BR112012010627B1 - transdutor hifu ultrassônico curvado com passagem de resfriamento de ar - Google Patents

Abstract

transdutor hifu ultrassônico curvado com passagem de resfriamento de ar um transdutor de ultrassom focalizado de alta intensidade (hifu) curvado compreendendo uma matriz piezoelétrica curvada tendo superfícies traseiras convexa e côncava opostas, a superfície frontal compreendendo uma superfície de transmissão acústica, e uma pluralidade de eletrodos localizada na superfície traseira convexa para aplicar sinais de transmissão elétricos à matriz, e a placa de circuito impresso separado e oposta à superfície traseira da matriz piezoelétrica curvada que acopla os sinais elétricos aos eletrodos da matriz, o espaço entre a placa de circuito impresso e a matriz piezoelétrica curvada compreendendo uma passagem de ar traseira acústica da matriz piezoelétrica para resfriar o ar da matriz piezoelétrica curvada e da placa de circuito impresso

Description

TRANSDUTOR HIFU ULTRASSÔNICO CURVADO COM PASSAGEM DE RESFRIAMENTO DE AR

Esta invenção se refere aos sistemas de ultrassom de diagnóstico médico e, em particular, aos transdutores ultrassônicos que são utilizados para aquecimento controlado de tecidos do corpo pelo ultrassom focalizado de alta intensidade, conhecido como HIFU (High intensity focused ultrasound).

Os tratamentos de temperatura elevada administrados ultrassonicamente são utilizados para uma variedade de finalidades terapêuticas. No tratamento com HIFU, a energia ultrassônica é focada em uma pequena mancha dentro do corpo para aquecer os tecidos a uma temperatura suficiente para criar um efeito terapêutico desejado. A técnica é semelhante à litotripsia, onde a energia focada é alta suficiente para quebrar cálculos renais, mas com menos energia consideravelmente do que é administrado em um período de tempo estendido do que um pulso rápido. A técnica de HIFU pode ser utilizada para seletivamente destruir o tecido indesejado dentro do corpo. Por exemplo, tumores ou outros tecidos patológicos podem ser destruídos aplicando a energia ultrassônica focada para aquecer as células a uma temperatura suficiente para matar o tecido, geralmente aproximadamente 60 a aproximadamente 80 graus C, sem destruir os tecidos normais adjacentes. Outros tratamentos por temperatura elevada incluem aquecer seletivamente os tecidos para seletivamente ativar uma droga ou promover outra mudança fisiológica em uma parte selecionada do corpo do paciente.

Os transdutores HIFU são geralmente formados como pratos esféricos ou parabólicos com um raio de curvatura que dá ao transdutor um ponto focal geométrico. Veja, por exemplo, o transdutor HIFU descrito na publicação do pedido da patente internacional número WO 98/52465 (Acker et al.) e na publicação do pedido da patente Norte-Americana no. US 2009/0230822. Os transdutores HIFU são acionados consideravelmente com mais energia do que os transdutores de imagem diagnostica e podem produzir uma quantidade substancial de calor. Este calor pode causar a expansão e a contração do transdutor HIFU e os componentes fixados ao transdutor como estruturas de montagem e componentes elétricos.

Consequentemente, alguns meios são geralmente providos para resfriar o transdutor como a passagem de refrigerante na montagem para o transdutor de Acker et al. Ê desejável prover resfriamento que está próximo ao transdutor HIFU e aos componentes elétricos adjacentes expostos para aquecer do transdutor.

De acordo com os princípios da presente invenção, um transdutor esférico HIFU é descrito e é eletricamente energizado por sinais de acionamento a partir de uma placa de circuito impresso localizada atrás do transdutor HIFU. A placa de circuito impresso é separada do transdutor para formar uma passagem de ar entre o transdutor e a placa de circuito. A passagem de ar provê um apoio acústico de ar para o transdutor e ainda uma passagem para resfriar o ar do transdutor e da placa de circuito impresso. Os contatos compatíveis estendem a passagem entre o transdutor e a placa de circuito para eletricamente acoplar os sinais de acionamento ao transdutor.

Nos desenhos:

A figura 1 ilustra em perspectiva uma camada compatível do transdutor esférico separadamente formado para um transdutor HIFU da presente invenção.

