Anordnung zur Anodenspannungsmodulation. Diese Erfindung bezieht sich auf eine An ordnung zur Anodenspannungsmodulation.
Es ist das Ziel der Erfindung, eine An ordnung zur Vermeidung von Übermodula tion eines Hochfrequenzträgers zu schaffen.
Die erfindungsgemässe Modulationsanord- nung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwecks Vermeidung einer übermodulation die Ver stärkung des Modulationsspannungsverstär- kers derart selbsttätig geregelt wird,
dass die Amplitude der in den Anodenkreis der Hoch- frequenzverstärkerstufe eingeführten Modu- lationsspannung stets kleiner bleibt als die Anodengleiehspannung der Hochfrequenzver- stärkerstufe.
Die einzige Figur zeigt ein Schaltbild einer Ausführungsform der Modulations- anordnung.
Die Modulationsanordnung kann bei einer gewöhnlichen anodenmodulierten Hochfre- quenzverstärkerstufe, die mit A bezeichnet ist, angewendet werden. An den Anodenkreis derselben ist eine Tonfrequenzquelle B über einen üblichen Tonfrequenzverstärker <B>C</B> und einen Transformator<B>10</B> angeschaltet. Die An ode der Hochlrequenzverstärkerstufe A wird mit einer Hochspannung aus der Quelle II gespeist.
Um eine übermodulation des Hochlre- quenzträgers durch die aus der Quelle B kom mende Niederfrequenz zu vermeiden, wird die Verstärkun- des Niederfrequenzverstär- C kers <B>C</B> verringert, sobald sich die Ampli tude der Modulierspannung der Spannung der Quelle H bis auf einen vorgesehenen Be trag nähert.
Solch eine Verstärkungsherab setzung wird vorzugsweise an einer der ersten Stufen des Tonfrequenzverstärkers <B>C</B> ange wendet, und in der in der Schaltung gezeig ten Form wird die Verstärkung der ersten Tonfrequenzverstärkerröhre 14 gesteuert. Die Röhre 14 ist vorzugsweise eine Pentode, die ein Steuergitter<B>16,</B> eine indirekt geheizte Kathode<B>18,</B> eine Anode 20, ein Schirmgitter und ein Fanggitter 24 hat.
Das Steuergitter<B>16</B> ist mit einer Nieder spannungsquelle L verbunden, während die Kathode<B>18</B> mit einer Niederspannungsquelle LI verbunden ist. Das Schirmgitter 22 ist mit einer Hochspannungsquelle LII verbunden, während das Fanggitter 24 mit dem Steuer gitter<B>16</B> über einen Widerstand<B>26</B> verbun den ist.
Die Anode<B>28</B> einer Diode<B>30</B> ist ebenfalls mit der Spannungsquelle L verbunden, wobei die Kathode<B>32</B> dieser Röhre ihre Heizspan- nung von einem Widerstand 34 erhält, der in der Anodenspannungszuführung zum Hoch- frequenzverstärker <B>A</B> liegt. Der Widerstand 34 ist durch eine Kapazität<B>36</B> überbrückt, uni die Wechselströme durchzulassen.
Das Clitter <B>16</B> der Röhre 14 ist mit der Anode<B>28</B> der Diode<B>30</B> über ein Glättungsnetzwerk ver bunden, während ein hoher Widerstand<B>38</B> zwischen die Spannungsquelle L einerseits und die Anode<B>28</B> und Gitter<B>16</B> anderseits geschaltet ist.
Die Wirkungsweise der Anordnung wird im folgenden beschrieben. Unter normalen Arbeitsbedingungen, wenn die tonfrequente Ausgangsspannung so ist, dass keine Gefahr einer Übermodulation vorhanden ist, werden die Spannungen L' und L an der Kathode<B>18</B> Luid resp. am Gitter<B>16</B> der> Verstärkerröhre 14 so eingestellt, dass die Röhre 14 mit voller Verstärkung arbeiten wird. Zum Beispiel wird die Spannung LI <B>53</B> Volt und die von L<B>50</B> Volt betragen.
Wenn die Spannungsquelle H ein geeignet.hohes Arbeitspotential für den Hoch- frequenzverstärker <B>A</B> hat, sagen wir<B>500</B> Volt, wird die Diode 31-10, deren Kathode<B>32</B> eben falls auf diesem hohen Potential liegt, sper ren, da ihr Anodenpotential nur<B>50</B> Volt be trägt.
Wenn jedoch die Amplitude der Modu- lationsspannung vom Verstärker<B>0</B> einen sol chen Wert annimmt, dass die negativen Span nungsspitzen an der Kathode<B>32</B> unter die Spannung an der Anode<B>28</B> fallen, oder in dem gegebenen Beispiel unter<B>50</B> Volt, was bei einer Amplitude der Modulationsspan- nung von 450 Volt der Fall ist, wird die Diode<B>30</B> leitend. Dies wird die Spannung am Gitter<B>16</B> herabsetzen und damit die Verstär kung der Tonfrequenzröhre 14 verkleinern.
Demgemäss wird die Gefahr einer Übermod-u- lation des hochfrequenten Trägers vermieden. Das Glättungsfilternetzwerk <B>D</B> zwischen der Diode<B>30</B> und dem Gitter<B>16</B> macht die -Wir kung genügend langsam, und wein-n der Wi derstand<B>38</B> genügend hoch im Vergleich zu der innern Impedanz der Diode<B>30</B> ist, wenn die letztere leitend wird, wird der Kreis eine asymmetrische Zeitkonstante haben, die die Verstärkung schnell herabsetzt und die nor male Verstärkung langsam wieder herstellt.
