CH351301A - Method for producing thin coatings extending through holes in one or more bodies - Google Patents

Method for producing thin coatings extending through holes in one or more bodies

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CH351301A
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bodies
cores
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Schlaeppi Hans
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Ibm
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/01Selective coating, e.g. pattern coating, without pre-treatment of the material to be coated

Description

  

  Verfahren zum Erzeugen von durch Löcher in einem oder mehreren Körpern hindurch  sich erstreckenden     dünnen    Belägen    Das vorliegende Verfahren dient zum Erzeugen  von durch Löcher in einem oder mehreren Körpern  hindurch sich erstreckenden, dünnen Belägen.  



  Als Anwendungsbeispiel sei eine Verdrahtung  genannt, bei welcher ringförmige Körper aus     ferro-          magnetischem    Material (im folgenden kurz Magnet  kerne genannt) unter sich und mit anderen Schalt  elementen mittels durch ihre Öffnungen geführter  elektrischer Stromleiter verbunden sind. Ein wich  tiger Spezialfall hiervon sind matrixähnliche Anord  nungen aus Magnetkernen, wie sie als Speicher in  digitalen Rechenmaschinen verwendet werden. Ein  Ausführungsbeispiel einer solchen Speicheranordnung  ist beschrieben in J. A.     Rajchma:     A     Myriabit        Magne-          tic-Core    Matrix     Memory ,        Proc.    1. R.

   E.     October     1953.  



  Die bisher zur Verdrahtung von solchen Magnet  kernmatrizen verwendeten Verfahren lehnen sich alle  mehr oder weniger an die in der Textilindustrie  üblichen an. Sie bringen vor allem den grossen Nach  teil produktionstechnischer Art mit sich, dass sie sich  nur sehr schwer oder gar nicht zur Automatisierung  eignen. Gemäss einem bekannten Verfahren werden  die zu einer Speichermatrix zu verdrahtenden Magnet  kerne in eine Montagelehre eingeführt und mittels  derselben in der gewünschten     '.Matrixanordnung    fest  gehalten, und zwar so, dass die in den einzelnen  Kernen befindlichen Öffnungen frei zugänglich blei  ben.

   Jeder durch die Kerne zu führende Draht wird  in eine lange, hohle Nadel eingezogen, welche einer  Injektionsnadel gleicht und diese wird durch die  Öffnung der auf den Draht aufzureihenden Kerne  gefädelt und schliesslich vom Draht abgezogen.  



  Es liegt auf der Hand, dass diese Methode sehr  zeitraubend und infolge des grossen Aufwandes an  Handarbeit kostspielig ist. Ein weiterer Nachteil    liegt in der Notwendigkeit, sämtliche in einem Ar  beitsgang mit ein und demselben Draht zu durch  ziehenden Kerne so anzuordnen, dass ihre Öffnungen  in einer Linie liegen, und dass ihre in Durchstich  richtung dargebotenen     öffnungsflächenmindestens     gleich dem Querschnitt der Nadel sind.  



  Die Verdrahtung spezieller, sogenannter höher  dimensionaler Speichermatrizen, bei denen die Win  kel zwischen den ein und denselben Kern durch  stossenden Drähten     unvermeidlicherweise    einen be  stimmten Wert überschreiten, wird bei Verwendung  von gesteckten Drähten schlechterdings     verunmög-          licht.     



  Das Verfahren nach vorliegender     Erfindung    ver  meidet die genannten Nachteile und hat vor allem  das Ziel die     Anbringung    dünner Beläge, vorzugs  weise schichtförmiger Leiter durch beliebig geformte  Öffnungen in Körpern in einem automatischen       Serienherstellungsprozess    zu ermöglichen, und somit  Vorteile der Technik der gedruckten Schaltungen  auszunützen.  



  Ein weiteres Ziel ist die     Schaffung    eines Ver  fahrens, welches die zeichnungsgetreue Verlegung  auch     komplizierter    Leitungen ermöglicht und eine  reproduzierbare Verdrahtung ergibt, das heisst eine  definierte und nicht veränderliche Verteilung von  Streukapazitäten und     Streuinduktivitäten.     



  Ein weiteres Ziel ist die Schaffung eines Verfah  rens, welches eine denkbar dichte Packung 'von  Leitern und Isolatoren an Stellen beschränkten  Platzes, z. B.     in        Öffnungen    von Körpern, ermöglicht.  



  Ein weiteres Ziel ist es, ein     Verfahren    zu schaf  fen, mittels welchem in ein und demselben Arbeits  gang oder in kurz aufeinanderfolgenden Arbeits  gängen ausser den elektrischen Leitern auch isolie  rende Zwischenschichten sowie zusätzliche Schalt-           elemente    vorzugsweise unter Heranziehung der Ruf  dampf- oder     Kathodenzerstäubungstechnik    angebracht  werden können.  



  Eine Möglichkeit besteht beim vorliegenden Ver  fahren in der     Anbringung    von mehreren leitenden  oder isolierenden Schichten     übereinander    derart, dass  mehrere sich in gleicher oder verschiedener Richtung  erstreckende Schichten dieselbe Öffnung durch  dringen.  