A figura 2a ilustra uma vista final de uma lâmina de material piezoelétrico de cerâmica que foi cortada para formar uma matriz do transdutor do composto para um transdutor HIFU da presente invenção.

A figura 2b ilustra uma matriz do transdutor do composto com uma via não magnética construída de acordo com os princípios da presente invenção.

A figura 3 ilustra uma matriz do transdutor do composto com elementos emissores e via não magnética construída de acordo com os princípios da presente invenção.

A figura 4 ilustra uma telha piezoelétrica do composto antes de formar esfericamente um transdutor HIFU da presente invenção.

A figura 5 ilustra no corte transversal a colocação das telhas piezoelétricas do composto na camada compatível para um transdutor HIFU da presente invenção.

A figura 6 ilustra em perspectiva a parte traseira de um transdutor HIFU de nove telhas da presente invenção.

As figuras 7a e 7b ilustram as superfícies frontal e traseira de uma placa curvada de circuito impresso com contatos complacentes estendidos para um transdutor HIFU da presente invenção.

A figura 8 ilustra em perspectiva a parte traseira de um transdutor HIFU da presente invenção com a estrutura de suporte fixada nas placas de circuitos impresso das figuras 7a e 7b.

A figura 9 é uma ilustração detalhada da conexão dos contatos complacentes estendidos de uma placa de circuito impresso às áreas do transdutor de um transdutor HIFU da presente invenção.

A figura 10 é um corte transversal parcial e vista perspectiva de um transdutor HIFU da presente invenção com a estrutura periférica e tampa do canal traseiro.

A figura 11 é uma vista plana da tampa do canal traseiro da figura 10.

A figura 12 é uma vista transversal do transdutor HIFU da figura 10.

A figura 12a é uma vista ampliada da periferia do transdutor HIFU da figura 12.

A figura 13 é uma vista perspectiva de um transdutor HIFU da presente invenção quando montado em uma mesa de suporte do paciente.

A construção de um transdutor HIFU da presente invenção pode começar com a fabricação de uma camada compatível esférica ou em forma de prato. A camada compatível de um transdutor provê pelo menos uma compatibilidade parcial das propriedades acústicas do transdutor piezoelétrico nas propriedades acústicas do corpo do paciente ou no meio entre o transdutor e o paciente. As propriedades compatíveis podem incluir impedância acústica, velocidade do som, e densidade do material. Na construção convencional de um transdutor ultrassônico a camada compatível é geralmente formada na pilha do transdutor e é formada sobre os eletrodos de referência na superfície emissora do material piezoelétrico. Para o transdutor HIFU descrito nesta revelação a camada esférica compatível é formada por si própria, separada do resto do transdutor. Há várias maneiras de formar a camada esférica compatível, incluindo fundição, moldagem, termoformação, ou usinagem. A camada esférica compatível do transdutor HIFU descrita aqui é feita de um epóxi carregado que é carregado com partículas que provêm a camada compatível com suas propriedades acústicas desejadas como é conhecido na técnica.

Preferivelmente, as partículas não são magnéticas. Na fundição ou na moldagem a camada esférica compatível, o epóxi carregado é despejado em uma instalação côncava da forma esférica desejada. A instalação convexa é fechada sobre a instalação côncava, forçando o epóxi líquido a preencher o espaço esférico entre as duas instalações.

O epóxi é curado e removido das instalações, então perifericamente usinado para sua forma final. Em um processo de termoformação a lâmina plana da espessura desejada é formada do epóxi carregado, então parcialmente curado. A lâmina é então colocada sobre a instalação convexa ou côncava aquecida da curvatura desejada que aquece a lâmina de forma que se torna flexível e conforme a curvatura da instalação. Quando a lâmina adquire sua forma esférica desejada ela é curada e finalizada. Em um processo de usinagem um disco de epóxi carregado é fundido ou moldado e curado. O disco é então usinado em um lado para formar uma superfície convexa. O disco é então colocado em uma instalação côncava e o outro lado do disco é usinado para formar uma lateral côncava da camada esférica compatível. Em uma realização construída a camada esférica compatível finalizada de qualquer um destes processos tem 0,5mm de espessura, tem um diâmetro de 140 mm, e um raio esférico de 14 0 mm, o tamanho e a forma do transdutor HIFU finalizado. A figura 1 ilustra tal camada esférica compatível 10. A superfície côncava 12 é a superfície emissora do transdutor finalizado que está voltada ao paciente e a superfície convexa 14 é saturada para produzir um eletrodo de retorno do sinal redundante, então coberto com telhas piezoelétricas do composto. A camada compatível rígida então provê uma forma da curvatura desejada para montar a camada da telha piezoelétrica. Visto que a camada compatível 10 na frente das telhas é uma superfície continuamente formada, ela provê o isolamento elétrico e ambiental desejado do resto do transdutor HIFU do paciente e os ambientes externos na frente do transdutor HIFU.

