CH196449A - Electrical resistance. - Google Patents

Electrical resistance.

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CH196449A
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electrical resistance
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Gloeilampenfabrieken N Philips
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Philips Nv
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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

  

  Elektrischer Widerstand.    Die Erfindung bezieht sich auf einen elek  trischen     Widerstand,    bei dem Selen den       Hauptbestandteil    bildet.  



  Selen hat     alsi    Widerstandsmaterial     ver-          achiedene    Vorzüge, so ist zum     Beispiel    sein  spezifischer Widerstand beträchtlich, da der  Stoff ein Halbleiter ist.  



  Dieses Material hat aber,     wie,es    im allge  meinen bei     Halbleitern    der Fall     ist,    einen  hoher,     und    zwar     negativen    Temperaturkoeffi  zienten für den     spezifischen        Widerstand,    was  bei verschiedenen     Anwenxlungen        solcher    Wi  derstände sehr unangenehm     ist.     



  Die     Erfindung    beruht auf .der Erkennt  nis, dass, wenn man dem Selen .gewisse Stoffe  in     bestimmten    Mengen in     feinverteiltem    Zu  stand als Zusatz     beimischt,    man ein Wider  standsmaterial erhält, dessen Temperatur  koeffizient im     Bereich    der Betriebstempera  turen, d. h. jener Temperaturen, die für die       praktische    Verwendung     des        Widerstandes    in  Frage kommen,     positiv    oder     Nullgemacht     werden kann.

      Ein     Widerstand    nach .der Erfindung eig  net sich für     eingrosses        Verwendungsgebiet,     z. B. für     Feuermeldeanlagen    und     sonstige    auf       Temperaturunterschiede    ansprechende Signal  einrichtungen. Auch     Relais,    die ein durch       Tempera:turärderung,    z. B. durch     Strom-durch-          gan.gsInderung        ansprechendes        Verzögerungs-          element    besitzen, können vorteilhaft Selen  enthalten.  



  Als     besonders    geeignet zur Verwendung  als Zusatz zu Selen     haben.    sich Kohle,     Chrom-          Oxyd        (Cr=03),        Zirkoniumogyd        (Zr0=)    und       Aluminiumazetat        erwiesen.     



  Sämtliche     vorerwähnte    Zusätze werden  zweckmässig mit     :dem        .Selen    vermischt, wäh  rend     letzteres    im     geschmolzenen    Zustand     ist.     Es ist nämlich gerade     in.        .diesem    Fall leicht,  die Zusätze     möglichst    fein     verteilt    im Selen  zu     erhalten.     



  Im folgenden ist     beispielsweise    eine     Her-          stellungsweise    von     Widerständen    nach der       Erfindung    näher erläutert.           Amorphes    Selen (in Pulverform) wird  durch     Erlützung    zum Schmelzen     gebracht:,     worauf     0,5        Gewiehtsprozent        Chromoxyd          (Cr,Oj)    unter ununterbrochenem     Umrühren     zugesetzt wird, um     letzteres    möglichst fein  im Selen. zu     verteilen.     



  Dann wird aus dem Selen der Wider  standskörper gebildet und das Ganze<B>3</B>  Stunden in einem Ofen auf eine Temperatur  von     ?00      C erhitzt, um das Selen in die lei  tende     kristallinische.    Struktur überzuführen.  



       Kurve    A in     Fig.    1 bezieht sich auf mit  einem solchen     Widerstand    angestellte Ver  suche zur Ermittlung der Abhängigkeit des  Stromes in bezug auf die Temperatur und  stellt den     Zusammenhang    zwischen dem  Strom     i    und der Temperatur<I>T</I> bei gleich  bleibender Spannung dar. Auf der Abszisse  ist     T    aufgetragen, während die Ordinate  Log i angibt.

   Die     Beziehung    zwischen dem  Strom<I>i</I> und der     Temperatur   <I>T</I> ergibt sich  aus der folgenden Formel:  
EMI0002.0021     
          worin        a    eine     Konstante    (     Stromwert    bei     Il    "     C)     und a der     Temperaturkoeffizient    für das  Leitvermögen ist.

