BR112020021943A2

BR112020021943A2 - film deposition device and film deposition method

Info

Publication number: BR112020021943A2
Application number: BR112020021943-6A
Authority: BR
Inventors: Hirofumi Fujii
Original assignee: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.)
Priority date: 2018-04-27
Filing date: 2019-04-23
Publication date: 2021-01-26
Also published as: WO2019208551A1; JP7130593B2; JP2019194354A; PT2019208551B; CN112041478B; CN112041478A

Abstract

DISPOSITIVO DE DEPOSIÇÃO DE PELÍCULA E MÉTODO DE DEPOSIÇÃO DE PELÍCULA. São fornecidos um aparelho de deposição de película e um método de deposição de película capazes de controlar com precisão distribuição circunferencial de espessura de uma película formada sobre uma peça de trabalho. O método e aparelho de deposição de película incluem fazer a quantidade total de energia elétrica fornecida a uma primeira fonte de evaporação maior do que a quantidade total de energia elétrica fornecida a uma segunda fonte de evaporação durante o período para formação da película de modo que uma porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação seja mais grossa que uma porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação na película formada sobre uma superfície de deposição da peça de trabalho.FILM DEPOSITION DEVICE AND FILM DEPOSITION METHOD. A film deposition apparatus and a film deposition method capable of accurately controlling the circumferential thickness distribution of a film formed on a workpiece are provided. The film deposition method and apparatus includes making the total amount of electrical energy supplied to a first evaporation source greater than the total amount of electrical energy supplied to a second evaporation source during the period of film formation so that a the portion formed by particles emitted from the emission surface of the first evaporation source is thicker than a portion formed by particles emitted from the emission surface of the second evaporation source in the film formed on a deposition surface of the workpiece.

Description

FILM DEPOSITION DEVICE AND DEPOSITION METHOD OF FILM TECHNICAL FIELD

[001]A presente invenção refere-se a um aparelho de deposição de película e a um método de deposição de película para formação de uma película sobre uma superfície de deposição de película de uma peça de trabalho.[001] The present invention relates to a film deposition apparatus and a film deposition method for forming a film on a film deposition surface of a workpiece.

TECHNICAL FUNDAMENTALS

[002]Com a finalidade de melhorar resistência a desgaste de uma peça de trabalho tal como um anel de pistão de um motor, é convencionalmente executada a formação de uma película dura feita de nitreto de crômio ou similar por meio de um método de deposição de película tal como PVD sobre uma superfície de deposição de película, por exemplo, uma superfície externa periférica, da peça de trabalho.[002] In order to improve the wear resistance of a workpiece such as a piston ring of an engine, the formation of a hard film made of chromium nitride or similar is conventionally carried out by means of a deposition method. film such as PVD on a film deposition surface, for example, a peripheral outer surface, of the workpiece.

[003]Por exemplo, o anel de pistão é um elemento metálico que tem a forma de um anel, mas inclui uma parte descontínua, que tem um par de porções terminais opostas entre si através de um espaço que é a parte descontínua. O anel de pistão é usado de modo a ser inserido dentro de um cilindro de um motor com deformação do anel de pistão na direção de redução do diâmetro externo do anel de pistão, isto é, na direção de fazer o par de porções terminais opostas se aproximar entre si. Em tal condição usado, a maior força para abrir o anel de pistão para fora age no par de porções terminais opostas. O par de porções terminais opostas é, portanto, mais fortemente pressionado contra a parede interna do cilindro, sendo mais provável de se desgastar quando o motor é usado.[003] For example, the piston ring is a metallic element that is shaped like a ring, but includes a discontinuous part, which has a pair of opposite portions opposite each other through a space that is the discontinuous part. The piston ring is used so as to be inserted into a cylinder of an engine with deformation of the piston ring in the direction of reducing the piston ring outer diameter, that is, in the direction of making the pair of opposite end portions if get closer to each other. In such a used condition, the greatest force to open the piston ring outwards acts on the pair of opposite end portions. The pair of opposite end portions is therefore more strongly pressed against the inner wall of the cylinder and is more likely to wear out when the engine is used.

[004]Com a finalidade de evitar tal desgaste do par de porções terminais opostas, é possível engrossar parcialmente a espessura de uma película dura, que é formada sobre a superfície externa periférica do anel de pistão, nas porções terminais opostas.[004] In order to avoid such wear of the pair of opposite end portions, it is possible to partially thicken the thickness of a hard film, which is formed on the outer peripheral surface of the piston ring, in the opposite end portions.

[005]Convencionalmente, um método de deposição de película descrito no Documento de Patente 1 é conhecido como um método de deposição de película para tornar a espessura de película da película dura de um par de porções terminais opostas de um anel de pistão maior do que a espessura de película da película dura na outra porção.[005] Conventionally, a film deposition method described in Patent Document 1 is known as a film deposition method for making the film thickness of a pair of opposite end portions of a piston ring greater than the film thickness of the film lasts on the other portion.

[006]O método de deposição de película inclui colocação do anel de pistão sobre uma mesa rotativa, acionar a mesa rotativa por um motor para rodar e girar o anel de pistão, dando um comando de velocidade ao motor para controlar o motor de modo que a velocidade de rotação do anel de pistão seja baixa quando o par de porções terminais opostas do anel de pistão está substancialmente oposto à fonte de evaporação. O controle do motor permite que a película dura tenha maior espessura no par de porções terminais opostas que a espessura da película dura na outra porção.[006] The film deposition method includes placing the piston ring on a rotary table, driving the rotary table by a motor to rotate and rotating the piston ring, giving a speed command to the motor to control the motor so that the rotation speed of the piston ring is low when the pair of opposite end portions of the piston ring is substantially opposite the evaporation source. Motor control allows the hard film to be thicker in the pair of opposite end portions than the thickness of the hard film in the other portion.

[007]O método de deposição de película de controle do motor como descrito acima para mudar a velocidade de rotação do anel de pistão, contudo, envolve um atraso desde o instante em que um comando de velocidade é dado ao motor até o instante em que a velocidade de rotação real do anel de pistão sobre a mesa rotativa alcança a velocidade de rotação alvo. Este atraso é mudado, durante o processo de deposição de película, dependendo do peso de uma peça de trabalho tal como um anel de pistão ou do estado ou temperatura da mesa rotativa; isto faz a reprodutibilidade do controle da velocidade de rotação do anel de pistão baixa. Especificamente, é difícil executar com precisão o controle de velocidade para diminuir a velocidade de rotação do anel de pistão quando as porções terminais opostas do anel de pistão estão opostas à fonte de evaporação. Isto impede controle preciso da espessura de película nas porções terminais opostas. Este problema pode também ocorrer na deposição de película para tornar a espessura da película formada sobre a superfície de uma peça de trabalho que não o anel de pistão circunferencialmente diferente.[007] The engine control film deposition method as described above to change the rotation speed of the piston ring, however, involves a delay from the moment a speed command is given to the engine until the moment when the actual rotation speed of the piston ring on the rotary table reaches the target rotation speed. This delay is changed, during the film deposition process, depending on the weight of a workpiece such as a piston ring or the state or temperature of the rotary table; this makes the reproducibility of the piston ring rotation speed low. Specifically, it is difficult to perform speed control accurately to decrease the rotation speed of the piston ring when the opposite end portions of the piston ring are opposite the evaporation source. This prevents precise control of the film thickness at the opposite end portions. This problem can also occur in the deposition of film to make the thickness of the film formed on the surface of a workpiece other than the circumferentially different piston ring.

LIST OF QUOTES PATENT LITERATURE

[008]Literatura de Patentes 1: Patente Japonesa No.[008] Patent Literature 1: Japanese Patent No.

4680380.4680380.

SUMMARY OF THE INVENTION

[009]Um objetivo da presente invenção é fornecer um aparelho de deposição de película e um método de deposição de película que são capazes de controlar uma distribuição circunferencial de espessura de uma película formada sobre uma superfície de deposição de película de uma peça de trabalho com elevada precisão.[009] An object of the present invention is to provide a film deposition apparatus and a film deposition method which are capable of controlling a circumferential distribution of the thickness of a film formed on a film deposition surface of a workpiece with high precision.

[0010]É fornecido um aparelho de deposição de película para formação de uma película sobre uma superfície lateral de uma peça de trabalho enquanto girando a peça de trabalho em torno de uma linha predeterminada de eixo central de revolução, a superfície lateral voltada perpendicularmente para a linha de eixo central de revolução. O aparelho de deposição de película inclui: pelo menos uma primeira fonte de evaporação que tem uma superfície de emissão a partir da qual são emitidas partículas que servem como um material para a formação da película, a primeira fonte de evaporação estando disposta simetricamente em relação a uma linha de referência, a linha de referência atravessando a linha de eixo central de revolução quando vista ao longo de uma direção na qual a linha de eixo central de revolução se estende e estando perpendicular a uma linha de fronteira, a linha de fronteira estendendo-se em uma direção radial de um círculo de lugares geométricos desenhado pela peça de trabalho girando em torno da linha de eixo central de revolução; pelo menos uma segunda fonte de evaporação localizada em um lado oposto à primeira fonte de evaporação através da linha de fronteira e simetricamente em relação à linha de referência; uma primeira fonte de alimentação que fornece energia elétrica à primeira fonte de evaporação para emissão de partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação; uma segunda fonte de alimentação que fornece energia elétrica à segunda fonte de evaporação para emissão de partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação; um dispositivo giratório de peça de trabalho que gira a peça de trabalho em torno da linha de eixo central de revolução enquanto suportando a peça de trabalho de modo que a peça de trabalho mantenha uma postura na qual uma região específica na superfície lateral da peça de trabalho, a região específica sendo uma região na qual a película deve ser formada mais grossa que aquela em uma região diferente da região específica, está voltada para uma direção radial específica selecionada a partir de direções radiais do círculo de lugares geométricos; e um dispositivo de controle que controla o suprimento da energia elétrica da primeira fonte de alimentação para a primeira fonte de evaporação e o suprimento da energia elétrica da segunda fonte de alimentação para a segunda fonte de evaporação de modo que uma primeira porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação é mais grossa que uma segunda porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação, na película formada sobre a peça de trabalho.[0010] A film deposition apparatus is provided for forming a film on a side surface of a workpiece while rotating the workpiece around a predetermined line of central axis of revolution, the side surface facing perpendicularly to the central axis line of revolution. The film deposition apparatus includes: at least one first evaporation source that has an emission surface from which particles are emitted which serve as a material for forming the film, the first evaporation source being arranged symmetrically with respect to a reference line, the reference line crossing the central axis of revolution when viewed along a direction in which the central axis of revolution extends and being perpendicular to a boundary line, the boundary line extending if in a radial direction of a circle of geometric places drawn by the workpiece rotating around the central axis line of revolution; at least one second evaporation source located on a side opposite the first evaporation source across the boundary line and symmetrically with respect to the reference line; a first power source that supplies electrical energy to the first evaporation source for emitting particles to form the film from the emission surface of the first evaporation source; a second power source that supplies electrical energy to the second evaporation source for emitting particles to form the film from the emission surface of the second evaporation source; a workpiece rotating device that rotates the workpiece around the center axis of revolution while supporting the workpiece so that the workpiece maintains a posture in which a specific region on the side surface of the workpiece , the specific region being a region in which the film must be formed thicker than that in a region other than the specific region, faces a specific radial direction selected from radial directions of the circle of geometric places; and a control device that controls the supply of electricity from the first power source to the first evaporation source and the supply of electricity from the second power source to the second evaporation source so that a first portion formed by emitted particles from the emission surface of the first evaporation source it is thicker than a second portion formed by particles emitted from the emission surface of the second evaporation source, in the film formed on the workpiece.

[0011]É também fornecido um método de deposição de película para formação de uma película sobre uma superfície de deposição de película de uma peça de trabalho. O método de deposição de película inclui: uma etapa de disposição de peça de trabalho de dispor a peça de trabalho de modo que uma região específica na qual a película deve ser formada mais grossa que aquela na outra região da superfície de deposição de película da peça de trabalho esteja voltada para uma direção específica, a direção específica interceptando uma linha de fronteira que define uma fronteira entre uma primeira área de disposição e uma segunda área de disposição, a primeira área de disposição sendo uma área na qual pelo menos uma primeira fonte de evaporação que tem uma superfície de emissão a partir da qual são emitidas partículas que servem como um material para formação da película, a segunda área de disposição sendo uma área na qual pelo menos uma segunda fonte de evaporação que tem uma superfície de emissão a partir da qual são emitidas partículas que servem como um material para formação da película; e uma etapa de deposição de película de formação de película sobre a superfície de deposição de película da peça de trabalho de tal modo a fazer um quantidade total de energia elétrica ser fornecida à primeira fonte de evaporação com a finalidade de emitir partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação em um período de formação de película maior do que a quantidade total de energia elétrica a ser fornecida à segunda fonte de evaporação com a finalidade de emitir partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação e de modo a direcionar a região específica da superfície de deposição de película da peça de trabalho na direção específica, de modo a fazer a primeira porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação mais grossa que uma segunda porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação na película.[0011] A film deposition method for forming a film on a film deposition surface of a workpiece is also provided. The film deposition method includes: a workpiece disposition step of arranging the workpiece so that a specific region in which the film must be formed thicker than that in the other region of the piece's film deposition surface work area is facing a specific direction, the specific direction intersecting a boundary line that defines a boundary between a first disposal area and a second disposal area, the first disposal area being an area in which at least a first source of evaporation having an emission surface from which particles are emitted which serve as a film-forming material, the second disposal area being an area in which at least a second source of evaporation having an emission surface from which particles are emitted which serve as a film forming material; and a film-forming film deposition step on the workpiece's film-depositing surface in such a way as to cause a total amount of electrical energy to be supplied to the first evaporation source for the purpose of emitting film-forming particles from the emission surface of the first evaporation source in a film-forming period greater than the total amount of electrical energy to be supplied to the second evaporation source for the purpose of emitting film-forming particles from the surface of emission of the second evaporation source and in order to direct the specific region of the film deposition surface of the workpiece in the specific direction, in order to make the first portion formed by particles emitted from the emission surface of the first evaporation source thicker than a second portion formed by particles emitted from the emission surface of the second source evaporation in the film.

BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

[0012]A Figura 1 é uma vista plana de um aparelho de deposição de película de acordo com uma modalidade da presente invenção.[0012] Figure 1 is a plan view of a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

[0013]A Figura 2 é uma vista plana que mostra um anel de pistão que é uma peça de trabalho sobre a qual é executada uma deposição de película pelo aparelho de deposição de película.[0013] Figure 2 is a plan view showing a piston ring that is a workpiece on which a film deposition is performed by the film deposition apparatus.