A construção da matriz do transdutor piezoelétrico do composto começa com uma lâmina 30 de material piezoelétrico de cerâmica conforme mostrado nas figuras 2a e 2b. Em um transdutor construído a lâmina 3 0 tem l,2mm de espessura (T) . Primeiro, um número de furos são perfurados através da lâmina 30 onde é desejado ter conexões elétricas de trás para frente (lado emissor) do transdutor. Os furos são então preenchidos com epóxi prata para formar as vias 32 através da lâmina. 0 enchimento prata provê condutividade elétrica e é não magnético para operar em um campo magnético de um Sistema de Imagem por Ressonância Magnética.

Outro material condutor não magnético pode ser utilizado como enchimento condutivo. O epóxi prata é curado. A lâmina é então cortada em partes através da espessura com cortes paralelos 16 em uma direção conforme mostrado na vista da margem da lâmina 30 na figura 2a. Então a lâmina é cortada em partes com cortes paralelos na direção ortogonal, deixando uma pluralidade de colunas piezoelétricas projetadas para cima 18 e vias 32. Os cortes são então preenchidos com epóxi não condutor e curados.

As superfícies superior e inferior da lâmina são então usinadas nas profundidades indicadas pelas linhas pontilhadas 34 na figura 2a. Isto resultará em uma lâmina finalizada de uma matriz de colunas piezoelétricas 18 e vias condutoras 32 em epóxi 36 conforme mostrado na figura 2b.

A lâmina finalizada compreende uma matriz 1:3 de colunas piezoelétricas, cada uma tendo seu modo vibracional dominante em sua direção longitudinal através da espessura da lâmina, e que transmite ultrassom predominantemente em uma direção para o lado frontal (voltada ao paciente) do transdutor. Este modo vibracional predominante do material composto reduz a transmissão lateral indesejada pela matriz em outras áreas ativas da matriz.

A lâmina plana piezoelétrica do composto 30 é usinada em uma forma trapezoidal conforme mostrado pela forma periférica da telha piezoelétrica do composto 40 da figura 4. Em um transdutor construído HIFU as telhas têm a forma trapezoidal da figura 4 para permitir uma telha central esférica circular conforme descrito abaixo. De modo alternativo, cada telha pode ser usinada na forma de um pedaço de torta, de forma que as telhas tampem a camada compatível sem precisar de uma telha central. As telhas também poderíam tomar outras formas geométricas dispostas para tampar a superfície esférica incluindo, entre outros, pentágonos misturados com hexágonos conforme demonstrado pelos painéis de uma bola de futebol. A telha trapezoidal plana da figura 4 então recebe sua curvatura esférica desejada. Visto que o transdutor do composto é formado por uma matriz em epóxi, a telha pode ser aquecida para amolecer o epóxi de forma que a telha possa ser conformada na curvatura desejada. Isto pode ser feito colocando a telha 40 em uma instalação côncava ou convexa aquecida, então pressionando a telha em conformidade com a forma convexa ou côncava. Enquanto a telha é mantida na curvatura desejada, a instalação é resfriada e o epóxi é permitido curar completamente. 0 resultado é uma telha piezoelétrica em forma esférica do composto para um transdutor esférico HIFU.

