BG67209B1 - Magneto diode sensor - Google Patents
Magneto diode sensor Download PDFInfo
- Publication number
- BG67209B1 BG67209B1 BG112679A BG11267918A BG67209B1 BG 67209 B1 BG67209 B1 BG 67209B1 BG 112679 A BG112679 A BG 112679A BG 11267918 A BG11267918 A BG 11267918A BG 67209 B1 BG67209 B1 BG 67209B1
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- contact
- substrate
- contacts
- wafer
- long sides
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005352 galvanomagnetic phenomena Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретението се отнася до магнитодиоден сензор, приложимо в областта на роботиката и мехатрониката; безконтактната автоматика и промишлеността; микро- и наноелектрониката; автомобилната индустрия, в това число електромобилостроенето; навигацията; енергетиката; позиционирането на обекти в пространството; безпилотните летателни платформи и системи; военното дело и сигурността включително подводно, наземно и въздушно наблюдение и превенция, контратероризма и др.The invention relates to a magnetic sensor applicable in the field of robotics and mechatronics; contactless automation and industry; micro- and nanoelectronics; the automotive industry, including the electric car industry; navigation; energy; the positioning of objects in space; unmanned aerial platforms and systems; military and security, including underwater, ground and air surveillance and prevention, counter-terrorism, etc.
Предшестващо състояние на техникатаBACKGROUND OF THE INVENTION
Известен е магнитодиоден сензор, съдържащ полупроводникова подложка с първи тип примесна проводимост и правоъгълна форма. Върху едната й страна на равни разстояния един от друг са формирани три правоъгълни контакти, успоредни на дългите си страни - първи, втори и трети като първият и третият са омични, а вторият е с втори тип примесна проводимост. Трите контакти са перпендикулярни на дългите страни на подложката. Вторият контакт е свързан с единия извод на захранващ източник на напрежение така, че да е включен в права посока спрямо подложката. Първият и третият контакт през високоомни товарни резистори са съединени с другия извод на захранващия източник. Първият и третият контакти са диференциалният изход на сензора, а измерваното магнитно поле лежи в равнината на подложката и е успоредно на дългите страни на контактите [1-3].A magnetic diode sensor is known, comprising a semiconductor substrate with a first type of impurity conductivity and a rectangular shape. On one side of it at equal distances from each other are formed three rectangular contacts, parallel to their long sides - first, second and third as the first and third are ohmic, and the second has a second type of impurity conductivity. The three contacts are perpendicular to the long sides of the pad. The second contact is connected to one terminal of the power supply so that it is connected in a straight direction relative to the pad. The first and third contacts through high-resistance load resistors are connected to the other terminal of the power supply. The first and third contacts are the differential output of the sensor, and the measured magnetic field lies in the plane of the substrate and is parallel to the long sides of the contacts [1-3].
Недостатък на този магнитодиоден сензор е метрологичната грешка на изхода от негативното неконтролируемо влияние върху магниточувствителностга на неминуемите механични въздействия - свиване, разтягане или огъване в подложката (чипа) след технологичните операции и корпусирането и.Disadvantage of this magnetic sensor is the metrological error at the output of the negative uncontrollable influence on the magnetic sensitivity of the inevitable mechanical impacts - shrinkage, stretching or bending in the pad (chip) after technological operations and housing.
Недостатък е също усложнената реализация на сензора от допълнителните технологични операции за формирането на резистори с точно определени стойности в подложката.Another disadvantage is the complicated realization of the sensor from the additional technological operations for the formation of resistors with precisely defined values in the substrate.
Техническа същност на изобретениетоTechnical essence of the invention
Задача на изобретението е да се създаде магнитодиоден сензор с опростена технологична реализация и редуцирана метрологична грешка от механичните въздействия върху магниточувствителностга.It is an object of the invention to provide a magnetic diode sensor with a simplified technological implementation and a reduced metrological error from the mechanical effects on the magnetic sensitivity.