[0014]A Figura 3 é uma vista plana que mostra um mecanismo de operação de peça de trabalho para girar cada uma da pluralidade de mesas rotativas junto com o giro da mesa giratória no aparelho de deposição de película.[0014] Figure 3 is a plan view showing a workpiece operating mechanism for rotating each of the plurality of rotary tables together with the rotation of the rotary table in the film deposition apparatus.

[0015]A Figura 4 é uma vista lateral que mostra o mecanismo de operação de peça de trabalho.[0015] Figure 4 is a side view showing the workpiece operation mechanism.

[0016]A Figura 5 é um fluxograma que mostra um método de deposição de película executado por uso do aparelho de deposição de película mostrado na Figura 1.[0016] Figure 5 is a flowchart showing a film deposition method performed using the film deposition device shown in Figure 1.

[0017]A Figura 6 é uma vista plana de um aparelho de deposição de película de acordo com uma modificação 3 da modalidade da presente invenção.[0017] Figure 6 is a plan view of a film deposition apparatus according to a modification 3 of the embodiment of the present invention.

[0018]A Figura 7 é uma vista plana de um aparelho de deposição de película de acordo com uma modificação 4 da modalidade da presente invenção.[0018] Figure 7 is a plan view of a film deposition apparatus according to a modification 4 of the embodiment of the present invention.

DESCRIPTION OF MODALITIES

[0019]Doravante, modalidades da presente invenção serão descritas em detalhe com referência aos desenhos anexados.[0019] Hereinafter, modalities of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

[0020]A Figura 1 é uma vista plana que mostra um aparelho de deposição de película 10 de acordo com uma modalidade da presente invenção.[0020] Figure 1 is a plan view showing a film deposition apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

[0021]O aparelho de deposição de película 10 é um aparelho para formação de uma película 90 mostrada na Figura 2 sobre superfícies laterais respectivas de uma pluralidade de anéis de pistão 100 cada um sendo uma peça de trabalho de trabalho, enquanto girando a pluralidade de anéis de pistão 100 em torno de uma linha predeterminada de eixo central de revolução CL1, por meio de um método de deposição física a vapor, por exemplo, revestimento iônico a arco ou pulverização catódica. A superfície lateral de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 é uma superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100 voltada perpendicularmente para a linha de eixo central de revolução CL1, que é, horizontalmente nesta modalidade, uma superfície de deposição de película sobre a qual é executada a deposição de película. A superfície externa periférica 110, nesta modalidade, é substancialmente cilíndrica.[0021] The film deposition apparatus 10 is an apparatus for forming a film 90 shown in Figure 2 on respective side surfaces of a plurality of piston rings 100 each being a workpiece while rotating the plurality of piston rings 100 around a predetermined line of central axis of revolution CL1, by means of a physical vapor deposition method, for example, ionic arc coating or sputtering. The lateral surface of each of the plurality of piston rings 100 is a peripheral outer surface 110 of piston ring 100 facing perpendicularly to the central axis line of revolution CL1, which is, horizontally in this embodiment, a film deposition surface on which film deposition is performed. The outer peripheral surface 110, in this embodiment, is substantially cylindrical.

[0022]O aparelho de deposição de película 10 inclui uma câmara 20, um primeiro alvo 30 (uma primeira fonte de evaporação), um segundo alvo 40 (uma segunda fonte de evaporação), uma primeira fonte de alimentação de arco 50 (primeira fonte de alimentação) para fornecer uma corrente de arco ao primeiro alvo 30, uma segunda fonte de alimentação de arco 60 (segunda fonte de alimentação) para fornecer uma corrente de arco ao segundo alvo 40, um dispositivo giratório de peça de trabalho 70 para girar cada um da pluralidade de anéis de pistão 100, e um dispositivo de controle 80 para executar controle de corrente na primeira fonte de alimentação de arco 50 e na segunda fonte de alimentação de arco 60.[0022] The film deposition apparatus 10 includes a chamber 20, a first target 30 (a first evaporation source), a second target 40 (a second evaporation source), a first arc power source 50 (first source supply) to provide an arc current to the first target 30, a second arc power supply 60 (second power supply) to supply an arc current to the second target 40, a workpiece rotary device 70 to rotate each one of the plurality of piston rings 100, and a control device 80 for performing current control on the first arc power supply 50 and the second arc power supply 60.

[0023]Na descrição a seguir, a direção de oposição de alvo na qual o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 são opostos entre si (uma direção horizontal nesta modalidade; a direção vertical sobre a superfície de papel da Figura 1) é chamada uma direção Y, a direção horizontal perpendicular à direção Y (a direção lateral sobre a superfície de papel na Figura 1) é chamada uma direção X. A direção perpendicular a cada uma das direções X e Y (a direção vertical nesta modalidade, perpendicular à superfície de papel na Figura 1) é chamada uma direção Z.[0023] In the following description, the target opposing direction in which the first target 30 and the second target 40 are opposite each other (a horizontal direction in this mode; the vertical direction on the paper surface of Figure 1) is called a Y direction, the horizontal direction perpendicular to the Y direction (the lateral direction on the paper surface in Figure 1) is called an X direction. The direction perpendicular to each of the X and Y directions (the vertical direction in this mode, perpendicular to the paper surface in Figure 1) is called a Z direction.

[0024]A câmara 20 é um alojamento que acomoda a pluralidade de anéis de pistão 100 cada um sendo um alvo de deposição, a saber, uma peça de trabalho, um primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40. A câmara 20 inclui uma pluralidade de paredes laterais, uma parede superior conectada às respectivas bordas superiores da pluralidade de paredes laterais 22, e uma parede inferior conectada às respectivas bordas inferiores da pluralidade de paredes laterais. Nesta modalidade, a pluralidade de paredes laterais inclui um par de paredes laterais 22A, 22B opostas entre si na direção Y e um par de paredes laterais 22C e 22D opostas entre si na direção X. A pluralidade de paredes laterais 22A-22D, a parede superior e a parede inferior cercam um espaço interior 24. A pluralidade de anéis de pistão 100, o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 estão localizados no espaço interior 24.[0024] Chamber 20 is a housing that accommodates the plurality of piston rings 100 each being a deposition target, namely, a workpiece, a first target 30 and the second target 40. Chamber 20 includes a plurality side walls, an upper wall connected to the respective upper edges of the plurality of side walls 22, and a lower wall connected to the respective lower edges of the plurality of side walls. In this embodiment, the plurality of side walls includes a pair of side walls 22A, 22B opposite each other in the Y direction and a pair of side walls 22C and 22D opposite each other in the X direction. The plurality of side walls 22A-22D, the wall The upper and the lower wall surround an interior space 24. The plurality of piston rings 100, the first target 30 and the second target 40 are located in the interior space 24.

[0025]Cada um do primeiro alvo 30 como a primeira fonte de evaporação e do segundo alvo 40 como a segunda fonte de evaporação inclui um material de deposição de película para formação de uma película 90 como mostrado na Figura 2 sobre a superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100. O material de deposição de película é um material para formação de uma película dura nesta modalidade, por exemplo, crômio ou titânio no caso de formação de uma película dura tal como nitreto de crômio ou nitreto de titânio. O primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 de acordo com a presente modalidade são formados do mesmo material. Em resumo, os materiais que compõem a película 90 a ser formada sobre a superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100 pelo primeiro alvo 30 e pelo segunda alvo 40 são os mesmos.[0025] Each of the first target 30 as the first evaporation source and the second target 40 as the second evaporation source includes a film deposition material for forming a film 90 as shown in Figure 2 on the peripheral outer surface 110 piston ring 100. The film deposition material is a material for forming a hard film in this embodiment, for example, chromium or titanium in the case of formation of a hard film such as chromium nitride or titanium nitride. The first target 30 and the second target 40 according to the present embodiment are formed from the same material. In summary, the materials that make up the film 90 to be formed on the peripheral outer surface 110 of the piston ring 100 by the first target 30 and the second target 40 are the same.

[0026]O primeiro alvo 30 tem uma primeira superfície de emissão 32, a partir da qual são emitidas partículas que se tornarão o material de película, isto é, o material da película 90 a ser formada sobre a superfície externa periférica 110. O segundo alvo 40 tem uma segunda superfície de emissão 42, a partir da qual são emitidas partículas que se tornarão o material de película, isto é, o material da película 90 a ser formada sobre a superfície externa periférica 110. O primeiro alvo 30 é montado sobre a parede lateral 22A que é uma do par de paredes laterais 22A e 22B opostas entre si na direção Y entre a pluralidade de paredes laterais 22A a 22D. O segundo alvo 40 é montado sobre a parede lateral 22B que é a outra do par de paredes laterais 22A e 22B (isto é, a parede lateral localizada no lado oposto à parede lateral 22A na qual o primeiro alvo 30 é montado). A segunda superfície de emissão 42 do segundo alvo 40 é oposta à primeira superfície de emissão 32 do primeiro alvo 30 na direção Y. Em outras palavras, a segunda superfície de emissão 42 é oposta à primeira superfície de emissão 32 em uma direção perpendicular à direção da altura da câmara 20 (a direção perpendicular à superfície de papel na Figura 1, quer dizer, a direção Z). Cada uma da primeira e da segunda superfícies de emissão 32, 42 é paralela à linha de eixo central de revolução CL1 que é a linha de eixo central de rotação da mesa giratória descrita abaixo 74.[0026] The first target 30 has a first emission surface 32, from which particles are emitted which will become the film material, that is, the film material 90 to be formed on the outer outer surface 110. The second target 40 has a second emission surface 42, from which particles are emitted which will become the film material, that is, the film material 90 to be formed on the peripheral outer surface 110. The first target 30 is mounted on the side wall 22A which is one of the pair of side walls 22A and 22B opposite each other in the Y direction between the plurality of side walls 22A to 22D. The second target 40 is mounted on the side wall 22B which is the other of the pair of side walls 22A and 22B (i.e., the side wall located opposite the side wall 22A on which the first target 30 is mounted). The second emission surface 42 of the second target 40 is opposite the first emission surface 32 of the first target 30 in the Y direction. In other words, the second emission surface 42 is opposite the first emission surface 32 in a direction perpendicular to the direction the height of chamber 20 (the direction perpendicular to the paper surface in Figure 1, that is, the Z direction). Each of the first and second emission surfaces 32, 42 is parallel to the center axis line of revolution CL1 which is the center axis line of rotation of the turntable described below 74.

[0027]O primeiro alvo 30 está posicionado sobre o lado oposto ao segundo alvo 40 através da linha de fronteira BL. A linha de fronteira BL na Figura 1, isto é, como vista a partir de cima da câmara 20 (isto é, como vista ao longo da direção na qual a linha de eixo central de revolução CL1 da mesa giratória descrita abaixo 74 se estende), define uma fronteira entre uma primeira área de disposição e uma segunda área de disposição no espaço interior 24 da câmara[0027] The first target 30 is positioned on the opposite side to the second target 40 through the boundary line BL. The boundary line BL in Figure 1, that is, as seen from above the chamber 20 (that is, as seen along the direction in which the center axis line of revolution CL1 of the turntable described below 74 extends) , defines a boundary between a first disposal area and a second disposal area in the interior space 24 of the chamber

20. A primeira área de disposição é uma área na qual o primeiro alvo 30 está posicionado, e a segunda área de disposição é uma área na qual o segundo alvo 40 está posicionado. A linha de fronteira BL atravessa a linha de eixo central de revolução CL1 que é o centro de giro da mesa giratória 74 como visto a partir de cima da câmara 20. Em resumo, a linha de fronteira BL estende-se na direção radial de giro da mesa giratória 74.20. The first disposition area is an area in which the first target 30 is positioned, and the second disposition area is an area in which the second target 40 is positioned. The boundary line BL crosses the center axis line of revolution CL1 which is the turning center of the turntable 74 as seen from above the chamber 20. In summary, the boundary line BL extends in the radial direction of rotation turntable 74.

[0028]O primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 estão dispostos de modo que a linha de referência SL atravesse os respectivos centros do primeiro e do segundo alvos 30 e 40. Em outras palavras, ambos o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 estão dispostos simetricamente em relação à linha de referência SL (simetricamente na direção X). A linha de referência SL, na Figura 1, isto é, como vista a partir de cima da câmara 20 (isto é, como vista ao longo da direção na qual a linha de eixo central de revolução CL1 se estende) é perpendicular à linha de fronteira BL. A linha de referência SL atravessa a linha de eixo central de revolução CL1.[0028] The first target 30 and the second target 40 are arranged so that the SL reference line crosses the respective centers of the first and second targets 30 and 40. In other words, both the first target 30 and the second target 40 they are arranged symmetrically in relation to the SL reference line (symmetrically in the X direction). The reference line SL, in Figure 1, that is, as seen from above the chamber 20 (that is, as seen along the direction in which the center axis line of revolution CL1 extends) is perpendicular to the reference line. BL border. The SL reference line crosses the CL1 axis of revolution.

[0029]A primeira fonte de alimentação de arco 50 como a primeira fonte de alimentação fornece energia elétrica ao primeiro alvo 30 para permitir que partículas sejam emitidas a partir da primeira superfície de emissão 32. Especificamente, a primeira fonte de alimentação de arco 50 de acordo com esta modalidade faz uma corrente de arco correspondente ao fluxo de energia elétrica através do primeiro alvo 30. A segunda fonte de alimentação de arco 60 como a segunda fonte de alimentação fornece energia elétrica ao segundo alvo 40 para permitir que partículas sejam emitidas a partir da segunda superfície de emissão[0029] The first arc power supply 50 as the first power supply supplies electrical energy to the first target 30 to allow particles to be emitted from the first emission surface 32. Specifically, the first arc power supply 50 of according to this modality it makes an arc current corresponding to the electric energy flow through the first target 30. The second arc power source 60 as the second power source supplies electricity to the second target 40 to allow particles to be emitted from of the second emission surface

42. Especificamente, a segunda fonte de alimentação de arco 60 de acordo com esta modalidade faz uma corrente de arco correspondente ao fluxo de energia elétrica através do segundo alvo 40. Cada uma da primeira fonte de alimentação de arco 50 e da segunda fonte de alimentação de arco 60 tem um cátodo e um ânodo. O cátodo da primeira fonte de alimentação de arco 50 está conectado ao primeiro alvo 30, e o ânodo da primeira fonte de alimentação 50 está conectado à câmara 20. O cátodo da segunda fonte de alimentação de arco 60 está conectado ao segundo alvo 40, e o ânodo da segunda fonte de alimentação 60 está conectado à câmara 20.42. Specifically, the second arc power supply 60 according to this embodiment makes an arc current corresponding to the flow of electrical energy through the second target 40. Each of the first arc power supply 50 and the second power supply arc 60 has a cathode and an anode. The cathode of the first arc power supply 50 is connected to the first target 30, and the anode of the first arc power supply 50 is connected to the chamber 20. The cathode of the second arc power supply 60 is connected to the second target 40, and the anode of the second power supply 60 is connected to the chamber 20.