Após a telha ser curvada, as superfícies superior e inferior 38 são metalizadas pulverizando um material condutor nas superfícies da lâmina conforme mostrado para a lâmina 30 da figura 3. Preferivelmente, o material condutor é não magnético como ouro ou titânio/ouro. As superfícies metalizadas são eletricamente conectadas pelas vias condutoras 32, provendo conexão elétrica da superfície traseira da lâmina do composto na frente. As áreas ativas (transmissão e recepção) da lâmina piezoelétrica do composto são então isoladas pela perfuração do centro do diamante, perfuração a laser, ou usinagem ultrassônica ao redor das áreas ativas desejadas da superfície traseira (convexa) da telha. Várias destas áreas ativas 44 definidas são mostradas nas figuras 3 e 4. Os cortes 42 que definem as áreas ativas cortam através da metalização da superfície da lâmina para eletricamente isolar as áreas e preferivelmente estender sobre a metade do caminho através da lâmina do composto para acusticamente isolar a área ativa das áreas ao redor da lâmina e outras áreas ativas. De modo alternativo, as áreas ativas podem ser eletricamente e acusticamente isoladas após as telhas serem ligadas à camada compatível.

Em uma telha construída, as áreas ativas 44 não são simetricamente dispostas em fileiras ou colunas ou círculos ou outros padrões regulares, mas são irregularmente ou aleatoriamente dispostas conforme mostrado na figura 4. 0 padrão aleatório impede qualquer combinação de aditivo significante dos lóbulos laterais acústicos das áreas ativas que diminuiríam a energia efetiva administrada pelo transdutor HIFU.

Oito das telhas trapezoidais esféricas 40 são então finamente ligadas adjacentes à outra ao redor da superfície convexa 14 da camada compatível 10, que assim provê uma forma para montagem das telhas. Se as telhas esféricas 40 têm a forma de torta conforme descrito acima, as telhas tamparão completamente o lado convexo da camada compatível 10. Quando as telhas esféricas são trapezoidais conforme mostrado na figura 4, elas cobrirão o lado convexo da camada compatível exceto para o centro da camada compatível. Este espaço esférico circular pode ser deixado aberto. De modo alternativo pode ser tampado com um condutor térmico esférico circular como alumínio para resfriamento. O retorno da energia acústica tenderá a ser focado no centro do transdutor HIFU em virtude de sua forma geométrica esférica. Localizar um condutor térmico aqui pode auxiliar no resfriamento do transdutor HIFU.

De modo alternativo, uma telha piezoelétrica esférica circular do composto 48 pode preencher este espaço. Por exemplo, a lâmina circular da figura 3, com suas próprias áreas ativas, podem ser formadas em uma forma esférica e localizada aqui, provendo cobertura completa piezoelétrica do composto da camada compatível 10 conforme mostrado pela vista transversal das telhas trapezoidais e circulares na camada compatível 10 na figura 5. Em um transdutor construído deste desenho de cobertura completa, as nove telhas provêm o transdutor HIFU com 265 áreas ativas, 256 para transmissão e nove para recepção.

Ê visto na figura 3 que as vias 32 estão localizadas para conectar a área metalizada ao redor das áreas ativas na superfície traseira na superfície metalizada na lateral frontal (voltada ao paciente) da telha. Em um transdutor construído HIFU a área metalizada ao redor das áreas ativas 44 é eletricamente acoplada a um potencial de referência. As vias 32 acoplam este potencial de referência na superfície metalizada no outro lado da telha, o lado não visível na figura 3. As vias são então utilizadas para aplicar um potencial de referência ao lado voltado para o paciente das telhas piezoelétricas do composto, e ainda à metalização no lado voltado para o paciente das áreas ativas 44. Visto que o lado voltado para o paciente das telhas 40 é ligado à camada compatível 10 e assim são inacessíveis para as conexões elétricas, as vias provêm a conexão elétrica necessária através da lâmina piezoelétrica na frente da telha.

Depois, uma estrutura de suporte de plástico 50 é presa na parte de trás das telhas montadas pela ligação, encaixe, ou prendedores conforme mostrado na figura 6. Em um transdutor construído cada uma das nove telhas 40,48 é acessível entre os reforços da estrutura de suporte. A estrutura de suporte é utilizada para montar oito placas de circuitos impressos trapezoidal e uma circular 52 em uma relação espaçada acima das superfícies traseiras das telhas piezoelétricas do composto 40. As figuras 7a e 7b ilustram as superfícies frontal e traseira (54) das placas de circuito impresso trapezoidais 52. Localizadas na superfície traseira 54 estão as conexões de circuito impresso 56 de um conector 57 que é conectado pelos furos passantes laminados 59 através da placa nas áreas ativas do transdutor HIFU. Na superfície frontal das placas de circuito impresso estão os contatos metálicos complacentes 60 que abrangem o espaço entre a placa de circuito impresso e sua telha e eletricamente conectam as conexões de circuito impresso nas áreas ativas 44 e vias 32 da telha piezoelétrica oposta do composto 40.