Тази задача се решава с магнитодиоден сензор, съдържащ две правоъгълни полупроводникови подложки с първи тип примесна проводимост - първа и втора, перпендикулярни една спрямо друга, формирани върху обща трета подложка от същия полупроводник с втори тип примесна проводимост. Върху горните страни на първата и втората подложка и на равни разстояния един от друг има последователно по три правоъгълни контакти, успоредни на дългите си страни - първи, втори и трети, всичките перпендикулярни на дългите страни на първата и втората подложка. Вторият контакт от първата подложка е с втори тип примесна проводимост, а всички останали контакти са омични към първата и втората подложка. Вторият контакт от първата подложка е съединен с единия извод на източник на постоянен ток, така че да е включен в права посока спрямо подложката, а другият му извод е свързан с втория контакт от втората подложка. Третият контакт от първата подложка е съединен с първия контакт от втората, а първият контакт от първата подложка - с третия контакт от втората. Първият иThis problem is solved with a magnetic diode sensor containing two rectangular semiconductor pads with the first type of impurity conductivity - first and second, perpendicular to each other, formed on a common third substrate of the same semiconductor with the second type of impurity conductivity. On the upper sides of the first and second pads and at equal distances from each other there are three rectangular contacts in parallel, parallel to their long sides - first, second and third, all perpendicular to the long sides of the first and second pads. The second contact of the first substrate has a second type of impurity conductivity, and all other contacts are ohmic to the first and second substrate. The second contact of the first substrate is connected to one terminal of a DC source so that it is connected in a straight direction relative to the substrate, and its other terminal is connected to the second contact of the second substrate. The third contact of the first pad is connected to the first contact of the second, and the first contact of the first pad is connected to the third contact of the second. The first and
BG 67209 Bl третият контакт от първата подложка са диференциалният изход на сензора като измерваното магнитно поле лежи в равнините на подложките и е успоредно на дългите страни на контактите.The third contact from the first pad is the differential output of the sensor as the measured magnetic field lies in the planes of the pads and is parallel to the long sides of the contacts.
Предимство на изобретението е редуцираната метрологична грешка от механичните въздействия върху магниточувствителността поради перпендикулярно разположените една спрямо друга първа и втора подложка и свързването на контактите, компенсирайки така влиянието от свиването, разтягането или огъването в самите тях след технологичните операции и корпусирането, тъй като при ортогоналната ориентация тези негативни фактори генерират в подложките електрически сигнали с противоположен знак, които в първо приближение се компенсират на изхода.An advantage of the invention is the reduced metrological error from the mechanical effects on the magnetic sensitivity due to the perpendicular to each other first and second pads and the connection of the contacts, thus compensating for the influence of shrinkage, stretching or bending in them after technological operations and housing. these negative factors generate in the pads electrical signals with opposite sign, which in the first approximation are compensated at the output.
Предимство е още опростената технологична реализация на сензора, в резултат на отпадане на допълнителните операции за формиране на резистори, ролята на които изцяло се изпълнява от втората подложка с трите омични контакти, осъществена в общ технологичен цикъл с първата подложка.Another advantage is the simplified technological implementation of the sensor, as a result of the elimination of additional operations for forming resistors, the role of which is completely performed by the second pad with the three ohmic contacts, performed in a common process cycle with the first pad.
Предимство е също възможността да се измерва температурата на околната среда едновременно и независимо от магнитното поле чрез напрежението между двата втори контакти на първата и втората подложка, което е линейна функция от температурата в широк диапазон.Another advantage is the ability to measure the ambient temperature simultaneously and independently of the magnetic field by the voltage between the two second contacts of the first and second substrate, which is a linear function of the temperature in a wide range.
Пояснение на приложената фигураExplanation of the attached figure
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.The invention is illustrated in more detail by one of its embodiments given in the attached figure 1.