[0030]Com referência à pluralidade de anéis de pistão 100, cada um sendo uma peça de trabalho, haverá descrição com referência à Figura 2. A Figura 2 é uma vista plana que mostra o anel de pistão 100.[0030] With reference to the plurality of piston rings 100, each being a workpiece, there will be a description with reference to Figure 2. Figure 2 is a plan view showing the piston ring 100.

[0031]O anel de pistão 100 é um elemento que tem uma forma de anel, mas inclui uma parte descontínua, isto é, uma forma que se estende circunferencialmente por aproximadamente 360 graus. Portanto, o anel de pistão 100 tem um par de porções terminais opostas 102, 102 opostas entre si através de um espaço 101, que é a parte descontínua da forma de anel. A superfície externa periférica 110 do anel de pistão, portanto, tem uma forma de arco substancialmente circular em vista plana.[0031] The piston ring 100 is an element that has a ring shape, but includes a discontinuous part, that is, a shape that extends circumferentially approximately 360 degrees. Therefore, piston ring 100 has a pair of opposite end portions 102, 102 opposed to each other through a space 101, which is the discontinuous part of the ring shape. The peripheral outer surface 110 of the piston ring therefore has a substantially circular arc shape in plan view.

[0032]Sobre a superfície externa periférica 110, a película 90 é formada pelo aparelho de deposição de película descrito acima 10 para evitar que a superfície externa periférica 110 se desgaste. A película 90 inclui uma primeira porção de película 92 formada por partículas provenientes do primeiro alvo 30 e uma segunda porção de película 94 formada por partículas provenientes do segundo alvo 40. A segunda porção de película 94 cobre pelo menos uma região não coberta da superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100, a região não coberta sendo não coberta com a primeira porção de película 92. Pelo menos uma parte da primeira porção de partícula 92 que é formada por partículas provenientes do primeiro alvo 30 na película 90 tem uma espessura maior do que a espessura da segunda porção de película 94 que é formada por partículas provenientes do segundo alvo 40.[0032] On the outer peripheral surface 110, the film 90 is formed by the film deposition apparatus described above 10 to prevent the outer peripheral surface 110 from wearing out. The film 90 includes a first portion of film 92 formed by particles from the first target 30 and a second portion of film 94 formed by particles from the second target 40. The second portion of film 94 covers at least one uncoated region of the outer surface peripheral 110 of piston ring 100, the uncovered region being uncovered with the first portion of film 92. At least a part of the first portion of particle 92 which is formed of particles from the first target 30 in film 90 has a greater thickness than the thickness of the second portion of film 94 which is formed by particles from the second target 40.

[0033]A superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100 inclui uma região específica que é uma parte circunferencial da superfície externa periférica 110. A região específica é uma região na qual uma película mais grossa que a película formada na região diferente da região específica deve ser formada. A região específica corresponde à porção mais severamente desgastada no interior de um cilindro de um motor quando o anel de pistão 100 é usado no motor, correspondendo geralmente à superfície externa periférica 110 de cada um do par de porções terminais opostas 102, 102.[0033] The outer peripheral surface 110 of piston ring 100 includes a specific region that is a circumferential part of the outer peripheral surface 110. The specific region is a region in which a film thicker than the film formed in the region other than the specific region must be formed. The specific region corresponds to the most severely worn portion inside an engine cylinder when piston ring 100 is used on the engine, generally corresponding to the peripheral outer surface 110 of each of the pair of opposite end portions 102, 102.

[0034]Na película 90 formada sobre a superfície externa periférica 110, pelo menos uma parte das porções formadas pelas partículas provenientes do primeiro alvo 30, quer dizer, a primeira porção de película 92, cobre regiões respectivas correspondentes ao par de porções terminais opostas 102, 102 da superfície externa periférica 110 no anel de pistão 100 (quer dizer, a região específica). Portanto, a primeira porção de película 92 é uma parte da película 90 formada sobre a superfície externa periférica 110, sendo formada pelas partículas provenientes do primeiro alvo 30, e a primeira porção de película 92 tem uma espessura maior do que a espessura da segunda porção de película 94 formada por partículas provenientes do segundo alvo 40, cobrindo a superfície externa periférica de cada um do par de porções terminais opostas 102, 102 da superfície externa periférica 110.[0034] In the film 90 formed on the outer peripheral surface 110, at least part of the portions formed by the particles from the first target 30, that is, the first portion of film 92, covers respective regions corresponding to the pair of opposite end portions 102 , 102 of the peripheral outer surface 110 in the piston ring 100 (that is, the specific region). Therefore, the first portion of film 92 is a portion of film 90 formed on the outer peripheral surface 110, being formed by particles from the first target 30, and the first portion of film 92 is thicker than the thickness of the second portion of film 94 formed by particles from the second target 40, covering the outer peripheral surface of each of the pair of opposite end portions 102, 102 of the outer peripheral surface 110.

[0035]O dispositivo giratório de peça de trabalho 70 mostrada na Figura 1 gira a pluralidade de anéis de pistão 100 em torno da linha de eixo central de revolução CL1 de modo que cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 atravessa sequencialmente a linha de referência SL interligando a primeira superfície de emissão 32 e a segunda superfície de emissão 42. Durante a rotação da pluralidade de anéis de pistão 100, o dispositivo giratório de peça de trabalho 70 suporta, como mostrado na Figura 2, cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 de modo que a região específica da superfície externa periférica 110 de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100, isto é, a região na qual deve ser formada a película 90 (vide Figura 2) mais grossa que aquela na região diferente da região específica, a região específica correspondendo ao par de porções terminais opostas 102, 102, sempre estando oposta ao lado no qual a primeira superfície de emissão 32 do primeiro alvo 30 existe (lado superior sobre a superfície de papel na Figura 1; doravante referida como “primeiro lado alvo”) ao longo da direção Y, isto é, a direção de oposição alvo na qual o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 estão opostos entre si (direção vertical sobre a superfície de papel na Figura 1). Em outras palavras, o dispositivo giratório de peça de trabalho 70 suporta cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 de modo que a superfície externa periférica de cada um do par das porções terminais opostas 102, 102 do anel de pistão 100 na superfície externa periférica 110 esteja voltada para o primeiro lado alvo (o lado onde a primeira superfície de emissão 32 existe; o lado superior sobre a superfície de papel na Figura 1) na direção Y que é a direção que intercepta a linha de fronteira BL (no exemplo mostrado na Figura 1, a direção perpendicular à linha de fronteira BL), quando vista a partir de cima da câmara 20 (isto é, como vista ao longo da direção na qual a linha de eixo central de revolução CL1 se estende). Em resumo, a superfície externa periférica de cada um do par de porções terminais opostas 102, 102 na superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100 está voltada para uma direção radial específica selecionada a partir das direções radiais da mesa giratória 74.[0035] The workpiece rotating device 70 shown in Figure 1 rotates the plurality of piston rings 100 around the center axis line of revolution CL1 so that each of the plurality of piston rings 100 sequentially crosses the line of reference SL interconnecting the first emission surface 32 and the second emission surface 42. During the rotation of the plurality of piston rings 100, the workpiece rotating device 70 supports, as shown in Figure 2, each of the plurality of rings piston 100 so that the specific region of the outer peripheral surface 110 of each of the plurality of piston rings 100, that is, the region in which the film 90 (see Figure 2) is to be thicker than that in the different region of the specific region, the specific region corresponding to the pair of opposite end portions 102, 102, always opposite the side on which the first emission surface 32 of the first target 30 exists (upper side r on the paper surface in Figure 1; hereinafter referred to as “first target side”) along the Y direction, that is, the target opposing direction in which the first target 30 and the second target 40 are opposite each other (vertical direction on the paper surface in Figure 1) . In other words, the workpiece rotating device 70 supports each of the plurality of piston rings 100 so that the outer peripheral surface of each of the pair of opposite end portions 102, 102 of the piston ring 100 on the peripheral outer surface 110 faces the first target side (the side where the first emission surface 32 exists; the upper side over the paper surface in Figure 1) in the Y direction which is the direction that intersects the boundary line BL (in the example shown in Figure 1, the direction perpendicular to the boundary line BL), when viewed from above the chamber 20 (that is, as seen along the direction in which the central axis line of revolution CL1 extends). In summary, the outer peripheral surface of each of the pair of opposite end portions 102, 102 on the peripheral outer surface 110 of piston ring 100 faces a specific radial direction selected from the radial directions of the turntable 74.

[0036]O estado no qual a superfície externa periférica de cada um do par de porções terminais opostas 102, 102 está voltada para o primeiro lado alvo na direção de oposição de alvo, a saber, a direção Y, é um estado onde o par de porções terminais opostas 102, 102 do anel de pistão 100 está localizado sobre o primeiro lado alvo do centro do anel de pistão 100 (por exemplo, o centro em um caso suposto onde o anel de pistão 100 tinha uma forma anular perfeita) na direção de oposição de alvo, a saber, a direção Y. O estado é, mais preferivelmente, um estado no qual o par de porções terminais opostas 102, 102 está localizado em tal posição que uma linha reta que se estenda na direção Y e atravesse o centro do anel de pistão 100 passe entre o par de porções terminais opostas 102, 102.[0036] The state in which the outer peripheral surface of each of the pair of opposing end portions 102, 102 faces the first target side in the opposite direction of the target, namely, the Y direction, is a state where the pair of opposite end portions 102, 102 of piston ring 100 is located on the first target side of the center of piston ring 100 (for example, the center in a supposed case where piston ring 100 had a perfect annular shape) in the direction of target opposition, namely, the Y direction. The state is, more preferably, a state in which the pair of opposite end portions 102, 102 is located in such a position that a straight line extending in the Y direction and crossing the center of piston ring 100 passes between the pair of opposite end portions 102, 102.

[0037]O dispositivo giratório de peça de trabalho 70 inclui uma mesa rotativa 72 e uma fonte de acionamento não mostrada graficamente. A mesa rotativa 72 está disposta de modo a ser giratória em torno da linha de eixo central de revolução CL1, suportando a pluralidade de anéis de pistão 100 de modo que cada um dos anéis da pluralidade de anéis de pistão 100 gire em torno da linha de eixo central de revolução CL1 junto com o seu giro. A linha de eixo central de revolução CL1 estende-se na direção Z entre o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40.[0037] The workpiece rotating device 70 includes a rotating table 72 and a drive source not shown graphically. The rotary table 72 is arranged to be rotatable about the central axis line of revolution CL1, supporting the plurality of piston rings 100 so that each of the rings of the plurality of piston rings 100 rotates around the line of central axis of revolution CL1 along with its rotation. The center axis line of revolution CL1 extends in the Z direction between the first target 30 and the second target 40.

[0038]A mesa rotativa 72 inclui a mesa giratória 74 e uma pluralidade de mesas rotativas 76. A mesa giratória 74 está disposta de modo a ser rotativa, em torno da linha de eixo central de revolução CL1 que se estende na direção Z, na direção giratória indicada pela seta AR1 na Figura 1. A pluralidade de mesas rotativas 76 está alinhada na direção circunferencial da mesa giratória 74, e cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 é rotativa em relação à mesa giratória 74 na direção de rotação indicada por uma seta AR2 na Figura 1 em torno da linha de eixo central de rotação CL2 que atravessa o centro da mesa rotativa 76 na direção Z, enquanto suportando o anel de pistão 100 na mesma.[0038] The rotary table 72 includes the rotary table 74 and a plurality of rotary tables 76. The rotary table 74 is arranged to be rotatable, around the central axis line of revolution CL1 that extends in the Z direction, in the rotary direction indicated by the arrow AR1 in Figure 1. The plurality of rotary tables 76 is aligned in the circumferential direction of the rotary table 74, and each of the plurality of rotary tables 76 is rotatable in relation to the rotary table 74 in the direction of rotation indicated by a arrow AR2 in Figure 1 around the center axis of rotation CL2 that runs through the center of the rotary table 76 in the Z direction, while supporting piston ring 100 on it.

[0039]A mesa giratória 74 é girada em torno da linha de eixo central de revolução CL1 pelo suprimento de força de acionamento proveniente da fonte de acionamento. A linha de eixo central de revolução CL1 estende-se na direção da altura da câmara 20, a saber, a direção Z, e atravessa o centro da mesa giratória 74 quando vista ao longo da direção da altura da câmara 20. A mesa giratória 74 tem uma forma de disco. A mesa giratória 74 está posicionada entre a primeira superfície de emissão 32 e a segunda superfície de emissão 42.[0039] The turntable 74 is rotated around the central axis line of revolution CL1 by supplying the driving force from the driving source. The central axis line of revolution CL1 extends towards the height of the chamber 20, namely, the Z direction, and passes through the center of the turntable 74 when viewed along the direction of the height of the chamber 20. The turntable 74 has a disk shape. The turntable 74 is positioned between the first emission surface 32 and the second emission surface 42.

[0040]Cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 é girada em torno da linha de eixo central de rotação CL2, enquanto suportando o anel de pistão 100 sobre a mesa rotativa 76, e girada em torno da linha de eixo central de revolução CL pelo giro da mesa giratória 74 em torno da linha de eixo central de revolução CL1. Portanto, a linha de eixo central de rotação CL2 é uma linha de eixo central de rotação que é configurada para cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76, e a linha de eixo central de revolução CL1 serve como ambas a linha de eixo central de rotação da mesa giratória 74 e a linha de eixo central de revolução de cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76. A linha de eixo central de rotação CL2 configurada para cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 estende-se na direção da altura da câmara 20, a saber, a direção Z, e atravessa o centro da mesa rotativa 76 quando vista ao longo da direção da altura da câmara 20. A linha de eixo central de rotação CL2 é, portanto, paralela à linha de eixo central de revolução CL1.[0040] Each of the plurality of rotary tables 76 is rotated about the central axis line of rotation CL2, while supporting the piston ring 100 on the rotary table 76, and rotated around the central axis line of revolution CL by rotation of the turntable 74 around the center axis line of revolution CL1. Therefore, the central axis of rotation CL2 is a central axis of rotation which is configured for each of the plurality of rotary tables 76, and the central axis of revolution CL1 serves as both the central axis of rotation of the turntable 74 and the central axis line of revolution for each of the plurality of rotary tables 76. The central axis of rotation CL2 configured for each of the plurality of rotary tables 76 extends towards the height of the chamber 20 , namely, the Z direction, and passes through the center of the rotary table 76 when viewed along the direction of the height of the chamber 20. The central axis line of rotation CL2 is therefore parallel to the central axis line of revolution CL1.

