CA3113900A1 - Procede de realisation d'un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe - Google Patents
Procede de realisation d'un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe Download PDFInfo
- Publication number
- CA3113900A1 CA3113900A1 CA3113900A CA3113900A CA3113900A1 CA 3113900 A1 CA3113900 A1 CA 3113900A1 CA 3113900 A CA3113900 A CA 3113900A CA 3113900 A CA3113900 A CA 3113900A CA 3113900 A1 CA3113900 A1 CA 3113900A1
- Authority
- CA
- Canada
- Prior art keywords
- chip
- layer
- contacts
- infrared detector
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 12
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/024—Special manufacturing steps or sacrificial layers or layer structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0853—Optical arrangements having infrared absorbers other than the usual absorber layers deposited on infrared detectors like bolometers, wherein the heat propagation between the absorber and the detecting element occurs within a solid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J5/22—Electrical features thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge (9) comportant les étapes suivantes : - collage mixte d'une puce de détection (10) sur une seconde puce (13); ladite étape de collage mixte étant réalisée par adhésion de contacts (17, 23) et de couches d'isolant (11, 46) des deux puces (10, 13); - suppression d'un substrat (80) de ladite puce de détection (10) jusqu'à atteindre une couche d'oxyde profond (45); - réalisation de plots conducteurs (50) à travers ladite couche d'oxyde profond (45) pour atteindre des transistors (40) présents dans une couche semi-conductrice (42); et - réalisation de micro-bolomètres (41) en suspension sur ladite couche d'oxyde profond (45) et connectés électriquement aux plots conducteurs (50).
Description
PROCEDE DE REALISATION D'UN DETECTEUR INFRAROUGE ET DETECTEUR
INFRAROUGE ASSOCIE
DOMAINE TECHNIQUE
L'invention concerne le domaine technique de l'imagerie infrarouge dite non refroidie , c'est-à-dire le domaine technique des détecteurs infrarouges comportant des micro-bolomètres disposés en suspension sur un substrat pour réduire l'influence de la température du substrat et du milieu environnant sur les performances des micro-bolomètres.
L'invention trouve une application particulièrement avantageuse pour réduire l'encombrement d'un détecteur infrarouge comportant une électronique de traitements numériques ou toute fonction électronique additionnelle nécessitant d'augmenter la surface disponible, par exemple un circuit de lecture instantanée car, dans ce cas, il y a un besoin de surface additionnelle pour chaque pixel du détecteur.
ART ANTERIEUR
Tel qu'illustré sur la figure 1 de l'état de la technique, un détecteur d'images dans le spectre visible se présente généralement sous la forme d'une puce 100, dite puce de détection, qui comporte des éléments photosensibles 21 à la lumière visible et un circuit de lecture réalisé classiquement en technologie CMOS. Les éléments photosensibles 21 sont formés à la jonction entre un réseau d'interconnexions métalliques 14 et un substrat semi-conducteur 12.
Le circuit de lecture est constitué de transistors formés dans le substrat semi-conducteur 12 et reliés au réseau d'interconnexions métalliques 14. Le circuit de lecture inclut un convertisseur analogique ¨ numérique qui délivre un signal vidéo numérique brut, sur des contacts 17 de sortie de la puce de détection 100, en fonction d'une image captée par les éléments photosensibles 21. Ces contacts 17 émergent d'une couche d'oxyde 11 et sont reliés avec des contacts 18 disposés sur une carte électronique 15 sur laquelle la puce de détection 100 est fixée. Par exemple, la fixation peut être réalisée au
INFRAROUGE ASSOCIE
DOMAINE TECHNIQUE
L'invention concerne le domaine technique de l'imagerie infrarouge dite non refroidie , c'est-à-dire le domaine technique des détecteurs infrarouges comportant des micro-bolomètres disposés en suspension sur un substrat pour réduire l'influence de la température du substrat et du milieu environnant sur les performances des micro-bolomètres.
L'invention trouve une application particulièrement avantageuse pour réduire l'encombrement d'un détecteur infrarouge comportant une électronique de traitements numériques ou toute fonction électronique additionnelle nécessitant d'augmenter la surface disponible, par exemple un circuit de lecture instantanée car, dans ce cas, il y a un besoin de surface additionnelle pour chaque pixel du détecteur.
ART ANTERIEUR
Tel qu'illustré sur la figure 1 de l'état de la technique, un détecteur d'images dans le spectre visible se présente généralement sous la forme d'une puce 100, dite puce de détection, qui comporte des éléments photosensibles 21 à la lumière visible et un circuit de lecture réalisé classiquement en technologie CMOS. Les éléments photosensibles 21 sont formés à la jonction entre un réseau d'interconnexions métalliques 14 et un substrat semi-conducteur 12.
Le circuit de lecture est constitué de transistors formés dans le substrat semi-conducteur 12 et reliés au réseau d'interconnexions métalliques 14. Le circuit de lecture inclut un convertisseur analogique ¨ numérique qui délivre un signal vidéo numérique brut, sur des contacts 17 de sortie de la puce de détection 100, en fonction d'une image captée par les éléments photosensibles 21. Ces contacts 17 émergent d'une couche d'oxyde 11 et sont reliés avec des contacts 18 disposés sur une carte électronique 15 sur laquelle la puce de détection 100 est fixée. Par exemple, la fixation peut être réalisée au
2 moyen d'une colle 20. En outre, une micro-lentille 16 est formée sur la couche d'oxyde 11 pour focaliser les rayons sur les éléments photosensibles 21.
Cependant, dans cette configuration dite d' éclairement par le dessus , les pertes sur le flux lumineux sont relativement importantes car celui-ci doit traverser la couche d'oxyde 11 et le réseau d'interconnexion métallique 14 avant de parvenir sur les éléments photosensibles 21.
Dans le domaine du spectre visible, il est donc recherché de retourner la puce de détection 100 par rapport au flux lumineux pour limiter les pertes.
En outre, pour améliorer la qualité ou les informations contenues dans le signal vidéo numérique, par exemple en appliquant une correction d'image et/ou en associant un algorithme de détection de mouvement, il est connu d'associer une puce de traitement numérique à la puce de détection 100. De la même manière, ces deux puces sont classiquement réalisées dans des technologies différentes car il n'est souvent pas possible d'intégrer les traitements numériques directement dans la puce de détection 100.
Pour ces raisons, plusieurs technologies ont été développées dans le domaine du spectre visible afin de faciliter la connexion de deux puces de technologies éventuellement différentes entre elles.
Une première solution consiste à monter une première puce de détection sur une seconde puce, par exemple de traitement numérique, cette seconde puce étant elle-même montée sur une carte électronique. Les contacts de la seconde puce sont alors disposés autour de l'emplacement destiné à recevoir la puce de détection et des connexions, par exemple filaires, sont réalisées entre les contacts de la seconde puce et les contacts de la puce de détection et entre les contacts de la seconde puce et les contacts de la carte électronique.
Cette solution présente le défaut d'augmenter largement l'encombrement et de générer des parasites ou des latences dans la communication entre les deux puces.
Cependant, dans cette configuration dite d' éclairement par le dessus , les pertes sur le flux lumineux sont relativement importantes car celui-ci doit traverser la couche d'oxyde 11 et le réseau d'interconnexion métallique 14 avant de parvenir sur les éléments photosensibles 21.
Dans le domaine du spectre visible, il est donc recherché de retourner la puce de détection 100 par rapport au flux lumineux pour limiter les pertes.
En outre, pour améliorer la qualité ou les informations contenues dans le signal vidéo numérique, par exemple en appliquant une correction d'image et/ou en associant un algorithme de détection de mouvement, il est connu d'associer une puce de traitement numérique à la puce de détection 100. De la même manière, ces deux puces sont classiquement réalisées dans des technologies différentes car il n'est souvent pas possible d'intégrer les traitements numériques directement dans la puce de détection 100.
Pour ces raisons, plusieurs technologies ont été développées dans le domaine du spectre visible afin de faciliter la connexion de deux puces de technologies éventuellement différentes entre elles.
Une première solution consiste à monter une première puce de détection sur une seconde puce, par exemple de traitement numérique, cette seconde puce étant elle-même montée sur une carte électronique. Les contacts de la seconde puce sont alors disposés autour de l'emplacement destiné à recevoir la puce de détection et des connexions, par exemple filaires, sont réalisées entre les contacts de la seconde puce et les contacts de la puce de détection et entre les contacts de la seconde puce et les contacts de la carte électronique.
Cette solution présente le défaut d'augmenter largement l'encombrement et de générer des parasites ou des latences dans la communication entre les deux puces.
