본 발명은 형광체 조성물 및, 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 모체 결정 물질 (host material)에 희토류 (rare earth elements, REE) 금속 양이온의 도핑 비율을 조절함으로써 피시술자의 자연치 (natural teeth)와 유사한 발광 특성을 갖는 실리케이트계, 포스페이트계 및 보레이트계 형광체 조성물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a phosphor composition and a method for preparing the same, and more particularly, by controlling the doping ratio of rare earth elements (REE) metal cations in a host material, similar to the natural teeth of the recipient. The present invention relates to a silicate-based, phosphate-based and borate-based phosphor composition having light-emitting properties and a method for preparing the same.
이하 본 발명을 더욱 자세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명의 일 예는 화학식 1로 표시되는 실리케이트계 형광체 조성물에 관한 것이다.An example of the present invention relates to a silicate-based phosphor composition represented by the formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
(AE1-x-yREE1xREE2y)2Al2Si2O8
(AE 1-xy REE1 x REE2 y ) 2 Al 2 Si 2 O 8
본 발명의 실리케이트계 형광체 조성물에 있어서 용어 “모체 결정 물질”은 Al2Si2O8를 의미하는 것일 수 있다.In the silicate-based phosphor composition of the present invention, the term “mother crystal material” may mean Al 2 Si 2 O 8 .
본 발명에 있어서 AE는 바륨 (Ba), 스트론튬 (Sr), 및 칼슘 (Ca) 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 알칼리 토금속 (Alkali earth elements)을 의미하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 칼슘일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, AE may mean any one of alkaline earth elements selected from the group consisting of barium (Ba), strontium (Sr), and calcium (Ca), for example, calcium may be, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 알칼리 토금속은 원소 주기율표상 2족 원소 군을 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, the alkaline earth metal may mean a group 2 element group on the periodic table of elements.
본 발명에 있어서 REE1은 란타넘 (La), 가돌리늄 (Gd), 이트륨 (Y), 세륨 (Ce), 프라세오디뮴 (Pr), 네오디뮴 (Nd), 사마륨 (Sm), 유로퓸 (Eu), 가돌리늄 (Gd), 터븀 (Tb), 디스프로슘 (Dy), 홀뮴 (Ho), 어븀 (Er) 및 툴륨 (Tm)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 희토류 금속 (rare earth elements, REE)일 수 있으며, 예를 들어, 유로퓸일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, REE1 is lanthanum (La), gadolinium (Gd), yttrium (Y), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd) ), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), and thulium (Tm) may be any one selected from the group consisting of rare earth elements (REE), for example, For example, it may be europium, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 REE2는 란타넘 (La), 가돌리늄 (Gd), 이트륨 (Y), 세륨 (Ce), 프라세오디뮴 (Pr), 네오디뮴 (Nd), 사마륨 (Sm), 유로퓸 (Eu), 가돌리늄 (Gd), 터븀 (Tb), 디스프로슘 (Dy), 홀뮴 (Ho), 어븀 (Er) 및 툴륨 (Tm)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 희토류 금속 (rare earth elements, REE)일 수 있으며, 예를 들어, 터븀일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, REE2 is lanthanum (La), gadolinium (Gd), yttrium (Y), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd) ), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), and thulium (Tm) may be any one selected from the group consisting of rare earth elements (REE), for example, For example, it may be terbium, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 용어 “희토류 금속 (rare earth elements, REE)”은 원소주기율표상 원자 번호 57번부터 71번까지의 군에 속하는 금속을 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, the term “rare earth elements (REE)” may mean a metal belonging to the group of atomic numbers 57 to 71 on the periodic table of elements.
본 발명에 있어서 x는 0<x≤0.15인 것일 수 있고, 이는 x가 0은 포함하지 않고 0.15를 포함하되, 0과 0.15의 사이의 값을 갖는 것임을 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, x may be 0<x≤0.15, which may mean that x does not include 0 but includes 0.15, but has a value between 0 and 0.15.
본 발명에 있어서 화학식의 원소비는 일반적으로 정수로 기재하는 것이나, 합금 또는 특수광물 등 하나의 분자에 포함되는 원소의 비율이 복잡하여 소수로 기재하는 것이 정수로 기재하는 것보다 더 간단한 경우에는 소수로 기재할 수도 있다.In the present invention, the element ratio of the chemical formula is generally described as an integer, but if the ratio of elements included in one molecule, such as an alloy or special mineral, is complicated, and writing as a decimal is simpler than writing as an integer, it is a decimal It can also be written as
본 발명에 있어서 화학식 1의 x는 화학식에서 모체결정의 희토류 금속 REE1 자리에 도핑되는 희토류 금속 REE2의 비율이며, 고상법 및 액상법 등 합성법에 따라 wt% 또는 mol%로 표기할 수 있다. 예를 들어, 5 wt% 또는 5 mol%인 경우 x는 0.05인 것일 수 있다.In the present invention, x in Formula 1 is the ratio of the rare earth metal REE2 doped to the REE1 site of the parent crystal in the formula, and can be expressed in wt% or mol% according to synthesis methods such as solid phase method and liquid phase method. For example, in the case of 5 wt% or 5 mol%, x may be 0.05.
본 발명에 있어서 화학식 1의 x는 0.01 내지 0.15, 0.01 내지 0.13, 0.01 내지 0.11, 0.01 내지 0.09, 0.03 내지 0.15, 0.03 내지 0.13, 0.03 내지 0.11 또는 0.03 내지 0.09일 수 있으며, 예를 들어, 0.03 내지 0.09일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, x in Formula 1 may be 0.01 to 0.15, 0.01 to 0.13, 0.01 to 0.11, 0.01 to 0.09, 0.03 to 0.15, 0.03 to 0.13, 0.03 to 0.11, or 0.03 to 0.09, for example, 0.03 to It may be 0.09, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 화학식 1의 y는 0≤y≤0.15인 것일 수 있고, 이는 y가 0 및 0.15를 포함하되, 0과 0.15의 사이의 값을 갖는 것임을 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, y in Formula 1 may be 0≤y≤0.15, which may mean that y includes 0 and 0.15, but has a value between 0 and 0.15.
본 발명에 있어서 화학식 1의 y는 0 내지 0.05, 0 내지 0.04, 0.01 내지 0.05 또는 0.01 내지 0.04일 수 있으며, 예를 들어, 0.01 내지 0.03일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, y in Formula 1 may be 0 to 0.05, 0 to 0.04, 0.01 to 0.05, or 0.01 to 0.04, for example, 0.01 to 0.03, but is not limited thereto.
화학식 1의 y는 수용액에서 희토류 금속의 mol% 농도를 소수로 나타낸 것일 수 있으며, 예를 들어, 수용액에서 희토류 금속의 농도가 1 mol%인 경우 y는 0.01인 것일 수 있다.In Formula 1, y may represent the mol% concentration of the rare earth metal in the aqueous solution as a decimal number. For example, when the concentration of the rare earth metal in the aqueous solution is 1 mol%, y may be 0.01.
본 발명에 있어서 용어 “도핑 (dopping)”은 금속공학 분야에서 모체 결정 물질에 미량의 다른 물질을 첨가하여 모체 결정 물질의 성질을 개선 또는 개질 (reforming)하는 행위를 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, the term “doping” may refer to an action of improving or reforming the properties of the parent crystal material by adding a trace amount of another material to the parent crystal material in the field of metallurgy.
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 1로 표시되는 실리케이트계 조성물은 (Ca0.95Eu0.05)Al2Si2O8인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the silicate-based composition represented by Formula 1 may be (Ca 0.95 Eu 0.05 )Al 2 Si 2 O 8 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 1로 표시되는 실리케이트계 조성물은 (Ca0.85Eu0.12Tb0.03)Al2Si2O8인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the silicate-based composition represented by Formula 1 may be (Ca 0.85 Eu 0.12 Tb 0.03 )Al 2 Si 2 O 8 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 1로 표시되는 실리케이트계 조성물은 (Ca0.87Eu0.12Tb0.01)Al2Si2O8인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the silicate-based composition represented by Formula 1 may be (Ca 0.87 Eu 0.12 Tb 0.01 )Al 2 Si 2 O 8 .