  Das vorliegende Verfahren stützt sich auf die  im wesentlichen geradlinige Bewegung von Partikeln  im luftverdünnten Raum über Distanzen, die relativ  klein sind gegenüber ihrer freien Weglänge. Diese  geradlinige     Fortpflanzung    des     Partikelstrahl.es    wird  dazu benützt, um die Aussparungen einer Maske auf  die Wände der Löcher in einem oder mehreren Kör  pern oder auf einen Trägerkörper      abzubilden .     



  Gemäss dem Grundgedanken der Erfindung wird  der oder die mit Löchern versehenen Körper mit  mindestens einer mit Aussparungen versehenen Ab  deckmaske überdeckt und einer Quelle, welche im  wesentlichen geradlinig sich bewegende Materie  partikeln aussendet, z. B. einer     Dampfstrahlquelle    im  Vakuum oder einer     Kathodenzerstäubungsquelle    aus  gesetzt, und zwar so, dass die Partikeln von genann  ter Quelle durch die Aussparungen der Maske hin  durch schräg in die Löcher eintreten, derart, dass sie  bei ihrem Auftreffen auf die Wände der Löcher oder  auf einen dazwischenliegenden Träger eine sich min  destens über die axiale Abmessung der Löcher er  streckende zusammenhängende Schicht bilden.  



  Bei einer bevorzugten Ausführungsform des er  findungsgemässen Verfahrens werden der die Löcher  aufweisende Körper und die     Dampfstrahlquelle    rela  tiv zueinander bewegt. Die dazwischen angeordnete       Abdeckmaske    kann sich hierbei entweder mit dem  Körper oder mit der Quelle mitbewegen.  



  Gemäss einer anderen Variante des erfindungs  gemässen Verfahrens findet eine linear ausgedehnte       Partikelstrahlquelle    Verwendung.  



  Bei einer Variante des erfindungsgemässen Ver  fahrens werden die aufgedampften Schichten auf gal  vanischem Weg verstärkt.  



  Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf  eine nach obengenanntem Verfahren hergestellte  Vorrichtung.  



  Bei einer solchen können z. B. die in elektro  nischen Schaltnetzwerken erforderlichen     Induktivi-          täten    oder Kapazitäten durch     Teile    der nach dem  erfindungsgemässen Verfahren aufgebrachten Leiter  schichten gebildet werden.  



  Anhand der beiliegenden Zeichnungen werden  Ausführungsmöglichkeiten des     erfindungsgemässen     Verfahrens näher erläutert.  



       Fig.    1 zeigt eine schematische Darstellung eines  Ausschnittes aus einer     Magnetkern-Speichermatrix,    in  welcher die einzelnen     Magnetkerne    in herkömmlicher  Weise mittels durchgesteckter Leiter verdrahtet sind.  



       Fig.2a    zeigt einen Schnitt durch zwei Magnet  kerne, die zur erfindungsgemässen     Anbringung    eines    durch ihre Öffnungen sich erstreckenden Leiters teil  weise in einem Träger eingebettet und von einer  Maske bedeckt sind.  



       Fig.   <I>2b</I> zeigt den Grundriss von     Fig.   <I>2a.</I>  



       Fig.3    zeigt einen     Fig.2    entsprechenden Schnitt  und versinnbildlicht zwei Arbeitsvorgänge, die nach  einander ausgeführt, eine durch eine Kernöffnung  sich erstreckende bandförmige Schicht liefern.  



       Fig.4    veranschaulicht eine Variante des erfin  dungsgemässen Verfahrens, bei dem der Einfalls  winkel des Dampfstrahles während des     Aufdampf-          vorganges    stetig variiert wird.  



       Fig.    5 veranschaulicht eine Variante des erfin  dungsgemässen Verfahrens unter Verwendung einer  linear ausgedehnten Dampfquelle.  



       Fig.6    zeigt eine räumlich     auseinandergezogene     Darstellung einer nach dem erfindungsgemässen  Verfahren hergestellten Matrix von vier Magnet  kernen.  



       Fig.7    zeigt einen stark vergrösserten Schnitt  durch einen Magnetkern, in welchem drei Strom  leiter und zwei Isolierschichten nach dem erfindungs  gemässen Verfahren angebracht wurden.  



       Fig.8    zeigt aufgedampfte Widerstände in einer  nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellten  Leiterschicht.  



       Fig.    9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für  die erfindungsgemässe Erzeugung eines Leiters, wel  cher mehrere in ein und demselben Körper ange  brachte Öffnungen durchläuft.  



       Fig.        10u,    b, c sind zwei Schnitte bzw. ein Grund  riss zur Veranschaulichung von Form und Wirkungs  weise einer speziellen, zur Durchführung des erfin  dungsgemässen Verfahrens verwendeten     Abdeck-          maske.     



  Bei einer in herkömmlicher Art hergestellten       Magnetkern-Speichermatrix,    wie sie in     Fig.    1 ver  anschaulicht ist, hängen die einzelnen Kerne an  den Kreuzungspunkten der horizontalen Drähte 11       resp.    11' mit den     vertikalen    Drähten 12 bzw. 12'.  Ausserdem ist eine zusätzliche Leitung 13 diagonal  durch die Kernmatrix hindurchgezogen.  