3 Pour limiter ce problème en supprimant les contacts autour de la puce de détection, une seconde solution propose de réaliser des voies de connexion à travers le substrat semi-conducteur de la puce de détection pour réaliser des contacts sous la puce de détection vers la puce de traitement.
Cependant, les voies doivent être positionnées autour de la zone occupée par les éléments photosensibles ce qui entraine tout de même une augmentation de l'encombrement de la puce de détection. A partir de ces solutions techniques, plusieurs variantes d'implémentation sont possibles, par exemple deux puces peuvent être assemblées sur deux faces opposées d'une même carte électronique par la technique des voies de connexion.
Ces deux solutions sont les seules solutions mises en oeuvre dans le domaine de l'imagerie infrarouge non refroidie pour associer la puce de détection avec une autre puce, de traitement numérique par exemple. Dans ce domaine technique spécifique, les éléments photosensibles correspondent à des micro-bolomètres montés en suspension sur une couche supérieure de la puce de détection pour réduire l'influence de la température du substrat et du milieu environnant sur les micro-bolomètres. Pour réaliser ces micro-bolomètres en suspension, la technique classique consiste à utiliser au moins une couche sacrificielle déposée à la surface de la puce de détection, et dans laquelle des ouvertures sont créées pour permettre le dépôt de plots conducteurs permettant le maintien en suspension des micro-bolomètres. Sur cette couche sacrificielle, la structure des micro-bolomètres est ensuite formée de manière à ce que les plots conducteurs puissent soutenir les micro-bolomètres lors du retrait de la couche sacrificielle.
Dans l'imagerie du visible, il est connu de réaliser un collage face-à-face entre les deux puces pour limiter encore l'encombrement. Les éléments photosensibles sont alors éclairés à travers le substrat semi-conducteur de la puce de détection, une fois celui-ci aminci. Cette configuration est dite d' éclairement par le dessous .
Dans l'exemple de la figure 2 de l'état de la technique, une première puce de détection 100 est fixée sur une seconde puce 105 comportant des transistors 24 permettant des fonctions additionnelles de lecture ou de traitement numérique réalisés dans un
Cependant, les voies doivent être positionnées autour de la zone occupée par les éléments photosensibles ce qui entraine tout de même une augmentation de l'encombrement de la puce de détection. A partir de ces solutions techniques, plusieurs variantes d'implémentation sont possibles, par exemple deux puces peuvent être assemblées sur deux faces opposées d'une même carte électronique par la technique des voies de connexion.
Ces deux solutions sont les seules solutions mises en oeuvre dans le domaine de l'imagerie infrarouge non refroidie pour associer la puce de détection avec une autre puce, de traitement numérique par exemple. Dans ce domaine technique spécifique, les éléments photosensibles correspondent à des micro-bolomètres montés en suspension sur une couche supérieure de la puce de détection pour réduire l'influence de la température du substrat et du milieu environnant sur les micro-bolomètres. Pour réaliser ces micro-bolomètres en suspension, la technique classique consiste à utiliser au moins une couche sacrificielle déposée à la surface de la puce de détection, et dans laquelle des ouvertures sont créées pour permettre le dépôt de plots conducteurs permettant le maintien en suspension des micro-bolomètres. Sur cette couche sacrificielle, la structure des micro-bolomètres est ensuite formée de manière à ce que les plots conducteurs puissent soutenir les micro-bolomètres lors du retrait de la couche sacrificielle.
Dans l'imagerie du visible, il est connu de réaliser un collage face-à-face entre les deux puces pour limiter encore l'encombrement. Les éléments photosensibles sont alors éclairés à travers le substrat semi-conducteur de la puce de détection, une fois celui-ci aminci. Cette configuration est dite d' éclairement par le dessous .
Dans l'exemple de la figure 2 de l'état de la technique, une première puce de détection 100 est fixée sur une seconde puce 105 comportant des transistors 24 permettant des fonctions additionnelles de lecture ou de traitement numérique réalisés dans un
4 substrat massif 22. De préférence, la fixation entre les deux puces 100, 105 est obtenue par un collage mixte , c'est-à-dire une adhésion entre les plages métalliques 17, 23 d'une part et entre les couches d'oxyde 11, 46 d'autre part. Par exemple, l'adhésion des plages métalliques 17, 23 peut être obtenue par thermocompression et l'adhésion des couches d'oxydes 11, 46 par adhésion moléculaire.
Cette technique est connue sous l'expression hybrid bonding dans la littérature anglo-saxonne.
La puce de détection 100 est retournée et la couche d'isolant 11 se retrouve disposée sous le substrat semi-conducteur 12. Les contacts 17 affleurant à travers la couche d'isolant 11 sont positionnés sous la puce de détection 100 et ils sont mis en regard de contacts 23 de la seconde puce 105 lors du collage mixte des deux puces 100, 105.
Le substrat semi-conducteur 12 est ensuite aminci pour limiter les pertes optiques et optimiser l'illumination des éléments photosensibles 21. L'illumination est également contrôlée par une micro-lentille 16 formée sur la couche semi-conductrice 12.
Les connexions entre la carte électronique 15 et la seconde puce 105 sont, par exemple, réalisées par des voies de connexion traversantes 26 débouchant sur les métallisations 25, et connectées sur des contacts 18 de la carte électronique 15, disposés sous la seconde puce 105.
Il s'ensuit que l'encombrement du mode de réalisation de la figure 2 est moindre en surface sur la carte électronique 15 que l'encombrement du mode de réalisation de la figure 1, alors même que le mode de réalisation de la figure 2 intègre une seconde puce 105 intégrant des fonctions de lecture ou de traitement numérique. Le gain estimé en surface sur la carte électronique est de l'ordre de 30 à 40%.
Cependant, ce mode de réalisation de la figure 2 impose une illumination par la face arrière des éléments photosensibles 21 puisque la puce de détection 100 est retournée.
Compte tenu des contraintes de fabrication en suspension des micro-bolomètres sur la face supérieure de la puce de détection, il semble impossible de reproduire directement ce mode de réalisation de la figure 2 dans le domaine de l'imagerie infrarouge non refroidie.
Cette technique est connue sous l'expression hybrid bonding dans la littérature anglo-saxonne.
La puce de détection 100 est retournée et la couche d'isolant 11 se retrouve disposée sous le substrat semi-conducteur 12. Les contacts 17 affleurant à travers la couche d'isolant 11 sont positionnés sous la puce de détection 100 et ils sont mis en regard de contacts 23 de la seconde puce 105 lors du collage mixte des deux puces 100, 105.
Le substrat semi-conducteur 12 est ensuite aminci pour limiter les pertes optiques et optimiser l'illumination des éléments photosensibles 21. L'illumination est également contrôlée par une micro-lentille 16 formée sur la couche semi-conductrice 12.
Les connexions entre la carte électronique 15 et la seconde puce 105 sont, par exemple, réalisées par des voies de connexion traversantes 26 débouchant sur les métallisations 25, et connectées sur des contacts 18 de la carte électronique 15, disposés sous la seconde puce 105.
Il s'ensuit que l'encombrement du mode de réalisation de la figure 2 est moindre en surface sur la carte électronique 15 que l'encombrement du mode de réalisation de la figure 1, alors même que le mode de réalisation de la figure 2 intègre une seconde puce 105 intégrant des fonctions de lecture ou de traitement numérique. Le gain estimé en surface sur la carte électronique est de l'ordre de 30 à 40%.
Cependant, ce mode de réalisation de la figure 2 impose une illumination par la face arrière des éléments photosensibles 21 puisque la puce de détection 100 est retournée.
Compte tenu des contraintes de fabrication en suspension des micro-bolomètres sur la face supérieure de la puce de détection, il semble impossible de reproduire directement ce mode de réalisation de la figure 2 dans le domaine de l'imagerie infrarouge non refroidie.
5 Le problème technique de la présente invention est de réduire l'encombrement d'une puce de détection associée à une seconde puce intégrant des fonctions de lecture additionnelle ou de traitement numérique, dans le domaine de l'imagerie infrarouge non refroidie, c'est-à-dire pour une puce de détection comportant des micro-bolomètres montés en suspension sur une couche supérieure de la puce de détection.
EXPOSE DE L'INVENTION
Pour répondre à ce problème, l'invention propose d'utiliser une puce de détection comportant une couche semi-conductrice complètement déplétée intégrant des transistors et autres éléments actifs permettant la fonction de lecture, avant de reporter la puce de détection sur une seconde puce et réaliser les micro-bolomètres en suspension après l'hybridation des deux puces entre elles.