본 발명에 있어서 형광체 조성물의 평균 입자경은 0.01 내지 10 um, 0.01 내지 8 um, 0.01 내지 6 um, 0.01 내지 4 um, 0.1 내지 10 um, 0.1 내지 8 um, 0.1 내지 6 um, 0.1 내지 4 um, 1 내지 10 um, 1 내지 8 um, 1 내지 6 um, 1 내지 4 um, 2 내지 10 um, 2 내지 8 um, 2 내지 6 um, 2 내지 4 um, 3 내지 10 um, 3 내지 8 um, 3 내지 6 um 또는 3 내지 4 um일 수 있으며, 예를 들어, 3 um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the average particle diameter of the phosphor composition is 0.01 to 10 um, 0.01 to 8 um, 0.01 to 6 um, 0.01 to 4 um, 0.1 to 10 um, 0.1 to 8 um, 0.1 to 6 um, 0.1 to 4 um, 1 to 10 um, 1 to 8 um, 1 to 6 um, 1 to 4 um, 2 to 10 um, 2 to 8 um, 2 to 6 um, 2 to 4 um, 3 to 10 um, 3 to 8 um, It may be 3 to 6 um or 3 to 4 um, for example, 3 um, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 형광체 조성물의 발광 파장은 420 내지 600 nm, 420 내지 590 nm, 420 내지 580 nm, 420 내지 570 nm, 420 내지 560 nm, 420 내지 550 nm, 420 내지 540 nm, 420 내지 530 nm, 420 내지 520 nm, 420 내지 510 nm, 430 내지 600 nm, 430 내지 590 nm, 430 내지 580 nm, 430 내지 570 nm, 430 내지 560 nm, 430 내지 550 nm, 430 내지 540 nm, 430 내지 530 nm, 430 내지 520 nm, 430 내지 510 nm, 440 내지 600 nm, 440 내지 590 nm, 440 내지 580 nm, 440 내지 570 nm, 440 내지 560 nm, 440 내지 550 nm, 440 내지 540 nm, 440 내지 530 nm, 440 내지 520 nm, 440 내지 510 nm, 450 내지 600 nm, 450 내지 590 nm, 450 내지 580 nm, 450 내지 570 nm, 450 내지 560 nm, 450 내지 550 nm, 450 내지 540 nm, 450 내지 530 nm, 450 내지 520 nm, 450 내지 510 nm, 460 내지 600 nm, 460 내지 590 nm, 460 내지 580 nm, 460 내지 570 nm, 460 내지 560 nm, 460 내지 550 nm, 460 내지 540 nm, 460 내지 530 nm, 460 내지 520 nm, 460 내지 510 nm, 470 내지 600 nm, 470 내지 590 nm, 470 내지 580 nm, 470 내지 570 nm, 470 내지 560 nm, 470 내지 550 nm, 470 내지 540 nm, 470 내지 530 nm, 470 내지 520 nm, 470 내지 510 nm, 480 내지 600 nm, 480 내지 590 nm, 480 내지 580 nm, 480 내지 570 nm, 480 내지 560 nm, 480 내지 550 nm, 480 내지 540 nm, 480 내지 530 nm, 480 내지 520 nm 또는 480 내지 510 nm일 수 있으며, 예를 들어, 480 내지 510 nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the emission wavelength of the silicate-based phosphor composition is 420 to 600 nm, 420 to 590 nm, 420 to 580 nm, 420 to 570 nm, 420 to 560 nm, 420 to 550 nm, 420 to 540 nm, 420 to 530 nm, 420-520 nm, 420-510 nm, 430-600 nm, 430-590 nm, 430-580 nm, 430-570 nm, 430-560 nm, 430-550 nm, 430-540 nm, 430-530 nm, 430-520 nm, 430-510 nm, 440-600 nm, 440-590 nm, 440-580 nm, 440-570 nm, 440-560 nm, 440-550 nm, 440-540 nm, 440-530 nm, 440-520 nm, 440-510 nm, 450-600 nm, 450-590 nm, 450-580 nm, 450-570 nm, 450-560 nm, 450-550 nm, 450-540 nm, 450-530 nm, 450-520 nm, 450-510 nm, 460-600 nm, 460-590 nm, 460-580 nm, 460-570 nm, 460-560 nm, 460-550 nm, 460-540 nm, 460-530 nm, 460-520 nm, 460-510 nm, 470-600 nm, 470-590 nm, 470-580 nm, 470-570 nm, 470-560 nm, 470-550 nm, 470-540 nm, 470-530 nm, 470-520 nm, 470-510 nm, 480-600 nm, 480-590 nm, 480-580 nm, 480-570 nm, 480- 560 nm, 480 to 550 nm, 480 to 540 nm, 480 to 530 nm, 480 to 520 nm, or 480 to 510 nm, for example, may be 480 to 510 nm, but is not limited thereto.
본 발명의 다른 일 예는 다음의 단계를 포함하는 실리케이트계 형광체 조성물의 제조 방법에 관한 것이다:Another embodiment of the present invention relates to a method for preparing a silicate-based phosphor composition comprising the steps of:
탄산칼슘 (Calcium carbonate, CaCO3), 산화알루미늄 (Aluminium oxide, Al2O3), 산화규소 (Silicon Dioxide, SiO2) 및 산화유로퓸 [Europium(III) oxide, Eu2O3]을 용매에 용해하여 실리케이트계 용해물을 준비하는 실리케이트계 용해물 준비 단계;Calcium carbonate (CaCO 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon dioxide (SiO 2 ) and europium oxide [Europium(III) oxide, Eu 2 O 3 ] are dissolved in a solvent a silicate-based lysate preparation step of preparing a silicate-based lysate;
상기 실리케이트계 용해물을 건조하여 실리케이트계 건조 혼합물을 수득하는 실리케이트계 용해물 건조 단계;a silicate-based melt drying step of drying the silicate-based melt to obtain a silicate-based dry mixture;
상기 실리케이트계 건조 혼합물을 대기 (air) 조건 하에서 열처리하여 제1 실리케이트계 하소 혼합물을 수득하는 제1 실리케이트계 하소 단계; 및a first silicate-based calcination step of heat-treating the silicate-based dry mixture under air conditions to obtain a first silicate-based calcination mixture; and
상기 제1 실리케이트계 하소 혼합물을 혼합 가스 조건 하에서 열처리하여 제2 실리케이트계 하소 혼합물을 수득하는 제2 실리케이트계 하소 단계.A second silicate-based calcination step of heat-treating the first silicate-based calcined mixture under mixed gas conditions to obtain a second silicate-based calcined mixture.
본 발명에 있어서 실리케이트계 용해물 준비 단계는 탄산칼슘 (Calcium carbonate, CaCO3), 산화알루미늄 (Aluminium oxide, Al2O3), 산화규소 (Silicon Dioxide, SiO2) 및 산화유로퓸 [Europium(III) oxide, Eu2O3]을 건식 혼합하고 용매에 용해하여 실리케이트계 용해물을 준비하는 것일 수 있다.In the present invention, the silicate-based melt preparation step is calcium carbonate (Calcium carbonate, CaCO 3 ), aluminum oxide (Aluminium oxide, Al 2 O 3 ), silicon oxide (Silicon Dioxide, SiO 2 ) and europium oxide [Europium (III) oxide, Eu 2 O 3 ] may be dry mixed and dissolved in a solvent to prepare a silicate-based lysate.
본 발명에 있어서 용매는 증류수, 황산 수용액, 질산 수용액, 및 염산 수용액으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것일 수 있으며, 예를 들어, 증류수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the solvent may be any one selected from the group consisting of distilled water, sulfuric acid aqueous solution, nitric acid aqueous solution, and hydrochloric acid aqueous solution, for example, distilled water, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 용해물의 상 (phase)은 수용액상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the phase of the lysate may be an aqueous phase, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 용해물 건조 단계는 100 내지 200℃, 100 내지 180℃, 100 내지 160℃, 120 내지 200℃, 120 내지 180℃, 또는 120 내지 160℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 150℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the silicate-based melt drying step may be performed under a temperature condition of 100 to 200 ℃, 100 to 180 ℃, 100 to 160 ℃, 120 to 200 ℃, 120 to 180 ℃, or 120 to 160 ℃, , for example, may be carried out under a temperature condition of 150 ℃, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 용해물 건조 단계는 12 내지 72시간, 12 내지 60시간, 12 내지 48시간, 12 내지 36시간 또는 12 내지 24시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 12시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the silicate-based melt drying step may be performed for 12 to 72 hours, 12 to 60 hours, 12 to 48 hours, 12 to 36 hours, or 12 to 24 hours, for example, performed for 12 hours. may be, but is not limited thereto.
실리케이트계 용해물 건조 단계가 12시간 보다 적게 수행되는 경우, 실리케이트계 용해물에 포함되는 용매가 충분히 증발되지 못하고, 용매가 잔류하여 실리케이트계 형광체 조성물이 오염될 수 있다.When the silicate-based melt drying step is performed for less than 12 hours, the solvent contained in the silicate-based melt may not sufficiently evaporate, and the solvent may remain, thereby contaminating the silicate-based phosphor composition.
본 발명에 있어서 제1 실리케이트계 하소 단계는 실리케이트계 용해물 건조 단계를 수행한 실리케이트계 건조 혼합물을 열처리하여 제1 실리케이트계 하소 혼합물을 수득하는 것일 수 있다.In the present invention, the first silicate-based calcination step may be to obtain a first silicate-based calcination mixture by heat-treating the silicate-based dry mixture that has been subjected to the silicate-based melt drying step.