Примери за изпълнение на изобретениетоExamples of the invention
Тази задача се решава с магнитодиоден сензор, съдържащ две правоъгълни полупроводникови подложки с първи тип примесна проводимост - първа 1 и втора 2, перпендикулярни една спрямо друга, формирани върху обща трета подложка 3 от същия полупроводник с втори тип примесна проводимост. Върху горните страни на първата 1 и втората 2 подложка и на равни разстояния един от друг има последователно по три правоъгълни контакта, успоредни на дългите си страни - първи 4 и 5, втори 6 и 7, и трети 8 и 9, всичките перпендикулярни на дългите страни на първата 1 и втората 2 подложка. Вторият контакт 6 от първата подложка 1 е с втори тип примесна проводимост, а всички останали контакти 4, 8, 5, 7 и 9 са омични към първата 1 и втората 2 подложка. Вторият контакт 6 от първата подложка 1 е съединен с единия извод на източник на постоянен ток 10 така, че да е включен в права посока спрямо подложката 1, а другият му извод е свързан с втория контакт 7 от втората подложка 2. Третият контакт 8 от първата подложка 1 е свързан с първия контакт 5 от втората 2, а първият контакт 4 от първата подложка 1 - с третия контакт 9 от втората 2. Първият 4 и третият 8 контакт от подложката 1 са диференциалният изход 11 на сензора като измерваното магнитно поле 12 лежи в равнините на подложките 1, 2 и 3, и е успоредно на дългите страни на контактите 4, 5, 6, 7, 8 и 9.This problem is solved with a magnetic sensor containing two rectangular semiconductor pads with a first type of impurity conductivity - first 1 and second 2, perpendicular to each other, formed on a common third substrate 3 of the same semiconductor with a second type of impurity conductivity. On the upper sides of the first 1 and second 2 pads and at equal distances from each other there are three rectangular contacts in parallel, parallel to their long sides - first 4 and 5, second 6 and 7, and third 8 and 9, all perpendicular to the long ones. sides of the first 1 and second 2 pad. The second contact 6 of the first substrate 1 has a second type of impurity conductivity, and all other contacts 4, 8, 5, 7 and 9 are ohmic to the first 1 and the second 2 substrate. The second terminal 6 of the first substrate 1 is connected to one terminal of a DC source 10 so that it is connected in a straight direction relative to the substrate 1, and its other terminal is connected to the second terminal 7 of the second substrate 2. The third terminal 8 of the first pad 1 is connected to the first pin 5 of the second 2 and the first pin 4 of the first pad 1 to the third pin 9 of the second 2. The first 4 and third 8 pins of the pad 1 are the differential output 11 of the sensor as the measured magnetic field 12 lies in the planes of pads 1, 2 and 3, and is parallel to the long sides of contacts 4, 5, 6, 7, 8 and 9.
Действието на магнитодиодния сензор, съгласно изобретението, е следното.The operation of the magnetic sensor according to the invention is as follows.
Фактически първата подложка 1 с контактите 4, 6 и 8 е магнитодиод с равнинна чувствителност, принципът на действие на който е магнитодиодният ефект. Това явление се заключава в полярно изменение на тока през диод с дълга базова област в магнитно поле В 12. В основата на този механизъм е отклонението на инжектираните от р-п диодния контакт 6 неосновни токоносители, например дупки, от силата на Лоренц Fl вIn fact, the first pad 1 with contacts 4, 6 and 8 is a plane sensitivity magnetodiode, the principle of operation of which is the magnetodiode effect. This phenomenon consists in the polar change of the current through a diode with a long base region in a magnetic field B 12. At the heart of this mechanism is the deviation of the injected from the p-p diode contact 6 non-core current carriers, such as holes, from the Lorentz Fl force in
BG 67209 Bl симетричната спрямо него базова зона в подложка 1, определена от омичните контакти 4 и 8. Също така Лоренцовото отклонение действа и върху неравновесните основни носители (например електрони), постъпващи от омичните контакти п+-п 4 и 8 за запазване на електронеутралностга в подложка 1. Понеже посоките на инжектираните неосновни и постъпващите основни носители в симетричната базова област са противоположно насочени, интегралното отклонение на двата равни тока 16,4 и 16>8,16.4 = 1б,8. на диода 6 е противоположно - в едната част то е към горната повърхност на подложката 1, а в другата част - към обема й. Този механизъм води до: 1. засилена в магнитно поле В 12 чрез силата FL повърхностна рекомбинация на двата типа носители в тока 16>8 в тази част от базовата област, където