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L'invention concerne un système d'électrodes semi-con- ducteur constitué par un cristal serai-conducteur, une ou plusieurs électrodes fixées à ce cristal et au moins un conducteur d'alimen- tation de courant qui, d'une part, est relié à une telle électro- de et, d'autre part, à un contact de connexion. Ce contact de con- nexion est destiné à. être fixé à un conducteur extérieur; en géné- ral, ce contact fera partie d'une gainé entourant le système d'é- lectrodes.
On a constaté que de tels systèmes d'électrodes, en par- ticulier de diodes à cristal, peuvent facilement être endommagés par une surcharge électrique, par exemple lors de la-mise en cir- cuit, par @@ite du fait que la résistance du cristal lui-même est particulièrement petite, du moins beaucoup. plus petite que celle
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de red#egs*ëWs" aS'' s.e1;;.eÍfi'url et autres redresseurs à couches de mê- me p"Tii$s¯sWc¯èV linentiony ce danger de surcharge est for- tement dü-" p.;fiY le' fait ''atl moins un conducteur d'alimentation de â'dû.1j;f'"àri 'V1:.'rÍ& ffé's'i'-$trol4'e> qui est' au'mbths du même ordre de gan d!eW cp.g: 1 15it 8:r-:kS'tI:JJ....
Par une résistance du même ordre de gféSd0mf IS y f 1:féf1J d 'entend 1 Résistance qui est au. moim égâî# dfë1 M' :féS":tS"E?,.d1!1i S'... P0.ttJ? de nombreuses- âp13'l!i):iûfiXg-", $1 a" <9 1.1± :régoi$tm1c'e du conducteur' àMf; a &e 9 Gl.r 1 C s -é':ce dti er-1tâ:l :11. T a lieu d'entendre ici la féSlsiâai#- 2É@fffipoê stàt!gü$mêntl dans le sens direct, Jus<îu*à l' autre #î@e?'ë 'oir j'ttsÇlùJà - oelle des autres électrodes dont la ré- M.s g Jâ plti petites 0, ., 1f:Î@g1':f:jt:t û du dessin annexé, donne à-titre d'exe:::1-
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plë n=:3iMtâf,. fèïâ bien comprendre o17lrlent invention peut ê%re alg.) x. p,..ti..ait qui ressortent tant du texte que 'du a'êg1n &BÈBfB&f biên-érïtëndu, partie de 1'inventi4z.
.. .'g'.é i3.iqi:e du dessin est une coupe schématique dûû'e â.o. a cristal revêtue d'une gaine. Le système est consti- pe' p'âr s:Cè.1 de germanium 1, du type n, affectant la f'- me .' pâqete d'un épaisseur de 0,5 mm et d'une surface che 3 i: j :m.m trâ és.st.vi't -est de 15 Glml..!!1 Cette plaquette est ftxtêç % 1:M.li'è 4l*ùâfe p-ètite quantité d'étain 2, contenant 10% a" âI.fu.:ttret I* Htteë ié':qt1ette de molybdène dorée 3:.1 qui est fixée "sûr i, mtâ 4,' -00 àa .ga d..'s.ystème,. Cette .enveloppe comporte en .. f ....:1' :dt1 Si.
blpSi ê 1ttiâ iemsfeirf7.e ...7é f01 têt 4 et qm; de plus, est entou- ré te. .' P. -Se 'ce it&. 1Ft. disque d"'B.l1UJ1lniU!ll 7 améliora 4% fNtHib ;fé te paÏ'!t±tre 81!tèT-:i!èt1"ft\e -au tsajwt 5 -est montée isolé -!lJj 'tNâ Î te6 9fe 1T'e t3 .tan. >ff45a*s*t de 'connexion tabulaire % : ., ' '# flM-îïê sft"a1l. die gum. est appliquée par ;fus:ton.
'e é e étLE) i8 - il &nmtro.m.. Entre cette -éJ."(ctrO!'! #%$ M l-lfèf ijiêg en..s'e d1TÓve ,un à'Ona.m::t1J!r a"a1rl.1nBn...
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tation de courant 11 qui est constitué, par exemple, par un allia- ,ge de 20% de chrome et de 20 % de nickel. Ce conducteur est fixé hermétiquement dans le contact de connexion 8 à l'aide dE? soudure 12.