Au sens de l'invention, une puce comportant une couche semi-conductrice complètement déplétée correspond à une technologie CMOS de type FDSOI pour l'expression anglo-saxonne Fully Depleted Silicon On Insulator . Cette puce comporte nativement une fine couche d'isolant et une fine couche semi-conductrice intercalées entre le substrat et les interconnexions métalliques du circuit CMOS. La fine couche d'isolant est appelée couche d'oxyde profond, et la fine couche semi-conductrice est appelée Silicium sur isolant (SOI) bien que d'autres matériaux semi-conducteurs puissent être utilisés tels que le germanium ou l'arséniure de gallium. Cette puce se présente donc nativement avec un substrat, surmonté par une couche d'oxyde profond, puis une fine couche semi-conductrice dans laquelle sont réalisés des transistors et autres éléments actifs, et un réseau d'interconnexions métalliques se terminant en surface par une couche d'isolant au travers de laquelle des contacts électriques peuvent émerger. La finesse de la couche semi-conductrice permet d'obtenir une circulation des charges dans toute l'épaisseur de la couche semi-conductrice.
EXPOSE DE L'INVENTION
Pour répondre à ce problème, l'invention propose d'utiliser une puce de détection comportant une couche semi-conductrice complètement déplétée intégrant des transistors et autres éléments actifs permettant la fonction de lecture, avant de reporter la puce de détection sur une seconde puce et réaliser les micro-bolomètres en suspension après l'hybridation des deux puces entre elles.
Au sens de l'invention, une puce comportant une couche semi-conductrice complètement déplétée correspond à une technologie CMOS de type FDSOI pour l'expression anglo-saxonne Fully Depleted Silicon On Insulator . Cette puce comporte nativement une fine couche d'isolant et une fine couche semi-conductrice intercalées entre le substrat et les interconnexions métalliques du circuit CMOS. La fine couche d'isolant est appelée couche d'oxyde profond, et la fine couche semi-conductrice est appelée Silicium sur isolant (SOI) bien que d'autres matériaux semi-conducteurs puissent être utilisés tels que le germanium ou l'arséniure de gallium. Cette puce se présente donc nativement avec un substrat, surmonté par une couche d'oxyde profond, puis une fine couche semi-conductrice dans laquelle sont réalisés des transistors et autres éléments actifs, et un réseau d'interconnexions métalliques se terminant en surface par une couche d'isolant au travers de laquelle des contacts électriques peuvent émerger. La finesse de la couche semi-conductrice permet d'obtenir une circulation des charges dans toute l'épaisseur de la couche semi-conductrice.
6 A cet effet, selon un premier aspect, l'invention concerne un procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge comportant les étapes suivantes :
- collage mixte d'une puce de détection sur une seconde puce ; lors du collage mixte ;
= ladite puce de détection comportant un substrat surmonté par une couche d'oxyde profond, une couche semi-conductrice complètement déplétée intégrant des transistors, un réseau d'interconnexions métalliques, et une couche d'isolant;
= ladite puce de détection comportant une face d'hybridation présentant des contacts émergeant de ladite couche d'isolant et connectés au réseau d'interconnexions métalliques ; et = ladite seconde puce comportant un substrat dans lequel sont réalisés des transistors et des contacts émergeant d'une couche d'isolant au niveau d'une face d'hybridation ;
l'étape de collage mixte étant réalisée par adhésion des contacts et des couches d'isolant des deux puces ;
- suppression du substrat de ladite puce de détection jusqu'à atteindre ladite couche d'oxyde profond ;
- réalisation de plots conducteurs à travers ladite couche d'oxyde profond pour atteindre les transistors présents dans ladite couche semi-conductrice ; et - réalisation de micro-bolomètres en suspension sur ladite couche d'oxyde profond et connectés électriquement aux plots conducteurs.
L'invention permet ainsi d'obtenir un détecteur infrarouge intégrant des fonctions analogiques déportées ou des fonctions numériques avancées, réalisées par la seconde puce, tout en présentant une faible surface sur une carte électronique. Il est donc possible de fournir des détecteurs infrarouges intégrant des fonctions complexes à
moindre coût de production et d'une très haute compacité. L'invention décrit l'utilisation de transistors dans les puces. Bien entendu, ces transistors peuvent être complétés par d'autres éléments actifs, notamment de type diodes.
En outre, les micro-bolomètres peuvent présenter des structures équivalentes aux structures actuelles, si bien que les performances du détecteur infrarouge ne sont pas réduites.
- collage mixte d'une puce de détection sur une seconde puce ; lors du collage mixte ;
= ladite puce de détection comportant un substrat surmonté par une couche d'oxyde profond, une couche semi-conductrice complètement déplétée intégrant des transistors, un réseau d'interconnexions métalliques, et une couche d'isolant;
= ladite puce de détection comportant une face d'hybridation présentant des contacts émergeant de ladite couche d'isolant et connectés au réseau d'interconnexions métalliques ; et = ladite seconde puce comportant un substrat dans lequel sont réalisés des transistors et des contacts émergeant d'une couche d'isolant au niveau d'une face d'hybridation ;
l'étape de collage mixte étant réalisée par adhésion des contacts et des couches d'isolant des deux puces ;
- suppression du substrat de ladite puce de détection jusqu'à atteindre ladite couche d'oxyde profond ;
- réalisation de plots conducteurs à travers ladite couche d'oxyde profond pour atteindre les transistors présents dans ladite couche semi-conductrice ; et - réalisation de micro-bolomètres en suspension sur ladite couche d'oxyde profond et connectés électriquement aux plots conducteurs.
L'invention permet ainsi d'obtenir un détecteur infrarouge intégrant des fonctions analogiques déportées ou des fonctions numériques avancées, réalisées par la seconde puce, tout en présentant une faible surface sur une carte électronique. Il est donc possible de fournir des détecteurs infrarouges intégrant des fonctions complexes à
moindre coût de production et d'une très haute compacité. L'invention décrit l'utilisation de transistors dans les puces. Bien entendu, ces transistors peuvent être complétés par d'autres éléments actifs, notamment de type diodes.
En outre, les micro-bolomètres peuvent présenter des structures équivalentes aux structures actuelles, si bien que les performances du détecteur infrarouge ne sont pas réduites.
7 Pour augmenter les performances des micro-bolomètres, le procédé peut comporter également une étape de réalisation d'un réflecteur métallique sur ladite couche d'oxyde profond. Ce réflecteur a pour effet de renvoyer une partie de l'énergie thermique arrivant sur la couche d'oxyde profond vers la membrane bolométrique de chaque bolomètre, créant ainsi une cavité résonante, dite de Fabry-Perot.
Selon une disposition particulière de l'invention, le procédé comporte également une étape de réalisation de contacts à travers ladite couche d'oxyde profond pour atteindre une zone de ladite couche semi-conductrice connectée au réseau d'interconnexions métalliques, ledit réflecteur métallique étant réalisé sur lesdits contacts de sorte à former une électrode ou un plan de masse. En effet, l'ensemble des réflecteurs ou électrodes peuvent, par exemple, être reliés entre eux pour former un plan de masse en regard des transistors présents dans la couche semi-conductrice du circuit de lecture.
En outre, les micro-bolomètres peuvent être réalisés avec des procédés connus et maîtrisés, typiquement en utilisant des plots conducteurs formés dans une couche sacrificielle, et en réalisant une membrane détectrice sur la couche sacrificielle et connectée aux plots conducteurs.
Selon un mode de réalisation, ladite couche semi-conductrice étant divisée, dans l'empreinte de chaque pixel, en plusieurs zones distinctes formant un transistor d'injection, l'étape de réalisation de micro-bolomètres est réalisée de sorte à connecter en série chaque micro-bolomètre sur un transistor d'injection. Ce transistor d'injection a pour rôle de générer une tension électrique contrôlée sur ledit micro-bolomètre. De préférence, les zones distinctes de ladite couche semi-conductrice forment au moins les pôles d'un transistor de type MOSFET.
De préférence, ladite étape de collage mixte étant réalisée par thermocompression des contacts et par adhésion moléculaire des couches d'isolant des deux puces.
Selon une disposition particulière de l'invention, le procédé comporte également une étape de réalisation de contacts à travers ladite couche d'oxyde profond pour atteindre une zone de ladite couche semi-conductrice connectée au réseau d'interconnexions métalliques, ledit réflecteur métallique étant réalisé sur lesdits contacts de sorte à former une électrode ou un plan de masse. En effet, l'ensemble des réflecteurs ou électrodes peuvent, par exemple, être reliés entre eux pour former un plan de masse en regard des transistors présents dans la couche semi-conductrice du circuit de lecture.