본 발명에 있어서 제1 실리케이트계 하소 단계는 700 내지 1100℃, 700 내지 1050℃, 700 내지 1000℃, 700 내지 950℃, 700 내지 900℃, 750 내지 1100℃, 750 내지 1050℃, 750 내지 1000℃, 750 내지 950℃, 또는 750 내지 900℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 750 내지 900℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the first silicate-based calcination step is 700 to 1100 °C, 700 to 1050 °C, 700 to 1000 °C, 700 to 950 °C, 700 to 900 °C, 750 to 1100 °C, 750 to 1050 °C, 750 to 1000 °C , 750 to 950 ° C., or may be carried out under a temperature condition of 750 to 900 ° C. For example, it may be carried out under a temperature condition of 750 to 900 ° C., but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 제1 실리케이트계 하소 단계는 6 내지 24시간, 6 내지 20시간, 6 내지 16시간, 6 내지 12시간 또는 6 내지 8시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 6 내지 8시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the first silicate-based calcination step may be performed for 6 to 24 hours, 6 to 20 hours, 6 to 16 hours, 6 to 12 hours, or 6 to 8 hours, for example, 6 to 8 hours. It may be performed during, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 제2 실리케이트계 하소 단계는 제1 실리케이트계 하소 혼합물을 하소하여 제2 실리케이트계 하소 혼합물을 수득하는 단계일 수 있다.In the present invention, the second silicate-based calcination step may be a step of calcining the first silicate-based calcination mixture to obtain a second silicate-based calcination mixture.
본 발명에 있어서 제2 실리케이트계 하소 단계는 700 내지 1100℃, 700 내지 1050℃, 700 내지 1000℃, 750 내지 1100℃, 750 내지 1050℃, 750 내지 1000℃, 800 내지 1100℃, 800 내지 1050℃, 800 내지 1000℃, 900 내지 1100℃, 900 내지 1050℃, 또는 900 내지 1000℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 900 내지 1000℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the second silicate-based calcination step is 700 to 1100 °C, 700 to 1050 °C, 700 to 1000 °C, 750 to 1100 °C, 750 to 1050 °C, 750 to 1000 °C, 800 to 1100 °C, 800 to 1050 °C , 800 to 1000 ° C, 900 to 1100 ° C, 900 to 1050 ° C, or 900 to 1000 ° C. It is not limited.
본 발명에 있어서 제2 실리케이트계 하소 단계는 6 내지 24시간, 6 내지 20시간, 6 내지 16시간, 8 내지 24 시간, 8 내지 20 시간, 8 내지 16 시간, 10 내지 24 시간, 10 내지 20 시간 또는 10 내지 16 시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 10 내지 16 시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the second silicate-based calcination step is 6 to 24 hours, 6 to 20 hours, 6 to 16 hours, 8 to 24 hours, 8 to 20 hours, 8 to 16 hours, 10 to 24 hours, 10 to 20 hours. Alternatively, it may be performed for 10 to 16 hours, for example, it may be performed for 10 to 16 hours, but is not limited thereto.
본 발명의 일 구현예에서, 제2 실리케이트계 하소 단계는 도핑되는 희토류 금속 이온의 환원을 위해 H2 및 N2 가스를 포함하고, 이를 제외한 다른 종류의 가스는 포함하지 않는 혼합 가스 조건 하에서 수행되는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second silicate-based calcination step includes H 2 and N 2 gas for the reduction of doped rare earth metal ions, and is performed under a mixed gas condition that does not include other types of gases. it could be
본 발명에 있어서 혼합 가스는 전체 가스의 몰 기체 분율을 기준으로 H2 가스를 5 내지 10%, 5 내지 9%, 5 내지 8%, 5 내지 7% 또는 5 내지 6% 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 5% 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the mixed gas may include 5 to 10%, 5 to 9%, 5 to 8%, 5 to 7%, or 5 to 6% of H 2 gas based on the molar gas fraction of the total gas, For example, it may include 5%, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 혼합 가스는 전체 가스의 몰 기체 분율을 기준으로 N2 가스를 90 내지 95%, 91 내지 95%, 92 내지 95%, 93 내지 95% 또는 94 내지 95% 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 95% 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the mixed gas may include 90 to 95%, 91 to 95%, 92 to 95%, 93 to 95%, or 94 to 95% of N 2 gas based on the molar gas fraction of the total gas, For example, it may include 95%, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 형광체 제조 방법은 제2 실리케이트계 하소 단계가 완료된 후, 제2 실리케이트계 하소 혼합물을 분쇄하는 분쇄 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.In the present invention, the method for producing a silicate-based phosphor may further include a pulverization step of pulverizing the second silicate-based calcination mixture after the second silicate-based calcination step is completed.
본 발명에 있어서 분쇄 단계는 미분쇄기 또는 초분쇄기 중 어느 하나인 것으로 하소 혼합물을 분쇄하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the pulverizing step may be pulverizing the calcined mixture using either a fine pulverizer or an ultra pulverizer, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 미분쇄기는 볼 밀 (ball mill), 진동 밀 (vibration mill), 롤러 밀 (roller mill), 제트 밀 (jet mill) 및 유성 밀 (Planetary mill)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것일 수 있으며, 예를 들어, 볼 밀일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the pulverizer is any one selected from the group consisting of a ball mill, a vibration mill, a roller mill, a jet mill, and a planetary mill. may be, for example, may be a ball mill, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 분쇄 단계는 6 내지 24시간, 6 내지 20시간, 6 내지 16시간, 6 내지 12시간 또는 6 내지 8시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 6시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the grinding step may be performed for 6 to 24 hours, 6 to 20 hours, 6 to 16 hours, 6 to 12 hours, or 6 to 8 hours, for example, it may be performed for 6 hours. , but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 분쇄 단계는 6시간 미만 수행되는 경우, 실리케이트계 형광체 조성물이 충분한 분쇄되지 않아, 조성물을 분쇄한 분말의 균일도가 떨어지므로 치아에 적용 (도포) 시 매끈한 표면을 구현하는 것이 곤란할 수 있다.In the present invention, when the pulverization step is performed for less than 6 hours, the silicate-based phosphor composition is not pulverized sufficiently, and the uniformity of the pulverized powder of the composition is lowered, so it may be difficult to implement a smooth surface when applied (applied) to the teeth. .
본 발명의 또 다른 일 예는 화학식 1로 표시되는 실리케이트계 형광체 조성물을 포함하는 치과용 조성물을 제공하는 것이다.Another embodiment of the present invention is to provide a dental composition comprising a silicate-based phosphor composition represented by Formula 1.
[화학식 1][Formula 1]
(AE1-x-yREE1xREE2y)2Al2Si2O8
(AE 1-xy REE1 x REE2 y ) 2 Al 2 Si 2 O 8
본 발명에 있어서 치과용 조성물의 제형은 치아 수복물, 치아 보철물 및 치아 보형물 표면처리제로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The formulation of the dental composition in the present invention may be any one or more selected from the group consisting of a dental restoration, a dental prosthesis, and a surface treatment agent for a dental prosthesis, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 치아는 자연치 및/또는 인공치를 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, teeth may refer to natural and/or artificial teeth.
본 발명의 또 다른 일 예는 다음의 단계를 포함하는 실리케이트계 형광체 조성물의 도포 방법에 관한 것이다:Another embodiment of the present invention relates to a method of applying a silicate-based phosphor composition comprising the steps of:
화학식 1로 표시되는 형광체 조성물 및 파우더를 포함하는 실리케이트계 분말 혼합물, 및 바인더를 혼합하여 실리케이트계 도포물을 준비하는 실리케이트계 형광체 조성물 혼합 단계;A silicate-based phosphor composition mixing step of preparing a silicate-based coating material by mixing a silicate-based powder mixture comprising the phosphor composition and powder represented by Formula 1, and a binder;
대상체에 상기 실리케이트계 도포물을 도포하는 실리케이트계 도포물 도포 단계; 및a silicate-based coating material application step of applying the silicate-based coating material to an object; and
대상체에 도포된 실리케이트계 도포물을 40 내지 60 ℃/분의 승온 속도로 300 내지 900℃의 온도 조건까지 승온시키고 20 내지 40분 동안 등온 상태로 유지하는 실리케이트계 도포물 열 처리 단계.A silicate-based coating heat treatment step of raising the temperature of the silicate-based coating applied to the object to a temperature condition of 300 to 900°C at a temperature increase rate of 40 to 60°C/min and maintaining the isothermal state for 20 to 40 minutes.