отклонението е към повърхността на подложката 1 и 2, редуцирана рекомбинация на неравновесните носители в обема на структурата 1 на другия ток 16,4. Следователно в магнитно поле В 12 токът I6,4(B) намалява, а токът 16,8(В) съответно нараства. Именно това нечетно магнитно управление на токове 16,4 и 16,8 генерира изходния сигнал 11 на магнитодиодния сензор. За да бъде изходът 11 по напрежение е необходимо двата контакта 4 и 8 да са свързани с товарни резистори. В нашия случай такива резистори са еднаквите по стойност съпротивления R7,5 и R7.9, R7,5 = R7.9, на симетричните спрямо контакта 7 зони /7.5 и /7.9 в подложката 2, Фигура 1. Предимството на това решение е, че подложката 2 с контакти 5, 7 и 9 се реализира в единен технологичен цикъл чрез процесите на интегралната силициева технология едновременно с подложката 1 и не се налагат допълнителни операции за формиране на резистори за магнитодиода. Електрическата изолация на двете подложки 1 и 2 се осъществява чрез третата подложка 3 от същия полупроводник, но с втори тип примесна проводимост.The base zone symmetrically with respect to it in the substrate 1, determined by the ohmic contacts 4 and 8. The Lorentz deviation also acts on the nonequilibrium main carriers (eg electrons) coming from the ohmic contacts n + -n 4 and 8 to preserve the electroneutrality. in substrate 1. Since the directions of the injected non-main and incoming main carriers in the symmetrical base region are opposite, the integral deviation of the two equal currents 1 6 , 4 and 1 6> 8 , 1 6 .4 = 1b, 8 . of the diode 6 is opposite - in one part it is to the upper surface of the substrate 1, and in the other part - to its volume. This mechanism leads to: 1. amplified in a magnetic field B 12 by the force F L surface recombination of the two types of carriers in the current 1 6> 8 in that part of the base region where the deviation is to the surface of the substrate 1 and 2, reduced recombination of the nonequilibrium carriers in the volume of the structure 1 of the other current 1 6 , 4 . Therefore, in the magnetic field B 12 the current I 6 , 4 (B) decreases and the current 1 6 , 8 (B) increases accordingly. It is this odd magnetic control of currents 1 6 , 4 and 1 6 , 8 that generates the output signal 11 of the magnetic sensor. In order for the output 11 to be voltage, it is necessary for the two contacts 4 and 8 to be connected to load resistors. In our case such resistors are the same resistances R 7 , 5 and R 7 . 9 , R 7 , 5 = R 7 .9, of the symmetrical to the contact 7 zones / 7 . 5 and / 7 . 9 in the substrate 2, Figure 1. The advantage of this solution is that the substrate 2 with contacts 5, 7 and 9 is realized in a single technological cycle through the processes of integrated silicon technology simultaneously with the substrate 1 and no additional operations are required to form resistors for the magnetic diode. The electrical insulation of the two substrates 1 and 2 is carried out by the third substrate 3 of the same semiconductor, but with a second type of impurity conductivity.
До неотдавна в теорията на галваномагнетизма се приемаше, че допълнителните токоносители, концентрирани от силата Fl върху определена зона на повърхността на полупроводникова структура (Фигура 1) също са неподвижни както „оголените” от същата сила Fl положителни донорни йони ND+ върху реципрочна нейна част. Съгласно изследванията на Руменин, Лозанова и др. е открито съществуването на магнитноуправляем повърхностен ток Als(Io,B) в сензори от вида на магнитодиода на Фигура 1, където 10 е захранващият ток, [4]. Магнитноуправляемият ток Als(Io,B) е фундаментална закономерност, доизясняваща галваномагнитните явления като ефектът на Хол, магнитодиодният ефект и др., допринасяйки за повишаване на чувствителността, какъвто е случаят за магнитодиода от Фигура 1.Until recently, the theory of galvanomagnetism assumed that additional current carriers concentrated by the force Fl on a certain area of the surface of a semiconductor structure (Figure 1) were also immobile as the positive donor ions N D + "exposed" by the same force Fl on its reciprocal part. According to the research of Rumenin, Lozanova and others. the existence of a magnetically controlled surface current Al s (Io, B) was found in sensors of the type of the magnetiode in Figure 1, where 1 0 is the supply current, [4]. The magnetically controlled current Al s (Io, B) is a fundamental regularity, clarifying the galvanomagnetic phenomena such as the Hall effect, the magnetodiode effect, etc., contributing to the increase of the sensitivity, as is the case for the magnetodiode from Figure 1.