En outre, les micro-bolomètres peuvent être réalisés avec des procédés connus et maîtrisés, typiquement en utilisant des plots conducteurs formés dans une couche sacrificielle, et en réalisant une membrane détectrice sur la couche sacrificielle et connectée aux plots conducteurs.
Selon un mode de réalisation, ladite couche semi-conductrice étant divisée, dans l'empreinte de chaque pixel, en plusieurs zones distinctes formant un transistor d'injection, l'étape de réalisation de micro-bolomètres est réalisée de sorte à connecter en série chaque micro-bolomètre sur un transistor d'injection. Ce transistor d'injection a pour rôle de générer une tension électrique contrôlée sur ledit micro-bolomètre. De préférence, les zones distinctes de ladite couche semi-conductrice forment au moins les pôles d'un transistor de type MOSFET.
De préférence, ladite étape de collage mixte étant réalisée par thermocompression des contacts et par adhésion moléculaire des couches d'isolant des deux puces.
8 Selon un second aspect, l'invention concerne un détecteur infrarouge comportant :
- une puce de détection comportant des transistors connectés d'une part à
des micro-bolomètres montés en suspension sur une couche d'oxyde profond et, d'autre part, à
travers un réseau d'interconnexions métalliques, à des contacts émergeant d'une couche d'isolant ; et - une seconde puce intégrant des transistors connectés à des contacts émergeant d'une couche d'isolant ;
les contacts et ladite couche d'isolant de ladite puce de détection étant collés avec les contacts et ladite couche d'isolant de ladite seconde puce.
Les transistors de la seconde puce peuvent présenter diverses fonctions et peuvent être complétés par d'autres éléments actifs, tels que des diodes. Par exemple, les transistors viennent compléter ceux de la première puce pour réaliser le circuit de lecture, pour prendre en charges des fonctions déportées ou réaliser un traitement numérique du signal issu de la puce de détection. La complémentarité des transistors des deux puces permet d'obtenir des fonctions de traitement appliquées pixel par pixel et non plus seulement de manière globale, ce qui est impossible avec d'autres techniques de report classiques.
DESCRIPTION SOMMAIRE DES FIGURES
La manière de réaliser l'invention ainsi que les avantages qui en découlent, ressortiront bien du mode de réalisation qui suit, donné à titre indicatif mais non limitatif, à l'appui des figures annexées dans lesquelles les figures 1 et 8 représentent :
- Figure 1 : une vt.i.e en section d'une puce de détection montée directement sur une carte électronique selon l'état de la technique ;
- Figure 2 : une vue en section d'une puce de détection dans le domaine visible montée sur une seconde puce selon l'état de la technique ;
- Figure 3 : une vue en section d'un détecteur infrarouge selon un mode de réalisation de l'invention ;
- Figure 4 : une vt.i.e de dessus localisée d'un élément de détection du détecteur infrarouge de la figure 3 (fig. 4b) représentant un transistor d'injection et un micro-bolomètre connectés en série, ainsi que des vues en section partielle selon l'axe AA' (fig. 4a) et l'axe BB' (fig. 4c) ;
- une puce de détection comportant des transistors connectés d'une part à
des micro-bolomètres montés en suspension sur une couche d'oxyde profond et, d'autre part, à
travers un réseau d'interconnexions métalliques, à des contacts émergeant d'une couche d'isolant ; et - une seconde puce intégrant des transistors connectés à des contacts émergeant d'une couche d'isolant ;
les contacts et ladite couche d'isolant de ladite puce de détection étant collés avec les contacts et ladite couche d'isolant de ladite seconde puce.
Les transistors de la seconde puce peuvent présenter diverses fonctions et peuvent être complétés par d'autres éléments actifs, tels que des diodes. Par exemple, les transistors viennent compléter ceux de la première puce pour réaliser le circuit de lecture, pour prendre en charges des fonctions déportées ou réaliser un traitement numérique du signal issu de la puce de détection. La complémentarité des transistors des deux puces permet d'obtenir des fonctions de traitement appliquées pixel par pixel et non plus seulement de manière globale, ce qui est impossible avec d'autres techniques de report classiques.
DESCRIPTION SOMMAIRE DES FIGURES
La manière de réaliser l'invention ainsi que les avantages qui en découlent, ressortiront bien du mode de réalisation qui suit, donné à titre indicatif mais non limitatif, à l'appui des figures annexées dans lesquelles les figures 1 et 8 représentent :
- Figure 1 : une vt.i.e en section d'une puce de détection montée directement sur une carte électronique selon l'état de la technique ;
- Figure 2 : une vue en section d'une puce de détection dans le domaine visible montée sur une seconde puce selon l'état de la technique ;
- Figure 3 : une vue en section d'un détecteur infrarouge selon un mode de réalisation de l'invention ;
- Figure 4 : une vt.i.e de dessus localisée d'un élément de détection du détecteur infrarouge de la figure 3 (fig. 4b) représentant un transistor d'injection et un micro-bolomètre connectés en série, ainsi que des vues en section partielle selon l'axe AA' (fig. 4a) et l'axe BB' (fig. 4c) ;
9 PCT/EP2019/082603 - Figure 5 : une vue en section d'une étape de fabrication d'une puce de détection (fig.
5a) et d'une seconde puce (fig. 5b) du détecteur infrarouge de la figure 3 ;
- Figure 6 : une vue en section d'une étape de collage mixte des puces de la figure 5;
- Figure 7 : une vue en section d'une étape de réalisation de plots sur la puce de détection de la figure 6 ; et - Figure 8 : une vue en section d'une étape de réalisation de micro-bolomètres sur les plots de la figure 7.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION
La présente invention est ci-après décrite en référence à l'hybridation d'une seule puce de détection sur une seule seconde puce, ce pour des raisons de simplicité de compréhension et d'illustration. En pratique, l'invention sera le plus souvent mise en oeuvre pour coller simultanément une tranche intégrant plusieurs puces de détection avec une tranche intégrant plusieurs secondes puces.
La figure 3 illustre une vue en section d'un détecteur infrarouge 9 selon un mode de réalisation de l'invention. Ce détecteur infrarouge 9 comporte deux puces distinctes et superposées pour réduire la surface d'utilisation du détecteur infrarouge 9 sur une carte électronique 15.
Pour ce faire, une puce de détection 10 est montée sur une seconde puce 13, elle-même montée sur la carte électronique 15. Les connexions entre la carte électronique 15 et la seconde puce 13 sont réalisées par des voies de connexion 26 sur un réseau d'interconnexions métalliques 25 de la seconde puce 13 et connectées sur des contacts 18 de la carte électronique 15. Ainsi, en utilisant des voies de connexion 26, il est possible de connecter la seconde puce 13 par l'intermédiaire de contacts 18 disposés sous la seconde puce 13. En pratique, des billes de soudure sont classiquement disposées sur les contacts 18 pour assurer un contact électrique et un maintien entre les voies de connexion 26 et les contacts 18. En variante, d'autres types de connexion peuvent être utilisées entre la seconde puce 13 et la carte électronique 15.
'o Cette seconde puce 13 comporte des transistors 24 qui peuvent être utilisés avec d'autres éléments actifs, tels que des diodes. Par exemple, ces transistors 24 permettent de réaliser différentes fonctions qui ne peuvent être intégrées dans la surface du pixel du circuit de détection : lecture simultanée des éléments de détection de type snapshot , ou conversion analogique-numérique au niveau du pixel, ou un traitement numérique du signal issu de la puce détection 10. En variante, tout autre traitement peut être mis en oeuvre par les transistors 24 sans changer l'invention.
Cette seconde puce 13 présente également des contacts 23 émergeant d'une face supérieure de la seconde puce 13 et connectés aux transistors 24. La face supérieure de cette seconde puce 13 correspond à une face d'hybridation 31 qui est opposée à
la face de cette seconde puce 13 destinée à venir en regard de la carte électronique 15.
Au sens de l'invention, la formulation selon laquelle les contacts émergent d'une face indique que les contacts sont coplanaires avec une extrémité terminale de la puce au niveau de la face. Cependant, sur les dessins, la finesse de ces contacts ne permet pas de les représenter autrement que schématiquement.
La puce de détection 10 est fixée sur cette seconde puce 13 au niveau de contacts 17 émergeant d'une face d'hybridation 30 de la puce de détection 10. Pour ce faire, un collage mixte est réalisé alors que les faces d'hybridation 30 et 31 sont planarisées et les contacts 17 et 23 sont noyés dans une matrice d'oxyde de silicium. Une adhésion moléculaire est obtenue par collage mixte entre les surfaces d'oxyde de silicium, tandis que les contacts 17 et 23, typiquement en cuivre, sont soudés par thermo compression.