Dans le présent cas, la résistance du cristal, mesurée dans, le sens direct, entre la plaquette de molybdène 3 et l'élec@ trode 10 est de 0,15 ohm. Pour la résistance du fil 11, on choi- sit la même va.leur.
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The invention relates to a semiconductor electrode system consisting of a semi-conductive crystal, one or more electrodes attached to this crystal and at least one current supply conductor which, on the one hand, is connected to such an electrode and, on the other hand, to a connection contact. This connection contact is intended for. be attached to an external conductor; in general, this contact will form part of a sheath surrounding the electrode system.
It has been found that such electrode systems, in particular crystal diodes, can easily be damaged by electrical overload, for example during switching on, due to the fact that the resistance of the crystal itself is particularly small, at least a lot. smaller than that
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de red # egs * ëWs "aS '' s.e1 ;;. eÍfi'url and other layer rectifiers of the same p" Tii $ s¯sWc¯èV linentiony this danger of overloading is very dü- "p .; fiY the 'does' 'atl minus a power conductor of â'dû.1j; f' "àri 'V1:.' rÍ & ffé's'i '- $ trol4'e> which is' au'mbths of the same order of gan d! eW cp.g: 1 15it 8: r-: kS'tI: JJ ....
By a resistor of the same order of gféSd0mf IS y f 1: féf1J d 'means 1 Resistance which is at. moim égâî # dfë1 M ': féS ": tS" E?,. d1! 1i S' ... P0.ttJ? many- âp13'l! i): iûfiXg- ", $ 1 a" <9 1.1 ±: regoi $ tm1c'e of the driver 'toMf; a & e 9 Gl.r 1 C s -é ': ce dti er-1tâ: l: 11. T is here to hear the féSlsiâai # - 2É @ fffipoê stàt! Gü $ even in the direct sense, Jus <îu * to the other # î @ e? 'Ë' oir j'ttsÇlùJà - what of the other electrodes of which the re- Ms g Jâ plti small 0,., 1f: Î @ g1 ': f: jt: t û of the attached drawing, gives as an example ::: 1-
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plë n =: 3iMtâf ,. fèïâ well understand where the invention can be alg.) x. p, .. ti..ait which emerge both from the text and from the a'êg1n & BÈBfB & f biên-erïtëndu, part of the inventi4z.
.. .'g'.é i3.iqi: e of the drawing is a schematic section through â.o. a crystal coated with a sheath. The system is made up 'p'âr s: Cè.1 of germanium 1, type n, affecting the female.' pastry with a thickness of 0.5 mm and a surface of 3 i: j: mm trâ és.st.vi't -est of 15 Glml .. !! 1 This plate is ftxtêç% 1: M.li 'è 4l * ùâfe small quantity of tin 2, containing 10% a "âI.fu.: ttret I * Htteë ié': quantity of golden molybdenum 3: .1 which is fixed" sure i, mtâ 4, ' -00 toa .ga d .. 's.ystem ,. This .envelope comprises in .. f ....: 1 ': dt1 Si.
blpSi ê 1ttiâ iemsfeirf7.e ... 7é f01 head 4 and qm; moreover, is surrounded. . ' P. -Se 'this it &. 1Ft. disc of B.l1UJ1lniU! ll 7 improved 4% fNtHib; fé te paÏ '! t ± tre 81! tèT-: i! èt1 "ft \ e -au tsajwt 5 -is mounted isolated -! lJj' tNâ Î te6 9fe 1T'e t3 .tan. > ff45a * s * t of 'tabular connection%:.,' '# flM-îïê sft "a1l. die gum. is applied by; fus: ton.
'e é e étLE) i8 - il & nmtro.m .. Enter this -éJ. "(ctrO!'! #% $ M l-lfèf ijiêg en..s'e d1TÓve, un à'Ona.m :: t1J ! ra "a1rl.1nBn ...
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Current ration 11 which consists, for example, of an alloy of 20% chromium and 20% nickel. This conductor is hermetically fixed in the connection contact 8 using dE? welding 12.
In this case, the resistance of the crystal, measured in the forward direction, between the molybdenum wafer 3 and the electrode 10 is 0.15 ohm. For the resistance of the wire 11, the same value is chosen.