BR112016024356A2 - método e aparelho para gerar uma referência para uso com uma junção de túnel magnético - Google Patents
método e aparelho para gerar uma referência para uso com uma junção de túnel magnéticoInfo
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Abstract
trata-se de métodos e aparelhos para gerar uma referência para uso com uma junção de túnel magnético. em um exemplo, é fornecida uma memória apenas de leitura magnetorresistiva que inclui um elemento de armazenamento de junção de túnel magnético (mtj), um amplificador de detecção que tem uma primeira entrada acoplada ao elemento de armazenamento mtj, e um dispositivo de resistência de referência acoplado a uma segunda entrada do amplificador de detecção. o dispositivo de resistência de referência inclui uma pluralidade de grupos de pelo menos dois dispositivos de mtj de referência. cada dispositivo de mtj de referência em um grupo respectivo é acoplado em paralelo a cada um dos outros dispositivos de mtj de referência no grupo respectivo. cada grupo é acoplado em série aos outros grupos. essa disposição diminui vantajosamente perturbações de leitura e variações de nível de referência, enquanto poupa potência, reduz a área do dispositivo de resistência de referência, e aumenta a velocidade de leitura.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/257,794 US9336847B2 (en) | 2014-04-21 | 2014-04-21 | Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction |
PCT/US2015/018288 WO2015163979A1 (en) | 2014-04-21 | 2015-03-02 | Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BR112016024356A2 true BR112016024356A2 (pt) | 2017-08-15 |
Family
ID=52780013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BR112016024356A BR112016024356A2 (pt) | 2014-04-21 | 2015-03-02 | método e aparelho para gerar uma referência para uso com uma junção de túnel magnético |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9336847B2 (pt) |
EP (1) | EP3134899A1 (pt) |
JP (1) | JP2017515255A (pt) |
KR (1) | KR20160145591A (pt) |
CN (1) | CN106233391B (pt) |
BR (1) | BR112016024356A2 (pt) |
WO (1) | WO2015163979A1 (pt) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10957366B2 (en) * | 2018-05-24 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier |
CN108847262A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-11-20 | 王梅玉 | 存储器的读取电路 |
EP3751409B1 (en) * | 2019-06-12 | 2024-02-28 | Nokia Technologies Oy | Integrated circuits |
US11450357B2 (en) | 2019-10-30 | 2022-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structure for multiple sense amplifiers of memory device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6721203B1 (en) * | 2001-02-23 | 2004-04-13 | Western Digital (Fremont), Inc. | Designs of reference cells for magnetic tunnel junction (MTJ) MRAM |
KR100528341B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2005-11-15 | 삼성전자주식회사 | 자기 램 및 그 읽기방법 |
US7239537B2 (en) | 2005-01-12 | 2007-07-03 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for current sense amplifier calibration in MRAM devices |
US7224630B2 (en) * | 2005-06-24 | 2007-05-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Antifuse circuit |
US8213213B2 (en) * | 2009-11-09 | 2012-07-03 | National Tsing Hua University | Reference current generator for resistance type memory and method thereof |
KR101604042B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2016-03-16 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 및 그 동작방법 |
US8576617B2 (en) * | 2011-11-10 | 2013-11-05 | Qualcomm Incorporated | Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element |
US8902641B2 (en) * | 2012-04-10 | 2014-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjusting reference resistances in determining MRAM resistance states |
US9159381B2 (en) | 2012-05-04 | 2015-10-13 | Qualcomm Incorporated | Tunable reference circuit |
-
2014
- 2014-04-21 US US14/257,794 patent/US9336847B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-02 BR BR112016024356A patent/BR112016024356A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2015-03-02 KR KR1020167028855A patent/KR20160145591A/ko unknown
- 2015-03-02 JP JP2016562221A patent/JP2017515255A/ja active Pending
- 2015-03-02 WO PCT/US2015/018288 patent/WO2015163979A1/en active Application Filing
- 2015-03-02 CN CN201580019969.6A patent/CN106233391B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-02 EP EP15713258.0A patent/EP3134899A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106233391B (zh) | 2019-08-27 |
JP2017515255A (ja) | 2017-06-08 |
EP3134899A1 (en) | 2017-03-01 |
KR20160145591A (ko) | 2016-12-20 |
US20150302912A1 (en) | 2015-10-22 |
WO2015163979A1 (en) | 2015-10-29 |
CN106233391A (zh) | 2016-12-14 |
US9336847B2 (en) | 2016-05-10 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
B08F | Application dismissed because of non-payment of annual fees [chapter 8.6 patent gazette] |
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|
B08K | Patent lapsed as no evidence of payment of the annual fee has been furnished to inpi [chapter 8.11 patent gazette] |
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|
B350 | Update of information on the portal [chapter 15.35 patent gazette] |