[화학식 1][Formula 1]
(AE1-x-yREE1xREE2y)2Al2Si2O8
(AE 1-xy REE1 x REE2 y ) 2 Al 2 Si 2 O 8
본 발명에 있어서 파우더는 치과용 글레이즈 파우더로서, 인공 치아에 광택을 부여하여 심미감을 일으키게 하기 위한 치과 재료를 의미하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the powder is a dental glaze powder, and may mean a dental material for giving an artificial tooth a gloss to create an aesthetic feeling, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 분말 혼합물은 화학식 1로 표시되는 형광체 조성물 및 파우더를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the silicate-based powder mixture may include the phosphor composition and powder represented by Formula 1, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 분말 혼합물에 포함되는 실리케이트계 형광체 조성물 및 파우더의 중량비 (w/w%)는 2:8인 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the silicate-based phosphor composition and the powder included in the silicate-based powder mixture may be 2:8, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 바인더는 프로필렌 글리콜 (propylene glycol)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 실리케이트계 형광체 조성물의 성형성을 용이하게 하기 위하여 적절한 것을 이용할 수 있다.In the present invention, the binder may be propylene glycol, but is not limited thereto, and an appropriate binder may be used to facilitate moldability of the silicate-based phosphor composition.
본 발명에 있어서 실리케이트계 도포물에 포함되는 실리케이트계 분말 혼합물의 중량비 (w/w%)는 50 내지 70 중량%, 50 내지 65 중량%, 50 내지 60 중량%, 55 내지 70 중량%, 55 내지 65 중량% 또는 55 내지 60 중량%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the silicate-based powder mixture contained in the silicate-based coating material is 50 to 70% by weight, 50 to 65% by weight, 50 to 60% by weight, 55 to 70% by weight, 55 to It may be 65% by weight or 55 to 60% by weight, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 도포물에 포함되는 바인더의 중량비 (w/w%)는 30 내지 50 중량%, 30 내지 45 중량%, 35 내지 50 중량%, 35 내지 45 중량%, 40 내지 50 중량% 또는 40 내지 45 중량%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the binder contained in the silicate-based coating material is 30 to 50 wt%, 30 to 45 wt%, 35 to 50 wt%, 35 to 45 wt%, 40 to 50 wt% Or it may be 40 to 45% by weight, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 도포물은 대상체에 적절히 도포되기 위한 점도를 갖도록 실리케이트계 분말 혼합물 및 바인더를 혼합한 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the silicate-based coating material may be a mixture of a silicate-based powder mixture and a binder to have a viscosity to be properly applied to an object, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 도포물 열 처리 단계의 승온 속도는 40 내지 60 ℃/분, 40 내지 58 ℃/분, 40 내지 56 ℃/분, 40 내지 54 ℃/분, 40 내지 52 ℃/분, 42 내지 60 ℃/분, 42 내지 58 ℃/분, 42 내지 56 ℃/분, 42 내지 54 ℃/분, 42 내지 52 ℃/분, 44 내지 60 ℃/분, 44 내지 58 ℃/분, 44 내지 56 ℃/분, 44 내지 54 ℃/분, 44 내지 52 ℃/분, 46 내지 60 ℃/분, 46 내지 58 ℃/분, 46 내지 56 ℃/분, 46 내지 54 ℃/분, 46 내지 52 ℃/분, 48 내지 60 ℃/분, 48 내지 58 ℃/분, 48 내지 56 ℃/분, 48 내지 54 ℃/분 또는 48 내지 52 ℃/분 일 수 있으며, 예를 들어, 48 내지 52 ℃/분일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the temperature increase rate of the silicate-based coating heat treatment step is 40 to 60 °C/min, 40 to 58 °C/min, 40 to 56 °C/min, 40 to 54 °C/min, 40 to 52 °C/min, 42 to 60 °C/min, 42 to 58 °C/min, 42 to 56 °C/min, 42 to 54 °C/min, 42 to 52 °C/min, 44 to 60 °C/min, 44 to 58 °C/min, 44 to 56 °C/min, 44 to 54 °C/min, 44 to 52 °C/min, 46 to 60 °C/min, 46 to 58 °C/min, 46 to 56 °C/min, 46 to 54 °C/min, 46 to 52 °C/min, 48 to 60 °C/min, 48 to 58 °C/min, 48 to 56 °C/min, 48 to 54 °C/min, or 48 to 52 °C/min, for example, 48 to 52 °C/min. It may be °C / min, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 실리케이트계 열 처리 단계는 300 내지 900℃, 300 내지 800℃, 300 내지 700℃, 300 내지 600℃, 400 내지 900℃, 400 내지 800℃, 400 내지 700℃, 400 내지 600℃, 500 내지 900℃, 500 내지 800℃, 500 내지 700℃, 또는 500 내지 600℃의 온도 조건에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어 500 내지 600℃의 온도 조건에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the silicate-based heat treatment step is 300 to 900 ℃, 300 to 800 ℃, 300 to 700 ℃, 300 to 600 ℃, 400 to 900 ℃, 400 to 800 ℃, 400 to 700 ℃, 400 to 600 ℃, 500 to 900 ℃, 500 to 800 ℃, 500 to 700 ℃, or may be carried out at a temperature condition of 500 to 600 ℃, for example, it may be carried out at a temperature condition of 500 to 600 ℃, but limited thereto it is not
본 발명에 있어서 실리케이트계 열 처리 단계는 20 내지 40 분, 20 내지 35 분, 25 내지 40 분 또는 25 내지 30 분 동안 등온 상태를 유지하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 25 내지 30 분 동안 등온 상태를 유지하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the silicate-based heat treatment step may be to maintain an isothermal state for 20 to 40 minutes, 20 to 35 minutes, 25 to 40 minutes, or 25 to 30 minutes, for example, isothermal state for 25 to 30 minutes. may be to maintain, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 예는 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물에 관한 것이다.Another embodiment of the present invention relates to a phosphate-based phosphor composition represented by the formula (2).
[화학식 2][Formula 2]
Rb(AE1-xREE3x)PO4
Rb(AE 1-x REE3 x )PO 4
본 발명의 포스페이트계 형광체 조성물에 있어서 용어 “모체 결정 물질”은 탄산루비듐 (Rubidium carbonate, RbCO3)을 의미하는 것일 수 있다.In the phosphate-based phosphor composition of the present invention, the term “mother crystalline material” may mean rubidium carbonate (RbCO 3 ).
본 발명에 있어서 REE3은 란타넘 (La), 가돌리늄 (Gd), 이트륨 (Y), 세륨 (Ce), 프라세오디뮴 (Pr), 네오디뮴 (Nd), 사마륨 (Sm), 유로퓸 (Eu), 가돌리늄 (Gd), 터븀 (Tb), 디스프로슘 (Dy), 홀뮴 (Ho), 어븀 (Er) 및 툴륨 (Tm)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 희토류 금속 (rare earth elements, REE)일 수 있으며, 예를 들어, 유로퓸일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, REE3 is lanthanum (La), gadolinium (Gd), yttrium (Y), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd) ), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), and thulium (Tm) may be any one selected from the group consisting of rare earth elements (REE), for example, For example, it may be europium, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 x는 0<x≤0.15인 것일 수 있고, 이는 x가 0은 포함하지 않고 0.15를 포함하되, 0과 0.15의 사이의 값을 갖는 것임을 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, x may be 0<x≤0.15, which may mean that x does not include 0 but includes 0.15, but has a value between 0 and 0.15.
본 발명에 있어서 화학식 2의 x는 화학식에서 모체결정의 금속 AE 자리에 도핑되는 희토류 금속 REE3의 비율이며, 고상법 및 액상법 등 합성법에 따라 wt% 또는 mol%로 표기할 수 있다. 예를 들어, 5 wt% 또는 5 mol%인 경우 x는 0.05인 것일 수 있다.In the present invention, x in Formula 2 is the ratio of the rare earth metal REE3 doped to the metal AE site of the parent crystal in the formula, and can be expressed as wt% or mol% according to synthesis methods such as solid-phase method and liquid-phase method. For example, in the case of 5 wt% or 5 mol%, x may be 0.05.
본 발명에 있어서 화학식 2의 x는 0.01 내지 0.15, 0.01 내지 0.14, 0.01 내지 0.13, 0.01 내지 0.12, 0.01 내지 0.11, 0.01 내지 0.10, 0.01 내지 0.09, 0.01 내지 0.08, 0.01 내지 0.07, 0.01 내지 0.06, 0.01 내지 0.05, 0.01 내지 0.04 또는 0.01 내지 0.03일 수 있으며, 예를 들어, 0.03일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, x in Formula 2 is 0.01 to 0.15, 0.01 to 0.14, 0.01 to 0.13, 0.01 to 0.12, 0.01 to 0.11, 0.01 to 0.10, 0.01 to 0.09, 0.01 to 0.08, 0.01 to 0.07, 0.01 to 0.06, 0.01 to 0.05, 0.01 to 0.04, or 0.01 to 0.03, for example, may be 0.03, but is not limited thereto.
