CH331069A - Cellule électronique amplificatrice - Google Patents

Description

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 Cellule    électronique      amplificatrice   On a récemment    développé   des piles puisant leur source d'énergie dans des matières radioactives ; de telles piles ont une d'urée de fonctionnement de 5 à 15 fois supérieure à celle des piles ordinaires, à consommation journalière égale. D'autre part, l'emploi d'amplificateurs à base de matières semi-conductrices, tels que les transistors, est apprécié dans de nombreuses    applications,   en raison de leur faible volume. 



  Les volumes des piles à source radioactive et des transistors sont de l'ordre de grandeur de quelques millimètres cubes, mais le système de montage et de protection augmente considérablement les dimensions extérieures, de sorte que l'application de ces éléments, notamment dans des objets de    petit   format tels que dés montres-bracelets, présente certaines    difficultés.   



  La présente invention permet de remédier à cet inconvénient. Elle a pour objet une cellule électronique amplificatrice, qui est caractérisée en ce qu'elle comprend au moins une pile à source d'énergie radioactive qui est accouplée à au moins un amplificateur à base de matières semi-conductrices, le tout formant une seule unité, ce qui réduit le volume total dans des proportions considérables. 



  Le dessin annexé représente schématiquement, à titre d'exemple, trois formes d'exécution de l'objet de l'invention. La forme d'exécution montrée à la    fig.   1 présente une cellule    amplificatrice   munie de sa propre source d'énergie à matière radioactive R. La moitié de gauche de la figure, désignée par la lettre P, est la partie   pile   proprement dite. Elle contient une matière radioactive 1, un transformateur d'énergie constitué par une    matière   semi-conductrice 2, et une électrode de sortie 3. L'énergie électrique est donc recueillie entre les éléments 2 et 3. 



  La moitié de droite de la    fig.   1, désignée par la lettre   A     ,   représente l'amplificateur, formé dans le cas particulier par un transistor à jonction comprenant trois éléments. Ce genre d'amplificateur est mentionné à titre d'exemple et n'exclut pas tout autre dispositif à base de matières semi-conductrices. 



  Le premier élément du transistor est l'   émetteur   4. Il se trouve en contact direct avec l'électrode 3 de la pile P. Selon une variante, les éléments 3 et 4 pourraient être venus d'une seule pièce. Le trait discontinu séparant les éléments 3 et 4 indique    cette   double possibilité. La   base   5 du transistor reçoit le signal à amplifier et l'on retrouve sur le   collecteur   6 le signal amplifié. 



  La cellule montrée à la    fig.   1 représente donc un étage amplificateur autonome avec deux bornes d'entrée E, deux bornes dé sortie    S   et la source d'alimentation P. 

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 La deuxième forme d'exécution    (fig.   2) est    analogue   à celle de la    fig.   1, mais elle comprend deux ensembles pile - amplificateur accouplés à la même source d'énergie radioactive R. 



  La    fig.   3 montre une cellule électronique comprenant une seule pile P accouplée à deux    amplificateurs.      AZ   et    A2.   Il va de soi qu'on peut    réaliser   des assemblages, multiples avec un nombre non limité d'éléments. 



  L'invention permet d'augmenter considérablement la durée de marche des montres électriques ou électroniques, tout en    diminuant   le volume des piles et des systèmes amplificateurs employés. Il est toutefois bien entendu que l'invention peut s'appliquer à toute autre sorte d'appareils en général.

Claims (1)

1. REVENDICATION Cellule électronique amplificatrice, caractérisée en ce qu'elle comprend au moins une pile à source d'énergie radioactive qui est accouplée à au moins un amplificateur à base de matières semi-conductrices, le. tout formant une seule unité. SOUS-REVENDICATIONS 1. Cellule selon la revendication, caractérisée en ce que ledit amplificateur est constitué par un transistor. 2. Cellule selon la sous-revendication 1, caractérisée en ce que l'émetteur du transistor se trouve en contact direct avec l'électrode de sortie de la pile. 3.

   Cellule selon la sous-revendication 1, caractérisée en ce que l'émetteur du transistor est constitué par l'électrode de sortie de la pile. 4. Cellule selon la sous-revendication 1, dans laquelle ledit amplificateur est constitué par un transistor à jonction, caractérisée en ce que ledit amplificateur, présentant un corps semi-conducteur et des électrodes disposées sur des faces frontales opposées, respectivement sur une face latérale de ce corps, est réuni avec au moins une pile présentant un corps semi-conducteur, une source d'énergie radioactive et des électrodes de connexion,

   l'une des électrodes de connexion et la source d'énergie radioactive étant disposées sur des faces frontales opposées du corps semi-conducteur de la pile et une autre électrode de connexion sur une face latérale du corps semi-conducteur de la pile, et l'électrode de connexion prévue sur l'une des faces frontales du corps semiconducteur de la pile étant en contact direct avec le transistor à jonction et constituant un blindage du transistor à jonction contre le rayonnement radioactif. 5. Cellule selon la revendication, caractérisée en ce qu'elle comprend plusieurs ensembles pile-amplificateur accouplés à la même source d'énergie radioactive. 6. Cellule selon la revendication, caractérisée en ce qu'elle comprend plusieurs amplificateurs accouplés à la même pile.