  Bei der Anwendung des Verfahrens nach vor  liegender Erfindung werden bei     matrizenförmiger    An  ordnung von Kernen, selbige in einem Träger be  festigt, welcher     zweckmässigerweise    auch die nach  dem     Aufdampfverfahren    hergestellten Schicht- oder  bandförmigen Leiter trägt. Als Träger kann bei  spielsweise     eine        Kunstharzplatte    15 verwendet wer  den, in welche die Kerne teilweise eingelassen sind,  und zwar so tief, dass die ebene Oberfläche der       Kunstharzplatte    sich durch jede Kernöffnung hin  durch erstreckt, wie dies in     Fig.    2a gezeigt ist.

   Die       Kunstharzplatte    15 sei im folgenden als Schicht  träger bezeichnet. Über die Kerne 14     resp.    14' ist  eine Maske 16 gelegt, die beispielsweise aus Alu  miniumblech bestehen kann. Die Anordnung ist in       Fig.2b    im Grundriss nochmals dargestellt. Dort ist  .ersichtlich, dass die Maske 16 Schlitze 19 besitzt,  die der Breite des aufzudampfenden Leiters ent-      sprechen. In     Fig.    2a ist mit 17 die Einfallsrichtung  der von der     Metalldampfquelle    (nicht gezeigt) aus  gesandten Dampfpartikel angedeutet.

   Wenn der Ab  stand zwischen Dampfquelle und Maske beträchtlich  kleiner ist als die dem herrschenden Druck entspre  chende mittlere freie Weglänge der Dampfpartikel,  so ist deren Bewegung im wesentlichen geradlinig.  



  Die Parallelrichtung des     Partikelstrahlenbündels     kann z. B. dadurch erreicht werden, dass die Dampf  quelle in genügendem Abstand vom Schichtträger  angeordnet wird, oder aber durch Verwendung von  Blenden und oder Leitblechen im Strahlengang.  



  Durch eine geeignete     Anbringung    der     Metall-          dampfquelle    relativ zu dem mit der Maske 16     ver-          sehenen    Schichtträger 15 kann erreicht werden, dass  die Dampfpartikel schiefwinklig auf die Maske 16  auftreffen, -und zwar so, dass die Einfallsebene senk  recht zur Maske steht und durch die Schlitze 19  hindurchgeht.  



  Dies bewirkt, dass die durch den Strahl     erzeugten      Bilder  der Maskenschlitze 19 nicht lotrecht unter  diesen, sondern gemäss der Einfallsrichtung des  Strahles schräg versetzt auf der     Schichtträgerober-          fläche    entstehen. Wenn die relative Lage der Öffnun  gen der Kerne 14, 14' einerseits und der Schlitze  19 anderseits den     Fig.2a    und 2b entspricht, wird  das gebildete Teilstück der Schicht 18 teilweise  innerhalb der Kernöffnungen liegen.  



  Die Ergänzung des schichtförmigen Leiters er  folgt dadurch, dass man den Schichtträger 15 (allen  falls samt der Maske 16)     koplanar    um 180  dreht  und den     Aufdampfprozess    wiederholt. In     Fig.    3 ist als       äquivalente    Lösung gezeigt, dass statt des Schicht  trägers 15 die Dampfquelle um eine     Normale    zur       Schichtträgeroberfläche    um 180  gedreht wird. Man  ersieht, dass sich die Teilschichten 18 überlappen  und einen durchgehenden Leiter bilden.  



  In     Fig.    3 ist auch ersichtlich, dass die Blenden  stege der Breite k die Oberfläche der Kerne 14, 14'  gegen die einfallenden Partikel abschirmen, so dass  sich auf der Oberfläche der Kerne praktisch kein  Niederschlag bildet. Dies ist von Bedeutung, da eine  den Kern umschliessende, leitende Schicht eine Kurz  schlusswindung darstellen würde.  



  Dank der wirksamen Abschirmung durch die  Maske ist das Verhältnis der     Belegungsdicke    an  den erwünschten zu der an den unerwünschten Stellen  so hoch, dass eine allfällige völlige Reinigung durch       Abbeizen    gelingt.  



  Man kann die aufgedampfte Schicht natürlich  nicht nur als eigentlichen Stromleiter benützen, son  dern auch als Unterlage für eine galvanisch aufzu  tragende stärkere Schicht. Dies ist .erwünscht, wenn  ein besonders niedriger Leitungswiderstand verlangt  wird.  



  Bei dem in     Fig.    3 veranschaulichten, erfindungs  gemässen Verfahren muss die Voraussetzung erfüllt  sein, dass die Schlitzlänge grösser ist als die Steg  breite k, damit die gewünschte     überlappung    tatsäch  lich eintreten kann. Dies bedingt einen grösseren    Abstand der Kerne 14 und 14' als unbedingt nötig  ist. Dieser zusätzliche Platzbedarf kann gemäss einer  in     Fig.    4 dargestellten Variante des Verfahrens be  seitigt werden.

