Verfahren und Einrichtung zur Erhitzung von abgegrenzten Oberflächenteilen eines Gegenstandes. Gegenstand der EH indung ist ein Ver fahren und eine Einrichtung zur Erhitzung von abgegrenzten Oberfläehenteilen eines Gegenstandes mittels Hoehfrequenz.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist da- dur,üG gekennzeichnet, dass auf dem Gegen stand zuerst eine. diesen Oberflächenteil albgrenzende und die abgegrenzte Fläche frei lassende Schutzvorrichtung aus leitendem Material angebracht und hierauf ein von I-loe,1-i#frequenzstrom durchflossenes Induktor- or-,an derart mit der Schutzvorrichtung zur Wirkung gebracht wird, dass durch die Ein- ,
virkung des Induktororganes der abge grenzte OberfUchenteil des Gegenstandes erhitzt und durch magnetische, Kopplung zwischen dem Induktororgan und der Schutz vorrichtung eine Beeinflussung der ausserhalb des abgegrenzten Teils liegenden Oberflä chenteile des Gegenstandes verhindert wird.
Mittels dieses Verfahrens können bei spielsweise Selengleichriehterscheiben behan delt werden, indem eine im Zentrum der Scheibe gelegene F läche um das Befesti- (Y n elu gsloch herum erhitzt und die Selen- sehielit dort in den amorpl-Len Zustand (Yebraclit wird.
Diese Fläche wird damit für n Gleiel-irichterzwen-lee elektrisch inaktiv gestal- t-et, ohne dass die äussere ringförmige, mit kri stallinem Selen überdeckte Fläche durch Nitze geschädigt wird.
Die erfindungsgemässe Einrichtung zur Ausübun & des Verfahrens insbesondere zur z# Erhitzung von abgegrenzten Oberflächen teilen eines Gegenstandes mittQI's Hochfre- quenz ist gekennzeichnet durch ein mit,dem Gegenstand magnetisch zu koppelndes, spu- lenförmiges und praktiAi parallel zu dem# zu erhitzenden Oberfläa'henteil verlaufendes Induktororgan zur Erzeugung eines auf :
dem OberflIchenteil einwirkenden magnetischen Feldes und durch einen durch induktive Kopplung mit dem Induktororgan zusam- menwirkenden,geschlossenen, praktisch paral lel zum genannten Oberfläehenteil verlau- ènden, diesen Teil abgrenzenden und da4 Induktororgan praktisch umgebenden Leiter, das Ganze derart, dass ein im Leiter indu-- zierter Strom einen magnetischen Fluss erzeugt,
der der radialen Ausbreitung des durch das Induktororgan erzeugten magneti schen Feldes entgegenwirkt-.
Eine praktische Ausfülirungsform dW Erfindung ist nachstehend an Hand der bei gelegten Zeichnung ausführlich beschrieben. In dieser Zeichnung zeigt: Fig. <B>1</B> eine schematische Darstellung eines Indu-ktion#sheizgerätes mit dem dazu gehörigen Abschirmring bei der Behandlung einer kreisrunden Selen-Gleielirichtersch-eibe, wobei die Scheibe und der Ring durch einen durch die Sc'heibenmittel gelegten Schnitt ,(yezeigt sind,
Fig. 2 eine perspektivisohe Darstellung e einer Ausführungsform eines spiralförmigen, mehrfach gewundenen Induktors, Fig. <B>3</B> eine perspektivische Darstellung einer GleichLrichterscheibe mit aufgelegtem Abschirmring, Fig. 4 einen Querschnitt durch eine Va riante des Schutzringes, der zur Zirkulation eines Kühlmittels ausgebildet ist, - %. <B>5</B> einen Querschnitt eines Teile einer Gleiclirichtersäule.
Die in der Zeichnung dargestellte Ein- riclitung dient zur Behandlung eines scharf abgegrenzten zentralen Teils der Oberfläche der Selenschiellt einer GleicUrichterselleibe, welcher Teil im fertigen Gleichriellter- element mit der Kontaktzone zwischen den Scheiben des Elementes zusammenfällt und als- IKontaldfläjehe bezeichnet werden soll.
Die zur Überführung der Selenschicht dieser zen tralen Kontaktf-läche in den amorphen Zu stand erforderliche Erhitzung unter scha-r- èr Abgrenzung dbr Kontaktfläche von der aktiven Selenfläclie kann durch die Verwen- duug von hochfrequenter Induktionsheizung in sehr -befriedigender Weise gelöst -werden, wobei der Heizeffekt mit.
Vorteil auf -die Oberfläche<B>-</B> und die Dirke der Schicht beschränkt wird, ohne dass die Grundplatte, unnötig erhitzt wird. Dies wurde nämlieli infolge der gewöhnlich guten WäTmeleitung solcher Grundplatten bewirken, dass, sich die Erhitzung über die erwünschte Fläche hinaus ausdehnen würde.