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물은 Rb(Ca0.99Eu0.01)PO4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the phosphate-based phosphor composition represented by Formula 2 may be Rb(Ca 0.99 Eu 0.01 )PO 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물은 Rb(Ca0.97Eu0.03)PO4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the phosphate-based phosphor composition represented by Formula 2 may be Rb(Ca 0.97 Eu 0.03 )PO 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물은 Rb(Ca0.95Eu0.05)PO4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the phosphate-based phosphor composition represented by Formula 2 may be Rb(Ca 0.95 Eu 0.05 )PO 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물은 Rb(Ca0.93Eu0.07)PO4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the phosphate-based phosphor composition represented by Formula 2 may be Rb(Ca 0.93 Eu 0.07 )PO 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물은 Rb(Ca0.90Eu0.10)PO4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the phosphate-based phosphor composition represented by Formula 2 may be Rb(Ca 0.90 Eu 0.10 )PO 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물은 Rb(Ca0.87Eu0.13)PO4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the phosphate-based phosphor composition represented by Formula 2 may be Rb(Ca 0.87 Eu 0.13 )PO 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물은 Rb(Ca0.85Eu0.15)PO4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the phosphate-based phosphor composition represented by Formula 2 may be Rb(Ca 0.85 Eu 0.15 )PO 4 .
본 발명에 있어서 포스페이트계 형광체 조성물의 발광 파장은 410 내지 600 nm, 410 내지 590 nm, 410 내지 580 nm, 410 내지 570 nm, 410 내지 560 nm, 410 내지 550 nm, 410 내지 540 nm, 410 내지 530 nm, 410 내지 520 nm, 420 내지 600 nm, 420 내지 590 nm, 420 내지 580 nm, 420 내지 570 nm, 420 내지 560 nm, 420 내지 550 nm, 420 내지 540 nm, 420 내지 530 nm, 420 내지 520 nm, 430 내지 600 nm, 430 내지 590 nm, 430 내지 580 nm, 430 내지 570 nm, 430 내지 560 nm, 430 내지 550 nm, 430 내지 540 nm, 430 내지 530 nm, 430 내지 520 nm, 440 내지 600 nm, 440 내지 590 nm, 440 내지 580 nm, 440 내지 570 nm, 440 내지 560 nm, 440 내지 550 nm, 440 내지 540 nm, 440 내지 530 nm, 440 내지 520 nm, 450 내지 600 nm, 450 내지 590 nm, 450 내지 580 nm, 450 내지 570 nm, 450 내지 560 nm, 450 내지 550 nm, 450 내지 540 nm, 450 내지 530 nm, 450 내지 520 nm, 460 내지 600 nm, 460 내지 590 nm, 460 내지 580 nm, 460 내지 570 nm, 460 내지 560 nm, 460 내지 550 nm, 460 내지 540 nm, 460 내지 530 nm, 460 내지 520 nm, 470 내지 600 nm, 470 내지 590 nm, 470 내지 580 nm, 470 내지 570 nm, 470 내지 560 nm, 470 내지 550 nm, 470 내지 540 nm, 470 내지 530 nm, 470 내지 520 nm, 480 내지 600 nm, 480 내지 590 nm, 480 내지 580 nm, 480 내지 570 nm, 480 내지 560 nm, 480 내지 550 nm, 480 내지 540 nm, 480 내지 530 nm 또는 480 내지 520 nm 일 수 있으며, 예를 들어, 480 내지 510 nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the emission wavelength of the phosphate-based phosphor composition is 410 to 600 nm, 410 to 590 nm, 410 to 580 nm, 410 to 570 nm, 410 to 560 nm, 410 to 550 nm, 410 to 540 nm, 410 to 530 nm, 410-520 nm, 420-600 nm, 420-590 nm, 420-580 nm, 420-570 nm, 420-560 nm, 420-550 nm, 420-540 nm, 420-530 nm, 420-520 nm, 430-600 nm, 430-590 nm, 430-580 nm, 430-570 nm, 430-560 nm, 430-550 nm, 430-540 nm, 430-530 nm, 430-520 nm, 440-600 nm, 440-590 nm, 440-580 nm, 440-570 nm, 440-560 nm, 440-550 nm, 440-540 nm, 440-530 nm, 440-520 nm, 450-600 nm, 450-590 nm, 450-580 nm, 450-570 nm, 450-560 nm, 450-550 nm, 450-540 nm, 450-530 nm, 450-520 nm, 460-600 nm, 460-590 nm, 460-580 nm, 460-570 nm, 460-560 nm, 460-550 nm, 460-540 nm, 460-530 nm, 460-520 nm, 470-600 nm, 470-590 nm, 470-580 nm, 470-570 nm, 470-560 nm, 470-550 nm, 470-540 nm, 470-530 nm, 470-520 nm, 480-600 nm, 480- 590 nm, 480-580 nm, 480-570 nm, 480-560 nm, 480-550 nm, 480-540 nm, 480-530 nm or 480-520 nm, for example, 480-510 nm However, the present invention is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 예는 다음의 단계를 포함하는 포스페이트계 형광체 조성물의 제조 방법에 관한 것이다:Another embodiment of the present invention relates to a method for preparing a phosphate-based phosphor composition comprising the steps of:
탄산루비듐 (Rubidium carbonate, Rb2CO3), 탄산칼슘 (Calcium carbonate, CaCO3), 오산화인 (Phosphorus pentoxide, P2O5) 및 산화유로퓸 [Europium(III) oxide, Eu2O3]을 용매에 용해하여 포스페이트계 용해물을 준비하는 포스페이트계 용해물 준비 단계;Rubidium carbonate (Rb 2 CO 3 ), calcium carbonate (CaCO 3 ), phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ) and europium oxide [Europium(III) oxide, Eu 2 O 3 ] as a solvent A phosphate-based lysate preparation step of dissolving in to prepare a phosphate-based lysate;
포스페이트계 용해물을 건조하여 포스페이트계 건조 혼합물을 수득하는 포스페이트계 용해물 건조 단계;a phosphate-based melt drying step of drying the phosphate-based melt to obtain a phosphate-based dry mixture;
포스페이트계 건조 혼합물을 대기 (air) 조건 하에서 열처리하여 제1 포스페이트계 하소 혼합물을 수득하는 제1 포스페이트계 하소 단계; 및a first phosphate-based calcination step of heat-treating the phosphate-based dry mixture under air conditions to obtain a first phosphate-based calcination mixture; and
상기 제1 포스페이트계 하소 혼합물을 혼합 가스 조건 하에서 열처리하여 제2 포스페이트계 하소 혼합물을 수득하는 제2 포스페이트계 하소 단계.A second phosphate-based calcination step of heat-treating the first phosphate-based calcined mixture under mixed gas conditions to obtain a second phosphate-based calcined mixture.
본 발명에 있어서 포스페이트계 용해물 준비 단계는 탄산루비듐 (Rubidium carbonate, Rb2CO3), 탄산칼슘 (Calcium carbonate, CaCO3), 오산화인 (Phosphorus pentoxide, P2O5) 및 산화유로퓸 [Europium(III) oxide, Eu2O3]을 용매에 용해한 포스페이트계 용해물을 준비하는 것일 수 있다.In the present invention, the phosphate-based lysate preparation step is rubidium carbonate (Rb 2 CO 3 ), calcium carbonate (CaCO 3 ), phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ) and europium oxide [Europium ( III) oxide, Eu 2 O 3 ] may be prepared by dissolving a phosphate-based lysate in a solvent.
본 발명에 있어서 포스페이트계 용해물 건조 단계는 100 내지 200℃, 100 내지 180℃, 100 내지 160℃, 120 내지 200℃, 120 내지 180℃, 또는 120 내지 160℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 150℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the phosphate-based melt drying step may be carried out under a temperature condition of 100 to 200 ℃, 100 to 180 ℃, 100 to 160 ℃, 120 to 200 ℃, 120 to 180 ℃, or 120 to 160 ℃, , for example, may be carried out under a temperature condition of 150 ℃, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 용해물 건조 단계는 12 내지 72시간, 12 내지 60시간, 12 내지 48시간, 12 내지 36시간 또는 12 내지 24시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 12시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the drying step of the phosphate-based lysate may be performed for 12 to 72 hours, 12 to 60 hours, 12 to 48 hours, 12 to 36 hours, or 12 to 24 hours, for example, it is performed for 12 hours. may be, but is not limited thereto.
포스페이트계 용해물 건조 단계가 12시간 보다 적게 수행되는 경우, 용해물에 포함되는 용매가 충분히 증발되지 못하고, 용매가 잔류하여 포스페이트계 형광체 조성물이 오염될 수 있다.If the phosphate-based melt drying step is performed for less than 12 hours, the solvent contained in the melt may not sufficiently evaporate, and the solvent may remain, thereby contaminating the phosphate-based phosphor composition.