   Hierbei wird während des     Aufdampf-          vorganges    die relative Lage von Dampfquelle aus  Richtung 17 und Schichtträger 15 stetig verändert,  und zwar so, dass die Projektion der Dampfquelle  auf den Schichtträger 15 durch die in diesem Falle  relativ kurzen Schlitze 19 der Maske 16 entlang  dem zu bildenden Schichtstreifen wandert. Man kann  die solcherart erzeugte Schicht auffassen als eine  Überlagerung von unendlich vielen     einzelnen     Bil  dern  der Schlitze 19, die einander     alle    stark über  lappen. Die     Änderung    der Einfallsrichtung kann  z. B. dadurch erfolgen, dass der Schichtträger 15  samt der Maske 16 um eine zur Einfallsebene der  Strahlen senkrechte Achse gedreht wird.  



  Das Ziel der vorstehend besprochenen Variante  kann auch dadurch erreicht werden, dass eine     faden-          förmige        Dampfquelle    20 verwendet wird, die par  allel zu den Schlitzen 19 in der Maske 16 ist, wie       Fig.    5 zeigt. Die Länge der Quelle 20 und ihre An  ordnung relativ zum Schichtträger muss so gewählt  werden, dass sich ihre durch die einzelnen Schlitze  19 erzeugten      Bilder     auf dem Schichtträger 15 ge  nügend überlappen.  



       Fig.    6 zeigt in     auseinandergezogener    Darstellung  einen vier Kerne enthaltenden Ausschnitt aus einer  Speichermatrix mit mehreren nach vorliegendem  Verfahren hergestellten Leitern. Die Kerne 14, 14',  14", 14"' sind zum Zwecke der Veranschaulichung  horizontal aufgeschnitten und die     Hälften    räumlich  getrennt gezeichnet. Die Trägerplatte 15, in welche  die Kerne eingebettet sind, trägt die Leiter 11  und 11', welche durch die Kerne 14, 14" bzw.  14' und 14"' hindurchgehen. Die Leiter 12 und 12'  verlaufen durch die Kerne 14, 14' bzw. die Kerne  14" und 14'. Der auf der Trägerschicht 21 auf  gedampfte Leiter 13 durchdringt der Reihe nach die  Kerne 14", 14"', 14 und 14'.

   Die zum Zwecke der  Veranschaulichung als verhältnismässig dick und  räumlich ausgedehnt gezeichneten Schichtträger 20  und 21 können auch als hinsichtlich ihrer     Fläche     begrenzte, dünne, isolierende Zwischenschichten aus  geführt sein, welche gleichfalls nach dem' erfindungs  gemässen Verfahren hergestellt werden. Zu diesem  Zwecke kann auf an sich bekannte Weise ein Mate  rial mit sehr geringem Leitwert, wie z. B. Silizium  oxyd oder     Thoriumfluorid    gegebenenfalls unter Ver  wendung einer Maske -mit geeigneten Aussparungen  in solcher Dicke aufgedampft werden, dass die er  forderliche Isolation zwischen den übereinander  liegenden Teilen der Leiter 11, 11', 12, 12' und 13  gewährleistet wird.  



  Der platzsparende Aufbau und die dichte     Pak-          kungsmöglichkeit    bei einer nach dem erfindungsge  mässen Verfahren hergestellten Verdrahtung ist in       Fig.    7 in stark vergrössertem Massstab veranschaulicht.  Der Magnetkern 14, der in der Grundplatte 15  eingebettet ist, wird von drei leitenden Schichten 11,      12, 13 durchzogen, welche durch die isolierenden  Schichten 20 bzw. 21 voneinander getrennt sind. Die  Leiter 11 und 13 können, gleich wie im Ausfüh  rungsbeispiel nach     Fig.    6, verschiedenen Stromkreisen  angehören, während z. B. der Leiter 12 eine Ab  schirmung darstellen kann.

   Die Dicke der Schichten  11, 12, 13, 20, 21 ist zum Zwecke der zeichnerischen  Verdeutlichung zu gross im     Verhältnis    zum Kern  durchmesser angegeben, so dass die tatsächlichen Ver  hältnisse noch günstiger liegen.  



       Fig.8    veranschaulicht in perspektivischer An  sicht die     Anbringung    von Widerstandselementen 23  in einer nach dem Verfahren hergestellten     Ver-          drahtung,    welche hier durch die Leiterstücke 22, 22'  und 22" versinnbildlicht ist. Die Widerstandselemente  23 können entweder nach einem herkömmlichen Ver  fahren auf der Grundplatte oder dem Schichtträger  20 aufgebracht, oder aber     zweckmässigerweise    unter  Verwendung einer Maske mit geeigneten Aussparun  gen aufgedampft oder aufgestäubt werden.  



