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EP1568129B1
(fr)
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Support pour resonateur acoustique, resonateur acoustique et circuit integre correspondant
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EP3596825B1
(fr)
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Resonateur saw a couches d'attenuation d'ondes parasites
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Hsu et al.
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Periodic surface structures on gallium phosphide after irradiation with 150fs–7ns laser pulses at 800nm |
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FR2598569A1
(fr)
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Amplificateurs de signaux repartis en parallele
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EP3127142B1
(fr)
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Procédé de fabrication d'une plaque de semi-conducteur adaptée pour la fabrication d'un substrat soi, et plaque de substrat soi ainsi obtenue
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FR2830983A1
(fr)
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Procede de fabrication de couches minces contenant des microcomposants
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FR2951027A1
(fr)
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Resonateur piezoelectrique isole des perturbations du substrat
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EP3540853B1
(fr)
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Antenne à réseau transmetteur large bande
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FR2553583A1
(fr)
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Limiteur de puissance elevee a diodes pin pour ondes millimetriques et procede de realisation des diodes
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EP2306641B1
(fr)
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Procédé de fabrication de résonateur BAW à facteur de qualité élevé
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CN111066243B
(zh)
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弹性波元件及其制造方法
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EP3994722A1
(fr)
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Structure semi-conductrice comprenant une couche poreuse enterree, pour applications rf
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WO2008055920A1
(fr)
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Corps de support de plan de masse d'antenne plate comprenant des pieges quart d'onde
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TW202002508A
(zh)
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接合體及彈性波元件
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FR3062517A1
(fr)
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Structure pour application radiofrequence
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EP0354117A1
(fr)
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Transducteur piézoélectrique pour générer des ondes de volume
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FR3053479A1
(fr)
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Region de jonction entre deux guides d'ondes et procede de fabrication associe
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BE445719A
(enExample)
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EP3293880A1
(fr)
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Circuit d adaptation pour amplificateur bas bruit et amplificateur bas bruit comprenant un tel circuit
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FR2545295A1
(fr)
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Amplificateur hyperfrequence de puissance
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EP1470622B1
(fr)
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Composant a absorbant saturable et procede de fabrication de composant a absorbant saturable
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JP7651383B2
(ja)
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複合基板
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FR2536910A1
(fr)
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Transistor a effet de champ a double grille de haute puissance
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EP1953778B1
(fr)
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Condensateur dans un circuit monolithique
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WO2024170751A1
(fr)
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Procédé de formation d'une zone de fragilisation dans un substrat semi-conducteur
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