintered and non-conductive glass material. A glaze frit is applied to the assembly thus obtained so that a portion of each of the reinforcements remains uncovered in order to allow its electrical connection.
The second buffer layer is made of a material which is at least partially crystallizable and compatible, from a chemical point of view, with the glaze and the reinforcements. The whole is then heated again to complete the crystallization of the dielectric and of the first buffer layer, to crystallize the second tara- port layer, insofar as these layers are crystallizable, and to melt the glaze, thus obtaining a microcircuit capacitor,
hermetically sealed and non-polarized.
Coefficient of thermal expansion compatible means that the difference between the coefficients of expansion of the materials considered is zero or sufficiently low for the stresses which it causes on cooling to be negligible.
Unpolarized means, that the capacitor keeps the same capacitance when the voltage applied to its terminals is reversed.
The detailed description below and the accompanying drawings illustrate, by way of example, a particularly advantageous version of the invention.
Figs. from 1 to 6: fragmentary top views of the various stages in the manufacture of the capacitor of the present invention.
Fig. 7: Cross section in elevation of a capacitor made in accordance with the present invention.
Fig. 1 shows a flat support 10 suitable for the formation of microcircuits, on one of the flat faces of which a first buffer layer 12 is applied. Examples of materials suitable as support are: glass, ceramic, ceramic glass, ceramic enamelled, etc. Enameled alumina is particularly suitable in this case. The buffer layer has dimensions slightly larger than those of the capacitor plates.
A film of finely pulverized metal constituting the first armature 14 of the capacitor is deposited on the buffer layer, as shown in FIG. 2. The framework material is prepared as a viscous mixture or paste obtained by mixing finely divided metal powder and an organic vehicle such as, for example, bitter turpentine. rican or lavender essence.
A dielectric layer 16 is applied to the mature wire 14 so that only terminal 18 is exposed, as shown in FIG. 3. The material forming the dielectric layer is prepared as a viscous mixture or paste, obtained by mixing a frit of at least partially crystallizable glassy dielectric material and an organic vehicle such as, for example, American turpentine. or lavender essence.
Suitable dielectric compositions will be found in Examples 86 and 88 of French Patent No. 1272036 of June 30, 1960 and in Table T below.
EMI0002.0013
<I> Table <SEP> 1 </I>
<tb> 1 <SEP> 2 <SEP> 3 <SEP> 4 <SEP> 5
<tb> BaO <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> 20 <SEP> 18 <SEP> 15 <SEP> 11 <SEP> 39
<tb> Pb0 <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> 34 <SEP> <B> 22 <SEP> -, <SEP> 21 </B> <SEP> 18 <SEP> 10 SrO <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> 3 <SEP> 2 <SEP> 10 <SEP> 9 <SEP> NbzO, <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> 30 <SEP> 45 <SEP> 40 <SEP> 50 <SEP> - <SEP> 40
<tb> S'02 <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> 8 <SEP> 7 <SEP> 7 <SEP> 7 <SEP> 5
<tb> <B> A1203 </B> <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>.
<SEP> 2 <SEP> 4 <SEP> 4 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> B203 <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> 3 <SEP> 2 <SEP> 3 <SEP> 3 <SEP> 3
<tb> <B> MgO </B> <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> - <SEP>. <SEP> - <SEP> - <SEP> - <SEP> 1 The licensee has established that the buffer layer 12 must have a coefficient of thermal expansion compatible with that of the dielectric layer 16 so that after heating the unit, excessive internal stresses do not occur, which will affect the electrical properties of the capacitor,
or would cause cracks that are harmful to its waterproofing. For these reasons, it is preferable to use the same material for the electrical layer and the buffer layer 12. The buffer layer is therefore also applied as a viscous mixture or paste, and is at least partially crystallizable. .
The second frame 20 of the condenser is then removed in the same manner as the frame 14, as shown in FIG. 4. Metals which may be suitable are gold; silver, platinum or palladium.
The unit thus obtained is then heated so that the organic constituents volatilize and the crystallization of the first buffer and dielectric layers at least improves.
A second buffer layer 22 is then deposited on the free surface of the frame 20, leaving only the terminals 18 and 24 of the frames 14 and 20 uncovered, as shown in FIG. 5. This second buffer layer is intended to allow a transition between the capacitor and the glass glaze 26 shown on. fig. 6.
The glaze 26 is applied in the form of a viscous mixture or paste, obtained by mixing a frit of glassy material and an organic binder such as American turpentine or lavender oil, for example. This glaze is impermeable and encloses the capacitor tightly as will easily be understood by specialists. Only terminals 18 and 24 of the capacitor emerge from the glaze.
The second buffer layer 22 is made of an at least partially crystallizable and compatible material. on point. from a chemical point of view ,. with the frame. and the glaze. The material used for the buffer layer 12 and the dielectric layer 16 is suitable for the buffer layer 22. Suitable materials for the glaze are given in Table II.