       Fig.9    dient der Veranschaulichung eines ande  ren, nach dem erfindungsgemässen Verfahren her  gestellten Produktes. Der Körper 25 ist in der bei  spielsmässigen     Ausführungsform    mit vier Löchern 24,  24', 24", 24"' versehen. Diese Löcher sind von  unabhängigen, verschiedenen Stromkreisen angehöri  gen Leitern 27, 28, 29 und 30 durchzogen, die  teils auf der Vorderseite, teils auf der Rückseite des  Körpers 25 verlaufen. Im Gegensatz zu der in     Fig.    6  veranschaulichten Ausführungsform sind hier die  Leiter nicht auf einem separaten Schichtträger, son  dern bei 27a, 28a usw. direkt auf den Wänden der  Löcher 24, 24', 24", 24"' im Grundkörper 25 auf  gebracht, von welchem angenommen sei, dass er zu  reichendes Isolationsvermögen besitzt.

   Die     Auf-          dampfung    der auf der Vorderseite und Rückseite  des Körpers 25 verlaufenden Leiterstücke erfolgt  in aufeinanderfolgenden Arbeitsgängen oder im glei  chen Arbeitsgang dadurch, dass die     Bedampfung    von  beiden Seiten her gleichzeitig geschieht, nachdem  der Körper 25 auf beiden Seiten mit .einer entspre  chenden     Abdeckmaske    versehen worden war. Die  in den Löchern verlaufenden Leiterabschnitte (z. B.

    27a und 28a) werden in der oben beschriebenen  Weise durch     überlappung    zweier durch     Bedampfung     von der     Vorder-    und der Rückseite der Löcher her  erzeugten     Streifen    zu unterbrechungslosen Leitern  gemacht.  



       Fig.    10a, b, c veranschaulichen in zwei Schnitten  und einem Grundriss eine spezielle, zur Verwendung  bei dem erfindungsgemässen Verfahren entwickelte  Maske, welche im Gegensatz zu den im obigen  erläuterten     Ausführungsformen    dazu bestimmt ist,  direkt auf den Schichtträger 15 gelegt zu werden.  Die Maske 16 besteht aus zwei gegeneinander ver  schiebbaren Teilen 16a und 16b, um     einerseits    über  die im Schichtträger 15 eingebetteten Kerne 14, 14'  gelegt werden zu können (die Teile 16a und 16b  sind hierbei teilweise übereinander geschoben) und  anderseits ein     Hineingreifen    in die Öffnungen der    Kerne 14 und 14' zu ermöglichen.

   Die Maskenteile  16a und 16b sind pro Kern mit je zwei lotrechten  Lappen 26a und 26b versehen, welche dazu dienen,  die auf den Kernen selbst sich bildenden Nieder  schläge so zu begrenzen, dass keine     Kurzschluss-          windungen    entstehen können.  



  In der beispielsweisen Ausführungsform sind die  Maskenteile noch zusätzlich mit kleinen Lappen 27  versehen, um die Stossfugen abzuschirmen, welche  innerhalb der Kernöffnungen zwischen den beiden       aneinandergeschobenen    Maskenteilen 16a und 16b  entstehen.  



  Das bei vorliegender Erfindung vorzugsweise     be-          nutzte    Aufdampfen im Vakuum bietet gegenüber  anderen Methoden zur Aufbringung von dünnen       Schichten        (Kathodenzerstäubung,    Spritzverfahren,       Stäubungsverfahren)    den Vorteil einer schärferen  Abbildung der Aussparungen der Maske sowie eines  besseren     Haftens    der gebildeten Schicht auf der  Unterlage.



  Method for producing thin coatings extending through holes in one or more bodies The present method is used for producing thin coatings extending through holes in one or more bodies.



  A wiring example may be mentioned in which ring-shaped bodies made of ferromagnetic material (hereinafter referred to as magnetic cores for short) are connected to one another and to other switching elements by means of electrical conductors guided through their openings. An important special case of this are matrix-like arrangements made up of magnetic cores, such as those used as memories in digital calculating machines. An exemplary embodiment of such a memory arrangement is described in J. A. Rajchma: A Myriabit Magnetic-Core Matrix Memory, Proc. 1st R.

   E. October 1953.



  The methods previously used for wiring such magnetic core matrices are all more or less based on the usual in the textile industry. Above all, they have the major disadvantage of a production-related nature that they are very difficult or not at all suitable for automation. According to a known method, the magnetic cores to be wired to form a memory matrix are inserted into an assembly jig and held firmly in the desired matrix arrangement by means of the same, in such a way that the openings in the individual cores remain freely accessible.

   Each wire to be passed through the cores is drawn into a long, hollow needle, which is similar to an injection needle and this is threaded through the opening of the cores to be lined up on the wire and finally pulled off the wire.



  It is obvious that this method is very time-consuming and costly due to the great amount of manual labor. Another disadvantage is the need to arrange all cores to be pulled through in one operation with one and the same wire so that their openings are in a line and that their opening areas presented in the piercing direction are at least equal to the cross section of the needle.



  The wiring of special, so-called higher-dimensional memory matrices, in which the angles between the one and the same core inevitably exceed a certain value due to the butting wires, is absolutely impossible when using inserted wires.



  The method according to the present invention avoids the mentioned disadvantages and has the main aim of applying thin coverings, preferably as layer-shaped conductors through any shaped openings in bodies in an automatic series production process, and thus to take advantage of the technology of printed circuits.



