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Publication of AT235340BpublicationCriticalpatent/AT235340B/de
Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed
(AREA)
Manufacture And Refinement Of Metals
(AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
Verfahren zum Herstellen von bandförmigen Halbleiterkörpern
EMI1.1
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EMI2.1
**WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
<Desc/Clms Page number 3>
anwachsende Halbleiterkörper aus dem unterkühlten Teil der Schmelze gezogen wird, nach Patent Nr. 226782, dadurch gekennzeichnet, dass durch die durch Änderung der Oberflächenform und des Volu- mens der Schmelze während des Ziehens bedingte Abweichung des in der die Schmelze umgebenden Induktionsspule fliessenden Stroms von einem Sollwert, über eine Regelvorrichtung die Vorschubgeschwindigkeit des in Ziehrichtung fortlaufend in die Induktionsspule nachgeführten Trägerkörpers geändert wird, bis der Strom in der Spule wieder den Sollwert hat.
2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass ein Trägerkörper verwendet wird, der über seine ganze, in Ziehrichtung verlaufende Länge einen konstanten Durchmesser aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die durch Änderung des Spulenstroms bewirkte Änderung des Anodenstroms eines dieSpule speisenden Generators mittels zweier Magnetverstärker in Gegentaktschaltung kontinuierlich verstärkt wird.
AT975261A1961-03-091961-12-22Verfahren zum Herstellen von bandförmigen Halbleiterkörpern
AT235340B
(de)
Verfahren zur tiegelfreien Schmelzzonenbehandlung eines Stabes aus kristallinem Halbleitermaterial, Induktionsheizspulenanordnung zur Durchführung des Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestellter Siliciumstab
Steuereinrichtung fuer den strom und die schlupffrequenz einer ueber einen stromrichter gespeisten asynchronmaschine, insbesondere eines kurzschlusslaeufermotors
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Energiesteigerung und Stichilammenbildung bei einem elektrischen Lichtbogen nach dem Patente Nr. 119328.