   Dieser Wert ist dem Vor  zeichen nach, das     Umgekehrte    des     -Wertes    des       Temperaturkoeffizienten        ss    für den Wider  stand, welch letzterer im nachfolgenden  immer     betrachtet    wird. Es ist: also     ss    =- a.  Aus obiger Formel folgt:  
EMI0002.0035     
    worin C = Log a. konstant ist.

   Es zeigt sich  nunmehr, dass der     Temperaturkoeffizient        ss    in  der Nähe von T = 200   C positiv und relativ  gross, und darauf im Bereiche     zwischen        1N     und     120      C negativ und relativ klein ist.,  während er zwischen     1,24)    und 20   C wieder  positiv ist. Diese     Schlussfolgerungen    sind aus  der Steilheit und der Richtung der verschie  denen Kurventeile zu ziehen..  



  Falls     statt    der Erhitzung von 3 X     21-          Stunden    nur 2, Stunden auf 200   C erhitzt    wird, so erhält. man bei der Messung des  Stromes die aus einer Kurve ss in     Fig.    1 her  vorgehenden Werte. Daraus ist ersichtlich,       da.ss    die Leitfähigkeit, verglichen mit dem  beim ersten Versuch verwendeten     3-laterial     viel geringer ist.  



  Es ergibt sich somit,     dass    die Wärme  behandlung nicht. genügend lange durchge  führt     worden    ist, um     über    den     Bereich    zwi  schen     1M    und 20   einen positiven     Tempera-          turkoeffizienten        ss    zu erhalten, sondern der  Koeffizient ist vielmehr überall negativ.  



  Wie bereits erwähnt. kann der     Tempera-          turkoeffizient    des Selens auch durch einen       1%olile-(CTrapliit-)zusatz        beeinflusst    werden.  



  Die Ergebnisse von mit Selen angestell  ten     Versuchen    mit einem Zusatz von 10  Graphit gehen aus den Kurven I.     1I    und     III     in     Fig.    ?     hervor,        bei    denen das Selen zur       Überführung    in die     leitende    kristallinische  Modifikation     2-1:3        bezw.    1     Stunde    in     einem     Ofen auf eine Temperatur von 200' C er  hitzt wurde.  



  Auch aus, diesen Kurven geht klar hervor,  dass eine länger     :dauernde        Temperaturbehand-          lung    einen günstigen Einfluss auf die Leit  fähigkeit hat.     Ausserdem    ist auf der     Kurve          III    ersichtlich, dass     bei    einer     Erhitziuig    von  nur einer Stunde der Temperaturkoeffizient       ss    negativ bleibt.  



  Die.     Kurve    TI     zeigt,    dass der Temperatur  koeffizient     ss    von     120      C     abwärts        positiv,     über dieser Temperatur negativ ist.     während     aus der     Kurve    I hervorgeht, dass     ss    fast über  den ganzen     Bereich    (ausser über etwa 197   C)       positiv    ist. Dabei tritt ausserdem die     grösste          Leitfähigkeit    auf.  



  Die     Ergehniese    von mit     verschiedenen          :sengen        eines    der erwähnten     Nebengemische     angestellten     Versuchen.        bei    denen das     Selen     während verschiedener     Zeiten,    in einem Ofen  auf 200   C zur     Überführung    in die     leitende          kristallinische        Struktur    behandelt     worden     ist. gehen aus den folgenden     Tabellen    hervor.  



  Es ist dabei vom im Handel erhältlichen       Selen        ausgegangen.    In der Tabelle I ist  Graphit in einem     -Verhältnis    von 10     Ger          wiehtsprozent    zugesetzt. Die     Korngrösse    der           Graphitteilchen    ist dabei etwa 1 bis     2"u.    Der       gebildete    Widerstand     wird    in einen     Ofen,     eingeführt und auf 200' C erhitzt, um das       Widerstandenaterial    in die leitende kristalli  nische     Struktur    überzuführen.

   Der Wider  stand des Selens wird dann nach einer be  stimmten Zeit gemessen,     und    .zwar     zunächst     nach einer .Stunde, dann nach 3 Stunden und  darauf nach     5i/2,    8 und 24 Stunden Tempera  turbehandlung. Die Temperaturen, bei denen  gemessen wurde, sind     2001    und 25   C.  