EMI0002.0069
<I> Table <SEP> 11 </I>
<tb> 1 <SEP> 2
<tb> S'02 <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> -30 <SEP> - <SEP> 38
<tb>, <SEP> A1203 <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> <B> 10 <SEP> 7 </B>
<tb> B203 <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP> 20 <SEP> 20
<tb> Pb0 <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>. <SEP>.
<SEP> 40 <SEP> 35 The unit is then heated a second time so that the residual organic constituents volatilize, the crystallization of the first layers, initiated during the previous heating, continues and the second buffer layer crystallizes in the as these layers are crystallizable.
As we have seen, the two buffer layers, the reinforcements, the dielectric layer and the vitreous glaze are applied in the form of a viscous mixture or paste. The application of these layers can be done on the silk screen; by spraying, knife, using a printing tape or by other similar methods well known to those skilled in the art.
We have. established that the interposition of a layer. buffer, made of a material whose thermal expansion coefficient is compatible with that of the dielectric layer, between the support and the first reinforcement of the capacitor, sufficiently reduces the stresses arising in the capacitor to avoid polarization and reduce the sensitivity of the capacitance to voltage fluctuations.
The interposition of a buffer layer between the second frame and the glaze made of a material which is at least partially crystallizable and, on the other hand, compatible, from a chemical point of view. both with the armature and with the glaze, makes it possible to obtain a capacitor whose armatures are electrically sound.
If the glaze was applied directly to the metal reinforcement of the capacitor, its melting during heating would cause this reinforcement to dissolve, move or otherwise react to the glaze component, which would lead to a defective capacitor of absolutely unpredictable capacitance. The use of a crystallizable buffer layer which remains in the molten state for a very short time reduces the time during which the metal can be put into solution,
move or combine in any other way with. adjacent materials.
In addition, heating the unit after application of the second reinforcement has been found to promote volatilization of the organic constituents of the already applied layers and, moreover, more;
allowed the reinforcements to weld to the first buffer layer and the dielectric, and the terminals to weld to the substrate before the second buffer layer and -glaze were applied, = further reducing the possibilities for displacement armature and terminals.
The fi-. 7 shows an unpolarized and sealed capacitor of the present invention, intended to be integrated into a microcircuit. Only the terminals of the condenser emerge from the glaze. The following example typically illustrates the present invention. An enamelled alumina support, 0.76 mm thick, suitable for forming a micro-glass, was available. circuit.
We first prepared a dough, in. melan = giant 70% by weight of finely pulverized crystallizable glass - of the type given in Example 1 of Table I - above, the grain size being less than 10 microns,
and 30% by weight of American turpentine for wetting the glass particles for application to the silk screen.
The capacitor armature material was prepared by mixing about 70% by weight of finely powdered gold, the grain size being about 1 micron or less.
with about 30% by weight of American turpentine to form a second viscous mixture.
A third paste, intended for the glaze, was prepared by mixing 701% by weight of glass particles of the type given in Example 1 of Table II above, having a size such that they could pass through 1. 23 'silk screen (Afnor standard)
and 30% by weight of American turpentine.
The first buffer layer, slightly larger in size than the frames and formed from the first paste, was applied to the alumina support by means of a 21 silk screen.
A first reinforcement formed with the second paste was then applied by means of a 16 silk screen over the buffer layer, so that only the terminal of the reinforcement protruded over the first layer. An electric layer formed with the first paste was then applied by means of a 21 silk screen, covering all the reinforcement except the terminal, followed by a second reinforcement of the capacitor, applied by means of 'a 16 silk screen on the dielectric layer.
Only the two terminals of the reinforcements protruded from the dielectric layer.
The unit thus formed was placed in an oven and heated for 3.5 minutes at 925 ° C so that the organic constituents volatilized and at least crystallization of the buffer and dielectric layers began. After cooling, a second buffer layer was deposited on the free surface of the second frame. This layer was made of the same material and applied in the same way as the first buffer layer.
The entire unit, except the terminals, was covered with a glaze material, applied using a 23 silk screen. The article was then heated for 12 min at 9251 ° C. to volatilize. the organic constituents of the last layers applied, complete the crystallization of the first buffer and dielectric layers, and crystallize the second buffer layer, insofar as these layers were crystallizable. The surface layer formed, by melting, a tight coating for the capacitor.
On the baked part, the buffer layer interposed between the first armature of the capacitor and the support had a thickness of about 0.012 mm and a coefficient of thermal expansion of about 80 X 10-7 / 0 C which was precisely that of the dielectric layer, the thickness of which was 0.025 mm.
The capacitance of the resulting capacitor was 100 picofarads. It was established that the value of the capacitance was independent of the direction of the voltage applied to the terminals of the capacitor and that its sensitivity to voltage fluctuations was low.