Взаимното ортогонално разположение на подложката 1 и 2 съществено редуцира влиянието на механичните напрежения (свиване, разтягане, огъване), отговорни за произхода на негативното неконтролируемо изменение на магниточувствителността след технологичните операции и корпусирането на чиповете. Съгласно експерименталните данни при ортогоналната ориентация тези негативни фактори генерират в подложките 1 и 2 електрически напрежения с противоположен знак. Свързването на контактите 4 и 9, и съответно 8 и 5 води в първо приближение до компенсирането им на изхода 11 на магнитодиода. По този начин драстично се компенсира (неутрализира) негативното влияние на механичните напрежения върху чувствителността.The mutual orthogonal arrangement of the pads 1 and 2 significantly reduces the influence of mechanical stresses (shrinkage, stretching, bending), responsible for the origin of the negative uncontrollable change of the magnetic sensitivity after the technological operations and the chipping of the chips. According to the experimental data in the orthogonal orientation, these negative factors generate electrical voltages with opposite sign in pads 1 and 2. The connection of contacts 4 and 9, and 8 and 5, respectively, leads in a first approximation to their compensation at the output 11 of the magnetiode. In this way, the negative influence of mechanical stresses on the sensitivity is drastically compensated (neutralized).
Използването на източника на постоянен ток 10 вместо източник на напрежение, както е в известното решение, води до твърде важен за сензориката резултат. Ако диоден р-п преход функционира в режим генератор на ток 1б,4-8 = const, напрежението върху него Vp.n(T) е линейна функция от изменението на температурата Т в широк диапазон ΔΤ, [1,2]. Експериментално се установи, че това температурно зависимо напрежение Vp.n(T) не се влияе от посоката и стойността на магнитното поле В 12 в твърде широк интервал ΔΒ. Този резултат е ключов за сензора. Следователно чрез диференциалния магнитодиод може едновременно и независимо с една и съща преобразувателна зона в подложка 1 да се измерят стойността и посоката на полето В 12, и на температурата на средата, т.е. на подложките 1, 2 и 3. Това по същество е мултисензор (комбиниран сензор) за магнитно поле и температура. Така линейното температурно зависимо напрежение V6,7(T) успешно може да се подаде за управление на термокомпенсационна схема, с която да се компенсира напълно неминуемото изменение на магниточувствителността S от температурата Т. Така съществено се повишава точността на компенсацията, понеже преобразувателните механизми се развиват в една и съща област, и като цяло се повишава метрологичната точност на сензора. В противен случай е необходимо допълнително формиране на терморезистор в подложката 1 или 2, сигналът от които да се подаде за термокомпенсация. Такова решение внася неминуема грешка и усложнява конструктивно сензора.Using the DC source 10 instead of the voltage source, as in the known solution, leads to a very important result for the sensor. If the diode p-n junction operates in the current generator mode 1b, 4-8 = const, the voltage across it V p . n (T) is a linear function of the change in temperature T over a wide range ΔΤ, [1,2]. It was found experimentally that this temperature-dependent voltage V p . n (T) is not affected by the direction and value of the magnetic field B 12 in a very wide range (. This result is key for the sensor. Therefore, the value and direction of the field B 12 and the temperature of the medium can be measured simultaneously and independently with the same conversion zone in the substrate 1 by means of the differential magnetic diode, i. on pads 1, 2 and 3. This is essentially a multisensor (combined sensor) for magnetic field and temperature. Thus, the linear temperature-dependent voltage V 6 , 7 (T) can be successfully applied to control the thermal compensation circuit, which fully compensates for the inevitable change of the magnetic sensitivity S from the temperature T. This significantly increases the accuracy of compensation because the converters develop in the same area, and generally increase the metrological accuracy of the sensor. Otherwise, it is necessary to further form a thermistor in the pad 1 or 2, the signal from which to submit for thermal compensation. Such a solution introduces an inevitable error and complicates the construction of the sensor.