  Another aim is to create a process that enables even complicated lines to be laid true to the drawing and results in reproducible wiring, that is, a defined and unchangeable distribution of stray capacitances and stray inductances.



  Another goal is to create a procedural rens, which a very tight packing 'of conductors and insulators in places of limited space, z. B. in openings of bodies.



  Another aim is to create a method by means of which, in one and the same work step or in short successive work steps, insulating intermediate layers and additional switching elements are attached in addition to the electrical conductors, preferably using the Ruf vapor or cathode sputtering technology can.



  One possibility in the present method is to apply several conductive or insulating layers one on top of the other in such a way that several layers extending in the same or different directions penetrate the same opening.



  The present method is based on the essentially rectilinear movement of particles in the air-diluted space over distances which are relatively small compared to their free path. This rectilinear propagation of the particle beam is used to map the recesses of a mask onto the walls of the holes in one or more bodies or onto a carrier body.



  According to the basic concept of the invention, the body or bodies provided with holes is covered with at least one recessed cover mask from and a source which essentially sends out material moving in a straight line, for. B. a steam jet source in a vacuum or a cathodic sputtering source set, in such a way that the particles of genann ter source through the recesses of the mask through obliquely into the holes, so that they hit the walls of the holes or on an intermediate carrier a min least on the axial dimension of the holes he form stretching cohesive layer.



  In a preferred embodiment of the method according to the invention, the body having the holes and the steam jet source are moved relative to one another. The cover mask arranged in between can move either with the body or with the source.



  According to another variant of the method according to the invention, a linearly extended particle beam source is used.



  In a variant of the method according to the invention, the vapor-deposited layers are reinforced by galvanic means.



  The present invention also relates to a device made by the above method.



  In such, for. B. the inductivities or capacitances required in electronic switching networks are formed by parts of the conductor layers applied by the method according to the invention.



  Possible embodiments of the method according to the invention are explained in more detail with the aid of the accompanying drawings.



       1 shows a schematic representation of a section from a magnetic core memory matrix in which the individual magnetic cores are conventionally wired by means of inserted conductors.



       2a shows a section through two magnetic cores which, for the inventive attachment of a conductor extending through their openings, are partially embedded in a carrier and covered by a mask.



       Fig. <I> 2b </I> shows the floor plan of Fig. <I> 2a. </I>



       FIG. 3 shows a section corresponding to FIG. 2 and symbolizes two work processes which, carried out one after the other, produce a band-shaped layer extending through a core opening.



       4 illustrates a variant of the method according to the invention, in which the angle of incidence of the steam jet is continuously varied during the vapor deposition process.



       Fig. 5 illustrates a variant of the inventive method using a linearly expanded steam source.



       6 shows a spatially exploded view of a matrix of four magnetic cores produced by the method according to the invention.



       7 shows a greatly enlarged section through a magnetic core in which three current conductors and two insulating layers have been attached according to the method according to the invention.



       FIG. 8 shows vapor-deposited resistors in a conductor layer produced by the method according to the invention.



       Fig. 9 shows a further embodiment for the inventive production of a conductor, wel cher passes through several openings placed in one and the same body.



       10u, b, c are two sections or a basic plan to illustrate the form and action of a special cover mask used to carry out the method according to the invention.



  In a conventionally manufactured magnetic core memory matrix, as it is illustrated ver in Fig. 1, the individual cores depend on the crossing points of the horizontal wires 11, respectively. 11 'with the vertical wires 12 and 12'. In addition, an additional line 13 is drawn diagonally through the core matrix.



  When using the method according to the present invention, in a matrix-shaped arrangement of cores, the same are fastened in a carrier which also expediently carries the layer or ribbon-shaped conductors produced by the vapor deposition process. A synthetic resin plate 15 can be used as the carrier, for example, in which the cores are partially embedded, namely so deep that the flat surface of the synthetic resin plate extends through each core opening, as shown in FIG. 2a.

   The synthetic resin plate 15 is referred to below as a layer carrier. About the cores 14, respectively. 14 'a mask 16 is placed, which can consist of aluminum sheet metal, for example. The arrangement is shown again in the plan in Fig. 2b. It can be seen there that the mask 16 has slots 19 which correspond to the width of the conductor to be vapor deposited. In Fig. 2a, 17 indicates the direction of incidence of the vapor particles sent from the metal vapor source (not shown).

   If the stand between the steam source and the mask is considerably smaller than the mean free path of the steam particles corresponding to the prevailing pressure, their movement is essentially straight.



  The parallel direction of the particle beam can, for. B. can be achieved that the steam source is arranged at a sufficient distance from the substrate, or by using screens and / or baffles in the beam path.



  By suitably attaching the metal vapor source relative to the layer carrier 15 provided with the mask 16, it can be achieved that the vapor particles strike the mask 16 at an oblique angle, namely in such a way that the plane of incidence is perpendicular to the mask and through the Slots 19 therethrough.