Tel qu'illustré sur les figures 5a et 51), les éléments constitutifs de la puce de détection 10 et de la seconde puce 13 sont préférentiellement réalisés avant le collage mixte de la puce de détection 10 sur la seconde puce 13. Pour ce faire, la puce de détection 10 est réalisée sur un substrat 80 surmonté par une couche d'oxyde profond 45, puis une fine couche semi-conductrice 42 complètement déplétée dans laquelle sont réalisés des transistors, et un réseau d'interconnexions métalliques 61 se terminant en surface par une couche d'isolant 11 au travers de laquelle des contacts électriques 17 peuvent émerger.
Lors du collage mixte, la puce de détection 10 est retournée de sorte que les contacts 17 soient désormais disposés au niveau de la partie inférieure de la puce de détection 10.
Après avoir fait correspondre les contacts 17 de la puce de détection 10 avec les contacts 23 de la seconde puce 13, il est possible que la puce de détection 10 soit légèrement décalée par rapport à la seconde puce 13, tel qu'illustré sur les figures 3 et 6 à
8.
Bien entendu, le décalage illustré est exagéré et vise uniquement à illustrer le report qui a eu lieu entre les deux puces 10 et 13. Suite au report de la puce de détection
5a) et d'une seconde puce (fig. 5b) du détecteur infrarouge de la figure 3 ;
- Figure 6 : une vue en section d'une étape de collage mixte des puces de la figure 5;
- Figure 7 : une vue en section d'une étape de réalisation de plots sur la puce de détection de la figure 6 ; et - Figure 8 : une vue en section d'une étape de réalisation de micro-bolomètres sur les plots de la figure 7.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION
La présente invention est ci-après décrite en référence à l'hybridation d'une seule puce de détection sur une seule seconde puce, ce pour des raisons de simplicité de compréhension et d'illustration. En pratique, l'invention sera le plus souvent mise en oeuvre pour coller simultanément une tranche intégrant plusieurs puces de détection avec une tranche intégrant plusieurs secondes puces.
La figure 3 illustre une vue en section d'un détecteur infrarouge 9 selon un mode de réalisation de l'invention. Ce détecteur infrarouge 9 comporte deux puces distinctes et superposées pour réduire la surface d'utilisation du détecteur infrarouge 9 sur une carte électronique 15.
Pour ce faire, une puce de détection 10 est montée sur une seconde puce 13, elle-même montée sur la carte électronique 15. Les connexions entre la carte électronique 15 et la seconde puce 13 sont réalisées par des voies de connexion 26 sur un réseau d'interconnexions métalliques 25 de la seconde puce 13 et connectées sur des contacts 18 de la carte électronique 15. Ainsi, en utilisant des voies de connexion 26, il est possible de connecter la seconde puce 13 par l'intermédiaire de contacts 18 disposés sous la seconde puce 13. En pratique, des billes de soudure sont classiquement disposées sur les contacts 18 pour assurer un contact électrique et un maintien entre les voies de connexion 26 et les contacts 18. En variante, d'autres types de connexion peuvent être utilisées entre la seconde puce 13 et la carte électronique 15.
'o Cette seconde puce 13 comporte des transistors 24 qui peuvent être utilisés avec d'autres éléments actifs, tels que des diodes. Par exemple, ces transistors 24 permettent de réaliser différentes fonctions qui ne peuvent être intégrées dans la surface du pixel du circuit de détection : lecture simultanée des éléments de détection de type snapshot , ou conversion analogique-numérique au niveau du pixel, ou un traitement numérique du signal issu de la puce détection 10. En variante, tout autre traitement peut être mis en oeuvre par les transistors 24 sans changer l'invention.
Cette seconde puce 13 présente également des contacts 23 émergeant d'une face supérieure de la seconde puce 13 et connectés aux transistors 24. La face supérieure de cette seconde puce 13 correspond à une face d'hybridation 31 qui est opposée à
la face de cette seconde puce 13 destinée à venir en regard de la carte électronique 15.
Au sens de l'invention, la formulation selon laquelle les contacts émergent d'une face indique que les contacts sont coplanaires avec une extrémité terminale de la puce au niveau de la face. Cependant, sur les dessins, la finesse de ces contacts ne permet pas de les représenter autrement que schématiquement.
La puce de détection 10 est fixée sur cette seconde puce 13 au niveau de contacts 17 émergeant d'une face d'hybridation 30 de la puce de détection 10. Pour ce faire, un collage mixte est réalisé alors que les faces d'hybridation 30 et 31 sont planarisées et les contacts 17 et 23 sont noyés dans une matrice d'oxyde de silicium. Une adhésion moléculaire est obtenue par collage mixte entre les surfaces d'oxyde de silicium, tandis que les contacts 17 et 23, typiquement en cuivre, sont soudés par thermo compression.
Tel qu'illustré sur les figures 5a et 51), les éléments constitutifs de la puce de détection 10 et de la seconde puce 13 sont préférentiellement réalisés avant le collage mixte de la puce de détection 10 sur la seconde puce 13. Pour ce faire, la puce de détection 10 est réalisée sur un substrat 80 surmonté par une couche d'oxyde profond 45, puis une fine couche semi-conductrice 42 complètement déplétée dans laquelle sont réalisés des transistors, et un réseau d'interconnexions métalliques 61 se terminant en surface par une couche d'isolant 11 au travers de laquelle des contacts électriques 17 peuvent émerger.
Lors du collage mixte, la puce de détection 10 est retournée de sorte que les contacts 17 soient désormais disposés au niveau de la partie inférieure de la puce de détection 10.
Après avoir fait correspondre les contacts 17 de la puce de détection 10 avec les contacts 23 de la seconde puce 13, il est possible que la puce de détection 10 soit légèrement décalée par rapport à la seconde puce 13, tel qu'illustré sur les figures 3 et 6 à
8.
Bien entendu, le décalage illustré est exagéré et vise uniquement à illustrer le report qui a eu lieu entre les deux puces 10 et 13. Suite au report de la puce de détection
10 sur la seconde puce 13, le substrat 80 de la puce de détection 10 peut être retiré
par traitement physique ou chimique jusqu'à atteindre la couche d'oxyde profond 45.
Des ouvertures sont ensuite réalisées à travers la couche d'oxyde profond 45 pour atteindre les transistors 40 de la couche semi-conductrice 42 de la puce de détection 10.
Pour obtenir une continuité électrique satisfaisante, un contact ohmique peut être réalisé
par siliciuration sur la surface de la couche semi-conductrice 42 au niveau des ouvertures préalablement réalisées. Pour former chaque micro-bolomètre 41, il est ensuite possible de former deux plots conducteurs 50a et 50b à travers une couche sacrificielle déposée sur la couche d'oxyde profond 45, de sorte que le courant soit injecté dans le micro-bolomètre 41 par le plot 50a et que le courant retourne aux transistors 40 par le plot 50b.
Les plots conducteurs 50 sont disposés à l'aplomb des contacts réalisés préalablement.
De préférence, les plots conducteurs 50 sont disposés sur des zones spécifiques de la couche semi-conductrice 42, rendues très conductrices par un fort dopage local, par exemple N++. Ce traitement est réalisé bien en amont lors de la fabrication du circuit CMOS en utilisant classiquement des procédés d'implantation. Ainsi, chaque pixel du détecteur infrarouge 9 est formé directement sur un transistor de type MOSFET, pour l'expression anglo-saxonne Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor , et connecté à celui-ci d'une façon appropriée dans le but de fournir une polarisation contrôlée à chaque micro-bolomètre Pour former ce transistor MOSFET, la couche semi-conductrice 42 est par exemple structurée par une zone 53 de dopage N++ formant le drain du transistor MOSFET, juxtaposée avec une zone 58 faiblement dopée de type P formant le canal du transistor MOSFET et également juxtaposée avec une seconde zone 57 dopée N++ formant la source du transistor MOSFET. Le rebouclage du courant après son passage par le micro-bolomètre est assuré par une zone 55 dopée N++, tel qu'illustré sur les figures 4a-4c.
Le transistor précédemment décrit est un transistor de type PMOS car le canal est dopé de type P. Bien entendu, il ne s'agit que d'un exemple et l'invention peut également être réalisée sur un transistor de type NMOS en inversant les dopages. En outre, l'occupation de l'espace décrit sur les figures 4a-4c constitue uniquement un exemple très simple.
Dans la réalité et surtout pour les petits pixels, le transistor d'injection est commun à un groupe de 2 ou 4 pixels, et il est entouré de nombreux autres transistors beaucoup plus petits qui remplissent la fonction d'interrupteurs.