[0041]A cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76,[0041] Each of the plurality of rotating tables 76,

é aplicada uma força de acionamento rotativo junto com o giro da mesa giratória 74, e cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 é girada, pela força de acionamento rotativo, em torno da linha de eixo central de rotação CL2, enquanto sendo girada em torno da linha de eixo central de revolução CL1. Isto torna possível girar a pluralidade de anéis de pistão 100 na pluralidade de mesas rotativas 76 junto com o giro da mesa giratória 74 enquanto mantendo sempre a postura na qual as porções terminais opostas 102, 102 dos anéis de pistão 100 estão voltadas para o primeiro lado alvo.a rotary actuation force is applied along with the rotation of the turntable 74, and each of the plurality of rotary tables 76 is rotated, by the rotary actuation force, around the central axis of rotation CL2, while being rotated around of the axis axis of revolution CL1. This makes it possible to rotate the plurality of piston rings 100 in the plurality of rotary tables 76 together with the rotation of the turntable 74 while always maintaining the posture in which the opposite end portions 102, 102 of the piston rings 100 are facing the first side target.

[0042]Com referência a um mecanismo de operação de peça de trabalho que é um mecanismo para realização dos movimentos acima descritos da pluralidade de anéis de pistão 100, existirá descrição com referência às Figuras 3 e 4.[0042] With reference to a workpiece operating mechanism which is a mechanism for performing the above described movements of the plurality of piston rings 100, there will be a description with reference to Figures 3 and 4.

[0043]O mecanismo de operação de peça de trabalho inclui uma pluralidade de elementos guiados 77 e um elemento guia 78 como mostrado na Figura 4. A pluralidade de elementos guiados 77 é fornecida à pluralidade de mesas rotativas 76, respectivamente, e o elemento guia 78 está posicionado para guiar coletivamente a pluralidade de elementos guiados 77.[0043] The workpiece operating mechanism includes a plurality of guided elements 77 and a guide element 78 as shown in Figure 4. The plurality of guided elements 77 is provided to the plurality of rotary tables 76, respectively, and the guide element 78 is positioned to collectively guide the plurality of guided elements 77.

[0044]Cada um da pluralidade de elementos guiados 77 inclui um eixo rotativo 771, uma peça de conexão 773 e uma projeção guiada 772. O eixo rotativo 771 estende-se na direção Z, estando conectado à porção central da mesa rotativa 76 de modo a girar integralmente com a mesa rotativa 76 e suportado pela mesa giratória 74. O eixo rotativo 771, por exemplo, está inserido no orifício de passagem 741 formado de modo a penetrar a mesa giratória 74 na direção da espessura, a saber, a direção Z, deste modo incluindo uma porção superior de conexão conectada à mesa de rotação 76 sobre o lado superior da mesa giratória 74 e uma porção inferior saliente que se salienta para baixo para além da mesa giratória 74. A peça de conexão 773 estende-se desde a porção inferior saliente do eixo rotativo 771 na direção do raio de rotação da mesa rotativa 76 (direção horizontal nesta modalidade). A peça de conexão 773 está localizada no lado posterior da mesa giratória 74, isto é, sobre o lado oposto da mesa rotativa 76 através da mesa giratória 74 na direção da espessura da mesa giratória 74, a saber, na direção Z (nesta modalidade, sobre o lado inferior). A projeção guiada 772 projeta-se para baixo a partir da porção terminal distal que é uma das porções terminais opostas da peça de conexão 773 e a porção terminal oposta ao eixo rotativo 771. Portanto, a projeção guiada 772 estende-se sobre o lado oposto à mesa giratória 74 e em paralelo com o eixo rotativo 771.[0044] Each of the plurality of guided elements 77 includes a rotating axis 771, a connecting piece 773 and a guided projection 772. The rotating axis 771 extends in the Z direction, being connected to the central portion of the rotating table 76 so to rotate integrally with the rotary table 76 and supported by the rotary table 74. The rotary axis 771, for example, is inserted in the through hole 741 formed in order to penetrate the rotary table 74 in the direction of the thickness, namely, the Z direction , thus including an upper connecting portion connected to the turntable 76 on the upper side of the turntable 74 and a lower projecting protruding downward beyond the turntable 74. The connecting piece 773 extends from the lower protruding portion of the rotary axis 771 in the direction of the rotation radius of the rotary table 76 (horizontal direction in this mode). The connection piece 773 is located on the back side of the turntable 74, that is, on the opposite side of the turntable 76 through the turntable 74 in the direction of the thickness of the turntable 74, namely, in the Z direction (in this mode, on the bottom side). The guided projection 772 projects downwardly from the distal end portion which is one of the opposite end portions of the connecting piece 773 and the end portion opposite the rotary axis 771. Therefore, the guided projection 772 extends on the opposite side to the turntable 74 and in parallel with the rotary axis 771.

[0045]O elemento guia 78 está fixado sobre a parede inferior da câmara 20. No elemento guia 78, é formada uma ranhura guia 781 engatável com as projeções guiadas 772 da pluralidade de elementos guiados 77. A ranhura guia 781 é aberta para cima, e as projeções guiadas 772 são encaixadas dentro da ranhura guia 781. Como mostrado na Figura 3, a ranhura guia 781 tem uma forma anular com um diâmetro substancialmente equivalente ao diâmetro do círculo de lugares geométricos de revolução C1 da mesa rotativa 76, e o centro da ranhura guia 781 está deslocado do centro do círculo de lugares geométricos de revolução C1 na direção na qual a linha de fronteira BL se estende (a direção X) como vista ao longo da direção na qual a linha de eixo central de revolução CL1 se estende (a direção Z). O círculo de lugares geométricos de revolução C1 é um lugar geométrico desenhado pelo centro da mesa rotativa 76 (a linha de eixo central de revolução CL2) junto com a revolução da mesa rotativa 76. O diâmetro da ranhura guia 781 é o diâmetro de um círculo de base guia, que é um círculo que atravessa a posição central na direção da largura da ranhura guia 781.[0045] The guide element 78 is fixed on the lower wall of the chamber 20. In the guide element 78, a guide groove 781 is formed that can be engaged with the guided projections 772 of the plurality of guided elements 77. The guide groove 781 is opened upwards, and the guided projections 772 are fitted within the guide groove 781. As shown in Figure 3, the guide groove 781 has an annular shape with a diameter substantially equivalent to the diameter of the circle of geometric places of revolution C1 of the rotating table 76, and the center of the guide groove 781 is offset from the center of the circle of geometric places of revolution C1 in the direction in which the boundary line BL extends (the direction X) as seen along the direction in which the center axis line of revolution CL1 extends (the Z direction). The circle of geometrical places of revolution C1 is a geometrical place designed by the center of the rotary table 76 (the central axis line of revolution CL2) together with the revolution of the rotary table 76. The diameter of the guide groove 781 is the diameter of a circle guide base, which is a circle that crosses the central position in the direction of the width of the guide groove 781.

[0046]Cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76, enquanto sendo suportada pela mesa giratória 74 de modo a ser rotativa em torno da linha de eixo central de rotação CL2 correspondente à linha de eixo central do eixo rotativo 771 em um estado onde o eixo rotativo 771 é inserido dento do orifício de passagem 741, é girado em torno da linha de eixo central de revolução CL1 junto com o giro da mesa giratória 74 em torno da linha de eixo central de revolução CL1. Neste instante, a projeção guiada 772 conectada ao eixo rotativo 771 através da peça de conexão 773 move-se ao longo da ranhura guia 781, isto é, guiada ao longo do círculo de base guia, por meio do que cada uma da porção terminal distal da peça de conexão 773 (a extremidade conectada à projeção guiada 772) é mantida orientada em uma das direções X (direção esquerda na Figura 4) independentemente da revolução da pluralidade de mesas rotativas 76. Isto permite que cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 gire em torno da linha de eixo central de rotação CL2 com revolução em torno da linha de eixo central de revolução CL1 da pluralidade de mesas de rotação[0046] Each of the plurality of rotary tables 76, while being supported by the rotary table 74 so as to be rotatable around the central axis line of rotation CL2 corresponding to the central axis line of the rotary axis 771 in a state where the axis rotary 771 is inserted into the through hole 741, is rotated around the center axis line of revolution CL1 together with the rotation of the turntable 74 around the center axis line of revolution CL1. At this moment, the guided projection 772 connected to the rotary axis 771 through the connection piece 773 moves along the guide groove 781, that is, guided along the guide base circle, whereby each of the distal end portion of the connecting piece 773 (the end connected to the guided projection 772) is kept oriented in one of the X directions (left direction in Figure 4) regardless of the revolution of the plurality of rotary tables 76. This allows each of the plurality of rotary tables 76 rotate around the center line of rotation CL2 with revolution around the center line of revolution CL1 of the plurality of rotation tables

76 para, deste modo, manter o par de porções terminais opostas 102, 102 de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 voltado para o primeiro lado alvo (lado superior na Figura 1) na direção de oposição de alvo, a saber, a direção Y, durante a revolução da pluralidade de mesas de rotação 76. Em resumo, a pluralidade de mesas rotativas 76 pode girar em torno das respectivas linhas de eixo central de CL2 em relação à mesa giratória 74 junto com o giro da mesa giratória 74 em torno da linha de eixo central de rotação CL2 para deste modo manter sempre o par de porções terminais opostas 102, 102 de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 suportado pelas respectivas mesas de rotação 76 voltado para o primeiro lado alvo.76 in order to maintain the pair of opposite end portions 102, 102 of each of the plurality of piston rings 100 facing the first target side (upper side in Figure 1) in the opposite direction of the target, namely the Y direction, during the revolution of the plurality of rotating tables 76. In summary, the plurality of rotating tables 76 can rotate around the respective central axis lines of CL2 in relation to the turntable 74 together with the rotation of the turntable 74 in around the central axis line of rotation CL2 to thereby always maintain the pair of opposite end portions 102, 102 of each of the plurality of piston rings 100 supported by the respective rotation tables 76 facing the first target side.

[0047]No exemplo mostrado na Figura 3, as porções terminais opostas 102, 102 de cada uma da pluralidade de anéis de pistão 100 estão localizadas sobre o primeiro lado alvo da projeção guiada 772. A relação posicional entre as porções terminais opostas 102, 102 e a projeção guiada 772 é, contudo, não limitada. A posição relativa da porção terminal oposta 102 para a projeção guiada 772 pode ser adequadamente mudada de acordo com respectivas posições do primeiro e do segundo alvos 30 e 40.[0047] In the example shown in Figure 3, the opposite end portions 102, 102 of each of the plurality of piston rings 100 are located on the first target side of the guided projection 772. The positional relationship between the opposite end portions 102, 102 and the guided projection 772 is, however, not limited. The relative position of the opposite end portion 102 for the guided projection 772 can be suitably changed according to respective positions of the first and second targets 30 and 40.

[0048]A pluralidade de mesas rotativas 76 está alinhada na direção circunferencial da mesa giratória 74, isto é, na direção de giro da mesa giratória 74. Cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 tem uma forma de disco. A pluralidade de mesas rotativas 76 está posicionada entre a primeira superfície de emissão 32 e a segunda superfície de emissão 42.[0048] The plurality of rotary tables 76 is aligned in the circumferential direction of the turntable 74, that is, in the direction of rotation of the turntable 74. Each of the plurality of rotary tables 76 has a disk shape. The plurality of rotating tables 76 is positioned between the first emission surface 32 and the second emission surface 42.

[0049]Cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 tem uma superfície de colocação de peça de trabalho voltada para cima, e a pluralidade de anéis de pistão 100 é colocada sobre as respectivas superfícies de colocação de peças de trabalho. Sobre a superfície de colocação de peça de trabalho, pode existir tanto um único anel de pistão 100 como uma pluralidade de anéis de pistão 100 empilhados na direção da espessura da mesa rotativa 76, isto é, a direção Z paralela à linha de eixo central de rotação CL2.[0049] Each of the plurality of rotary tables 76 has a workpiece placement surface facing upward, and the plurality of piston rings 100 is placed on the respective workpiece placement surfaces. On the workpiece placement surface, there can be either a single piston ring 100 or a plurality of piston rings 100 stacked in the direction of the thickness of the rotary table 76, that is, the Z direction parallel to the central axis line of CL2 rotation.

[0050]Cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 é munida de um elemento de retenção de peça de trabalho para manter o anel de pistão 100 colocado na mesa rotativa 76. O elemento de retenção de peça de trabalho inclui um suporte 762 e uma nervura 763. O suporte 762 estende-se para cima ao longo da linha de eixo central de rotação CL2 a partir da superfície de colocação de peça de trabalho, e suporta o anel de pistão 100 em um estado onde o suporte 762 é inserido dentro do anel de pistão 100. A nervura 763 é um elemento de posicionamento para posicionar o par de porções terminais opostas 102, 102 relativamente à mesa rotativa 76 em relação à direção rotacional da mesa rotativa 76. A nervura 763 salienta-se na direção de raio de rotação da mesa rotativa 76 a partir de uma posição circunferencialmente específica sobre a superfície externa circunferencial do suporte 762, e estende-se na direção vertical (a direção Z). A nervura 763 está interposta entre o par de porções terminais opostas 102, 102 do anel de pistão 100 em um estado onde o suporte está localizado dentro do anel de pistão 100, deste modo posicionando o anel de pistão 100 em relação à mesa rotativa 76 de modo que cada par de porções terminais opostas 102, 102 é mantido voltado para o primeiro lado alvo (lado superior sobre a face de papel na Figura 1) na direção de oposição de alvo (a direção vertical sobre a superfície de papel na Figura 1) pela rotação da mesa rotativa 76.[0050] Each of the plurality of rotary tables 76 is provided with a workpiece retaining element to hold the piston ring 100 placed on the rotating table 76. The workpiece retaining element includes a support 762 and a rib 763. Support 762 extends upward along the axis of rotation axis CL2 from the workpiece placement surface, and supports piston ring 100 in a state where support 762 is inserted into the ring piston 100. The rib 763 is a positioning element for positioning the pair of opposite end portions 102, 102 relative to the rotary table 76 with respect to the rotational direction of the rotary table 76. The rib 763 protrudes in the direction of rotation radius the rotary table 76 from a circumferentially specific position on the circumferential outer surface of the support 762, and extends in the vertical direction (the Z direction). The rib 763 is interposed between the pair of opposite end portions 102, 102 of the piston ring 100 in a state where the support is located inside the piston ring 100, thereby positioning the piston ring 100 in relation to the rotating table 76 of so that each pair of opposite end portions 102, 102 is kept facing the first target side (upper side on the paper face in Figure 1) in the opposite direction of the target (the vertical direction on the paper surface in Figure 1) by rotating the rotary table 76.