본 발명에 있어서 제1 포스페이트계 하소 단계는 포스페이트계 용해물 건조 단계를 수행한 포스페이트계 건조 혼합물을 열처리하여 제1 포스페이트계 하소 혼합물을 수득하는 것일 수 있다.In the present invention, the first phosphate-based calcination step may be to obtain a first phosphate-based calcination mixture by heat-treating the phosphate-based dry mixture in which the phosphate-based melt drying step has been performed.
본 발명에 있어서 제1 포스페이트계 하소 단계는 700 내지 1100℃, 700 내지 1000℃, 700 내지 900℃, 750 내지 1100℃, 750 내지 1000℃, 또는 750 내지 900℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 800℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the first phosphate-based calcination step may be performed under a temperature condition of 700 to 1100 ℃, 700 to 1000 ℃, 700 to 900 ℃, 750 to 1100 ℃, 750 to 1000 ℃, or 750 to 900 ℃, , for example, may be carried out under a temperature condition of 800 ℃, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 제1 포스페이트계 하소 단계는 6 내지 24시간, 6 내지 20시간, 6 내지 16시간, 6 내지 12시간 또는 6 내지 8시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 6시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the first phosphate-based calcination step may be performed for 6 to 24 hours, 6 to 20 hours, 6 to 16 hours, 6 to 12 hours, or 6 to 8 hours, for example, performed for 6 hours may be, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 제2 포스페이트계 하소 단계는 제1 포스페이트계 하소 혼합물을 열처리하여 제2 포스페이트계 하소 혼합물을 수득하는 단계일 수 있다.In the present invention, the second phosphate-based calcination step may be a step of heat-treating the first phosphate-based calcination mixture to obtain a second phosphate-based calcination mixture.
본 발명에 있어서 제2 포스페이트계 하소 단계는 700 내지 1100℃, 700 내지 1000℃, 750 내지 1100℃, 750 내지 1000℃, 800 내지 1100℃, 800 내지 1000℃, 900 내지 1100℃, 또는 900 내지 1000℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 950℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the second phosphate-based calcination step is 700 to 1100 °C, 700 to 1000 °C, 750 to 1100 °C, 750 to 1000 °C, 800 to 1100 °C, 800 to 1000 °C, 900 to 1100 °C, or 900 to 1000 °C. It may be carried out under a temperature condition of ℃, for example, it may be carried out under a temperature condition of 950 ℃, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 제2 포스페이트계 하소 단계는 6 내지 24시간, 6 내지 20시간, 6 내지 16시간 또는 6 내지 12시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 12시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the second phosphate-based calcination step may be performed for 6 to 24 hours, 6 to 20 hours, 6 to 16 hours, or 6 to 12 hours, for example, it may be carried out for 12 hours, The present invention is not limited thereto.
본 발명의 일 구현예에서, 제2 포스페이트계 하소 단계는 도핑되는 희토류 금속 이온의 환원을 위해 H2 및 N2 가스를 포함하고, 이를 제외한 다른 종류의 가스는 포함하지 않는 혼합 가스 조건 하에서 수행되는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second phosphate-based calcination step includes H 2 and N 2 gas for the reduction of doped rare earth metal ions, and other types of gases are not included. It is performed under a mixed gas condition. it could be
본 발명에 있어서 혼합 가스는 전체 가스의 몰 기체 분율을 기준으로 H2 가스를 5 내지 10%, 5 내지 9%, 5 내지 8%, 5 내지 7% 또는 5 내지 6% 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 5% 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the mixed gas may include 5 to 10%, 5 to 9%, 5 to 8%, 5 to 7%, or 5 to 6% of H 2 gas based on the molar gas fraction of the total gas, For example, it may include 5%, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 혼합 가스는 전체 가스의 몰 기체 분율을 기준으로 N2 가스를 90 내지 95%, 91 내지 95%, 92 내지 95%, 93 내지 95% 또는 94 내지 95% 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 95% 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the mixed gas may include 90 to 95%, 91 to 95%, 92 to 95%, 93 to 95%, or 94 to 95% of N 2 gas based on the molar gas fraction of the total gas, For example, it may include 95%, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 형광체 제조 방법은 제2 포스페이트계 하소 단계가 완료된 후, 제2 포스페이트계 하소 혼합물을 분쇄하는 분쇄 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.In the present invention, the method for producing a phosphate-based phosphor may further include a pulverization step of pulverizing the second phosphate-based calcination mixture after the second phosphate-based calcination step is completed.
본 발명의 또 다른 일 예는 화학식 2로 표시되는 포스페이트계 형광체 조성물을 포함하는 치과용 조성물을 제공하는 것이다.Another embodiment of the present invention is to provide a dental composition comprising a phosphate-based phosphor composition represented by Chemical Formula 2.
[화학식 2][Formula 2]
Rb(AE1-xREE3x)PO4
Rb(AE 1-x REE3 x )PO 4
본 발명에 있어서 치과용 조성물의 제형은 치아 수복물, 치아 보철물 및 치아 보형물 표면처리제로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The formulation of the dental composition in the present invention may be any one or more selected from the group consisting of a dental restoration, a dental prosthesis, and a surface treatment agent for a dental prosthesis, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 치아는 자연치 및/또는 인공치를 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, teeth may refer to natural and/or artificial teeth.
본 발명의 또 다른 일 예는 다음의 단계를 포함하는 포스페이트계 형광체 조성물의 도포 방법에 관한 것이다:Another embodiment of the present invention relates to a method for applying a phosphate-based phosphor composition comprising the steps of:
화학식 2로 표시되는 형광체 조성물 및 파우더를 포함하는 포스페이트계 분말 혼합물, 및 바인더를 혼합하여 포스페이트계 도포물을 준비하는 포스페이트계 혼합 단계;A phosphate-based mixing step of preparing a phosphate-based coating material by mixing a phosphate-based powder mixture comprising a phosphor composition represented by Formula 2 and a powder, and a binder;
대상체에 상기 포스페이트계 도포물을 도포하는 포스페이트계 도포물 도포 단계; 및a phosphate-based coating material application step of applying the phosphate-based coating material to an object; and
대상체에 도포된 포스페이트계 도포물을 40 내지 60 ℃/분의 승온 속도로 650 내지 750℃의 온도 조건까지 승온시키고 10 내지 40분 동안 등온 상태로 유지하는 포스페이트계 도포물 열 처리 단계.A phosphate-based coating heat treatment step of raising the temperature of the phosphate-based coating applied to the object to a temperature condition of 650 to 750° C. at a temperature increase rate of 40 to 60° C./min and maintaining the isothermal state for 10 to 40 minutes.
[화학식 2][Formula 2]
Rb(AE1-xREE3x)PO4
Rb(AE 1-x REE3 x )PO 4
본 발명에 있어서 포스페이트계 분말 혼합물은 화학식 2로 표시되는 형광체 조성물 및 파우더를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the phosphate-based powder mixture may include the phosphor composition represented by Formula 2 and the powder, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 분말 혼합물에 포함되는 포스페이트계 형광체 조성물 및 파우더의 중량비 (w/w%)는 1:9인 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the phosphate-based phosphor composition and the powder included in the phosphate-based powder mixture may be 1:9, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 바인더는 부탄디올 (butanediol), 프로필렌 글리콜 (propylene glycol) 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 포스페이트계 형광체 조성물의 성형성을 용이하게 하기 위하여 적절한 것을 이용할 수 있다.In the present invention, the binder may be butanediol, propylene glycol, or a combination thereof, but is not limited thereto, and an appropriate binder may be used to facilitate moldability of the phosphate-based phosphor composition.