Préférablement, lors de la fabrication des transistors sur la puce de détection 10, des tranchées sont réalisées dans la couche semi-conductrice 42 pour délimiter le périmètre de chaque transistor MOSFET ou des zones dédiées au passage du courant vers le bolomètre, puis ces ouvertures sont comblées par le dépôt d'un matériau isolant. Cela permet d'isoler chaque transistor vis-à-vis de perturbations électriques issues des zones voisines.
Ainsi, tel qu'illustré sur la coupe BB', la structure de la couche semi-conductrice 42 le long d'un transistor présente donc une zone 52 d'isolant, une zone 53 dopée N++, une zone 58 dopée P, une zone 57 dopée N++, et une zone 52 d'isolant. La coupe AA' se compose d'une zone 55 indépendante et dopée N++ permettant le rebouclage du courant après son passage dans le bolomètre, d'une zone 54 non dopée et non utilisée, et d'une seconde zone dopée N++ 59. Les trois zones 54, 59 et 55 sont isolées par des tranchées remplies d'un matériau d'isolant 52.
Chaque micro-bolomètre 41 est formé en suspension à partir d'un plot conducteur 50a connecté sur le drain 53 du transistor MOSFET jusqu'à atteindre le plot conducteur 50b connecté sur la zone 55 dopée N++ formant le rebouclage du courant vers le circuit. La zone 58, dopée P, qui correspond au canal du transistor, est disposée entre les deux zones 53 et 57 dopées N++ qui correspondent respectivement au drain et à la source dudit transistor. La grille 44 dudit transistor est reliée au réseau d'interconnexion 61 du circuit de lecture de la puce de détection, de manière qu'une tension électrique contrôlée peut y être appliquée. Ainsi, ledit transistor permet d'ajuster la polarisation appliquée sur le bolomètre attenant. Les transistors sont ensuite reliés par des plots 62 au réseau d'interconnexions métalliques 61.
De préférence, pour améliorer les propriétés de détection du micro-bolomètre 41 formé
sur les plots 50a et 50b, il est possible de recouvrir la surface de l'oxyde profond 45, sur une zone correspondant à la grille 58 par un réflecteur 60. Selon une disposition particulière de l'invention, ce réflecteur 60 peut également être connecté à
la zone 59 dopée N++ de la couche semi-conductrice 42, celle-ci étant elle-même connectée au réseau d'interconnexion 61 interne du circuit de lecture de la puce de détection. Ainsi, le réflecteur 60 permet également d'appliquer sur la face opposée à la grille du transistor, un champ électrique sur le canal du transistor MOSFET à travers l'oxyde profond 45. Ce dispositif permet de confiner les charges qui circulent dans la zone 58 au centre de la couche semi-conductrice 42.
Tel qu'illustré sur la figure 7, ce réflecteur 60 peut être déposé sur la couche d'oxyde profond 45 avant la réalisation des plots conducteurs 50. Ainsi, après la fixation de la puce de détection 10 sur la seconde puce 13 par collage hybride puis élimination du substrat de la puce 10, le procédé de réalisation peut comporter les étapes suivantes :
- création d'ouvertures dans la couche d'oxyde profond 45 au-dessus des zones 53 et 55 afin de recevoir les plots conducteurs 50a et 50b et au-dessus de la zone 59 pour connecter le réflecteur 60 ;
- réalisation de contacts ohmiques dans les ouvertures ;
- réalisation du réflecteur 60 sur la couche d'oxyde profond 45;
- dépôt de la couche sacrificielle 70;
- réalisation des plots conducteurs 50a, 50b; et - réalisation des micro-bolomètres 41.
fi est également possible de protéger les contacts ohmiques au-dessus des zones 53 et 55 lors de la réalisation du réflecteur 60 en réalisant ces contacts après la réalisation du réflecteur 60. Ainsi, le procédé de réalisation peut comporter les étapes suivantes :
- création d'une ouverture dans la couche d'oxyde profond 45 au-dessus de la zone 59 pour connecter le réflecteur 60 ;
- réalisation de contacts ohmiques dans l'ouverture ;
- réalisation du réflecteur 60 sur la couche d'oxyde profond 45;
- création d'ouvertures dans la couche d'oxyde profond 45 au-dessus des zones 53 et 55 afin de recevoir les plots conducteurs 50a et 50b;
- réalisation de contacts ohmiques dans les ouvertures ;
- dépôt de la couche sacrificielle 70;
- réalisation des plots conducteurs 50a, 50b; et - réalisation des micro-bolomètres 41.
L'invention permet ainsi d'obtenir un détecteur infrarouge 9 utilisant une faible surface sur une carte électronique 15 tout en intégrant des fonctions avancées, telles que lecture simultanée des éléments de détection de type snapshot , ou conversion analogique-numérique au niveau du pixel ou des traitements numériques.
par traitement physique ou chimique jusqu'à atteindre la couche d'oxyde profond 45.
Des ouvertures sont ensuite réalisées à travers la couche d'oxyde profond 45 pour atteindre les transistors 40 de la couche semi-conductrice 42 de la puce de détection 10.
Pour obtenir une continuité électrique satisfaisante, un contact ohmique peut être réalisé
par siliciuration sur la surface de la couche semi-conductrice 42 au niveau des ouvertures préalablement réalisées. Pour former chaque micro-bolomètre 41, il est ensuite possible de former deux plots conducteurs 50a et 50b à travers une couche sacrificielle déposée sur la couche d'oxyde profond 45, de sorte que le courant soit injecté dans le micro-bolomètre 41 par le plot 50a et que le courant retourne aux transistors 40 par le plot 50b.
Les plots conducteurs 50 sont disposés à l'aplomb des contacts réalisés préalablement.
De préférence, les plots conducteurs 50 sont disposés sur des zones spécifiques de la couche semi-conductrice 42, rendues très conductrices par un fort dopage local, par exemple N++. Ce traitement est réalisé bien en amont lors de la fabrication du circuit CMOS en utilisant classiquement des procédés d'implantation. Ainsi, chaque pixel du détecteur infrarouge 9 est formé directement sur un transistor de type MOSFET, pour l'expression anglo-saxonne Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor , et connecté à celui-ci d'une façon appropriée dans le but de fournir une polarisation contrôlée à chaque micro-bolomètre Pour former ce transistor MOSFET, la couche semi-conductrice 42 est par exemple structurée par une zone 53 de dopage N++ formant le drain du transistor MOSFET, juxtaposée avec une zone 58 faiblement dopée de type P formant le canal du transistor MOSFET et également juxtaposée avec une seconde zone 57 dopée N++ formant la source du transistor MOSFET. Le rebouclage du courant après son passage par le micro-bolomètre est assuré par une zone 55 dopée N++, tel qu'illustré sur les figures 4a-4c.
Le transistor précédemment décrit est un transistor de type PMOS car le canal est dopé de type P. Bien entendu, il ne s'agit que d'un exemple et l'invention peut également être réalisée sur un transistor de type NMOS en inversant les dopages. En outre, l'occupation de l'espace décrit sur les figures 4a-4c constitue uniquement un exemple très simple.
Dans la réalité et surtout pour les petits pixels, le transistor d'injection est commun à un groupe de 2 ou 4 pixels, et il est entouré de nombreux autres transistors beaucoup plus petits qui remplissent la fonction d'interrupteurs.
Préférablement, lors de la fabrication des transistors sur la puce de détection 10, des tranchées sont réalisées dans la couche semi-conductrice 42 pour délimiter le périmètre de chaque transistor MOSFET ou des zones dédiées au passage du courant vers le bolomètre, puis ces ouvertures sont comblées par le dépôt d'un matériau isolant. Cela permet d'isoler chaque transistor vis-à-vis de perturbations électriques issues des zones voisines.
Ainsi, tel qu'illustré sur la coupe BB', la structure de la couche semi-conductrice 42 le long d'un transistor présente donc une zone 52 d'isolant, une zone 53 dopée N++, une zone 58 dopée P, une zone 57 dopée N++, et une zone 52 d'isolant. La coupe AA' se compose d'une zone 55 indépendante et dopée N++ permettant le rebouclage du courant après son passage dans le bolomètre, d'une zone 54 non dopée et non utilisée, et d'une seconde zone dopée N++ 59. Les trois zones 54, 59 et 55 sont isolées par des tranchées remplies d'un matériau d'isolant 52.