  This has the effect that the images of the mask slits 19 generated by the beam are not created vertically below them, but rather offset obliquely on the layer carrier surface according to the direction of incidence of the beam. If the relative position of the openings of the cores 14, 14 'on the one hand and of the slots 19 on the other hand corresponds to FIGS. 2a and 2b, the portion of the layer 18 formed will lie partially within the core openings.



  The layered conductor is supplemented by rotating the layer carrier 15 (if necessary including the mask 16) coplanar by 180 and repeating the vapor deposition process. In Fig. 3 it is shown as an equivalent solution that instead of the layer carrier 15, the steam source is rotated 180 about a normal to the layer carrier surface. It can be seen that the partial layers 18 overlap and form a continuous conductor.



  In FIG. 3 it can also be seen that the diaphragm webs of width k shield the surface of the cores 14, 14 'from the incident particles, so that practically no precipitate forms on the surface of the cores. This is important because a conductive layer surrounding the core would represent a short-circuit turn.



  Thanks to the effective shielding provided by the mask, the ratio of the thickness of the covering at the desired to that at the undesired areas is so high that complete cleaning by stripping is possible.



  The vapor-deposited layer can of course not only be used as an actual conductor, but also as a base for a thicker layer to be galvanically applied. This is desirable when a particularly low line resistance is required.



  In the method according to the invention illustrated in FIG. 3, the prerequisite must be met that the slot length is greater than the web width k, so that the desired overlap can actually occur. This requires a greater spacing between the cores 14 and 14 'than is absolutely necessary. This additional space requirement can be eliminated according to a variant of the method shown in FIG.

   Here, during the vapor deposition process, the relative position of the vapor source from direction 17 and layer carrier 15 is continuously changed in such a way that the projection of the steam source onto the layer carrier 15 through the in this case relatively short slots 19 of the mask 16 along the Layer strips migrate. The layer produced in this way can be viewed as a superposition of an infinite number of individual images of the slots 19, all of which overlap strongly. The change in the direction of incidence can, for. B. be done in that the support 15 together with the mask 16 is rotated about an axis perpendicular to the plane of incidence of the rays.



  The aim of the variant discussed above can also be achieved in that a thread-like steam source 20 is used which is parallel to the slits 19 in the mask 16, as FIG. 5 shows. The length of the source 20 and its arrangement relative to the layer support must be chosen so that the images generated by the individual slits 19 on the layer support 15 overlap sufficiently.



       6 shows, in an exploded view, a section containing four cores from a memory matrix with a plurality of conductors produced according to the present method. The cores 14, 14 ', 14 ", 14"' are cut open horizontally for the purpose of illustration and the halves are drawn spatially separated. The carrier plate 15, in which the cores are embedded, carries the conductors 11 and 11 'which pass through the cores 14, 14 "and 14' and 14" '. The conductors 12 and 12 'run through the cores 14, 14' or the cores 14 "and 14 '. The conductor 13 vaporized on the carrier layer 21 penetrates the cores 14", 14 "', 14 and 14 'one after the other. .

   For the purpose of illustration as relatively thick and spatially extended layer carriers 20 and 21 can also be designed as thin, insulating intermediate layers limited in terms of their area, which are also produced by the 'fiction, according to method. For this purpose, a mate rial with very low conductance, such as. B. silicon oxide or thorium fluoride optionally using a mask-with suitable recesses in such a thickness that the necessary insulation between the superimposed parts of the conductors 11, 11 ', 12, 12' and 13 is guaranteed.



  The space-saving structure and the possibility of tight packing in the case of wiring produced according to the method according to the invention is illustrated in FIG. 7 on a greatly enlarged scale. The magnetic core 14, which is embedded in the base plate 15, is traversed by three conductive layers 11, 12, 13, which are separated from one another by the insulating layers 20 and 21, respectively. The conductors 11 and 13 can, as in the Ausfüh approximately example according to FIG. 6, belong to different circuits, while z. B. the conductor 12 can represent a shield from.

   The thickness of the layers 11, 12, 13, 20, 21 is given too large in relation to the core diameter for the purpose of graphic clarification, so that the actual ratios are even more favorable.



       8 illustrates in a perspective view the attachment of resistance elements 23 in wiring produced according to the method, which is symbolized here by the conductor pieces 22, 22 'and 22 ″. The resistance elements 23 can either go according to a conventional method on the Base plate or the substrate 20 applied, or expediently vaporized or dusted conditions using a mask with suitable Aussparun.



       FIG. 9 serves to illustrate another product produced by the method according to the invention. The body 25 is provided in the embodiment with four holes 24, 24 ', 24 ", 24"'. These holes are traversed by independent, different circuits belonging to conductors 27, 28, 29 and 30, which run partly on the front and partly on the back of the body 25. In contrast to the embodiment illustrated in FIG. 6, here the conductors are not on a separate layer support, but rather at 27a, 28a etc. directly on the walls of the holes 24, 24 ', 24 ", 24"' in the base body 25 , of which it is assumed that he has sufficient insulation capacity.

   The vapor deposition of the conductor pieces running on the front and back of the body 25 takes place in successive work steps or in the same work step in that the vapor deposition occurs from both sides at the same time after the body 25 is provided with a corresponding masking mask on both sides had been. The conductor sections running in the holes (e.g.