본 발명에 있어서 포스페이트계 도포물에 포함되는 포스페이트계 분말 혼합물의 중량비 (w/w%)는 50 내지 70 중량%, 50 내지 65 중량%, 50 내지 60 중량%, 55 내지 70 중량%, 55 내지 65 중량% 또는 55 내지 60 중량%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the phosphate-based powder mixture contained in the phosphate-based coating material is 50 to 70% by weight, 50 to 65% by weight, 50 to 60% by weight, 55 to 70% by weight, 55 to It may be 65% by weight or 55 to 60% by weight, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 도포물에 포함되는 바인더의 중량비 (w/w%)는 30 내지 50 중량%, 30 내지 45 중량%, 35 내지 50 중량%, 35 내지 45 중량%, 40 내지 50 중량% 또는 40 내지 45 중량%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the binder included in the phosphate-based coating material is 30 to 50 wt%, 30 to 45 wt%, 35 to 50 wt%, 35 to 45 wt%, 40 to 50 wt% Or it may be 40 to 45% by weight, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 도포물은 대상체에 적절히 도포되기 위한 점도를 갖도록 포스페이트계 분말 혼합물 및 바인더를 혼합한 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the phosphate-based coating material may be a mixture of a phosphate-based powder mixture and a binder to have a viscosity to be properly applied to an object, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 열 처리 단계의 승온 속도는 40 내지 60 ℃/분, 40 내지 58 ℃/분, 40 내지 56 ℃/분, 40 내지 54 ℃/분, 40 내지 52 ℃/분, 42 내지 60 ℃/분, 42 내지 58 ℃/분, 42 내지 56 ℃/분, 42 내지 54 ℃/분, 42 내지 52 ℃/분, 44 내지 60 ℃/분, 44 내지 58 ℃/분, 44 내지 56 ℃/분, 44 내지 54 ℃/분, 44 내지 52 ℃/분, 46 내지 60 ℃/분, 46 내지 58 ℃/분, 46 내지 56 ℃/분, 46 내지 54 ℃/분, 46 내지 52 ℃/분, 48 내지 60 ℃/분, 48 내지 58 ℃/분, 48 내지 56 ℃/분, 48 내지 54 ℃/분 또는 48 내지 52 ℃/분 일 수 있으며, 예를 들어, 48 내지 52 ℃/분일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the temperature increase rate of the phosphate-based heat treatment step is 40 to 60 °C/min, 40 to 58 °C/min, 40 to 56 °C/min, 40 to 54 °C/min, 40 to 52 °C/min, 42 to 60 °C/min, 42 to 58 °C/min, 42 to 56 °C/min, 42 to 54 °C/min, 42 to 52 °C/min, 44 to 60 °C/min, 44 to 58 °C/min, 44 to 56 °C/min, 44-54 °C/min, 44-52 °C/min, 46-60 °C/min, 46-58 °C/min, 46-56 °C/min, 46-54 °C/min, 46-52 °C /min, 48 to 60 °C/min, 48 to 58 °C/min, 48 to 56 °C/min, 48 to 54 °C/min, or 48 to 52 °C/min, for example, 48 to 52 °C/min. minutes, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 열 처리 단계는 650 내지 850℃, 650 내지 825℃, 650 내지 800℃, 650 내지 775℃, 700 내지 850℃, 700 내지 825℃, 700 내지 800℃, 700 내지 775℃, 725 내지 850℃, 725 내지 800℃, 725 내지 775℃의 온도 조건에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어 725 내지 775℃의 온도 조건에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the phosphate-based heat treatment step is 650 to 850 °C, 650 to 825 °C, 650 to 800 °C, 650 to 775 °C, 700 to 850 °C, 700 to 825 °C, 700 to 800 °C, 700 to 775 °C, It may be carried out at a temperature condition of 725 to 850 °C, 725 to 800 °C, and 725 to 775 °C, for example, it may be carried out at a temperature condition of 725 to 775 °C, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 포스페이트계 열 처리 단계는 20 내지 40 분, 20 내지 35 분, 25 내지 40 분 또는 25 내지 30 분 동안 등온 상태를 유지하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 25 내지 30 분 동안 등온 상태를 유지하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the phosphate-based heat treatment step may be to maintain an isothermal state for 20 to 40 minutes, 20 to 35 minutes, 25 to 40 minutes, or 25 to 30 minutes, for example, isothermal state for 25 to 30 minutes. may be to maintain, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 예는 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물에 관한 것이다.Another example of the present invention relates to a borate-based phosphor composition represented by the formula (3).
[화학식 3][Formula 3]
AE3(REE41-x-yREE5xREE6y)2(BO3)4
AE 3 (REE4 1-xy REE5 x REE6 y ) 2 (BO 3 ) 4
본 발명의 보레이트계 형광체 조성물에 있어서 용어 “모체 결정 물질”은 AE3(REE1)2(BO3)4를 의미하는 것일 수 있다.In the borate-based phosphor composition of the present invention, the term “maternal crystal material” may mean AE 3 (REE1) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명에 있어서 REE4는 세륨 (Ce), 프라세오디뮴 (Pr), 네오디뮴 (Nd), 사마륨 (Sm), 유로퓸 (Eu), 가돌리늄 (Gd), 터븀 (Tb), 디스프로슘 (Dy), 홀뮴 (Ho), 어븀 (Er) 및 툴륨 (Tm)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 희토류 금속 (rare earth elements, REE)일 수 있으며, 예를 들어, 란타넘일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, REE4 is cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho) , erbium (Er) and thulium (Tm) may be one selected from the group consisting of rare earth elements (REE), for example, may be lanthanum, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 REE5는 세륨 (Ce), 프라세오디뮴 (Pr), 네오디뮴 (Nd), 사마륨 (Sm), 유로퓸 (Eu), 가돌리늄 (Gd), 터븀 (Tb), 디스프로슘 (Dy), 홀뮴 (Ho), 어븀 (Er) 및 툴륨 (Tm)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 희토류 금속 (rare earth elements, REE)일 수 있으며, 예를 들어, 세륨일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, REE5 is cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho) , erbium (Er) and thulium (Tm) may be one selected from the group consisting of rare earth elements (REE), for example, cerium, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 화학식 3의 x는 0<x≤0.15인 것일 수 있고, 이는 x가 0은 포함하지 않고 0.15를 포함하되, 0과 0.15의 사이의 값을 가짐을 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, x in Formula 3 may be 0<x≤0.15, which may mean that x does not include 0 but includes 0.15, but has a value between 0 and 0.15.
본 발명에 있어서 화학식 3의 x는 화학식에서 모체결정의 희토류 금속 REE4 자리에 도핑되는 희토류 금속 REE5의 비율이며, 고상법 및 액상법 등 합성법에 따라 wt% 또는 mol%로 표기할 수 있다. 예를 들어, REE5의 wt%가 5 wt% 또는 5 mol%인 경우 x는 0.05인 것일 수 있다.In the present invention, x in Formula 3 is the ratio of the rare earth metal REE5 doped to the REE4 site of the parent crystal in the formula, and can be expressed as wt% or mol% according to synthesis methods such as solid phase method and liquid phase method. For example, when the wt% of REE5 is 5 wt% or 5 mol%, x may be 0.05.
본 발명에 있어서 화학식 3의 x는 0.01 내지 0.15, 0.01 내지 0.14, 0.01 내지 0.13, 0.03 내지 0.15, 0.03 내지 0.14, 0.03 내지 0.13, 0.05 내지 0.15, 0.05 내지 0.14 또는 0.05 내지 0.13일 수 있으며, 예를 들어, 0.05 내지 0.13일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, x in Formula 3 may be 0.01 to 0.15, 0.01 to 0.14, 0.01 to 0.13, 0.03 to 0.15, 0.03 to 0.14, 0.03 to 0.13, 0.05 to 0.15, 0.05 to 0.14 or 0.05 to 0.13, for example, For example, it may be 0.05 to 0.13, but is not limited thereto.
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.99Ce0.01)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.99 Ce 0.01 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.97Ce0.03)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.97 Ce 0.03 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.95Ce0.05)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.95 Ce 0.05 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.93Ce0.07)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.93 Ce 0.07 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.90Ce0.10)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.90 Ce 0.10 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.87Ce0.13)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.87 Ce 0.13 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.85Ce0.15)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.85 Ce 0.15 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.99Tb0.01)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.99 Tb 0.01 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.97Tb0.03)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.97 Tb 0.03 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.95Tb 0.05)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.95 Tb 0.05 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.93Tb 0.07)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.93 Tb 0.07 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.90Tb 0.10)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.90 Tb 0.10 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.87Tb 0.13)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.87 Tb 0.13 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.85Tb 0.15)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.85 Tb 0.15 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명에 있어서 REE6은 세륨 (Ce), 프라세오디뮴 (Pr), 네오디뮴 (Nd), 사마륨 (Sm), 유로퓸 (Eu), 가돌리늄 (Gd), 터븀 (Tb), 디스프로슘 (Dy), 홀뮴 (Ho), 어븀 (Er) 및 툴륨 (Tm)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 희토류 금속 (rare earth elements, REE)일 수 있으며, 예를 들어, 터븀일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, REE6 is cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho) , erbium (Er) and thulium (Tm) may be one selected from the group consisting of rare earth elements (REE), for example, terbium, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 화학식 3의 y는 화학식에서 모체결정의 희토류 금속 REE4 자리에 도핑되는 희토류 금속 REE6의 비율이며, 고상법 및 액상법 등 합성법에 따라 wt% 또는 mol%로 표기할 수 있다. 예를 들어, REE6의 wt% 또는 mol%가 10 wt% 또는 10 mol%인 경우 y는 0.07인 것일 수 있다.In the present invention, y in Formula 3 is the ratio of the rare earth metal REE6 doped to the REE4 site of the parent crystal in the formula, and can be expressed in wt% or mol% according to synthesis methods such as solid phase method and liquid phase method. For example, when the wt% or mol% of REE6 is 10 wt% or 10 mol%, y may be 0.07.
본 발명에 있어서 화학식 3의 y는 0≤y≤0.15인 것일 수 있고, 이는 y가 0 및 0.15를 포함하고, 0과 0.15의 사이의 값을 가짐을 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, y in Formula 3 may be 0≤y≤0.15, which may mean that y includes 0 and 0.15 and has a value between 0 and 0.15.
