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MONTAGE OSCILLATEUR A TRANSISTEUR.
L'invention concerne un montage pour engendrer des oscillations électriques et comportant un transisteur, une impédance capacitive et une impédance inductive. Elle fournit entre autres un montage oscillateur à très haute fréquence d'oscillation, à savoir plus élevée que la fréquence limite du transisteur.
Par "fréquence limite" il y a lieu d'entendre la fréquence pour laquelle le coefficient d'amplification de courant # du transisteur est tombé d' environ 3 dB.
Suivant l'invention, le transisteur oscille au delà de sa fréquence limite, parce que l'impédance capacitive est insérée entre l'élec- trode émettrice et l'électrode collectrice, alors que l'impédance inductive est insérée entre l'électrode collectrice et l'électrode de base, de fa- çon qu'ensemble, ces impédances, vues à partir de l'électrode collectrice, forment un circuit de résonance en parallèle accordé approximativement sur la fréquence de l'oscillateur.
La description du dessin annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée, les particularités qui ressortent tant du texte que du dessin faisant, bien entendu, partie de l'invention.
La fig. 1 représente un exemple de réalisation simple du montage conforme à l'invention.
Les figs. 2 et 3 représentent deux variantes du montage illustré sur la fig. 1.
La fig. 4 donne les variations de l'amplification du courant en fonction de la fréquence.
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Sur la fig. 1, le montage oscillateur comporte un transisteur 1, en particulier un transisteur à pointes de contact, à électrode émet- trice e, à électrode collectrice 1 età électrode de base b, ainsi qu'une capacité C insérée entre les électrodes e et c, et une self-induction L insérée entre les électrodes c et d, de sorte que le transisteur peut os- ciller au delà de sa fréquence limite, à une fréquence d'oscillateur fo, approximativement égale à 1 . La capacité parasitaire Gp qui produit éventuellement en parallele avec self-induction doit qui se produit éventuellement en parallèle avec la self-induction L, doit être ajoutée à la capacité G.
Il y a lieu de noter que la self-induction L et la capacité C, éventuellement majorée de Cp, vues à partir de l'élec- trode collectrice c, peuvent être considérées comme un circuit de résonan- ce en parallèle, accordé approximativement sur la fréquence d'ocillation f; en effet, la connexion de gauche du condensateur C et la connexion in- férieure de la self-induction L sont interconnectées par l'intermédiaire d'une impédance pratiquement négligeable, constituée par la résistance interne entre l'électrode émettrice et l'électrode de base du transis- teur 1.
L'invention est basée sur des mesures effectuées sur un traneis- teur qui prouvent que le coefficient d'amplification de courant # tombe non seulement à proximité de la fréquence limite, mais de plus qu'il présente un grand déphasage qui, dans les montages oscillateurs usuels affecte 1' oscillation, mais qui, dans le mode de montage utilisé constitue un avan- tage.La fig. 4 donne ce facteur d'amplification de courant # (qui est dé- fini comme le rapport de l'intensité du courant de l'électrode collectrice ic' et de l'intensité du courant de l'électrode émettrice ie' pour une va- leur constante de la tension du collecteur), et ce déphasage # entre le cou- rant ic et i e en fonction de la fréquence.
A la fréquence limite f1' pour laquelle # (c'est-à-dire la valeur abso- lue de ), est tombé d'environ 3 dB, on trouve déjà un déphasage d'envi- ron 45 , alors que pour une fréquence fo = à 2 ou 3 fois la fréquence limi- te f1, le déphasage est de 90 .
Comme, vues à partir de l'électrode collectrice c, les impédances L et C forment un circuit de résonance en parallèle accordé sur la fréquence de l'oscillateur, on obtient à cette électrode collectrice c, une haute tension approximativement en phase avec le courant ic de l'électrode collec- trice. Le courant ie qui circule à travers le condenseur G vers l'électrode émettrice e et qui, par suite de l'accroissement d'oscillation du circuit LC est notablement plus grand que le courant de l'électrode collectrice ic' est, lui aussi, notablement décalé par rapportà ce courant ic' par exemple, à la résonance du circuit LC, exactement de 90 .
Par suite du glis- sement de phase du coefficient d'amplification #, le courant d'émission ieeinsi engendré fournit le courant ic avec la phase originale, de sorte que l'une des conditions d'oscillation est satisfaite.
Dans le montage représenté sur la fig. 2, l'électrode collec- trice est connectée à une prise 6 de la self-induction L, de sorte que la tension aux bornes de cette self-induction L, est transformée par un trans- formateur élévateur, ce qui facilite généralement l'oscillation.
Sur la fig. 3, le condensateur C de la fig. 1 est scindé en deux condensateurs Cl et C2, dont la ligne de connexion est connectée à 1' électrode collectrice c. Pour le reste, ces deux montages fonctionnent de la même manière que celui représenté sur la fig. 1.
Comme exemple numérique, on peut citer un transisteur dont,
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conformément au schéma équivalent usuel, la résistance d'émission interne re = 50 #, la résistance interne de l'électrode collectrice .± 10 k#, la résistance de base interne rb = 200#, # = pour les basses fréquences = 2,5, f1 = 7 Mc/s, L = 18/uH, Ce = 2 pF, @ C = 5 pF, fo = 15 Mc/s. Le circuit LC doit avoir un grand facteur de surtension, afin d'assurer une bonne stabilité à la fréquence fo de l'oscillateur.