    27a and 28a) are made into uninterruptible conductors in the manner described above by overlapping two strips produced by vapor deposition from the front and the rear of the holes.



       10a, b, c illustrate in two sections and a floor plan a special mask developed for use in the method according to the invention, which, in contrast to the embodiments explained above, is intended to be placed directly on the layer carrier 15. The mask 16 consists of two mutually displaceable parts 16a and 16b, on the one hand to be able to be placed over the cores 14, 14 'embedded in the layer carrier 15 (the parts 16a and 16b are partially pushed one on top of the other) and on the other hand to reach into the openings of the cores 14 and 14 'to enable.

   The mask parts 16a and 16b are each provided with two vertical tabs 26a and 26b for each core, which serve to limit the precipitation that forms on the cores themselves so that no short-circuit windings can arise.



  In the exemplary embodiment, the mask parts are additionally provided with small flaps 27 in order to shield the butt joints which arise within the core openings between the two mask parts 16a and 16b pushed together.



  The vapor deposition in a vacuum, which is preferably used in the present invention, has the advantage over other methods of applying thin layers (cathode sputtering, spraying processes, sputtering processes) of a sharper image of the cutouts in the mask and better adhesion of the layer formed on the substrate.

 

Claims (1)

PATENTANSPRÜCHE I. Verfahren zum Erzeugen von durch Löcher in einem oder mehreren Körpern hindurch sich erstrek- kenden dünnen Belägen, dadurch gekennzeichnet, dass der oder die mit genannten Löchern versehene(n) Körper mit mindestens einer mit Aussparungen ver- sehenen Abdeckmaske überdeckt und einer Quelle, welche im wesentlichen geradlinig sich bewegende Materiepartikeln aussendet, vorzugsweise einer Dampfstrahlquelle im Vakuum, ausgesetzt wird (wer den), und zwar so, dass die Partikel durch die Aus sparungen der Maske hindurch schräg in die Löcher eintreten, derart, PATENT CLAIMS I. A method for producing thin coatings extending through holes in one or more bodies, characterized in that the body or bodies provided with said holes covers with at least one cover mask provided with recesses and a source which emits material particles moving in a straight line, preferably a steam jet source in a vacuum, is exposed to, in such a way that the particles enter the holes obliquely through the recesses of the mask, in such a way that dass sie bei ihrem Auftreffen auf die Wände der Löcher oder auf einen dazwischen liegenden Träger eine sich mindestens über die axiale Abmessung der Löcher erstreckende zusammenhän gende Schicht bilden. 1I. Vorrichtung, hergestellt nach dem Verfahren nach Patentanspruch 1. UNTERANSPRÜCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der (die) mit einer Schicht zu bedeckende(n) Körper undoder genannte Maske(n) und/oder die Quelle während der Aussendung der Materiepartikel relativ zueinander bewegt werden. 2. that when they strike the walls of the holes or an intermediate carrier, they form a cohesive layer extending at least over the axial dimension of the holes. 1I. Device manufactured by the method according to claim 1. SUBClaims 1. Method according to claim 1, characterized in that the body (s) to be covered with a layer and or said mask (s) and / or the source during the emission of the Particles of matter are moved relative to each other. 2. Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass als Dampfstrahlquelle eine linear ausgedehnte Quelle verwendet wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Form der Aussparungen der Maske so gewählt wird, dass beim Aufdampfen von leitendem Material ausser den durch die Löcher gehenden Leiterschichten noch weitere Schaltverbin dungen und verteilte Induktivitäten und..'oder Kapa zitäten bildende Leiterschichten erzeugt werden. 4. Verfahren nach Patentanspruch I und Unter ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die durch Aufdampfen hergestellten leitenden Schich ten auf galvanischem Weg verstärkt werden. 5. Method according to claim I, characterized in that a linearly extended source is used as the steam jet source. 3. The method according to claim 1, characterized in that the shape of the recesses of the mask is chosen so that during the vapor deposition of conductive material in addition to the conductor layers passing through the holes further Schaltverbin applications and distributed inductivities and .. 'or capacities forming conductor layers be generated. 4. The method according to claim I and sub-claims 1 to 3, characterized in that the conductive layers produced by vapor deposition are reinforced by electroplating. 5. Vorrichtung nach Patentanspruch Il, da durch gekennzeichnet, dass die Öffnung(en) von meh reren, übereinanderliegenden, wechselweise isolieren den und leitenden Schichten durchdrungen werden. 6. Vorrichtung nach Patentanspruch 11, da- durch gekennzeichnet, dass mittels des gleichen Ver fahrens erzeugte elektrisch leitende Schichten, welche Schaltelemente, wie z. B. Widerstände und/oder Kon densatoren darstellen, mit den durch die Öffnungen gehenden Leiterschichten verbunden sind. Device according to patent claim II, characterized in that the opening (s) are penetrated by several superposed, alternately insulating and conductive layers. 6. The device according to claim 11, characterized in that electrically conductive layers produced by means of the same process, which switching elements, such as. B. represent resistors and / or capacitors Kon, are connected to the conductor layers passing through the openings.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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