AT199701B - Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Stoffe, vorzugsweise Leiter oder Halbleiter - Google Patents

Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Stoffe, vorzugsweise Leiter oder Halbleiter

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AT199701B
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semiconductors
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crystalline substances
preferably conductors
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Egon Dr Ing Wiberg
Eberhardt Amberger
Gustav Dr Phil Wagner
Friedrich Dr Ing Bischoff
Juerg Dr Phil Johannesson
Habil Theodor Dr Ing Rummel
Hans Friedrich Ing Quast
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Siemens Ag
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1140549B (de) * 1954-05-18 1962-12-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von reinstem kristallinem Germanium, Verbindungen von Elementen der ó¾. und ó§.oder ó�. und ó÷. Gruppe des Periodischen Systems und von oxydischem Halbleitermaterial
DE1150655B (de) * 1960-05-05 1963-06-27 Siemens Ag Verfahren zum Dotieren eines festen Halbleiterkristalls
DE1245335B (de) * 1964-06-26 1967-07-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einkristalliner, homogen bordotierter, insbesondere aus Silicium oder Germanium bestehender Aufwachsschichten auf einkristallinen Grundkoerpern

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1140549B (de) * 1954-05-18 1962-12-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von reinstem kristallinem Germanium, Verbindungen von Elementen der ó¾. und ó§.oder ó�. und ó÷. Gruppe des Periodischen Systems und von oxydischem Halbleitermaterial
DE1150655B (de) * 1960-05-05 1963-06-27 Siemens Ag Verfahren zum Dotieren eines festen Halbleiterkristalls
DE1245335B (de) * 1964-06-26 1967-07-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einkristalliner, homogen bordotierter, insbesondere aus Silicium oder Germanium bestehender Aufwachsschichten auf einkristallinen Grundkoerpern

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