BE665861A - - Google Patents

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/02Elemental selenium or tellurium

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Procédé de préparation de sélénium pur par précipitation partir de solutions de sélénite. 

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   La présente   inventiona   pour objet un procédé de prépara- tion de sélénium pur par précipitation à partir de solutions de sélénite, sélénium qui convient particulièrement comme matière première pour la fabrication de redresseurs et de   photoéléments,   
Au stade actuel de la technique on connaît un procédé de préparation de sélénium à partir de substances sélénifères obte- nues lors de   l'électrolyse   du cuivre, procédé au cours duquel on fait fondre le matériau sélénifàre avec addition de carbonate de sodium, et l'on obtient ainsi une scorie alcaline, qui cons- titue la matière première pour la préparation du sélénium. Cette scorie, après   s'être   solidifiée, est broyée et moulue.

   La scorie moulue est ensuite lessivée avec de l'eau et la lessive est ensuite acidifiée avec de l'acide sulfurique jusqu'à un pH de 6 à 7, pour précipiter une quantité maximale de tellure. Ensuite la solution est filtrée et on ajoute encore de l'acide   sulfuri-   que au filtrat.   Ensuite   on admet de l'anhydride sulfureux dans la solution acidifiée, jusqu'à ce que pratiquement la totalité du sélénite soit précipitée sous forme de sélénium élémentaire, qui ost ultérieurement séparé par filtration. 



   Le filtrat ainsi obtenu est ensuite chauffé à la températu- re de 85-90 C, et en même temps, tout en ajoutant de la thio- urée, on admet en continu de l'anhydride sulfureux, jusqu'à ce que la totalité du sélénate soit réduite en sélénium élémentaire. 



   On connaît en outre un procédé caractérisé par le fait que la boue anodique   sélénifère   d'une électrolyse de cuivre est d'abord totalement séchée dans un four à moufle et subit ensuite un grillage   oxydant.   Ensuite est effectuée un lessivage alcalin sous forte agitation d'air. Après la séparation des substances solides (décantation), la solution sélénifère est portée, par addition d'acide sulfurique, au   pH   de 6 - 7. Au cours de cette 

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 opération, une partie des impuretés solubles dans les alcalis, comme par exemple le plomb et l'anhydride   silioique,   se dépose sous forme de précipité visqueux. Après la séparation du préci- pité, la solution   sélénifère   claire est traitée avec de l'acide chlorhydrique.

   Au cours de ce traitement,   o'est   l'acide sélénieux et aussi l'acide sélénique qui sont libérés. La solution sélé- nifère est chauffée à 80 C et on ajoute du sulfate ferreux pour la réduction de l'acide sélénique. Ensuite a lieu la précipita- tion du sélénium par l'anhydride sulfureux. 



   Les procédés susmentionnés sont caractérisés par le fait que les solutions de sélénium obtenues en exploitation technique sont plus ou moins souillées d'im   'prêtés.   Dans le cas de la précipitation directe du sélénium par l'anhydride sulfureux, une grande partie de ces impuretés est entraînée. Il est désa- vantageux que lors d'un lavage alcalin ou acide subséquent du sélénium finement moulu, ces impuretés ne peuvent être éliminées que jusqu'à un certain degré. Même après une distillation sub- séquente du sélénium ainsi épuré, on décèle encore, par l'ana- lyse spectrale, des quantités relativement considérables d'impu- retés. Une épuration plus poussée du sélénium par distillation répétée n'est pratiquement pas possible. 



   La présente invention a pour   ob jectif   d'éliminer les incon- vénients susmentionnés et de préparer, grâce à la voie indiquée par l'invention, du sélénium ayant un plus grand degré de pureté. 



   L'invention vise dès lors à mettre au point un procédé de préparation de sélénium   extrêment   pur, permettant de précipi- ter le sélénium d'une solution, avec séparation simultanée des impuretés métalliques, sous forme d'une combinaison qui par suite de sa grande solubilité permet une transformation peu oné- reuse en sélénium extrêmement pur. 