Localizados em uma margem da placa de circuito impresso 52 que está na periferia do transdutor HIFU estão os entalhes de resfriamento 58.

A placa de circuito impresso 52 é ligada à estrutura de suporte 50 acima de cada telha como a telha 4 0 mostrada na figura 6. Quando a placa de circuito impresso é montada desta forma ela aparece conforme mostrado pela placa de circuito impresso 52 na figura 8. Antes desta montagem, as extremidades estendidas dos contatos metálicos complacentes 60 são revestidas com epóxi condutor. Quando a placa de circuito impresso é montada na estrutura, as extremidades dos contatos 60 entrarão em contato com as áreas metalizadas da telha oposta e ficarão ligadas na conexão elétrica com as áreas metalizadas quando o epóxi condutor curar. Os contatos 60 então provêm comunicação elétrica entre as placas de circuito impresso e ativa e as áreas do potencial de referência das telhas piezoelétricas.

Enquanto as placas de circuito impresso podem ser fabricadas como as placas de circuito impresso planas convencionais, a placa de circuito impresso 52 das figuras 7a e 7b preferivelmente tem uma curvatura esférica, compatibilizando estas das telhas opostas piezoelétricas do composto 40 nas quais elas estão conectadas pelos contatos 60. As placas de circuito impresso podem ser curvadas apenas em um lado voltado para a telha conforme mostrado na figura 7a, ou em ambas os lados. As placas de circuito impresso podem ser formadas como uma placa curvada de várias formas. Uma é para começar com lâmina de espessura plana de material da placa de epóxi de vidro e usinar ou amolar a superfície da placa na curvatura desejada. A outra técnica é utilizar a termoformação para aquecer o material da placa e suavizar o epóxi, então formar a curvatura comprimindo a lâmina contra a instalação da curvatura desejada. As placas de circuito podem ser duplicadas com linhas condutoras por imagem de foto e quimicamente gravadas nas superfícies superior e inferior interconectadas por furos passantes laminados formados nas placas. As placas de circuito também podem ser placas multicamadas com três ou mais camadas de linhas condutoras formadas nas superfícies e dentro das camadas da placa para configurações do circuito de densidade mais alto e mais complexo. As placas rígidas 52 também podem montar seguramente outros componentes elétricos como o conector 57.

Os contatos metálicos complacentes 60 podem ser formados como molas, como molas de lâminas, molas caracóis, ou molas helicoidais. As molas fornecem vários benefícios. Primeiro, elas provêm conexão elétrica da placa de circuitos impressos para prover sinais de acionamento e potencial de referência às áreas piezoelétricas do transdutor HIFU. Quando uma placa de circuito impresso plana e lisa é utilizada postamente a uma telha piezoelétrica do composto formado esfericamente, a complacência dos contatos 60 permitirá que os contatos alcancem a distância desigual 62 entre a placa 52 e a telha piezoelétrica, sendo relativamente descomprimida quando a distância estendida é maior e relativamente mais comprimida quando a distância é menor. Segundo, elas permitem um espaço 62 para permanecer entre as telhas piezoelétricas que são utilizadas para resfriamento das telhas piezoelétricas. Terceiro, elas provêm conexões elétricas complacentes que permitem que o espaçamento entre a placa de circuitos impressos e as telhas mude com o aquecimento e resfriamento do transdutor HIFU. Quarto, visto que os contatos metálicos são termicamente condutores e estendem a passagem do fluxo de ar entre o material piezoelétrico e a placa de circuito impresso, eles conduzirão o calor do material piezoelétrico que será dissipado como fluxos de ar que passaram pelos contatos na passagem. Estes benefícios podem ser observados da vista ampliada destas conexões da figura 9. Neste desenho, os contatos 60 são formados como clipes de mola que alcançam o espaço de resfriamento 62 entre a placa de circuito impresso 52 e a telha 40. O contato central 60 é visto como provisão da conexão elétrica em uma área ativa 44 da telha 40. Esta área ativa do transdutor 44 é isolada da área ao redor da telha pelos cortes 42 através da metalização da superfície e na telha piezoelétrica do composto 40. No outro lado do contato central 60 estão os contatos de clipe da mola 60a que são conectados na metalização acima das vias 32. Estas conexões elétricas então conectam a superfície metalizada frontal da telha, que é ligada à camada compatível 10 e é desta forma, inacessível para conexão elétrica direta, em um potencial elétrico desejado como um potencial de referência.