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е, че за първи път чрез него се постигат едновременно три важни за сензориката предимства - опростяване на технологичните операции, съществено редуциране на метрологичната грешка от механичните въздействия върху магниточувствителността, основно при корпусирането на сензора и разкриване на нов линеен температурнозависим сензорен сигнал, чрез който се разширяват функционалните възможности на магнитодиодните преобразуватели. Тази иновация доказва, че магнитодиодите представляват линейни мултисензори за едновременно и независимо измерване както на посоката и силата на магнитното поле В 12, така и на температурата Т на околната среда. Чрез напрежението Vp. П(Т) върху диода може да се компенсира температурната зависимост на магниточувствителността, повишавайки така точността на измерването.The unexpected positive effect of the new technical solution is that for the first time it achieves three important advantages for the sensor - simplification of technological operations, significant reduction of metrological error from mechanical effects on magnetic sensitivity, mainly in sensor housing and the discovery of a new linear temperature-dependent sensor signal, which expands the functionality of the magnetic converters. This innovation proves that magnetic diodes are linear multisensors for simultaneous and independent measurement of both the direction and strength of the magnetic field B 12 and the ambient temperature T. By the voltage V p . P (T) on the diode can compensate for the temperature dependence of the magnetic sensitivity, thus increasing the accuracy of the measurement.
Технологично магнитодиодният сензор може да се реализира с методите на силициевата микроелектроника, например с CMOS или BiCMOS процеси, формиращи магнитодиодите в епитаксиални n-Si слоеве или „джобове”, разположени върху p-Si подложка.Technologically, the magnetodiode sensor can be realized by the methods of silicon microelectronics, for example with CMOS or BiCMOS processes, forming the magnetodiodes in epitaxial n-Si layers or "pockets" located on a p-Si substrate.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112679A BG67209B1 (en) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | Magneto diode sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112679A BG67209B1 (en) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | Magneto diode sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BG112679A BG112679A (en) | 2019-08-30 |
| BG67209B1 true BG67209B1 (en) | 2020-12-31 |
Family
ID=74126211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BG112679A BG67209B1 (en) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | Magneto diode sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BG (1) | BG67209B1 (en) |
-
2018
- 2018-02-13 BG BG112679A patent/BG67209B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BG112679A (en) | 2019-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105652220B (en) | Hall sensor and compensation method for offset caused by temperature distribution of Hall sensor | |
| US9316705B2 (en) | Vertical hall effect-device | |
| EP3042214B1 (en) | Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor | |
| BG67209B1 (en) | Magneto diode sensor | |
| BG67208B1 (en) | Magnetic field sensor | |
| BG67160B1 (en) | Magnetoresistive semiconductor sensor | |
| BG67507B1 (en) | Magnetic field sensitive microsensor | |
| BG67250B1 (en) | Hall effect semiconductor device | |
| BG112991A (en) | Electronic device with planar magnetic sensitivity | |
| BG66707B1 (en) | Multisensor element | |
| BG67188B1 (en) | Magneto-sensitive element | |
| BG67558B1 (en) | Hall effect microsensor with multiple outputs | |
| BG67076B1 (en) | Magnetoresistive sensor | |
| BG66848B1 (en) | Hall effect device with a in-plane sensitivity | |
| BG67298B1 (en) | Hall effect sensor with an in-plane sensitivity | |
| BG105160A (en) | Hall-effect sensor with parallel axis of sensitivity | |
| BG66830B1 (en) | In-plane magnetosensitive sensor device | |
| BG112064A (en) | A multisensory device | |
| BG113056A (en) | Integrated hall effect sensor | |
| RU2591736C1 (en) | Magnetic transistor with collector current compensation | |
| BG66985B1 (en) | A surface-magnetically sensitive hall transformer | |
| BG67386B1 (en) | Integrated hall effect sensor with an in-plane sensitivity | |
| BG67380B1 (en) | Two-dimensional magnetic field microsensor | |
| Leepattarapongpan et al. | Merged three-terminal magnetotransistor based on the carrier recombination-deflection effect | |
| BG66704B1 (en) | Two-dimensional semiconductor magnetometer |