[0051]O dispositivo de controle 80 controla o acionamento da primeira fonte de alimentação de arco 50 e da segunda fonte de alimentação de arco 60 de modo que a primeira porção de película 92 formada pelas partículas emitidas a partir da primeira superfície de emissão 32 do primeiro alvo 30, na película 90 formada sobre a superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100, seja mais grossa que a segunda porção de película 94 formada pelas partículas emitidas a partir da segunda superfície de emissão 42 do segundo alvo 40. Mais especificamente, o dispositivo de controle 80 faz a corrente de arco que a primeira fonte de alimentação de arco 50 faz fluir através do primeiro alvo 30 maior do que a corrente de arco que a segunda fonte de alimentação de arco 60 faz fluir através do segundo alvo 40 de modo que a quantidade total de partículas emitidas a partir da primeira superfície de emissão 32 para aderir à superfície externa periférica de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 é maior do que a quantidade total de partículas emitidas a partir da segunda superfície de emissão 42 para aderir à superfície externa periférica de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100. Isto permite que a porção que cobre a superfície externa periférica de cada um do par de porções terminais opostas 102, 102 (isto é, pelo menos uma parte da primeira porção de película 92), na película 90 formada sobre a superfície externa periférica 110, tenha uma maior espessura que a espessura da segunda porção de película 94.[0051] The control device 80 controls the activation of the first arc power supply 50 and the second arc power supply 60 so that the first portion of film 92 formed by the particles emitted from the first emission surface 32 of the first target 30, in the film 90 formed on the outer peripheral surface 110 of the piston ring 100, is thicker than the second portion of film 94 formed by the particles emitted from the second emission surface 42 of the second target 40. More specifically, the control device 80 causes the arc current that the first arc power supply 50 flows through the first target 30 greater than the arc current that the second arc power supply 60 flows through the second target 40 of so that the total amount of particles emitted from the first emission surface 32 to adhere to the outer peripheral surface of each of the plurality of piston rings 100 is greater than the total amount of particles emitted from the second emission surface 42 to adhere to the outer peripheral surface of each of the plurality of piston rings 100. This allows the portion that covers the outer peripheral surface of each of the pair of opposite end portions 102, 102 (i.e., at least a part of the first film portion 92), in the film 90 formed on the peripheral outer surface 110, has a greater thickness than the thickness of the second film portion 94.

[0052]Desde que seja possível dar à primeira porção de película 92 uma maior espessura que a espessura da segunda porção de película 94, o período de operação da primeira fonte de alimentação durante o qual a primeira fonte de alimentação de arco 50 aplica uma corrente de arco ao primeiro alvo 30 pode ser tanto o mesmo como diferente do período de operação da segunda fonte de alimentação durante o qual a segunda fonte de alimentação de arco 60 aplica uma corrente de arco ao segundo alvo 40.[0052] As long as it is possible to give the first portion of film 92 a greater thickness than the thickness of the second portion of film 94, the operating period of the first power supply during which the first arc power source 50 applies a current arc to the first target 30 can be both the same and different from the operating period of the second power supply during which the second arc power source 60 applies an arc current to the second target 40.

[0053]O dispositivo de controle 80, especificamente, inclui uma primeira seção de controle de corrente 82 e a segunda seção de controle de corrente 84 como mostrado na Figura 1. A primeira seção de controle de corrente 82 executa controle de corrente da primeira fonte de alimentação de arco 50. A segunda seção de controle de corrente 84 executa controle de corrente da segunda fonte de alimentação de arco 60.[0053] Control device 80, specifically, includes a first current control section 82 and the second current control section 84 as shown in Figure 1. The first current control section 82 performs current control from the first source arc power supply 50. The second current control section 84 performs current control of the second arc power supply 60.

[0054]Com referência a um método de deposição de película pelo uso de tal aparelho de deposição de película 10, haverá descrição com referência à Figura 5. O método de deposição de película utiliza galvanização a arco (AIP).[0054] With reference to a film deposition method by using such film deposition apparatus 10, there will be a description with reference to Figure 5. The film deposition method uses arc galvanization (AIP).

[0055]O método de deposição de película inclui uma etapa de preparação S11, uma etapa de disposição de peça de trabalho S12 e uma etapa de deposição de película S13. Doravante, estas etapas serão descritas.[0055] The film deposition method includes a preparation step S11, a workpiece disposal step S12 and a film deposition step S13. These steps will now be described.

[0056]A etapa de preparação S11 é uma etapa de preparação do aparelho de deposição de película 10.[0056] Preparation step S11 is a preparation step for the film deposition apparatus 10.

[0057]A etapa de disposição de peça de trabalho S12 é uma etapa de disposição da pluralidade de anéis de pistão[0057] The S12 workpiece disposal step is a step of disposing the plurality of piston rings

100 sobre as superfícies de colocação de peças de trabalho da pluralidade de mesas rotativas 76. O anel de pistão 100 suportado por cada uma da pluralidade de mesas rotativas 76 é posicionado circunferencialmente, como mostrado na Figura 1, pela nervura 763 sobre a mesa rotativa 76 de modo que o par de porções terminais opostas 102, 102 no anel de pistão 100 esteja voltado para o primeiro lado alvo (lado superior no plano de papel da Figura 1) na direção de oposição de alvo na qual o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 estejam opostos entre si (a direção vertical na superfície de papel na Figura 1).100 on the workpiece placement surfaces of the plurality of rotating tables 76. The piston ring 100 supported by each of the plurality of rotating tables 76 is positioned circumferentially, as shown in Figure 1, by the rib 763 on the rotating table 76 so that the pair of opposite end portions 102, 102 on the piston ring 100 are facing the first target side (upper side on the paper plane of Figure 1) in the opposite direction of the target in which the first target 30 and the second target 40 are opposite each other (the vertical direction on the paper surface in Figure 1).

[0058]A etapa de deposição de película S13 é uma etapa de formação de uma película 90 sobre a superfície externa periférica 110 de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 como mostrado na Figura 2. A formação da película 90, a saber, a deposição de película, é executada com o giro de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 em torno da linha de eixo central de revolução CL1 e rotação de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 em torno da linha de eixo central de rotação CL2 de modo que o par de porções terminais opostas 102, 102 de cada anel de pistão 100 sempre esteja voltado para o primeiro lado alvo na direção de oposição de alvo independentemente da revolução. A etapa de deposição de película S13 é executada sob um ambiente no qual a pressão é reduzida na câmara 20.[0058] The film deposition step S13 is a film forming step 90 on the outer peripheral surface 110 of each of the plurality of piston rings 100 as shown in Figure 2. The formation of film 90, namely the deposition of the film is performed by rotating each of the plurality of piston rings 100 around the central axis line of revolution CL1 and rotating each of the plurality of piston rings 100 around the central axis line of rotation CL2 so that the pair of opposite end portions 102, 102 of each piston ring 100 is always facing the first target side in the opposite direction of the target regardless of the revolution. The film deposition step S13 is performed under an environment in which the pressure is reduced in the chamber 20.

[0059]Em cada um da pluralidade de anéis de pistão 100, um potencial de tensão é aplicado a partir de um dispositivo de aplicação de potencial de tensão não mostrado graficamente através do dispositivo de revolução de peça de trabalho 70. Em um estado onde o potencial de tensão é deste modo aplicado a cada um da pluralidade de anéis de pistão 100, a primeira fonte de alimentação de arco 50 faz uma corrente de arco fluir através do primeiro alvo 30 e uma segunda fonte de alimentação de arco 60 faz uma corrente de arco fluir através do segundo alvo 40. Isto provoca uma descarga de arco entre o primeiro alvo 30 e a superfície interna da câmara 20, evaporando o material do primeiro alvo 30 da primeira superfície de emissão 32 do primeiro alvo 30 para emitir partículas com alta energia. As partículas colidem com a superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100. Além disso, é provocada uma descarga de arco entre a superfície interna do segundo alvo 40 e a superfície interna da câmara 20, evaporando o material do segundo alvo 40 da segunda superfície de emissão 42 do segundo alvo 40 para emitir partículas com alta energia. As partículas também colidem com a superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100. A película 90 como mostrada na Figura 2 é, portanto, formada sobre a superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100. A película 90, portanto, inclui a primeira porção de película 92 formada por partículas provenientes do primeiro alvo 30 e a segunda porção de película 94 formada por partículas provenientes do segundo alvo 40.[0059] In each of the plurality of piston rings 100, a voltage potential is applied from a voltage potential application device not shown graphically through the workpiece revolution device 70. In a state where the voltage potential is thus applied to each of the plurality of piston rings 100, the first arc power supply 50 causes an arc current to flow through the first target 30 and a second arc power supply 60 makes a current of arc flows through the second target 40. This causes an arc discharge between the first target 30 and the inner surface of the chamber 20, evaporating the material from the first target 30 from the first emission surface 32 from the first target 30 to emit particles with high energy . The particles collide with the peripheral outer surface 110 of piston ring 100. In addition, an arc discharge is caused between the inner surface of the second target 40 and the inner surface of the chamber 20, evaporating the material from the second target 40 of the second surface emission 42 from the second target 40 to emit high energy particles. The particles also collide with the peripheral outer surface 110 of the piston ring 100. The film 90 as shown in Figure 2 is therefore formed on the peripheral outer surface 110 of the piston ring 100. The film 90 therefore includes the first portion of film 92 formed by particles from the first target 30 and the second portion of film 94 formed by particles from the second target 40.

[0060]Na etapa de deposição de película S13, cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 atravessa a parte dianteira da primeira superfície de emissão 32 e a parte dianteira da segunda superfície de emissão 42 alternadamente, em um estado onde o par de porções terminais opostas 102, 102 do pistão de anel 100 está voltado para o primeiro lado alvo na direção de oposição de alvo. A película 90 como mostrada na Figura 2 é, portanto, formada sobre a superfície externa periférica 110 de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 ao longo de toda a sua circunferência.[0060] In the film deposition step S13, each of the plurality of piston rings 100 passes through the front of the first emission surface 32 and the front of the second emission surface 42 alternately, in a state where the pair of portions Opposite terminals 102, 102 of ring piston 100 face the first target side in the opposite direction of the target. The film 90 as shown in Figure 2 is therefore formed on the outer peripheral surface 110 of each of the plurality of piston rings 100 along its entire circumference.

[0061]O dispositivo de controle 80 controla respectivas operações da primeira e da segunda fontes de alimentação de arco 50, 60 de modo que a corrente de arco que a primeira fonte de alimentação de arco 50 aplica ao primeiro alvo 30 é maior do que a corrente de arco que a segunda fonte de alimentação de arco 60 aplica ao segundo alvo 40. Isto torna a espessura da primeira porção de película 92 formada por unidade de tempo pelas partículas provenientes do primeiro alvo 30 maior do que a espessura da segunda porção de película 94 formada por unidade de tempo pelas partículas provenientes do segundo alvo 40, como mostrado na Figura 2. Portanto, a primeira porção de película 92 da película 90 finalmente formada sobre a superfície externa periférica do anel de pistão 100 é mais grossa que a segunda porção de película 94. A primeira porção de película 92 cobre a superfície externa periférica de cada um do par de porções terminais opostas 102, 102, na superfície externa periférica 110 do anel de pistão 100, e a segunda porção de película 94 cobre a superfície externa periférica de uma porção localizada sobre o lado oposto ao par de porções terminais opostas 102, 102 através do centro do anel de pistão 100 em relação à direção radial do anel de pistão 100, na superfície externa periférica 110.[0061] Control device 80 controls respective operations of the first and second arc power supplies 50, 60 so that the arc current that the first arc power supply 50 applies to the first target 30 is greater than the arc current that the second arc power supply 60 applies to the second target 40. This makes the thickness of the first film portion 92 formed per unit time by the particles coming from the first target 30 greater than the thickness of the second film portion 94 formed per unit time by the particles coming from the second target 40, as shown in Figure 2. Therefore, the first portion of film 92 of film 90 finally formed on the outer peripheral surface of piston ring 100 is thicker than the second portion of film 94. The first portion of film 92 covers the outer peripheral surface of each of the pair of opposite end portions 102, 102, on the outer peripheral surface 110 of the ring piston 100, and the second portion of film 94 covers the outer peripheral surface of a portion located opposite the pair of opposite end portions 102, 102 through the center of piston ring 100 with respect to the radial direction of the piston ring 100, on the outer peripheral surface 110.

[0062]O período para fazer a corrente de arco aplicada ao primeiro alvo 30 pela primeira fonte de alimentação de arco 50 maior do que a corrente de arco aplicada ao segundo alvo 40 pela segunda fonte de alimentação de arco 60 (doravante referido como “período proporcionador de diferença de correntes”) pode ser o mesmo que um período total de deposição de película, que é um período para formação da película 90, ou uma parte do período total de deposição de película. O modo pelo qual o período de aplicação de diferença de correntes é uma parte do período total de deposição de película é, por exemplo, um modo pelo qual o período total de deposição de película inclui uma pluralidade de períodos proporcionadores de diferença de correntes. Em resumo, a extensão do período proporcionador de diferença de correntes pode ser arbitrariamente configurado em uma faixa que satisfaça a condição de fazer a espessura da película formada por unidade de tempo por partículas provenientes do primeiro alvo 30 maior do que a espessura da película formada por unidade de tempo por partículas provenientes do segundo alvo 40.[0062] The period for making the arc current applied to the first target 30 by the first arc power source 50 greater than the arc current applied to the second target 40 by the second arc power source 60 (hereinafter referred to as “period current difference proportional ”) can be the same as a total film deposition period, which is a film formation period 90, or a part of the total film deposition period. The way in which the current difference application period is a part of the total film deposition period is, for example, a way in which the total film deposition period includes a plurality of current difference providing periods. In summary, the length of the current difference-providing period can be arbitrarily configured in a range that satisfies the condition of making the film thickness formed by unit of time by particles from the first target 30 greater than the film thickness formed by particle time unit from second target 40.