A figura 10 ilustra outra montagem de um transdutor HIFU da presente invenção na qual a camada compatível montada

10, as telhas piezoelétricas do composto 40, estrutura de suporte 50 e placa de circuitos impressos 52 são encaixados em uma estrutura periférica circular 80 que é tampada com uma placa traseira 70. A placa traseira 70 então fecha uma passagem de ar 76 entre as superfícies traseiras da placa de circuitos impressos 52 e a placa. A placa traseira inclui duas portas de ar 72 e 74, uma que acessa o espaço de resfriamento 62' entre a placa de circuito impresso central 52' e a telha piezoelétrica central através de um furo na placa 52', e a outra que acessa a passagem de ar 76 entre as placas 52 e a placa 70. A placa traseira 70 é mostrada em uma vista plana na figura 11. No exemplo da figura 10 a placa 70 entra em contato com o reforço central circular da estrutura de suporte 50 para separar o espaço de resfriamento 62' da passagem de ar periférica 76. O ar para resfriamento é forçado em uma destas portas e para fora da outra para resfriar as telhas piezoelétricas do composto 40. Ê visto que, diferente de uma pilha do transdutor convencional, as telhas piezoelétricas do composto não tem material traseiro fixado nas superfícies traseiras (não emissoras) superfícies. Ainda, eles são voltados pelo espaço de resfriamento 62. Isto significa que não há material traseiro fixado para ser aquecido pelo composto piezoelétrico durante o uso. Ainda, a superfície traseira do composto piezoelétrico é resfriada pelo fluxo de ar no espaço de resfriamento 62 entre o composto piezoelétrico e a placa de circuitos impressos 52. Quando o ar é forçado na porta 74, por exemplo, o ar fluirá através do espaço de resfriamento central 62', através das aberturas 64 na estrutura de suporte 50 (veja a figura 8) , através dos espaços de resfriamento 62 entre as telhas trapezoidais 40 e a placa de circuitos impressos trapezoidais 52, através dos entalhes periféricos 58 da placa de circuitos impressos na passagem de ar 76, e fora através da porta 72.

Assim, a superfície traseira das telhas piezoelétricas do composto pode ser continuamente diretamente resfriada a ar durante o uso do transdutor HIFU.

A figura 12 é uma vista transversal através da montagem central do transdutor HIFU da figura 10 que ainda ilustra os elementos do sistema de resfriamento de ar da montagem. A figura 12a é uma vista ampliada da periferia da montagem, mostrando uma telha piezoelétrica 40, estrutura de suporte 50 e placa de circuito impresso 52 no pilar com a estrutura periférica 80 e tampada com a placa traseira 70.

A figura 13 ilustra um transdutor HIFU 22 da presente invenção empregado na mesa de suporte do paciente 28 de um sistema HIFU ultrassônico 20. A figura 13 apresenta uma vista superior da mesa de suporte do paciente. A mesa de suporte do paciente 28 tem um primeiro reservatório 24 preenchido com um líquido de transmissão adequado, por exemplo, água. Para esclarecimento, a membrana transparente que sela o topo do primeiro reservatório 24 não é mostrada. O transdutor HIFU 22 está localizado no primeiro reservatório 24 e está disposto para emitir energia ultrassônica focada de alta intensidade para cima em direção a um paciente reclinado na mesa 28. A água do reservatório 24 provê um meio de acoplamento acústico entre o transdutor HIFU 22 e o paciente, e também provê resfriamento da frente do transdutor HIFU. A fim de concluir o acoplamento da energia ultrassônica que emite do primeiro reservatório ao paciente, um segundo reservatório 27 compreendendo um meio refletivo baixo é posicionado acima do primeiro reservatório 24. Preferivelmente, uma bolsa de gel adequada é utilizada para o segundo reservatório. O segundo reservatório 27 compreende uma superfície de contato 2 7a na qual um paciente a ser tratado é posicionado. O aparelho 20 ainda compreende uma abertura 26 disposta para permitir uma inspeção, por exemplo, uma inspeção visual, da superfície de contato 27a entre o segundo reservatório 27 e o paciente. A abertura 26 é preferivelmente disposta como uma janela substancialmente transparente pela qual a equipe médica diretamente, ou utilizando um espelho ou uma câmera adequadamente disposta, pode inspecionar a presença de bolhas de ar entre a superfície de contato 27a e o paciente. No caso onde uma bolha de ar é detectada, o paciente é reposicionado até que nenhuma bolha de ar esteja presente. Depois disso, o paciente é adequadamente imobilizado e um tratamento pode ser começado. O sistema HIFU 20 da figura 13 é ainda descrito na publicação do pedido da patente internacional número WO 2008/102293 (Bruggers).