  Man findet dann für den Widerstand die  folgenden Werte:  
EMI0003.0012     
  
    I.
<tb>  1 <SEP> Std. <SEP> 3 <SEP> Std. <SEP> 5,5 <SEP> Std. <SEP> 8 <SEP> Std. <SEP> 24 <SEP> Std.
<tb>  200 <SEP>   <SEP> C <SEP> 25 <SEP> 25 <SEP> 6,2 <SEP> 7,7 <SEP> 1,4 <SEP> k-Ohm
<tb>  25 <SEP>   <SEP> C <SEP> 100 <SEP> 22 <SEP> 4,1 <SEP> 4,0 <SEP> 0,55 <SEP> k-Ohm       Hieraus geht hervor, dass durch eine       Wärmebehandlung    bei einer Temperatur von  200' von etwas weniger als 3     Stunden    ein       Temperaturkoeffizient    = 0 erhalten     wird.     



  Die     Ergebnisse    bei einem     Graphitzu:satz     von 2%     sind:     
EMI0003.0020     
  
    II.
<tb>  1 <SEP> Std. <SEP> 3 <SEP> Std. <SEP> 5,5 <SEP> Std. <SEP> 8 <SEP> Std. <SEP> 24 <SEP> Std.
<tb>  200 <SEP>   <SEP> C <SEP> 42 <SEP> <B>67</B> <SEP> 25 <SEP> 12,5 <SEP> 13 <SEP> k-Ohm
<tb>  25 <SEP>   <SEP> C <SEP> 500 <SEP> 60 <SEP> 110 <SEP> 5, <SEP> 1;

  6 <SEP> k-Ohm       Es ergibt sich auch in diesem Fall, dass  zum     Übergang    von     dem        negativen    Koeffi  zienten in den positiven Koeffizienten wieder  eine     Wärmebehandlung    von etwa     gleicher          Zeitdauer    wie im obenerwähnten Fall erfor  derlich ist.  



  Die Ergebnisse für     mit    Chromoxyd ver  mischtes Selen gehen aus folgendem hervor.       Das.    Selen     ist    wieder in gleicher     Weise        berei-          tet    wie im     vorigen        Beispiel        beschrieben    wor  den ist.

   Die     zugesetzten        Chromoxydteilchen,     die auch. in     diesem    Fall eine Korngrösse von  1 bis     2,u    haben, werden in einem Verhältnis  von 1,0 Gewichtsprozent     zugesetzt.       Die     Widerstandsmessungen    erfolgen nun  aber nach einer Wärmebehandlung von 2,       4i/2,    7;     :24        bezw.    3 X 24     Stunden    bei 190       bezw.    25   C.

    
EMI0003.0047     
  
    III.
<tb>  2 <SEP> Std. <SEP> 4,5 <SEP> Std. <SEP> 7 <SEP> Std. <SEP> 24 <SEP> Std. <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> Std.
<tb>  19,0 <SEP>   <SEP> C <SEP> 6,6 <SEP> 40 <SEP> 29 <SEP> 11,8 <SEP> 12,5 <SEP> k-Ohm
<tb>  25 <SEP>   <SEP> C <SEP> 250 <SEP> 74 <SEP> <B>5</B>0 <SEP> 2,5 <SEP> 2,:6- <SEP> k-Ohm       Es     zeigt    sich,     @dassi    .dabei nach     Erhitzung     während etwa 24 Stunden ein positiver Tem  peraturkoeffizient erhalten wird, was an sich  einen Nachteil gegenüber dem     Graphitzusatz     bildet;

   es     isst    aber     beachtenswert,        dass.    der       Widerstand    viel     geringer    ist, als     bei    Erhit  zung während 3 Stunden (22     [vergl.    2:. Spalte  der Tabelle     I]        bezw.    2,5     k-Ohm    bei     @2!5      C).  



       Bei        einem    Zusatz von 0;5 %     Cr203    erhält  man die folgenden Werte:  
EMI0003.0066     
  
    IV.
<tb>  2 <SEP> Std. <SEP> 4,5 <SEP> Std. <SEP> 7 <SEP> Std. <SEP> 24 <SEP> Std. <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> Std.
<tb>  190 <SEP>   <SEP> C <SEP> 1,010 <SEP> 66 <SEP> 55 <SEP> 15,4 <SEP> 11,1 <SEP> k-Ohm
<tb>  25 <SEP>   <SEP> C <SEP> 660 <SEP> 3130 <SEP> 330 <SEP> 7,1 <SEP> 4,3 <SEP> k-Ohm       Auch in .diesem     Fa.11        erfolgt    der     Koeffi-          zients.umschlag    nach einer     Wärmebehandlung     von     etwa        244        Stunden,

      bei der aber der Wi  derstand höher als im Fall     III        ist.     