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   Suivant l'invention, ce but est atteint par le fait que le sélénium est précipité à partir d'une solution souillée d'impuretés contenant des sélénites, sous forme de   sélénite   de magnésium (MgSeO3. 6 H2O), un produit cristallin de grande pureté, facilement filtrable, se dissolvant facilement dans les acides, la solution oontenant le sélénite étant portée, par addition d'acide, à un pH de 2 - 3 et étant traitée avec une solution de précipitation, qui contient un sel de magnésium et un sel d'ammonium, le sélénite de magnésium, par admission de gaz ammoniac ou d'ammoiaque liquide jusqu'au pH de 8, se précipitant sous agitation constante à la température de 60-70 C, cette précipitation se produisant de la même manière a partir de solutions contenant des nitrates, des sulfates ou des chlo- rures.

   Après filtration, le sélénite de magnésium est dissous dans de l'acide ohlorhydrique ou sulfurique dilué, et de cette solution est précipité le sélénium élémentaire de très grande pureté, grâce à l'admission d'anhydride sulfureux. 



   L'application du procédé suivant l'invention permet, avec un appareillage réduit, la préparation de sélénium brut de très grande pureté, qui peut être transformé de la manière tradition- nelle en du sélénium ayant la qualité requise pour des redres- seurs et qui convient également pour la fabrication de photo- éléments. 



   Exemple 1. 



   300 litres de lessive d'exploitation filtrée claire aveo une teneur en sélénium de 25 g/litre sont portés au pH 2 par addition d'acide chlorhydrique. On ajoute 240 litres d'une solu- tion de précipitation (4 kp MgSO4. 7 H2O et 1 kp   NH4C1   sur 10 litres d'eau), on chauffe sous agitation à 60 - 70 C et on admet du gaz   d'ammoniac,   jusqu'à ce qu'un pH de 8 soit atteint. 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 



  Pour compléter la précipitation on agite ensuite pendant 3 heu- res. Le précipité cristallin est séparé   par'filtration.   Le pré- ' cipité filtré contient environ 25 % de sélénium. La teneur en sélénium de la lessive rejetée est inférieure à 0,2 g/litre. Le précipité est dissous dans 150 litres d'acide chlorhydrique 6 n      et de cette solution, le sélénium est précipité par admission de SO2. Le degré de pureté du sélénium après lavage est de      99,96   %   de Se. 



   Exemple 2. 



   100 g de sélénium sont dissous dans 350 ml d'acide nitrique concentré et la solution est portée par addition d'eau à un volume de 0,5 litre. A cette solution on ajoute 1,4 litre d'une solution de précipitation contenant 400 g MgSO4. 7 H2O et 100 g de NH4Cl sur 1 litre d'eau. La solution est chauffée à 60 C et on ajoute, tout en agitant constamment, de l'ammcniaque liquide jusqu'à ce qu'on atteigne un pH de 8. Ensuite on agite encore pendant 3 heures, et le précipité cristallin blanc de MgSeO3. 6 H20 est séparé par filtration.. 



   La teneur de la solution finale est d'environ 0,26 g Se/1. 



  On obtient 362 g de MgSeO3 avec 27,5 % de Se. Le précipité est dissous dans 900 ml d'acide chlorhydrique 6 n et le sélénium est précipité par admission d'anhydride sulfureux. 

**ATTENTION** fin du champ DESC peut contenir debut de CLMS **.

Claims (1)

  1. REVENDICATIONS 1. Procédé de préparation de sélénium extrêmement pur par précipitation à partir de solutions de sélénite, caractérisé en ce que le sélénium, avec élimination poussée des impuretés, est précipité sous forme de sélénite de magnésium à partir de solu- tions impures, le précipité étant cristallin, bien filtrable et facile à dissoudre dans les acides. <Desc/Clms Page number 6>
    2.- Procédé de préparation de sélénium extrêmement pur par précipitation à partir de solutions de sélénite suivant la re- ven dication 1, caractérisé en ce que le sélénium peut être sépa- ré à partir de solutions contenant un nitrate.
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