Claims (10)

REIVINDICAÇÕES

1. TRANSDUTOR DE ULTRASSOM FOCALIZADO DE ALTA INTENSIDADE (HIFU) CURVADO, que compreende uma matriz piezoelétrica curvada tendo superfícies frontal côncava e traseira convexa opostas, a superfície frontal compreendendo uma superfície de transmissão acústica;

uma pluralidade de eletrodos localizados na superfície traseira convexa para aplicar sinais de transmissão elétricos à matriz;

uma placa de circuito impresso (52) separada e oposta à superfície traseira da matriz piezoelétrica curvada que acopla os sinais elétricos aos eletrodos da matriz, o espaço (62) entre a placa de circuito impresso (52) e a matriz piezoelétrica curvada compreendendo uma passagem de ar traseira acústica (76) da matriz piezoelétrica; caracterizado por:

uma pluralidade de portas de fluxo de ar (72, 74) adequada para prover um fluxo de ar dentro e fora da passagem de retorno de ar adequado para um ar para resfriamento da matriz piezoelétrica curvada e da placa de circuito impresso.

2/3 através da placa de circuito impresso que conecta a primeira e a segunda passagens.

2. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelas portas de fluxo de ar compreenderem adicionalmente uma porta de entrada e uma porta de saída acopladas à passagem adequada para ar forçado.

3/3 compreende adicionalmente uma porta de ar acoplada ao espaço entre a placa de circuito impresso central e a matriz piezoelétrica.

12. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 11,

3. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado por compreender adicionalmente uma placa traseira (70) montada atrás e espaçada com relação à placa de circuito impresso que define uma segunda passagem entre a placa de circuito impresso e a placa traseira, em que a porta de entrada é acoplada a uma das passagens e a porta de saída é acoplada a outra passagem.

4. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado por compreender adicionalmente uma abertura (64)

Petição 870190089680, de 10/09/2019, pág. 5/9

5 caracterizado por compreender adicionalmente uma passagem de ar através da estrutura que conecta o espaço entre a placa de circuito impresso central e a matriz piezoelétrica com um espaço entre uma placa de circuito impresso periférica e a matriz piezoelétrica.

5. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado por uma das portas estar localizada no centro da matriz e a abertura através da placa de circuito impresso estar localizada na periferia da matriz.

6. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender adicionalmente uma estrutura (50) na qual a placa de circuito impresso está montada espaçada com relação à superfície traseira da matriz piezoelétrica curvada.

7. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 6, caracterizado por compreender adicionalmente uma pluralidade de placas curvadas de circuito impresso montada na estrutura espaçada com relação às diferentes áreas da matriz piezoelétrica curvada.

8. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pela estrutura compreender adicionalmente um furo na estrutura para a passagem de ar no espaço entre a placa de circuito impresso e a matriz piezoelétrica curvada.

9. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 6, caracterizado por compreender adicionalmente uma pluralidade de contatos elétricos (60) termicamente complacentes que se estendem pelo espaço entre a placa de circuito impresso e a matriz piezoelétrica curvada.

10. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender adicionalmente um condutor térmico localizado no centro do transdutor.

11. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado por uma pluralidade de placas de circuito impresso ser montada ao redor da periferia da matriz piezoelétrica curvada e uma placa de circuito impresso central ser montada espaçada atrás do centro da matriz,

Petição 870190089680, de 10/09/2019, pág. 6/9

10 13. TRANSDUTOR, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por compreender adicionalmente uma abertura através da placa de circuito impresso periférica na qual uma segunda porta de ar está acoplada.