       @ÄTie        bereits    erwähnt, ist zu den     den:    Tem  peraturkoeffizienten des     Selens    beeinflussen  den Stoffen auch.     Zirkoniumoxyd        (Zr0'2)    zu  rechnen.  



  .Auch in     diesem    Fall wird das     Sielen    in  gleicher     Weise    wie in den     vorerwähnten    Fäl  len bereitet. Dem     Selen    ist 2 %     Zr02    zuge  setzt. Die Messungen für den Widerstand       werden    nach 21/2, 7; 2,4 und 3 X 24     ,Stunden,          und    zwar bei 190 und     ,25      C vorgenommen.

    
EMI0003.0093     
  
    V.
<tb>  2,5 <SEP> Std. <SEP> 7 <SEP> Std. <SEP> 24 <SEP> Std. <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> Std.
<tb>  190 <SEP>   <SEP> C <SEP> 43 <SEP> 40 <SEP> 12,5 <SEP> 1,2.,5 <SEP> k-Ohm
<tb>  190 <SEP> <B>1</B> <SEP> C <SEP> <B>1</B> <SEP> 1410 <SEP> 500 <SEP> 4,3 <SEP> 2,2 <SEP> k-Ohm         Es ergibt sieh aus .diesen Daten,     da.ss    der       lioeffizientsuinschla.g    nach einer Behand  lung von etwa 24 Stunden im Ofen erfolgt.  



  Bei einem Zusatz von     0,5;ö        ZrO..    fand  man die folgenden     )Werte    für den     Wider-          stand     
EMI0004.0008     
  
    VI.
<tb>  2,5 <SEP> Std. <SEP> 7 <SEP> Std. <SEP> 24 <SEP> Std.

   <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> Std.
<tb>  <B>1</B>90 <SEP> <B>0</B> <SEP> C <SEP> 5<B>2></B> <SEP> 50 <SEP> 11,1 <SEP> 7.6,0 <SEP> k-Ohm
<tb>  ?5 <SEP>   <SEP> C <SEP> 1400 <SEP> .100 <SEP> 10 <SEP> 5 <SEP> k-Ohin       Bei     Elektrodensystemen    mit einer Selen  elektrode und bei denen die     Aufnahme    eines       Widerstandes    nach der Erfindung in den  Stromkreis erwünscht ist, kann man diesen       Widerstand    in der     Selenelektrode    selbst un  terbringen.



  Electrical resistance. The invention relates to an electrical resistor in which selenium is the main component.



  Selenium has various advantages as a resistance material, for example its specific resistance is considerable, since the substance is a semiconductor.



  However, as is generally the case with semiconductors, this material has a high, negative temperature coefficient for the specific resistance, which is very unpleasant in various applications of such resistances.



  The invention is based on the knowledge that if certain substances are added to the selenium in certain quantities in a finely divided state as an additive, a resistance material is obtained whose temperature coefficient is in the range of the operating temperatures, i.e. H. those temperatures which come into question for the practical use of the resistor can be made positive or zero.

      A resistor according to. The invention is eig net for a large area of application, such. B. for fire alarm systems and other signaling devices that respond to temperature differences. Also relays, which are due to tempera: turärderung, z. Delay elements that respond, for example, to change in current flow, can advantageously contain selenium.



  Being particularly suitable for use as an additive to selenium. carbon, chromium oxide (Cr = 03), zirconium oxide (Zr0 =) and aluminum acetate have been found.



  All of the aforementioned additives are expediently mixed with: the selenium, while the latter is in the molten state. It is precisely in this case that it is easy to keep the additives as finely divided as possible in the selenium.



  A method of manufacturing resistors according to the invention is explained in more detail below, for example. Amorphous selenium (in powder form) is brought to melt by means of release: whereupon 0.5 percent by weight of chromium oxide (Cr, Oj) is added with continuous stirring to make the latter as finely as possible in the selenium. to distribute.