Chaque micro-bolomètre 41 est formé en suspension à partir d'un plot conducteur 50a connecté sur le drain 53 du transistor MOSFET jusqu'à atteindre le plot conducteur 50b connecté sur la zone 55 dopée N++ formant le rebouclage du courant vers le circuit. La zone 58, dopée P, qui correspond au canal du transistor, est disposée entre les deux zones 53 et 57 dopées N++ qui correspondent respectivement au drain et à la source dudit transistor. La grille 44 dudit transistor est reliée au réseau d'interconnexion 61 du circuit de lecture de la puce de détection, de manière qu'une tension électrique contrôlée peut y être appliquée. Ainsi, ledit transistor permet d'ajuster la polarisation appliquée sur le bolomètre attenant. Les transistors sont ensuite reliés par des plots 62 au réseau d'interconnexions métalliques 61.
De préférence, pour améliorer les propriétés de détection du micro-bolomètre 41 formé
sur les plots 50a et 50b, il est possible de recouvrir la surface de l'oxyde profond 45, sur une zone correspondant à la grille 58 par un réflecteur 60. Selon une disposition particulière de l'invention, ce réflecteur 60 peut également être connecté à
la zone 59 dopée N++ de la couche semi-conductrice 42, celle-ci étant elle-même connectée au réseau d'interconnexion 61 interne du circuit de lecture de la puce de détection. Ainsi, le réflecteur 60 permet également d'appliquer sur la face opposée à la grille du transistor, un champ électrique sur le canal du transistor MOSFET à travers l'oxyde profond 45. Ce dispositif permet de confiner les charges qui circulent dans la zone 58 au centre de la couche semi-conductrice 42.
Tel qu'illustré sur la figure 7, ce réflecteur 60 peut être déposé sur la couche d'oxyde profond 45 avant la réalisation des plots conducteurs 50. Ainsi, après la fixation de la puce de détection 10 sur la seconde puce 13 par collage hybride puis élimination du substrat de la puce 10, le procédé de réalisation peut comporter les étapes suivantes :
- création d'ouvertures dans la couche d'oxyde profond 45 au-dessus des zones 53 et 55 afin de recevoir les plots conducteurs 50a et 50b et au-dessus de la zone 59 pour connecter le réflecteur 60 ;
- réalisation de contacts ohmiques dans les ouvertures ;
- réalisation du réflecteur 60 sur la couche d'oxyde profond 45;
- dépôt de la couche sacrificielle 70;
- réalisation des plots conducteurs 50a, 50b; et - réalisation des micro-bolomètres 41.
fi est également possible de protéger les contacts ohmiques au-dessus des zones 53 et 55 lors de la réalisation du réflecteur 60 en réalisant ces contacts après la réalisation du réflecteur 60. Ainsi, le procédé de réalisation peut comporter les étapes suivantes :
- création d'une ouverture dans la couche d'oxyde profond 45 au-dessus de la zone 59 pour connecter le réflecteur 60 ;
- réalisation de contacts ohmiques dans l'ouverture ;
- réalisation du réflecteur 60 sur la couche d'oxyde profond 45;
- création d'ouvertures dans la couche d'oxyde profond 45 au-dessus des zones 53 et 55 afin de recevoir les plots conducteurs 50a et 50b;
- réalisation de contacts ohmiques dans les ouvertures ;
- dépôt de la couche sacrificielle 70;
- réalisation des plots conducteurs 50a, 50b; et - réalisation des micro-bolomètres 41.
L'invention permet ainsi d'obtenir un détecteur infrarouge 9 utilisant une faible surface sur une carte électronique 15 tout en intégrant des fonctions avancées, telles que lecture simultanée des éléments de détection de type snapshot , ou conversion analogique-numérique au niveau du pixel ou des traitements numériques.
Claims (10)
1. Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge (9) comportant les étapes suivantes :
- collage mixte d'une puce de détection (10) sur une seconde puce (13), et lors du collage mixte ;
= ladite puce de détection (10) comportant un substrat (80) surmonté par une couche d'oxyde profond (45), une couche semi-conductrice (42) complètement déplétée intégrant des transistors (40), un réseau d'interconnexions métalliques (61), et une couche d'isolant (11) ;
= ladite puce de détection (10) comportant une face d'hybridation (30) présentant des contacts (17) émergeant de ladite couche d'isolant (11) et connectés au réseau d'interconnexions métalliques (61) ; et = ladite seconde puce (13) comportant un substrat (22) dans lequel sont réalisés des transistors (24) et des contacts (23) émergeant d'une couche d'isolant (46) au niveau d'une face d'hybridation (31) ;
l'étape de collage mixte étant réalisée par adhésion des contacts (17, 23) et des couches d'isolant (11, 46) des deux puces (10, 13) ;
- suppression du substrat (80) de ladite puce de détection (10) jusqu'à
atteindre ladite couche d'oxyde profond (45) ;
- réalisation de plots conducteurs (50) à travers ladite couche d'oxyde profond (45) pour atteindre les transistors (40) présents dans ladite couche semi-conductrice (42) ; et - réalisation de micro-bolomètres (41) en suspension sur ladite couche d'oxyde profond (45) et connectés électriquement aux plots conducteurs (50).
- collage mixte d'une puce de détection (10) sur une seconde puce (13), et lors du collage mixte ;
= ladite puce de détection (10) comportant un substrat (80) surmonté par une couche d'oxyde profond (45), une couche semi-conductrice (42) complètement déplétée intégrant des transistors (40), un réseau d'interconnexions métalliques (61), et une couche d'isolant (11) ;
= ladite puce de détection (10) comportant une face d'hybridation (30) présentant des contacts (17) émergeant de ladite couche d'isolant (11) et connectés au réseau d'interconnexions métalliques (61) ; et = ladite seconde puce (13) comportant un substrat (22) dans lequel sont réalisés des transistors (24) et des contacts (23) émergeant d'une couche d'isolant (46) au niveau d'une face d'hybridation (31) ;
l'étape de collage mixte étant réalisée par adhésion des contacts (17, 23) et des couches d'isolant (11, 46) des deux puces (10, 13) ;
- suppression du substrat (80) de ladite puce de détection (10) jusqu'à
atteindre ladite couche d'oxyde profond (45) ;
- réalisation de plots conducteurs (50) à travers ladite couche d'oxyde profond (45) pour atteindre les transistors (40) présents dans ladite couche semi-conductrice (42) ; et - réalisation de micro-bolomètres (41) en suspension sur ladite couche d'oxyde profond (45) et connectés électriquement aux plots conducteurs (50).
2. Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge selon la revendication 1, dans lequel le procédé comporte également une étape de réalisation d'un réflecteur métallique (60) sur ladite couche d'oxyde profond (45).
3. Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge selon la revendication 2, dans lequel le procédé comporte également une étape de réalisation de contacts (63) à
travers ladite couche d'oxyde profond (45) pour atteindre une zone (59) de ladite couche semi-conductrice (42) connectée au réseau d' interconnexions métalliques (61), ledit réflecteur métallique (60) étant réalisé sur lesdits contacts (63) de sorte à former une électrode ou un plan de masse.
travers ladite couche d'oxyde profond (45) pour atteindre une zone (59) de ladite couche semi-conductrice (42) connectée au réseau d' interconnexions métalliques (61), ledit réflecteur métallique (60) étant réalisé sur lesdits contacts (63) de sorte à former une électrode ou un plan de masse.
4. Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge selon l'une des revendications 1 à
3, dans lequel, ladite couche semi-conductrice (42) étant divisée, dans l'empreinte de chaque pixel, en plusieurs zones distinctes (53, 57, 58) formant un transistor d'injection, l'étape de réalisation de micro-bolomètres (41) est réalisée de sorte à
connecter en série chaque micro-bolomètre (41) sur un transistor d'injection.
3, dans lequel, ladite couche semi-conductrice (42) étant divisée, dans l'empreinte de chaque pixel, en plusieurs zones distinctes (53, 57, 58) formant un transistor d'injection, l'étape de réalisation de micro-bolomètres (41) est réalisée de sorte à
connecter en série chaque micro-bolomètre (41) sur un transistor d'injection.
5. Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge selon la revendication 4, dans lequel les zones distinctes (53, 57, 58) de ladite couche semi-conductrice (42) forment un transistor de type MOSFET.
6. Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge selon l'une des revendications 1 à
5, dans lequel l'étape de réalisation de de plots conducteurs (50) et l'étape de réalisation de micro-bolomètres (41) en suspension sur ladite couche d'oxyde profond (45) sont réalisées par utilisation d'au moins une couche sacrificielle (70).
5, dans lequel l'étape de réalisation de de plots conducteurs (50) et l'étape de réalisation de micro-bolomètres (41) en suspension sur ladite couche d'oxyde profond (45) sont réalisées par utilisation d'au moins une couche sacrificielle (70).
