AT256937B - Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit hohem Emitterwirkungsgrad - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit hohem Emitterwirkungsgrad

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AT256937B
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transistors
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emitter efficiency
high emitter
efficiency
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Marta Dipl Ing Andrasi
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Egyesuelt Izzolampa
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00
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