  The selenium is then used to form the resistance body and the whole thing is heated for <B> 3 </B> hours in an oven to a temperature of? 00 C to transform the selenium into the conductive crystalline. Transfer structure.



       Curve A in Fig. 1 relates to searches made with such a resistor to determine the dependence of the current in relation to the temperature and represents the relationship between the current i and the temperature <I> T </I> at constant voltage represents. T is plotted on the abscissa, while the ordinate indicates Log i.

   The relationship between the current <I> i </I> and the temperature <I> T </I> results from the following formula:
EMI0002.0021
          where a is a constant (current value at II "C) and a is the temperature coefficient for the conductivity.

   According to the algebraic sign, this value is the reverse of the value of the temperature coefficient ss for the resistance, which latter is always considered in the following. It is: thus ss = - a. From the above formula follows:
EMI0002.0035
    where C = log a. is constant.

   It can now be seen that the temperature coefficient ss is positive and relatively large in the vicinity of T = 200 C, and then negative and relatively small in the range between 1N and 120 C, while it is positive again between 1.24 and 20 C is. These conclusions can be drawn from the steepness and direction of the various parts of the curve.



  If, instead of heating for 3 × 21 hours, only 2, hours are heated to 200 ° C., the result is. when measuring the current, the values proceeding from a curve ss in FIG. 1 are used. This shows that the conductivity is much lower compared to the 3-layer material used in the first attempt.



  It thus follows that the heat treatment is not. has been carried out long enough to obtain a positive temperature coefficient ss over the range between 1M and 20, but rather the coefficient is negative everywhere.



  As already mentioned. the temperature coefficient of selenium can also be influenced by adding 1% olile (CTrapliit).



  The results of experiments with selenium with the addition of 10 graphite are shown in curves I. 1I and III in FIG. in which the selenium for conversion into the conductive crystalline modification 2-1: 3 respectively. He was heated in an oven to a temperature of 200 ° C for 1 hour.



  It is also clear from these curves that a long-term temperature treatment has a favorable influence on the conductivity. In addition, it can be seen on curve III that the temperature coefficient ss remains negative when heated for only one hour.



  The. Curve TI shows that the temperature coefficient ss is positive from 120 C downwards and negative above this temperature. while curve I shows that ss is positive over almost the entire range (except over about 197 C). The greatest conductivity also occurs here.



  The results of experiments carried out with various: singe one of the secondary mixtures mentioned. in which the selenium has been treated for various times in an oven at 200 C to convert it into the conductive crystalline structure. are shown in the following tables.



  It was based on the commercially available selenium. In Table I, graphite is added in a ratio of 10 percent percent. The grain size of the graphite particles is about 1 to 2 "u. The resistor formed is introduced into a furnace and heated to 200 ° C. in order to convert the resistor material into the conductive crystalline structure.

   The resistance of the selenium is then measured after a certain period of time, and indeed first after an hour, then after 3 hours and then after 5 1/2, 8 and 24 hours of temperature treatment. The temperatures at which measurements were taken are 2001 and 25 C.



  One then finds the following values for the resistance:
EMI0003.0012
  
    I.
<tb> 1 <SEP> hours <SEP> 3 <SEP> hours <SEP> 5.5 <SEP> hours <SEP> 8 <SEP> hours <SEP> 24 <SEP> hours
<tb> 200 <SEP> <SEP> C <SEP> 25 <SEP> 25 <SEP> 6.2 <SEP> 7.7 <SEP> 1.4 <SEP> k-Ohm
<tb> 25 <SEP> <SEP> C <SEP> 100 <SEP> 22 <SEP> 4.1 <SEP> 4.0 <SEP> 0.55 <SEP> k-Ohm This shows that a Heat treatment at a temperature of 200 'for a little less than 3 hours a temperature coefficient = 0 is obtained.