Die Gleichrieliterplatte besteht aus<B>-</B> der üblichen Grundplatte<B>1</B> aus Eisen oder Aluminium, auf deren Oberfläc'he die Deckselliclit aus nicht amorphem oder kristallinem Selen 2 gewöhnlich durch das Auftragen von pulverisiertem Selen und die Verbindung mit der Plattenoberfläclie durch Hitze und Druck angebracht wird.
Eine Ge- geuelektrode <B>3</B> aus<B>-</B> Wood'seliem Metall oder anderem geeignetem Material wird. dann auf die Oberfläehe des Selens aufgebracht und die Sperrschiellt elektrisch formiert. Die- Platten <B>1</B> sind in üblicher-Weise in Form einer Kreissel:
Leibe mit einer im- Zentrum angeordneten Öffnung<B>5</B> für den im geschich teten Aufbau des Gleichrichterelementes ver wendeten Pressbolzen hergestellt, wobei Kon taktrondellen<B>10</B> zur elektrischen Kontakt- gebung zwischen den einzelnen Selenschei- ben angeordnet ein.c1. Es ist nun von Vorteil, dass eine um die im Zentrum angeordnete Öffnung herum und im -wesentlichen der Flä- clie,
der Kontaktrondellen entsprechende Rand- paxtie keine Gleichriclitungseigensthaft auf weist, also iiiiaktiv ist, damit durch den Druck der Kontaktunterlagssclieiben auf die gleichrielitende Schicht keine unerwünscUte Beeinflussung der Gleichrichterwirkung her- vo,rgerufen wird.
Eine derartige inaktive Flä che kann dadurch erhalten werden, dass zunächst eine üblidhe Selenschicht aufgetra gen und dann bis zu einem solchen Grad erhitzt -wird, dass sie auf eine gewünschte Teilfläche schmilzt und in den amorphen Zustand übergeht. Dadurch wird eine ver- bessert & Kontaktfläche gebildet, indem-das Material der Gegenelektrode sich über inah- tives Material erstreckt und schädliche Druckeffekte -nicht. auftreten können.
Beim dargestellten Verfahren wird eine mit hochfrequentem Strom gespeiste Induk- torspule <B>6</B> in einem kleinen Abstand zur zu erhitzenden Selenfläche angebracht, so<I>W</I> eine magnetische Kopplung auftritt, bei der die Kra.ftlinien in einem zu der zu bearbei tenden FlIche praktisch senkrechten Ebe nenbüschel verlaufen. Die zu erhitzende Flä,- clie wird durch die zentrale, Ringfläche<B>7</B> der Selenschicht unmittelbar um die Öffnung<B>5</B> herum gebildet.
Das Induktor-Heizelement kann, wie dargestellt,<U>die</U> Form einer Ila- chen, mehrfach gewundenen, spiralförmigen Spule aus KupferroJir aufweisen und durch das Rohr kann eine Kühlflüssijeit zirku lieren. Die Anschlüsse des Induktorelemen- tes sind mit den Ausgangsklemmen eines Hocll±Teq-aenz-Oszillator,s <B>HFG</B> verbunden.
Der Süllutzring <B>8</B> besteht aus gutleitendem Material, wie Kupfer, und wird auf der Selenschielit sg angeordnet, dass er die zu erhitzende Fläche<B>7</B> abgrenzt. Der innere Durchmesser des Ringes<B>8</B> ist etwas grösser zu wähleu als der äussere Durchmesser der zu erhitzenden Fläche, da durch die Rand wirkung dieses Ring-es <B>8</B> eine schmale ring förmige, Randfläche dem erhitzenden Feld nicht ausgesetzt ist.
Wie die Fig. 4 zeigt, kann der Ring<B>8'</B> aus einem Hohlleiter bestehen, der mit Zu- und Abfülirungs- stutzen <B>9</B> zur Durchleitung eines Kühlmittels versehen ist.
Die Breite des abschirmenden Ringes ist so bemessen, dass die äussere Selenfläche gegen eine Erliitzun durch das Kraftfeld <B>9</B> ausserhalb des Ringes gesehützt wird.
Nach der Erhitzung" durch welche diese zentrale Zone der Selenschicht amorph gestaltet wird, bringt man die übliche Gegenelektrodenlegie- rung auf die ganze Selenfläche auf, wobei der zentrale Teil der Gegenelektrode<B>'</B> über dem amorphen Selen zu liegen kommt und mit Hilfe der üblichen Zwie-ehenseheiben <B>10</B> die Kontaktgabe zwischen den einzelnen Ele menten einer in Fig. <B>5</B> dargestellten Gleich- richtersä.Lile bewirkt.
Method and device for heating delimited surface parts of an object. The subject of the EH indung is a method and a device for heating delimited surface parts of an object by means of high frequency.
The method according to the invention is characterized by the fact that on the object first a. This part of the surface is bordered by a protective device made of conductive material and leaves the delimited area free, and then an inductor, through which a frequency current flows through, is brought into effect with the protective device in such a way that the input,
Effect of the inductor element, the demarcated surface part of the object is heated and the magnetic coupling between the inductor element and the protective device prevents the object from influencing the surface parts lying outside the delimited part.