[0063]No aparelho de deposição de película descrito acima 10 e no método de deposição de película que usa o mesmo, o controle do acionamento da primeira e da segunda fontes de alimentação de arco 50, 60 permite que a primeira porção de película 92 formada por partículas emitidas a partir da primeira superfície de emissão 32 da película 90 tenha uma espessura maior do que a espessura da segunda porção de película 94 formada por partículas emitidas a partir da segunda superfície de emissão 42, sem necessidade de ajuste da velocidade de revolução do anel de pistão 100 como no estado da técnica. O controle, isto é, o controle de fonte de alimentação para parcialmente engrossar a película 90 formada sobre a superfície externa periférica[0063] In the film deposition apparatus described above 10 and the film deposition method that uses the same, the control of the activation of the first and second arc power supplies 50, 60 allows the first portion of film 92 formed particles emitted from the first emission surface 32 of the film 90 have a thickness greater than the thickness of the second portion of film 94 formed by particles emitted from the second emission surface 42, without the need to adjust the speed of revolution of the piston ring 100 as in the prior art. The control, that is, the power supply control to partially thicken the film 90 formed on the outer peripheral surface

110 do anel de pistão 100, tem alta reprodutibilidade quando comparado com o controle da velocidade de revolução. Isto torna possível controlar com precisão a distribuição circunferencial de espessura de película da película 90 formada sobre a superfície externa periférica 110.110 of piston ring 100, has high reproducibility when compared to the speed of revolution control. This makes it possible to precisely control the circumferential film thickness distribution of the film 90 formed on the outer peripheral surface 110.

[0064]No aparelho de deposição de película 10, a mesa rotativa 72 do dispositivo giratório de peça de trabalho 70 está disposta de modo a ser giratória em torno da linha de eixo central de revolução CL1 que se estende na direção Z entre o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40, suportando a pluralidade de anéis de pistão 100 de modo que o giro da mesa rotativa 72 envolva a revolução de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 em torno da linha de eixo central de revolução CL1. Portanto, o método de deposição de película que usa o aparelho de deposição 10 inclui a rotação de cada um da pluralidade de anéis de pistão 100 em torno da linha de eixo central de revolução CL1 que se estende na direção Z entre o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40, isto é, movendo a pluralidade de anéis de pistão 100 ao longo do círculo de lugares geométricos de revolução predeterminado localizado entre o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40. Em outras palavras, a faixa de movimento da pluralidade de anéis de pistão 100 é limitada pelo círculo de lugares geométricos de revolução. Isto permite que o espaço necessário para movimento da pluralidade de anéis de pistão 100 com a finalidade da deposição de película seja pequeno.[0064] In the film deposition apparatus 10, the rotating table 72 of the workpiece rotating device 70 is arranged to be rotatable around the central axis line of revolution CL1 that extends in the Z direction between the first target 30 and the second target 40, supporting the plurality of piston rings 100 so that the rotation of the rotary table 72 involves the revolution of each of the plurality of piston rings 100 around the central axis line of revolution CL1. Therefore, the film deposition method using the deposition apparatus 10 includes the rotation of each of the plurality of piston rings 100 around the center axis line of revolution CL1 that extends in the Z direction between the first target 30 and the second target 40, that is, moving the plurality of piston rings 100 along the circle of predetermined geometrical places of revolution located between the first target 30 and the second target 40. In other words, the range of motion of the plurality of rings of piston 100 is limited by the circle of geometric places of revolution. This allows the space necessary for movement of the plurality of piston rings 100 for the purpose of film deposition to be small.

[0065]No aparelho de deposição de película 10 e no método de deposição de película que usa o mesmo, a formação da película 90 pelo uso do segundo alvo 40, isto é, a formação da segunda porção de película 94, pode ser executada após o término da formação da película 90 pelo uso do primeiro alvo 30, isto é, a formação da primeira porção de película 92. Alternativamente, a formação da segunda porção de película 94 pode ser iniciada durante a formação da primeira porção de película 92, isto é, antes do fim da sua formação. Modificação 1 da modalidade[0065] In the film deposition apparatus 10 and in the film deposition method that uses the same, the formation of the film 90 by the use of the second target 40, that is, the formation of the second film portion 94, can be carried out after the termination of film formation 90 by the use of the first target 30, that is, the formation of the first film portion 92. Alternatively, the formation of the second film portion 94 can be initiated during the formation of the first film portion 92, i.e. it is, before the end of your training. Modification 1 of the modality

[0066]Embora o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 do aparelho de deposição de película 10 de acordo com a modalidade acima sejam formados do mesmo material, a presente invenção também abrange uma Modificação 1 na qual um primeiro alvo 30 e um segundo alvo 40 são formados de diferentes materiais.[0066] Although the first target 30 and the second target 40 of the film deposition apparatus 10 according to the above embodiment are formed from the same material, the present invention also encompasses a Modification 1 in which a first target 30 and a second target 40 are made of different materials.

[0067]Na Modificação 1, na película 90 formada sobre a superfície exterior periférica do anel de pistão 100, à primeira porção de película 92 formada por partículas emitidas pela primeira superfície de emissão 32 do primeiro alvo 30 podem ser dadas características diferentes daquelas da segunda porção de película 94 formada por partículas emitidas pela segunda superfície de emissão 42 do segundo alvo 40. Por exemplo, o primeiro alvo 30 pode ser formado por um material mais duro que o material que constitui o segundo alvo 40, o que permite que a dureza da primeira porção de película 92 seja maior do que a dureza da segunda porção de película 94. Isto torna possível suprimir desgaste de uma porção da película 90, a porção que cobre a superfície externa periférica de cada um do par de porções terminais opostas 102, 102 do anel de pistão 100 (a saber, a primeira porção de película 92)[0067] In Modification 1, in the film 90 formed on the outer peripheral surface of the piston ring 100, the first portion of film 92 formed by particles emitted by the first emission surface 32 of the first target 30 can be given characteristics different from those of the second portion of film 94 formed by particles emitted by the second emission surface 42 of the second target 40. For example, the first target 30 can be formed by a material harder than the material that constitutes the second target 40, which allows the hardness of the first portion of film 92 is greater than the hardness of the second portion of film 94. This makes it possible to suppress wear of a portion of film 90, the portion covering the peripheral outer surface of each of the pair of opposite end portions 102, 102 of piston ring 100 (namely, the first portion of film 92)

Modificação 2 da modalidadeModification 2 of the modality

[0068]Embora o dispositivo de controle 80 do aparelho de deposição de película 10, de acordo com a modalidade, faça a corrente de arco da primeira fonte de alimentação de arco 50 aplicar ao primeiro alvo 30 maior do que a corrente de arco que a segunda fonte de alimentação 60 aplica ao segundo alvo 40 de modo que a primeira porção de película 92 seja mais grossa que a segunda porção de película 94, medidas para fazer a primeira porção de película 92 mais grossa que a segunda porção de película 94 não são limitadas a esta. A presente invenção também engloba a Modificação 2 de fazer um primeiro período de operação de fonte de alimentação durante o qual a primeira fonte de alimentação de arco 50 aplica corrente de arco ao primeiro alvo 30 mais longo que um segundo período de operação de fonte de alimentação durante o qual a segunda fonte de alimentação 60 aplica corrente de arco ao segunda alvo 40. A Modificação 2 envolve um período para formação da película 90 pelo uso de apenas o primeiro alvo 30 dentro de todo o período para formação da película 90, a saber, um período total de deposição de película. Isto permite que a primeira porção de película 92 formada por partículas emitidas pela primeira superfície de emissão 32 do primeiro alvo 30 seja mais grossa que a segunda porção de película 94 formada por partículas emitidas pela segunda superfície de emissão 42 do segundo alvo 40.[0068] Although the control device 80 of the film deposition apparatus 10, according to the modality, causes the arc current of the first arc power supply 50 to apply to the first target 30 greater than the arc current that the second power supply 60 applies to second target 40 so that the first portion of film 92 is thicker than the second portion of film 94, measures to make the first portion of film 92 thicker than the second portion of film 94 are not limited to this. The present invention also encompasses Modification 2 of making a first power supply run period during which the first arc power supply 50 applies arc current to the first target 30 longer than a second power supply run period. during which the second power supply 60 applies arc current to the second target 40. Modification 2 involves a period for forming the film 90 by using only the first target 30 within the entire period for forming the film 90, namely , a total film deposition period. This allows the first portion of film 92 formed by particles emitted by the first emission surface 32 of the first target 30 to be thicker than the second portion of film 94 formed by particles emitted by the second emission surface 42 of the second target 40.

[0069]No caso de fazer o primeiro período de operação de fonte de alimentação, isto é, o período de deposição de película que usa o primeiro alvo 30, mais longo que o segundo período de operação de fonte de alimentação, isto é, o período de deposição de partícula que usa o segundo alvo 40, pelo menos uma parte do segundo período de operação de fonte de operação, preferivelmente, sobrepõe-se a uma parte do primeiro período de operação de fonte de alimentação. Em outras palavras, é preferível que exista um período durante o qual o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40 são usados simultaneamente no período total de deposição de película que é o período total para formação da película[0069] In the case of making the first period of operation of the power supply, that is, the period of deposition of film using the first target 30, longer than the second period of operation of the power source, that is, the particle deposition period using the second target 40, at least a part of the second operation source operation period, preferably overlaps with a part of the first power source operation period. In other words, it is preferable that there is a period during which the first target 30 and the second target 40 are used simultaneously in the total film deposition period which is the total period for film formation

90. Isto permite que o período total de deposição seja curto.90. This allows the total deposition period to be short.

[0070]O segundo período de operação de fonte de alimentação pode começar após o fim do primeiro período de operação de fonte de alimentação. Alternativamente, o primeiro período de operação de fonte de alimentação pode começar após o fim do segundo período de operação de fonte de alimentação.[0070] The second power supply operation period can start after the end of the first power supply operation period. Alternatively, the first power supply operation period may begin after the end of the second power supply operation period.

[0071]O primeiro período de operação de fonte de alimentação apenas tem que existir no período total de deposição. Por exemplo, é também possível que o primeiro período de operação de fonte de alimentação e o segundo período de operação de fonte de alimentação se iniciem ao mesmo tempo e exista um período durante o qual a película 90 é formada pelo uso de apenas o primeiro alvo 30 no final do período total de deposição. Resumidamente, é também possível que apenas exista o primeiro período de operação de fonte de alimentação no final do período total de deposição de película. Alternativamente, o primeiro período de operação de fonte de alimentação pode iniciar-se antes do segundo período de operação de fonte de alimentação para permitir, deste modo, um período durante o qual a película[0071] The first period of operation of the power supply only has to exist in the total period of deposition. For example, it is also possible that the first power supply operating period and the second power supply operating period start at the same time and there is a period during which the film 90 is formed using only the first target 30 at the end of the total deposition period. In summary, it is also possible that there is only the first power supply operation period at the end of the total film deposition period. Alternatively, the first power supply operating period can start before the second power supply operating period to thereby allow a period during which the film

90 é formada pelo uso de apenas o primeiro alvo 30 existindo no início do período total de deposição de película. Em resumo, é também possível que apenas exista o primeiro período de operação de fonte de alimentação no início do período total de deposição de película. Alternativamente, também permite que o primeiro período de operação de fonte de alimentação seja maior do que o segundo período de operação de fonte de alimentação e que o primeiro período de operação de fonte de alimentação e o segundo período de operação de fonte de alimentação se iniciem e terminem ao mesmo tempo, mas o segundo período de operação de fonte de alimentação seja interrompido no meio, isto é, existe um período durante o qual a película 90 é formada pelo uso de apenas o primeiro alvo 30 no meio do período total de deposição.90 is formed by the use of only the first target 30 existing at the beginning of the total film deposition period. In summary, it is also possible that there is only the first power supply operation period at the beginning of the total film deposition period. Alternatively, it also allows the first power supply operation period to be longer than the second power supply operation period and the first power supply operation period and the second power supply operation period to start and end at the same time, but the second power supply operation period is interrupted in the middle, that is, there is a period during which the film 90 is formed by using only the first target 30 in the middle of the total deposition period .

[0072]Também no aparelho de deposição de película de acordo com a Modificação 1 ou 2 e um método de deposição de película que usa o mesmo de acordo com a primeira ou segunda modificações, o controle do acionamento da primeira fonte de alimentação de arco 50 e da segunda fonte de alimentação de arco 60, similarmente à modalidade acima, permite que a distribuição circunferencial de espessura de película da película 90 formada sobre a superfície externa periférica do anel de pistão 100 seja controlada com precisão.[0072] Also in the film deposition apparatus according to Modification 1 or 2 and a film deposition method that uses the same according to the first or second modifications, the control of the activation of the first arc power supply 50 and the second arc power supply 60, similar to the above embodiment, allows the circumferential film thickness distribution of the film 90 formed on the outer peripheral surface of the piston ring 100 to be precisely controlled.