  The results with a graphite addition of 2% are:
EMI0003.0020
  
    II.
<tb> 1 <SEP> hours <SEP> 3 <SEP> hours <SEP> 5.5 <SEP> hours <SEP> 8 <SEP> hours <SEP> 24 <SEP> hours
<tb> 200 <SEP> <SEP> C <SEP> 42 <SEP> <B> 67 </B> <SEP> 25 <SEP> 12.5 <SEP> 13 <SEP> k-Ohm
<tb> 25 <SEP> <SEP> C <SEP> 500 <SEP> 60 <SEP> 110 <SEP> 5, <SEP> 1;

  6 <SEP> k-Ohm In this case, too, the result is that a heat treatment of approximately the same duration as in the above-mentioned case is necessary for the transition from the negative coefficient to the positive coefficient.



  The results for selenium mixed with chromium oxide are shown in the following. The. Selenium is again prepared in the same way as was described in the previous example.

   The added chromium oxide particles that too. in this case have a grain size of 1 to 2 µ, are added in a ratio of 1.0 percent by weight. The resistance measurements are now made after a heat treatment of 2, 4i / 2, 7; : 24 resp. 3 X 24 hours at 190 resp. 25 C.

    
EMI0003.0047
  
    III.
<tb> 2 <SEP> hours <SEP> 4.5 <SEP> hours <SEP> 7 <SEP> hours <SEP> 24 <SEP> hours <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> hours
<tb> 19.0 <SEP> <SEP> C <SEP> 6.6 <SEP> 40 <SEP> 29 <SEP> 11.8 <SEP> 12.5 <SEP> k-Ohm
<tb> 25 <SEP> <SEP> C <SEP> 250 <SEP> 74 <SEP> <B> 5 </B> 0 <SEP> 2,5 <SEP> 2,: 6- <SEP> k- Ohm It turns out that after heating for about 24 hours a positive temperature coefficient is obtained, which in itself is a disadvantage compared to the addition of graphite;

   It is worth noting, however, that the resistance is much lower than when heated for 3 hours (22 [cf. 2: column in Table I] or 2.5 k-ohms at @ 2.5 ° C.).



       With an addition of 0; 5% Cr203 the following values are obtained:
EMI0003.0066
  
    IV.
<tb> 2 <SEP> hours <SEP> 4.5 <SEP> hours <SEP> 7 <SEP> hours <SEP> 24 <SEP> hours <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> hours
<tb> 190 <SEP> <SEP> C <SEP> 1.010 <SEP> 66 <SEP> 55 <SEP> 15.4 <SEP> 11.1 <SEP> k-Ohm
<tb> 25 <SEP> <SEP> C <SEP> 660 <SEP> 3130 <SEP> 330 <SEP> 7.1 <SEP> 4.3 <SEP> k-ohms also in this company 11 the Coefficient change after a heat treatment of about 244 hours,

      but in which the resistance is higher than in case III.



       @ ÄTie already mentioned is one of the: The temperature coefficients of selenium also influence the substances. Zirconium oxide (Zr0'2) to be expected.



  In this case, too, the Sielen is prepared in the same way as in the aforementioned cases. 2% Zr02 is added to the selenium. The measurements for the resistance are made after 21/2, 7; 2.4 and 3 X 24 hours at 190 and 25 C.

    
EMI0003.0093
  
    V.
<tb> 2.5 <SEP> hours <SEP> 7 <SEP> hours <SEP> 24 <SEP> hours <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> hours
<tb> 190 <SEP> <SEP> C <SEP> 43 <SEP> 40 <SEP> 12.5 <SEP> 1,2., 5 <SEP> k-Ohm
<tb> 190 <SEP> <B> 1 </B> <SEP> C <SEP> <B> 1 </B> <SEP> 1410 <SEP> 500 <SEP> 4.3 <SEP> 2.2 <SEP> k-ohm It can be seen from these data that the lioefficient treatment takes place after a treatment of about 24 hours in the oven.



  With an addition of 0.5; ö ZrO .. the following) values were found for the resistance
EMI0004.0008
  
    VI.
<tb> 2.5 <SEP> hours <SEP> 7 <SEP> hours <SEP> 24 <SEP> hours

   <SEP> 3 <SEP> X <SEP> 24 <SEP> hours
<tb> <B> 1 </B> 90 <SEP> <B> 0 </B> <SEP> C <SEP> 5 <B> 2> </B> <SEP> 50 <SEP> 11.1 <SEP> 7.6.0 <SEP> k-Ohm
<tb>? 5 <SEP> <SEP> C <SEP> 1400 <SEP> .100 <SEP> 10 <SEP> 5 <SEP> k-Ohin For electrode systems with a selenium electrode and where a resistance is added after the Invention in the circuit is desired, you can bring this resistor in the selenium electrode itself un.