7 . Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge selon l'une des revendications 1 à
6, dans lequel ladite étape de collage mixte étant réalisée par thermocompression des contacts (17, 23) et par adhésion moléculaire des couches d'isolant (11, 46) des deux puces (10, 13).
6, dans lequel ladite étape de collage mixte étant réalisée par thermocompression des contacts (17, 23) et par adhésion moléculaire des couches d'isolant (11, 46) des deux puces (10, 13).
8. Détecteur infrarouge (9) comportant :
- une puce de détection (10) comportant des transistors (40), = connectés d'une part à des micro-bolomètres (41) montés en suspension sur une couche d'oxyde profond (45) et, = connectés d' autre part, à travers un réseau d' interconnexions métalliques (61), à des contacts (17) émergeant d'une couche d'isolant (11) ; et - une seconde puce (13) intégrant des transistors (24) connectés à des contacts (23) émergeant d'une couche d'isolant (46) ;
caractérisé en ce que les contacts (17) et la couche d'isolant (11) de ladite puce de détection (10) sont collés avec les contacts (23) et la couche d'isolant (46) de ladite seconde puce (13).
- une puce de détection (10) comportant des transistors (40), = connectés d'une part à des micro-bolomètres (41) montés en suspension sur une couche d'oxyde profond (45) et, = connectés d' autre part, à travers un réseau d' interconnexions métalliques (61), à des contacts (17) émergeant d'une couche d'isolant (11) ; et - une seconde puce (13) intégrant des transistors (24) connectés à des contacts (23) émergeant d'une couche d'isolant (46) ;
caractérisé en ce que les contacts (17) et la couche d'isolant (11) de ladite puce de détection (10) sont collés avec les contacts (23) et la couche d'isolant (46) de ladite seconde puce (13).
9. Détecteur infrarouge selon la revendication 8, dans lequel les transistors (24) de ladite seconde puce (13) complètent les transistors (40) de ladite puce de détection (10) pour réaliser un circuit de lecture des micro-bolomètres (41).
10. Détecteur infrarouge selon la revendication 8, dans lequel les transistors (24) de ladite seconde puce (13) réalisent un traitement numérique d'un signal issu de ladite puce de détection (10).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1872587A FR3089685B1 (fr) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | Procede de realisation d’un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe |
| FR1872587 | 2018-12-10 | ||
| PCT/EP2019/082603 WO2020120129A1 (fr) | 2018-12-10 | 2019-11-26 | Procede de realisation d'un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CA3113900A1 true CA3113900A1 (fr) | 2020-06-18 |
Family
ID=66676641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CA3113900A Pending CA3113900A1 (fr) | 2018-12-10 | 2019-11-26 | Procede de realisation d'un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11408772B2 (fr) |
| EP (1) | EP3894813B1 (fr) |
| KR (1) | KR20210098430A (fr) |
| CN (1) | CN112789488B (fr) |
| CA (1) | CA3113900A1 (fr) |
| FR (1) | FR3089685B1 (fr) |
| IL (1) | IL281837B (fr) |
| WO (1) | WO2020120129A1 (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022023664A1 (fr) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | Lynred | Micro-bolometre d'imagerie infrarouge et procedes de realisation associes |
| FR3113126A1 (fr) * | 2020-07-29 | 2022-02-04 | Lynred | Micro-bolometre d’imagerie infrarouge et procedes de realisation associes |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3089685B1 (fr) * | 2018-12-10 | 2020-11-20 | Ulis | Procede de realisation d’un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe |
| FR3144280A1 (fr) * | 2022-12-21 | 2024-06-28 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de détection d’un rayonnement electromagnétique comportant un détecteur thermique sur un substrat de lecture dont un élément électronique actif est situé au plus près du détecteur thermique |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0224689D0 (en) * | 2002-10-23 | 2002-12-04 | Simage Oy | Formation of contacts on semiconductor substrates |
| KR101634252B1 (ko) * | 2010-12-10 | 2016-07-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 스케일의 엑스선 검출기 및 제조방법 |
| US8975583B2 (en) * | 2012-03-08 | 2015-03-10 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | 3D stacked uncooled IR sensor device and method |
| FR2999805B1 (fr) * | 2012-12-17 | 2017-12-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un dispositif de detection infrarouge |
| FR3016997B1 (fr) * | 2014-01-30 | 2016-03-04 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de rayonnement photonique comportant un reseau d'antennes et un support resistif en spirale |
| FR3089685B1 (fr) * | 2018-12-10 | 2020-11-20 | Ulis | Procede de realisation d’un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe |
-
2018
- 2018-12-10 FR FR1872587A patent/FR3089685B1/fr active Active
-
2019
- 2019-11-26 EP EP19806275.4A patent/EP3894813B1/fr active Active
- 2019-11-26 WO PCT/EP2019/082603 patent/WO2020120129A1/fr unknown
- 2019-11-26 CA CA3113900A patent/CA3113900A1/fr active Pending
- 2019-11-26 US US17/279,966 patent/US11408772B2/en active Active
- 2019-11-26 CN CN201980064803.4A patent/CN112789488B/zh active Active
- 2019-11-26 KR KR1020217009305A patent/KR20210098430A/ko not_active Application Discontinuation
-
2021
- 2021-03-25 IL IL281837A patent/IL281837B/en unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022023664A1 (fr) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | Lynred | Micro-bolometre d'imagerie infrarouge et procedes de realisation associes |
| FR3113126A1 (fr) * | 2020-07-29 | 2022-02-04 | Lynred | Micro-bolometre d’imagerie infrarouge et procedes de realisation associes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210389186A1 (en) | 2021-12-16 |
| IL281837B (en) | 2022-06-01 |
| IL281837A (en) | 2021-05-31 |
| EP3894813A1 (fr) | 2021-10-20 |
| CN112789488B (zh) | 2024-02-02 |
| KR20210098430A (ko) | 2021-08-10 |
| CN112789488A (zh) | 2021-05-11 |
| US11408772B2 (en) | 2022-08-09 |
| FR3089685A1 (fr) | 2020-06-12 |
| FR3089685B1 (fr) | 2020-11-20 |
| EP3894813B1 (fr) | 2022-11-02 |
| WO2020120129A1 (fr) | 2020-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3894813B1 (fr) | Procede de realisation d'un detecteur infrarouge et detecteur infrarouge associe | |
| FR2700416A1 (fr) | Dispositif à semiconducteurs comportant un élément semiconducteur sur un élément de montage. | |
| FR2910707A1 (fr) | Capteur d'image a haute densite d'integration | |
| US9425232B2 (en) | Very small pixel pitch focal plane array and method for manufacturing thereof | |
| FR2844919A1 (fr) | Equipement a semi-conducteur | |
| FR2983348A1 (fr) | Bloc detecteur optique | |
| EP3545551A1 (fr) | Circuit integre forme d'un empilement de deux puces connectees en serie | |
| FR2939564A1 (fr) | Capteur et son procede de fabrication | |
| EP0089278B1 (fr) | Détecteur infra-rouge matriciel | |
| EP2595190A1 (fr) | Dispositif de détection de deux couleurs différentes à conditions de fonctionnement améliorées | |
| CA2915853C (fr) | Capteur differentiel de temperature | |
| FR2529386A1 (fr) | Boitier de circuit electronique comportant un condensateur | |
| FR2887076A1 (fr) | Capteur d'image a substrat semiconducteur aminci avec metallisation arriere | |
| FR2922682A1 (fr) | Procede de fabrication d'un micromodule de capture d'images | |
| EP2315243A1 (fr) | Plaque d'interface entre circuits intégrés | |
| FR3002085A1 (fr) | Composant incluant un element de conversion d'energie | |
| FR3069371A1 (fr) | Dispositif electronique capteur d'images | |
| EP4268281A1 (fr) | Integration d'un circuit de detection a base de resonateurs optiques interconnectes sur un circuit de lecture d'un imageur | |
| WO2022136378A1 (fr) | Integration d'un circuit de detection a base de resonateurs optiques sur un circuit de lecture d'un imageur | |
| EP2680303A1 (fr) | Circuit électrique susceptible d'être connecté directement à de la haute tension | |
| FR3100658A1 (fr) | Dispositif électronique comprenant des composants optiques et électroniques intégrés et procédé de fabrication | |
| EP3608960A1 (fr) | Circuit de commande de bras d'onduleur | |
| FR3051033A1 (fr) | Dispositif emetteur de lumiere |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EEER | Examination request |
Effective date: 20230901 |
|
| EEER | Examination request |
Effective date: 20230901 |