[0073]Em outras palavras, desde que a primeira porção de película 92 seja mais espessa que a segunda porção de película 94, a corrente de arco que a primeira fonte de alimentação de arco 50 aplica ao primeiro alvo 30 pode ser a mesma que a ou diferente da corrente de arco que a segunda fonte de alimentação de arco 60 aplica ao segundo alvo 40. Modificação 3 da modalidadeIn other words, as long as the first portion of film 92 is thicker than the second portion of film 94, the arc current that the first arc power supply 50 applies to the first target 30 may be the same as the or different from the arc current that the second arc power supply 60 applies to the second target 40. Modification 3 of the modality

[0074]Embora o aparelho de deposição de partícula 10 mostrado na Figura 1 inclua um único primeiro alvo 30, o aparelho de deposição de película 10 de acordo com a Modificação 3 mostrada na Figura 6 inclui dois primeiros alvos 30. Os dois primeiros alvos 30 estão dispostos mutuamente simétricos em relação à linha de referência SL. Aos dois primeiros alvos 30, são conectadas, respectivamente, duas primeiras fontes de alimentação de arco 50 independentes entre si. As duas primeiras fontes de alimentação de arco 50 estão conectadas a uma primeira seção comum de controle de corrente 82, e a primeira seção de controle de corrente 82 controla respectivas correntes de arco que as duas primeiras fontes de alimentação de arco 50 aplicam aos dois primeiros alvos 30. Modificação 4 da modalidade[0074] Although the particle deposition apparatus 10 shown in Figure 1 includes a single first target 30, the film deposition apparatus 10 according to Modification 3 shown in Figure 6 includes two first targets 30. The first two targets 30 are arranged mutually symmetrical in relation to the SL reference line. To the first two targets 30, two first arc power sources 50 independent of each other are connected, respectively. The first two arc power supplies 50 are connected to a first common current control section 82, and the first current control section 82 controls respective arc currents that the first two arc power supplies 50 apply to the first two targets 30. modification 4 of modality

[0075]Embora o aparelho de deposição de partícula 10 mostrado na Figura 1 inclua um único segundo alvo 40, o aparelho de deposição de película 10 de acordo com a Modificação 4 mostrada na Figura 7 inclui dois segundos alvos 40. Os dois segundos alvos 40 estão dispostos simetricamente em relação à linha de referência SL. Aos dois segundos alvos 40, são conectadas, respectivamente, duas segundas fontes de alimentação de arco 60 independentes entre si. As duas segundas fontes de alimentação de arco 60 estão conectadas a uma segunda seção comum de controle de corrente 84, e a segunda seção de controle de corrente 84 controla respectivas correntes de arco que as duas segundas fontes de alimentação de arco 60 aplicam aos dois segundos alvos 40.[0075] Although the particle deposition apparatus 10 shown in Figure 1 includes a single second target 40, the film deposition apparatus 10 according to Modification 4 shown in Figure 7 includes two second targets 40. The two second targets 40 are arranged symmetrically in relation to the SL reference line. At the second two targets 40, two second arc power supplies 60 independent of each other are connected respectively. The second two arc power supplies 60 are connected to a second common current control section 84, and the second current control section 84 controls respective arc currents that the two second arc power supplies 60 apply to the two seconds targets 40.

[0076]As modalidades e suas variações descritas acima são meramente ilustrativas. A presente invenção não deve ser considerada como limitada de qualquer modo pela descrição das modalidades acima mencionadas e similares.[0076] The modalities and their variations described above are merely illustrative. The present invention should not be considered in any way limited by the description of the above mentioned and similar modalities.

[0077]Embora a energia elétrica fornecida à fonte de evaporação, na modalidade acima, seja uma corrente de arco a ser aplicada ao alvo que é a fonte de evaporação para AIP, a energia elétrica fornecida à fonte de evaporação na presente invenção não é limitada à corrente de arco. A energia elétrica a ser fornecida à fonte de evaporação pode ser, por exemplo, energia de pulverização catódica a ser fornecida a uma fonte de evaporação para galvanização catódica.[0077] Although the electrical energy supplied to the evaporation source, in the above modality, is an arc current to be applied to the target which is the evaporation source for AIP, the electrical energy supplied to the evaporation source in the present invention is not limited arc current. The electrical energy to be supplied to the evaporation source can be, for example, sputtering energy to be supplied to an evaporation source for sputtering.

[0078]Embora a peça de trabalho submetida a uma deposição de película, na modalidade acima, seja um anel de pistão, a peça de trabalho de acordo com a presente invenção não é limitada a um anel de pistão. A peça de trabalho apenas tem que ter uma superfície externa periférica na qual é definida uma região específica na qual uma película deve ser formada espessa, com a finalidade de permitir uma deposição de película a ser executada pelo aparelho de deposição de película de acordo com a presente invenção de modo a engrossar a película parcialmente na região específica. Por exemplo, a peça de trabalho pode ser uma ferramenta de corte usada para processamento de corte. Em tal ferramenta de corte, definida como uma região específica na qual uma película deve ser formada grossa é, por exemplo, uma porção da superfície externa periférica da ferramenta de corte, a porção configurada para ficar em contato com um alvo de corte girado a alta velocidade, isto é, uma face de ataque.[0078] Although the workpiece subjected to film deposition, in the above embodiment, is a piston ring, the workpiece according to the present invention is not limited to a piston ring. The workpiece only has to have a peripheral outer surface in which a specific region is defined in which a film must be formed thick, in order to allow a film deposition to be performed by the film deposition apparatus according to the present invention in order to partially thicken the film in the specific region. For example, the workpiece can be a cutting tool used for cutting processing. In such a cutting tool, defined as a specific region in which a film should be formed thick is, for example, a portion of the outer peripheral surface of the cutting tool, the portion configured to be in contact with a high-rotated cutting target speed, that is, an attack face.

[0079]Embora o aparelho de deposição de película 10 de acordo com a modalidade acima inclua o primeiro alvo 30 e o segundo alvo 40, o aparelho de deposição de película de acordo com a presente invenção pode incluir um alvo adicional para suplementar a deposição de película pelo uso do primeiro e do segundo alvos.[0079] Although the film deposition apparatus 10 according to the above embodiment includes the first target 30 and the second target 40, the film deposition apparatus according to the present invention may include an additional target to supplement the deposition of using the first and second targets.

[0080]Como descrito acima, são fornecidos um aparelho de deposição de película e um método de deposição de película que são capazes de controlar uma distribuição circunferencial de espessura de uma película formada sobre uma superfície de deposição de película de uma peça de trabalho com elevada precisão.[0080] As described above, a film deposition apparatus and a film deposition method are provided which are capable of controlling a circumferential distribution of the thickness of a film formed on a film deposition surface of a workpiece with high precision.

[0081]É fornecido um aparelho de deposição de película para formação de uma película sobre uma superfície lateral de uma peça de trabalho enquanto girando a peça de trabalho em torno de uma linha de eixo central de revolução predeterminado, a superfície lateral voltada perpendicularmente para a linha de eixo central de revolução. O aparelho de deposição de película inclui: pelo menos uma primeira fonte de evaporação que tem uma superfície de emissão a partir da qual são emitidas partículas que servem como um material para a formação da película, a primeira fonte de evaporação estando disposta simetricamente em relação a uma linha de referência, a linha de referência atravessando a linha de eixo central de revolução quando vista ao longo de uma direção na qual a linha de eixo central de revolução se estende e estando perpendicular a uma linha de fronteira, a linha de fronteira estendendo-se em uma direção radial de um círculo de lugares geométricos desenhado pela peça de trabalho girando em torno da linha de eixo central de revolução; pelo menos uma segunda fonte de evaporação localizada em um lado oposto à primeira fonte de evaporação através da linha de fronteira e simetricamente em relação à linha de referência; uma primeira fonte de alimentação que fornece energia elétrica à primeira fonte de evaporação para emissão de partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação; uma segunda fonte de alimentação que fornece energia elétrica à segunda fonte de evaporação para emissão de partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação; um dispositivo giratório de peça de trabalho que gira a peça de trabalho em torno da linha de eixo central de revolução enquanto suportando a peça de trabalho de modo que a peça de trabalho mantenha uma postura na qual uma região específica na superfície lateral da peça de trabalho, a região específica sendo uma região na qual a película deve ser formada mais grossa que aquela em uma região diferente da região específica, está voltada para uma direção radial específica selecionada a partir de direções radiais do círculo de lugares geométricos; e um dispositivo de controle que controla o suprimento da energia elétrica da primeira fonte de alimentação para a primeira fonte de evaporação e o suprimento da energia elétrica da segunda fonte de alimentação para a segunda fonte de evaporação de modo que uma primeira porção de película formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação é mais grossa que uma segunda porção de película formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação, na película formada sobre a peça de trabalho.[0081] A film deposition apparatus is provided for forming a film on a side surface of a workpiece while rotating the workpiece around a predetermined center axis line of revolution, the side surface facing perpendicularly to the central axis line of revolution. The film deposition apparatus includes: at least one first evaporation source that has an emission surface from which particles are emitted which serve as a material for forming the film, the first evaporation source being arranged symmetrically with respect to a reference line, the reference line crossing the central axis of revolution when viewed along a direction in which the central axis of revolution extends and being perpendicular to a boundary line, the boundary line extending if in a radial direction of a circle of geometric places drawn by the workpiece rotating around the central axis line of revolution; at least one second evaporation source located on a side opposite the first evaporation source across the boundary line and symmetrically with respect to the reference line; a first power source that supplies electrical energy to the first evaporation source for emitting particles to form the film from the emission surface of the first evaporation source; a second power source that supplies electrical energy to the second evaporation source for emitting particles to form the film from the emission surface of the second evaporation source; a workpiece rotating device that rotates the workpiece around the center axis of revolution while supporting the workpiece so that the workpiece maintains a posture in which a specific region on the side surface of the workpiece , the specific region being a region in which the film must be formed thicker than that in a region other than the specific region, faces a specific radial direction selected from radial directions of the circle of geometric places; and a control device that controls the supply of electricity from the first power source to the first evaporation source and the supply of electricity from the second power source to the second evaporation source so that a first portion of film formed by particles emitted from the emission surface of the first evaporation source are thicker than a second portion of film formed by particles emitted from the emission surface of the second evaporation source, in the film formed on the workpiece.

[0082]No aparelho de deposição de deposição de película, o controle da energia elétrica fornecida à primeira fonte de evaporação e à segunda fonte de evaporação permite que a primeira porção de película seja mais grossa que a segunda porção de película com alta precisão. Embora o controle da espessura da película seja também capaz de ajustar a velocidade de rotação da peça de trabalho, tal controle de movimento mecânico provavelmente envolverá um atraso de resposta. Em contraste, o controle da energia elétrica a ser fornecida a cada uma da primeira fonte de evaporação e da segunda fonte de evaporação provavelmente não envolverá um atraso de resposta. Isto torna possível executar o controle de parcialmente engrossar a película formada sobre a superfície lateral da peça de trabalho com elevada reprodutibilidade. Isto resulta em um controle preciso da distribuição circunferencial de espessura de película da película formada sobre a superfície lateral da peça de trabalho.[0082] In the film deposition apparatus, the control of the electrical energy supplied to the first evaporation source and the second evaporation source allows the first film portion to be thicker than the second film portion with high precision. While controlling the film thickness is also able to adjust the rotation speed of the workpiece, such mechanical movement control is likely to involve a response delay. In contrast, control of the electrical energy to be provided to each of the first evaporation source and the second evaporation source is unlikely to involve a response delay. This makes it possible to carry out the control of partially thickening the film formed on the side surface of the workpiece with high reproducibility. This results in precise control of the circumferential film thickness distribution of the film formed on the side surface of the workpiece.

[0083]Preferivelmente, o dispositivo de controle faz a quantidade total de energia elétrica fornecida à primeira fonte de evaporação maior do que a quantidade total de energia elétrica fornecida à segunda fonte de evaporação, durante o período para formação da película.[0083] Preferably, the control device makes the total amount of electrical energy supplied to the first evaporation source greater than the total amount of electrical energy supplied to the second evaporation source, during the film-forming period.

[0084]O dispositivo de controle, por exemplo, faz a quantidade de energia elétrica fornecida à primeira fonte de evaporação por unidade de tempo maior do que a quantidade de energia elétrica fornecida à segunda fonte de evaporação por unidade de tempo.[0084] The control device, for example, makes the amount of electrical energy supplied to the first source of evaporation per unit of time greater than the amount of electrical energy supplied to the second source of evaporation per unit of time.

[0085]O dispositivo de controle, alternativamente, faz um primeiro período de operação de fonte de alimentação que é um período durante o qual energia elétrica é fornecida à primeira fonte de evaporação a partir da primeira fonte de alimentação maior do que um segundo período de operação de fonte de alimentação durante o qual energia elétrica é fornecida à segunda fonte de evaporação a partir da segunda fonte de alimentação.[0085] The control device, alternatively, makes a first period of operation of the power supply which is a period during which electrical energy is supplied to the first source of evaporation from the first power source greater than a second period of power supply operation during which electrical power is supplied to the second evaporation source from the second power source.

[0086]Mais preferivelmente, o dispositivo de controle controla início e fim de cada um do primeiro período de operação de fonte de alimentação e do segundo período de operação de fonte de alimentação de modo que pelo menos uma parte do segundo período de operação de fonte de alimentação se sobreponha a uma parte do primeiro período de operação de fonte de alimentação.[0086] More preferably, the control device controls the start and end of each of the first period of operation of the power supply and the second period of operation of the power supply so that at least part of the second period of operation of the power supply overlap with part of the first power supply operation period.

[0087]Tal sobreposição parcial do primeiro e do segundo períodos de operação de fonte de alimentação pode encurtar o período total de deposição de película necessário para formar toda a película, quando comparado com o caso onde um do primeiro e do segundo períodos de operação de fonte de alimentação se inicia após o fim do outro.[0087] Such partial overlap of the first and second periods of power supply operation can shorten the total film deposition period required to form the entire film, when compared to the case where one of the first and second periods of power operation power supply starts after the end of the other.

[0088]O dispositivo de rotação de peça de trabalho inclui preferivelmente uma mesa giratória capaz de girar em torno da linha de eixo central de revolução, pelo menos uma mesa rotativa disposta afastada da linha de eixo central de rotação e rotativa em torno de uma linha de eixo central de rotação paralela à linha de eixo central de rotação relativamente à mesa de rotação, um elemento guia no qual uma ranhura guia anular é formada em uma posição deslocada do círculo de lugares geométricos em uma direção na qual a linha de fronteira se estende quando vista ao longo de uma direção na qual a linha de eixo central de revolução se estende, e um elemento guiado conectado à mesa rotativa de modo a girar integralmente com a mesa rotativa em torno da linha de eixo central de rotação e acoplado à ranhura guia de modo a mover-se na ranhura guia junto com a revolução da mesa giratória para deste modo manter a peça de trabalho em uma postura na qual a região específica da superfície lateral da peça de trabalho esteja voltada para a direção radial específica.[0088] The workpiece rotation device preferably includes a turntable capable of rotating around the center axis line of revolution, at least one rotating table arranged away from the center axis of rotation and rotating around a line central axis of rotation parallel to the central axis of rotation with respect to the rotation table, a guide element in which an annular guide groove is formed in a position offset from the circle of geometric places in a direction in which the boundary line extends when viewed along a direction in which the central axis line of revolution extends, and a guided element connected to the rotary table so as to rotate integrally with the rotary table around the central axis of rotation and coupled to the guide groove in order to move in the guide groove along with the revolution of the turntable to thereby maintain the workpiece in a posture in which the specific region of the side surface of the workpiece work area is facing the specific radial direction.