 

Claims (1)

PATENTANSPRUCH I: Elektrischer Widerstand. dadurch ge kennzeichnet, da.ss er aus Selen gebildet ist. dem solche Stoffe in feinverteiltem Zustand und in solcher Menge zugesetzt sind, dass der Widerstan.dstemperaturkoeffizient im Bereich der Betriebstemperatur positiv oder Null ist. <B>UNTERANSPRÜCHE:</B> 1. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I"dadurch gekennzeichnet, dass dem Selen Kohle zugesetzt ist. 2. Elektrischer Widerstand nach Patenta.n- spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass dem Selen Aluminiuma.zetat zugesetzt ist. PATENT CLAIM I: Electrical resistance. characterized in that it is formed from selenium. to which such substances are added in a finely divided state and in such an amount that the resistance temperature coefficient in the operating temperature range is positive or zero. <B> SUBClaims: </B> 1. Electrical resistance according to patent claim I "characterized in that carbon is added to the selenium. 2. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that aluminum acetate is added to the selenium is. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet. dass denn Selen Chromoxyd zugesetzt ist. 4. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, da.ss dem Selen Zirkoniumoxyd zugesetzt ist. Electrical resistance according to Patent Claim I, characterized. that chromium oxide is added to selenium. 4. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that zirconium oxide is added to the selenium. PATENTANSPRUCH II: Verfahren zur Herstellung eines elektri- sehen Widerstandes nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Selen in fliissi- gen Zustand gebracht wird, wonach minde stens ein Stoff in feinverteiltem Zustand zu gesetzt wird, und da.ss der aus dieser Menge herzustellende Widerstand einer Wärmebe handlung in einem Ofen bei mindestens <B>190'</B> C während wenib tens 3 Stunden aus gesetzt wird. PATENT CLAIM II: A method for producing an electrical resistor according to claim 1, characterized in that selenium is brought into a liquid state, after which at least one substance is added in a finely divided state, and that the resistor to be produced from this amount a heat treatment in an oven at at least <B> 190 '</B> C for at least 3 hours. <B>UNTERANSPRÜCHE:</B> 5. Verfahren nach Patentanspruch Ih da.- durch gekennzeichnet, dass um dem Selen einen positiven Temperaturkoeffizienten zii erteilen eine. W < irmebeha,ndlung wäb- rend etwa 24 Stunden. angewendet wird. 6. <B> SUBClaims: </B> 5. The method according to patent claim Ih da.- characterized in that a positive temperature coefficient zii give to the selenium. Heat treatment for about 24 hours. is applied. 6th Verfahren nach Patentanspruch 1I, da durch gekennzeichnet, dass dem Selen im flüssigen Zustand<B>0"5%</B> Chromoxyd (Cr_03) zugesetzt wird, worauf aus denn Gemisch ein UTiderstandskörper gebildet wird und das Ganze in einem Ofen wäh rend wenigstens 24 Stunden auf eine Tem peratur von wenigstens <B>190'</B> C erhitzt wird. i. Method according to claim 1I, characterized in that <B> 0 "5% </B> chromium oxide (Cr_03) is added to the selenium in the liquid state, whereupon a resistance body is formed from the mixture and the whole thing in a furnace during at least one Is heated for 24 hours to a temperature of at least <B> 190 '</B> C. i. Verfahren nach Patentanspruch<B>11,</B> da durch gekennzeichnet, dass dem Selen im geselimolzenien Zustand 2 % Zirkonium- oxyd (Zr02) zugesetzt wird, worauf aus dem Gemisch ein Widerstandskörper ge bildet und das Ganze während wenigstens 24 Stunden in einem Ofen auf wenigstens <B>190'</B> C erhitzt wird. Method according to patent claim 11, characterized in that 2% zirconium oxide (ZrO2) is added to the selenium in the selenium molten state, whereupon a resistance body is formed from the mixture and the whole thing for at least 24 hours in one Oven is heated to at least <B> 190 '</B> C.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1062796B (en) * 1955-08-16 1959-08-06 Siemens Ag Thermistor delay arrangement independent of the ambient temperature

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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