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FR3056022B1
(fr)
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Dispositif d'interconnexion electrique d'elements de batterie et batterie d'accumulateurs pourvue d'un tel dispositif
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EP2834189B1
(fr)
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Structure semiconductrice optoelectronique a nanofils et procede de fabrication d'une telle structure
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FR2797094A1
(fr)
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Procede de fabrication de composants unipolaires
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FR2967294A1
(fr)
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Procédé de formation d'une structure multicouches
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EP0148088A2
(fr)
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Joint d'étanchéité métallique flexible comportant des parties saillantes consommables
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FR2723260A1
(fr)
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Thyristor a trois bornes avec caracteristiques commandees par une seule gachette mos
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EP3240041A1
(fr)
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Transistor à heterojonction de type normalement ouvert a tension de seuil elevee
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EP3378098B1
(fr)
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Diode a heterojonction ayant un courant de surcharge transitoire accru
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FR2837322A1
(fr)
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DIODE SCHOTTKY DE PUISSANCE A SUBSTRAT SiCOI, ET PROCEDE DE REALISATION D'UN TELLE DIODE
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FR3053834A1
(fr)
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Structure de transistor
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BE543168A
(cs)
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EP1076365B1
(fr)
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Commutateur statique bidirectionnel sensible
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EP0128062B1
(fr)
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Transistor à effet de champ, fonctionnant en régime d'enrichissement
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EP0833394B1
(fr)
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Diode bidirectionnelle de protection, à retournement
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FR2785090A1
(fr)
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Composant de puissance portant des interconnexions
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EP0996165A1
(fr)
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Composant de puissance portant des interconnexions
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EP1958261A1
(fr)
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Transistor de type i-mos comportant deux grilles independantes, et procede d'utilisation d'un tel transistor
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FR2697674A1
(fr)
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Thyristor et assemblage de thyristors à cathode commune.
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FR3091021A1
(fr)
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Thyristor vertical
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EP1328980A1
(fr)
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Diac planar
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FR3063573A1
(fr)
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Dispositif fusible integre
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FR2556882A1
(fr)
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Composant semiconducteur rapide, notamment diode pin haute tension
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FR2512590A1
(fr)
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Transistor a effet de champ du type a jonction et procede de fabrication
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WO2019224448A1
(fr)
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Transistor a haute mobilite electronique en mode enrichissement
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FR3097682A1
(fr)
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Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium
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