Using this method, selenium alignment disks can be treated, for example, by heating a surface around the fastening hole in the center of the disk and turning the selenium oxide there into the amorphous state (yebraclite.
This surface is thus made electrically inactive for n Gleiel-irichterzwen-lee without the outer ring-shaped surface covered with crystalline selenium being damaged by niches.
The device according to the invention for practicing the method, in particular for heating delimited surface parts of an object using high frequency, is characterized by a coil-shaped and practically parallel to the surface part to be heated that is to be magnetically coupled to the object Inductor element for generating an on:
the magnetic field acting on the surface part and through a closed conductor, which interacts with the inductor member by inductive coupling, runs practically parallel to the surface part, delimits this part and practically surrounds the inductor member, the whole thing in such a way that a conductor - ornamental current generates a magnetic flux,
which counteracts the radial expansion of the magnetic field generated by the inductor element.
A practical Ausfülirungsform dW invention is described in detail below with reference to the accompanying drawing. In this drawing: Fig. 1 shows a schematic representation of an induction heater with the associated shielding ring during the treatment of a circular selenium leveling disc, the disc and the ring being through a Slice-centered section, (shown are
2 shows a perspective illustration of an embodiment of a spiral-shaped, multiply wound inductor, FIG. 3 shows a perspective illustration of a rectifier disk with a shielding ring placed thereon, FIG. 4 shows a cross section through a variant of the protection ring that is used for circulation a coolant is formed -%. <B> 5 </B> shows a cross section of part of an equilibrium column.
The device shown in the drawing is used to treat a sharply delimited central part of the surface of the selenium shell of a GleicUrichterselleibe, which part in the finished equalizer element coincides with the contact zone between the disks of the element and is to be referred to as the contour surface.
The heating required to convert the selenium layer of this central contact surface into the amorphous state, with sharp delimitation of the contact surface from the active selenium surface, can be solved in a very satisfactory manner by using high-frequency induction heating, whereby the heating effect with.
Advantage to -the surface <B> - </B> and the direction of the layer is limited without unnecessarily heating the base plate. Because of the usually good thermal conductivity of such baseplates, this would cause the heating to extend beyond the desired area.
The equal-liter plate consists of <B> - </B> the usual base plate <B> 1 </B> made of iron or aluminum, on the surface of which the cover selliclite made of non-amorphous or crystalline selenium 2 is usually made by applying powdered selenium and the connection with the plate surface is made by means of heat and pressure.
A ground electrode <B> 3 </B> made of <B> - </B> Wood'seliem metal or other suitable material is made. then applied to the surface of the selenium and the barrier is electrically formed. The plates <B> 1 </B> are in the usual way in the form of circles:
Body with an opening in the center <B> 5 </B> for the press bolt used in the layered structure of the rectifier element, with contact washers <B> 10 </B> for making electrical contact between the individual selenium sheets. ben arranged a.c1. It is now advantageous that around the opening located in the center and essentially the area,
The edge paxtie corresponding to the contact washers has no intrinsic rectification, i.e. is active, so that the pressure of the contact pad closures on the uniformity layer does not cause any undesired influence on the rectifier effect.
Such an inactive surface can be obtained by first applying a normal selenium layer and then heating it to such a degree that it melts onto a desired partial surface and changes into the amorphous state. As a result, an improved contact surface is formed in that the material of the counter electrode extends over inactive material and does not have harmful pressure effects. may occur.
In the method shown, an inductor coil <B> 6 </B> fed with high-frequency current is attached at a small distance from the selenium surface to be heated, so that a magnetic coupling occurs in which the lines of force run in a tuft of planes that is practically perpendicular to the surface to be processed. The area to be heated is formed by the central, ring area <B> 7 </B> of the selenium layer immediately around the opening <B> 5 </B>.
As shown, the inductor heating element can have the shape of a flat, multiple-wound, spiral-shaped coil made of copper tube and a cooling fluid can circulate through the tube. The connections of the inductor element are connected to the output terminals of a Hocll ± Teq-aenz oscillator, s <B> HFG </B>.
The coaming ring <B> 8 </B> consists of a highly conductive material, such as copper, and is arranged on the selenschielite so that it delimits the surface <B> 7 </B> to be heated. The inner diameter of the ring <B> 8 </B> is to be chosen somewhat larger than the outer diameter of the surface to be heated, since the edge effect of this ring <B> 8 </B> creates a narrow, ring-shaped, edge surface is not exposed to the heating field.
As FIG. 4 shows, the ring <B> 8 '</B> can consist of a waveguide which is provided with inlet and outlet connections <B> 9 </B> for the passage of a coolant.
The width of the shielding ring is dimensioned such that the outer selenium surface is protected against exposure by the force field <B> 9 </B> outside the ring.
After the heating "by means of which this central zone of the selenium layer is made amorphous, the usual counterelectrode alloy is applied to the entire selenium surface, the central part of the counterelectrode coming to lie over the amorphous selenium and with the help of the usual double washers <B> 10 </B> the contact is made between the individual elements of a rectifier line shown in FIG. 5.