Die Kathode der Diode<B>30</B> wird durch einen Teil des Anodenstromes geheizt, der dem Hochfrequenzverstärker <B>A</B> zugeführt wird. Dies ist notwendig, da die Diode mit ihrer Kathode auf einer hohen Spannung ge genüber Erde arbeitet und die Verwendung eines Heiztransformators vermieden wird, der eine ungewünscht hohe Kapazität gegen Erde einführen würde, die die Sekundärwindung des Modulationstransformators <B>10</B> überbrük- ken würde.
Der Tonfrequenzverstärker könnte auch einstufig ausgebildet sein. An Stelle einer Pentode könnte eine Triode oder Tetrode vor gesehen sein. Ausserdem wäre an Stelle einer Diode<B>30</B> auch irgendein anderer Gleichrich ter verwendbar.
Arrangement for anode voltage modulation. This invention relates to an anode voltage modulation arrangement.
It is the object of the invention to provide an arrangement to avoid overmodulation of a high frequency carrier.
The modulation arrangement according to the invention is characterized in that, in order to avoid overmodulation, the amplification of the modulation voltage amplifier is regulated automatically in such a way that
that the amplitude of the modulation voltage introduced into the anode circuit of the high-frequency amplifier stage always remains smaller than the anode closing voltage of the high-frequency amplifier stage.
The single figure shows a circuit diagram of an embodiment of the modulation arrangement.
The modulation arrangement can be used in a conventional anode-modulated high-frequency amplifier stage, which is denoted by A. An audio frequency source B is connected to the anode circuit of the same via a conventional audio frequency amplifier <B> C </B> and a transformer <B> 10 </B>. The anode of the high-frequency amplifier stage A is fed with a high voltage from the source II.
In order to avoid overmodulation of the high-frequency carrier by the low frequency coming from source B, the gain of the low-frequency amplifier <B> C </B> is reduced as soon as the amplitude of the modulating voltage of the voltage of source H decreases except for a specified amount.
Such a gain reduction is preferably applied to one of the first stages of the audio frequency amplifier C, and in the form shown in the circuit the gain of the first audio frequency amplifier tube 14 is controlled. The tube 14 is preferably a pentode which has a control grid 16, an indirectly heated cathode 18, an anode 20, a screen grid and a catch grid 24.
The control grid <B> 16 </B> is connected to a low voltage source L, while the cathode <B> 18 </B> is connected to a low voltage source LI. The screen grid 22 is connected to a high voltage source LII, while the safety grid 24 is connected to the control grid <B> 16 </B> via a resistor <B> 26 </B>.
The anode <B> 28 </B> of a diode <B> 30 </B> is also connected to the voltage source L, the cathode <B> 32 </B> of this tube receiving its heating voltage from a resistor 34 , which is in the anode voltage supply to the high-frequency amplifier <B> A </B>. The resistor 34 is bridged by a capacitance <B> 36 </B> in order to let the alternating currents through.
The clitter <B> 16 </B> of the tube 14 is connected to the anode <B> 28 </B> of the diode <B> 30 </B> via a smoothing network, while a high resistance <B> 38 < / B> is connected between the voltage source L on the one hand and the anode <B> 28 </B> and grid <B> 16 </B> on the other.
The mode of operation of the arrangement is described below. Under normal working conditions, when the audio-frequency output voltage is such that there is no risk of overmodulation, the voltages L 'and L at the cathode <B> 18 </B> Luid, respectively. on the grating <B> 16 </B> of the> amplifier tube 14 so that the tube 14 will work with full gain. For example, the voltage LI will be 53 volts and that of L will be 50 volts.
If the voltage source H has a suitably high working potential for the high-frequency amplifier <B> A </B>, let's say <B> 500 </B> volts, the diode 31-10, whose cathode <B> 32 < If / B> is also at this high potential, block it, since its anode potential is only <B> 50 </B> volts.
However, if the amplitude of the modulation voltage from the amplifier <B> 0 </B> assumes such a value that the negative voltage peaks at the cathode <B> 32 </B> fall below the voltage at the anode <B> 28 </B> fall, or in the given example below <B> 50 </B> volts, which is the case with an amplitude of the modulation voltage of 450 volts, the diode <B> 30 </B> becomes conductive. This will lower the voltage on the grid 16 and thus the amplification of the audio frequency tube 14.
Accordingly, the risk of overmodulation of the high-frequency carrier is avoided. The smoothing filter network <B> D </B> between the diode <B> 30 </B> and the grid <B> 16 </B> makes the effect slow enough and there is no resistance 38 is sufficiently high compared to the internal impedance of diode 30, when the latter becomes conductive, the circuit will have an asymmetrical time constant which will decrease the gain quickly and the normal gain slowly restores.
The cathode of diode <B> 30 </B> is heated by part of the anode current that is fed to the high-frequency amplifier <B> A </B>. This is necessary because the diode works with its cathode at a high voltage compared to earth and the use of a heating transformer is avoided, which would introduce an undesirably high capacitance to earth, which bridges the secondary winding of the modulation transformer <B> 10 </B> - would ken.
The audio frequency amplifier could also be designed in one stage. Instead of a pentode, a triode or tetrode could be provided. In addition, any other rectifier could also be used instead of a diode <B> 30 </B>.