[0089]Em tal aspecto, girar a peça de trabalho em torno da linha de eixo central de revolução enquanto mantendo a postura da peça de trabalho na qual a região específica da superfície lateral da peça de trabalho esteja voltada para a direção radial específica torna possível executar uma deposição de película sobre pelo menos uma peça de trabalho em um pequeno espaço de modo a parcialmente engrossar a película formada sobre a superfície lateral da peça de trabalho.[0089] In such an aspect, rotating the workpiece around the central axis line of revolution while maintaining the workpiece posture in which the specific region of the workpiece's lateral surface faces the specific radial direction makes it possible perform a film deposition on at least one workpiece in a small space so as to partially thicken the film formed on the side surface of the workpiece.

[0090]A segunda fonte de evaporação pode ser formada de um material diferente do material que forma a primeira fonte de evaporação.[0090] The second source of evaporation may be formed from a material different from the material that forms the first source of evaporation.

[0091]Isto torna possível fazer as características da primeira porção de película formada pelas partículas emitidas a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação e as características da segunda porção de película formada pelas partículas emitidas a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação diferentes entre si.[0091] This makes it possible to make the characteristics of the first portion of film formed by the particles emitted from the emission surface of the first source of evaporation and the characteristics of the second portion of film formed by particles emitted from the emission surface of the second source different evaporation rates.

[0092]É também fornecido um método de deposição de película para formação de uma película sobre uma superfície de deposição de película de uma peça de trabalho. O método de deposição de película inclui: uma etapa de disposição de peça de trabalho de dispor a peça de trabalho de modo que uma região específica na qual a película deve ser formada mais grossa que aquela na outra região da superfície de deposição de película da peça de trabalho esteja voltada para uma direção específica, a direção específica sendo uma direção que intercepta uma linha de fronteira que define uma fronteira entre uma primeira área de disposição e uma segunda área de disposição, a primeira área de disposição sendo uma área na qual pelo menos uma primeira fonte de evaporação que tem uma superfície de emissão a partir da qual são emitidas partículas que servem como um material para formação da película, a segunda área de disposição sendo uma área na qual pelo menos uma segunda fonte de evaporação que tem uma superfície de emissão a partir da qual são emitidas partículas que servem como um material para formação da película; e uma etapa de deposição de película de formação da película sobre a superfície de deposição de película da peça de trabalho de tal modo a fazer um quantidade total de energia elétrica ser fornecida à primeira fonte de evaporação com a finalidade de emitir partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação em um período de formação de película maior do que uma quantidade total de energia elétrica a ser fornecida à segunda fonte de evaporação com a finalidade de emitir partículas para formação da película a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação e de modo a direcionar a região específica da superfície de deposição de película da peça de trabalho na direção específica, de modo a fazer uma primeira porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da primeira fonte de evaporação mais grossa que uma segunda porção formada por partículas emitidas a partir da superfície de emissão da segunda fonte de evaporação na película.[0092] A film deposition method for forming a film on a film deposition surface of a workpiece is also provided. The film deposition method includes: a workpiece disposition step of arranging the workpiece so that a specific region in which the film must be formed thicker than that in the other region of the piece's film deposition surface work area is facing a specific direction, the specific direction being a direction that intersects a boundary line that defines a boundary between a first disposal area and a second disposal area, the first disposal area being an area in which at least a first evaporation source having an emission surface from which particles are emitted which serve as a film-forming material, the second disposal area being an area in which at least a second evaporation source having an emission from which particles are emitted which serve as a film-forming material; and a film-forming film deposition step on the workpiece's film-depositing surface in such a way as to cause a total amount of electrical energy to be supplied to the first evaporation source for the purpose of emitting film-forming particles from the emission surface of the first evaporation source in a film-forming period greater than a total amount of electrical energy to be supplied to the second evaporation source for the purpose of emitting film-forming particles from the surface of emission of the second evaporation source and in order to direct the specific region of the film deposition surface of the workpiece in the specific direction, in order to make a first portion formed by particles emitted from the emission surface of the first evaporation source thicker than a second portion formed by particles emitted from the emission surface of the second fo evaporation in the film.

[0093]No método de deposição de película, a primeira porção de película pode ser feita mais grossa que a segunda porção de película com elevada precisão pelo controle da energia elétrica fornecida à primeira fonte de evaporação e à segunda fonte de evaporação, respectivamente. Embora o controle da espessura da película seja também habilitado pelo ajuste da velocidade de rotação da peça de trabalho, tal controle de movimento mecânico provavelmente envolverá um atraso de resposta. Em contraste, o controle da energia elétrica a ser fornecida a cada uma da primeira fonte de evaporação e da segunda fonte de evaporação provavelmente não envolverá um atraso de resposta, e isto torna possível executar o controle de parcialmente engrossar a película formada sobre a superfície lateral da peça de trabalho com elevada reprodutibilidade. Isto resulta em um controle preciso da distribuição circunferencial de espessura de película da película formada sobre a superfície lateral da peça de trabalho.[0093] In the film deposition method, the first film portion can be made thicker than the second film portion with high precision by controlling the electrical energy supplied to the first evaporation source and the second evaporation source, respectively. Although film thickness control is also enabled by adjusting the rotation speed of the workpiece, such mechanical movement control is likely to involve a response delay. In contrast, controlling the electrical energy to be provided to each of the first evaporation source and the second evaporation source is unlikely to involve a response delay, and this makes it possible to perform the control of partially thickening the film formed on the side surface. of the workpiece with high reproducibility. This results in precise control of the circumferential film thickness distribution of the film formed on the side surface of the workpiece.

[0094]A etapa de deposição de película inclui, por exemplo, fazer a quantidade de energia elétrica fornecida à primeira fonte de evaporação por unidade de tempo maior do que a quantidade de energia elétrica fornecida à segunda fonte de evaporação por unidade de tempo.[0094] The film deposition step includes, for example, making the amount of electrical energy supplied to the first source of evaporation per unit of time greater than the amount of electrical energy supplied to the second source of evaporation per unit of time.

[0095]A etapa de deposição, alternativamente, inclui fazer um primeiro período de operação de fonte de alimentação durante o qual energia elétrica é fornecida à primeira fonte de evaporação maior do que um segundo período de operação de fonte de alimentação durante o qual energia elétrica é fornecida à segunda fonte de evaporação.[0095] The deposition step, alternatively, includes making a first period of operation of the power supply during which electricity is supplied to the first source of evaporation greater than a second period of operation of the power supply during which electricity is supplied to the second evaporation source.

[0096]Mais preferivelmente, a etapa de deposição de película inclui fazer o primeiro período de operação de fonte de alimentação maior do que o segundo período de operação de fonte de alimentação de modo que pelo menos uma parte do segundo período de operação de fonte de alimentação se sobreponha a uma parte do primeiro período de operação de fonte de alimentação.[0096] More preferably, the film deposition step includes making the first power supply operating period longer than the second power supply operating period so that at least part of the second power supply operating period. overlap with part of the first power supply operation period.

[0097]A sobreposição do primeiro e do segundo períodos de operação de fonte de alimentação pode encurtar o período total de deposição de película necessário para formar toda a película, quando comparado com um modo no qual um do primeiro período de operação de fonte de alimentação e do segundo período de operação de fonte de alimentação é iniciado após o outro ter terminado.[0097] Overlapping the first and second periods of power supply operation can shorten the total period of film deposition required to form the entire film when compared to a mode in which one of the first period of power supply operation. and the second period of operation of the power supply is started after the other has ended.

[0098]A etapa de deposição de película, preferivelmente, inclui girar a peça de trabalho em torno de uma linha de eixo central de rotação que se estende em uma direção paralela à superfície de emissão da primeira fonte de evaporação e girar a peça de trabalho em torno de uma linha de eixo central de rotação paralela à linha de eixo central de rotação de modo que a região específica da superfície de deposição de película da peça de trabalho esteja voltada na direção específica quando formando a película sobre a superfície de deposição de película.[0098] The film deposition step preferably includes rotating the workpiece around a central axis of rotation that extends in a direction parallel to the emission surface of the first evaporation source and rotating the workpiece around a central axis of rotation line parallel to the central axis of rotation so that the specific region of the film deposition surface of the workpiece is facing in the specific direction when forming the film on the film deposition surface .

[0099]Em tal etapa de deposição de película, girar a peça de trabalho em torno da linha de eixo central de revolução enquanto mantendo a postura na qual a região específica da superfície de deposição de película da peça de trabalho esteja voltada para a direção específica torna possível executar uma deposição de película sobre a peça de trabalho de modo a parcialmente engrossar a película formada sobre a superfície lateral da peça de trabalho em um espaço pequeno.[0099] In such a film deposition stage, rotate the workpiece around the central axis line of revolution while maintaining the posture in which the specific region of the film deposition surface of the workpiece is facing the specific direction makes it possible to perform a film deposition on the workpiece in order to partially thicken the film formed on the side surface of the workpiece in a small space.

Claims

1. Film deposition apparatus for forming a film on a lateral surface of a workpiece while rotating the workpiece around a predetermined line of central axis of revolution, the lateral surface facing perpendicularly to the central axis line of revolution, the film deposition apparatus characterized by the fact that it comprises: at least one first evaporation source that has an emission surface from which particles are emitted which serve as a material for the formation of the film, the first source of evaporation being arranged symmetrically with respect to a reference line, the reference line crossing the central axis of revolution when viewed along a direction in which the central axis of revolution extends and being perpendicular to a line of revolution border, the boundary line extending in a radial direction from a circle of geometric places drawn by part d and work rotating around the central axis line of revolution; at least one second evaporation source located on a side opposite the first evaporation source across the boundary line and symmetrically with respect to the reference line; a first power source that supplies electrical energy to the first evaporation source for emitting particles to form the film from the emission surface of the first evaporation source; a second power source that supplies electrical energy to the second evaporation source for emitting particles to form the film from the emission surface of the second evaporation source; a workpiece rotating device that rotates the workpiece around the center axis of revolution while supporting the workpiece so that the workpiece maintains a posture in which a specific region on the side surface of the workpiece , the specific region being a region in which the film must be formed thicker than that in a region other than the specific region, faces a specific radial direction selected from radial directions of the circle of geometric places; and a control device that controls the supply of electricity from the first power source to the first evaporation source and the supply of electricity from the second power source to the second evaporation source so that a first portion of film formed by particles emitted from the emission surface of the first evaporation source are thicker than a second portion of film formed by particles emitted from the emission surface of the second evaporation source, in the film formed on the workpiece.

2. Film deposition apparatus according to claim 1, characterized by the fact that the control device makes the total amount of electrical energy supplied to the first evaporation source greater than the total amount of electrical energy supplied to the second source evaporation during the film formation period.

3. Film deposition apparatus, according to claim 2, characterized by the fact that the control device makes the amount of electrical energy supplied to the first evaporation source per unit of time greater than the amount of electrical energy supplied to the second source of evaporation per unit time.

4. Film deposition apparatus according to claim 2, characterized by the fact that the control device makes a first period of operation of the power source which is a period during which electrical energy is supplied to the first evaporation source from the first power supply greater than a second power supply operating period during which electrical power is supplied to the second evaporation source from the second power source so that the total amount of electrical power supplied to the first evaporation source is greater than the total amount of electrical energy supplied to the second evaporation source in the film-forming period.

5. Film deposition apparatus according to claim 4, characterized by the fact that the control device controls the start and end of each of the first period of operation of the power supply and the second period of operation of the power supply so that at least part of the second power supply operating period overlaps with part of the first power supply operating period.

Film deposition apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the workpiece rotating device includes a rotating table capable of rotating at least about the central axis line of revolution a rotary table disposed away from the central axis of rotation and rotating around a central axis of rotation parallel to the central axis of rotation with respect to the rotation table, a guide element on which an annular guide groove is formed in a position offset from the circle of geometric places in a direction in which the boundary line extends when viewed along a direction in which the center axis line of revolution extends, and a guided element connected to the rotating table in order to rotate integrally with the rotary table around the central axis of rotation and coupled to the guide groove in order to move in the guide groove along with the revolution of the turntable to, in this way o, keep the workpiece in a posture in which the specific region of the side surface of the workpiece faces the specific radial direction.

Film deposition apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the second source of evaporation is formed from a material different from the material that forms the first source of evaporation.

8. Film deposition method for forming a film on a film deposition surface of a workpiece, characterized by the fact that it comprises: a step of disposing the workpiece of arranging the workpiece so that a specific region in which the film should be formed thicker than that in the other region of the workpiece's film deposition surface is facing a specific direction, the specific direction being a direction that intersects a boundary line that defines a boundary between a first disposal area and a second disposal area, the first disposal area being an area in which at least one first evaporation source has an emission surface from which particles are emitted which serve as a material for forming the film, the second disposal area being an area in which at least a second evaporation source having a separate emission surface going from which particles are emitted which serve as a film-forming material; and a film-forming film deposition step on the workpiece's film-depositing surface in such a way as to cause a total amount of electrical energy to be supplied to the first evaporation source for the purpose of emitting film-forming particles from the emission surface of the first evaporation source greater than the total amount of electrical energy to be supplied to the second evaporation source for the purpose of emitting particles for film formation from the emission surface of the second evaporation source, in a film formation period, and in order to direct the specific region of the film deposition surface of the workpiece in the specific direction, in order to make a first portion formed by particles emitted from the emission surface of the first source evaporation thicker than a second portion formed by particles emitted from the emission surface of the second f evaporation level in the film.

9. Film deposition method according to claim 8, characterized in that the film deposition step includes making the amount of electrical energy supplied to the first evaporation source per unit time greater than the amount of energy electrical supply to the second evaporation source per unit time.

10. Film deposition method, according to claim 8, characterized by the fact that the deposition step includes making a first period of operation of the power supply during which electricity is supplied to the first evaporation source greater than a second period of power supply operation during which electrical power is supplied to the second evaporation source.

11. Film deposition method according to claim 10, characterized by the fact that the film deposition step includes making the first power supply operating period longer than the second power supply operating period. so that at least part of the second power supply operating period overlaps with part of the first power supply operating period.

12. Film deposition method according to any of claims 8 to 11, characterized in that the film deposition and step includes rotating the workpiece around a central axis line of revolution extending in a direction parallel to the emission surface of the first evaporation source and rotate the workpiece around a central axis line of rotation parallel to the central axis line of rotation so that the specific region of the film deposition surface is facing for the specific direction when forming the film on the film deposition surface of the workpiece.