본 발명에 있어서 화학식 3의 y는 0.01 내지 0.15, 0.01 내지 0.14, 0.01 내지 0.13, 0.03 내지 0.15, 0.03 내지 0.14, 0.03 내지 0.13, 0.05 내지 0.15, 0.05 내지 0.14, 0.05 내지 0.13, 0.07 내지 0.15, 0.07 내지 0.14 또는 0.07 내지 0.13일 수 있으며, 예를 들어, 0.07 내지 0.13일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, y in Formula 3 is 0.01 to 0.15, 0.01 to 0.14, 0.01 to 0.13, 0.03 to 0.15, 0.03 to 0.14, 0.03 to 0.13, 0.05 to 0.15, 0.05 to 0.14, 0.05 to 0.13, 0.07 to 0.15, 0.07 to 0.14 or 0.07 to 0.13, for example, may be 0.07 to 0.13, but is not limited thereto.
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.92Ce0.07Tb0.01)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.92 Ce 0.07 Tb 0.01 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.90Ce0.07Tb0.03)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.90 Ce 0.07 Tb 0.03 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.88Ce0.07Tb0.05)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.88 Ce 0.07 Tb 0.05 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.86Ce0.07Tb0.07)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.86 Ce 0.07 Tb 0.07 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.83Ce0.07Tb0.10)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.83 Ce 0.07 Tb 0.10 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.80Ce0.07Tb0.13)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.80 Ce 0.07 Tb 0.13 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물은 Ba3(La0.78Ce0.07Tb0.15)2(BO3)4인 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based phosphor composition represented by Formula 3 may be Ba 3 (La 0.78 Ce 0.07 Tb 0.15 ) 2 (BO 3 ) 4 .
본 발명에 있어서 보레이트계 형광체 조성물의 발광 파장은 410 내지 600 nm, 410 내지 590 nm, 410 내지 580 nm, 410 내지 570 nm, 410 내지 560 nm, 410 내지 550 nm, 410 내지 540 nm, 410 내지 530 nm, 410 내지 520 nm, 420 내지 600 nm, 420 내지 590 nm, 420 내지 580 nm, 420 내지 570 nm, 420 내지 560 nm, 420 내지 550 nm, 420 내지 540 nm, 420 내지 530 nm, 420 내지 520 nm, 430 내지 600 nm, 430 내지 590 nm, 430 내지 580 nm, 430 내지 570 nm, 430 내지 560 nm, 430 내지 550 nm, 430 내지 540 nm, 430 내지 530 nm, 430 내지 520 nm, 440 내지 600 nm, 440 내지 590 nm, 440 내지 580 nm, 440 내지 570 nm, 440 내지 560 nm, 440 내지 550 nm, 440 내지 540 nm, 440 내지 530 nm, 440 내지 520 nm, 450 내지 600 nm, 450 내지 590 nm, 450 내지 580 nm, 450 내지 570 nm, 450 내지 560 nm, 450 내지 550 nm, 450 내지 540 nm, 450 내지 530 nm, 450 내지 520 nm, 460 내지 600 nm, 460 내지 590 nm, 460 내지 580 nm, 460 내지 570 nm, 460 내지 560 nm, 460 내지 550 nm, 460 내지 540 nm, 460 내지 530 nm, 460 내지 520 nm, 470 내지 600 nm, 470 내지 590 nm, 470 내지 580 nm, 470 내지 570 nm, 470 내지 560 nm, 470 내지 550 nm, 470 내지 540 nm, 470 내지 530 nm, 470 내지 520 nm, 480 내지 600 nm, 480 내지 590 nm, 480 내지 580 nm, 480 내지 570 nm, 480 내지 560 nm, 480 내지 550 nm, 480 내지 540 nm, 480 내지 530 nm 또는 480 내지 520 nm 일 수 있으며, 예를 들어, 480 내지 510 nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the light emission wavelength of the borate-based phosphor composition is 410 to 600 nm, 410 to 590 nm, 410 to 580 nm, 410 to 570 nm, 410 to 560 nm, 410 to 550 nm, 410 to 540 nm, 410 to 530 nm, 410-520 nm, 420-600 nm, 420-590 nm, 420-580 nm, 420-570 nm, 420-560 nm, 420-550 nm, 420-540 nm, 420-530 nm, 420-520 nm, 430-600 nm, 430-590 nm, 430-580 nm, 430-570 nm, 430-560 nm, 430-550 nm, 430-540 nm, 430-530 nm, 430-520 nm, 440-600 nm, 440-590 nm, 440-580 nm, 440-570 nm, 440-560 nm, 440-550 nm, 440-540 nm, 440-530 nm, 440-520 nm, 450-600 nm, 450-590 nm, 450-580 nm, 450-570 nm, 450-560 nm, 450-550 nm, 450-540 nm, 450-530 nm, 450-520 nm, 460-600 nm, 460-590 nm, 460-580 nm, 460-570 nm, 460-560 nm, 460-550 nm, 460-540 nm, 460-530 nm, 460-520 nm, 470-600 nm, 470-590 nm, 470-580 nm, 470-570 nm, 470-560 nm, 470-550 nm, 470-540 nm, 470-530 nm, 470-520 nm, 480-600 nm, 480-5 90 nm, 480-580 nm, 480-570 nm, 480-560 nm, 480-550 nm, 480-540 nm, 480-530 nm or 480-520 nm, for example, 480-510 nm However, the present invention is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 예는 다음의 단계를 포함하는 보레이트계 형광체 조성물의 제조 방법에 관한 것이다:Another embodiment of the present invention relates to a method for preparing a borate-based phosphor composition comprising the steps of:
질산바륨 [Barium nitrate, Ba(NO3)2], 질산란타넘 [Lanthanum nitrate, La(NO3)3], 질산세륨 [Cerium nitrate, Ce(NO3)3] 및 붕산 (Hydrogen borate, HBO3)을 용매에 용해하여 보레이트계 용해물을 준비하는 보레이트계 용해물 준비 단계;Barium nitrate [Barium nitrate, Ba(NO 3 ) 2 ], Lanthanum nitrate [Lanthanum nitrate, La(NO 3 ) 3 ], Cerium nitrate [Cerium nitrate, Ce(NO 3 ) 3 ], and Hydrogen borate, HBO 3 ) by dissolving in a solvent to prepare a borate-based lysate preparing a borate-based lysate;
보레이트계 용해물을 건조하여 보레이트계 건조 혼합물을 수득하는 보레이트계 용해물 건조 단계; 및drying the borate-based lysate to obtain a borate-based dry mixture by drying the borate-based lysate; and
보레이트계 건조 혼합물을, H2 및 N2 가스를 포함하는 혼합 가스 조건 하에서 열 처리하여 보레이트계 하소 혼합물을 수득하는 보레이트계 하소 단계.A borate-based calcination step of heat-treating the borate-based dry mixture under a mixed gas condition comprising H 2 and N 2 gas to obtain a borate-based calcination mixture.
본 발명에 있어서 보레이트계 용해물 준비 단계는 질산바륨 [Barium nitrate, Ba(NO3)2], 질산란타넘 [Lanthanum nitrate, La(NO3)3], 질산세륨 [Cerium nitrate, Ce(NO3)3] 및 붕산 (Hydrogen borate, HBO3)를 용매에 용해하여 보레이트계 용해물을 준비하는 것일 수 있다.In the present invention, the borate-based melt preparation step is barium nitrate [Barium nitrate, Ba(NO 3 ) 2 ], lanthanum nitrate [Lanthanum nitrate, La(NO 3 ) 3 ], cerium nitrate [Cerium nitrate, Ce(NO 3 ) ) 3 ] and boric acid (Hydrogen borate, HBO 3 ) may be dissolved in a solvent to prepare a borate-based lysate.
본 발명에 있어서 보레이트계 용해물 준비 단계는 질산터븀 [Terbium nitrate, Tb(NO3)3]를 용매에 추가로 용해하여 보레이트계 용해물을 준비하는 것일 수 있다.In the present invention, the borate-based lysate preparation step may be to prepare a borate-based lysate by further dissolving terbium nitrate [Terbium nitrate, Tb(NO3)3] in a solvent.
본 발명에 있어서 보레이트계 용해물 건조 단계는 80 내지 150℃, 80 내지 140℃, 80 내지 130℃, 80 내지 120℃, 80 내지 110℃, 80 내지 100℃, 또는 80 내지 90℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 80 내지 90℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based melt drying step is performed under a temperature condition of 80 to 150 ℃, 80 to 140 ℃, 80 to 130 ℃, 80 to 120 ℃, 80 to 110 ℃, 80 to 100 ℃, or 80 to 90 ℃. It may be carried out, for example, it may be carried out under a temperature condition of 80 to 90 ℃, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 용해물 건조 단계는 12 내지 72시간, 12 내지 60시간, 12 내지 48시간, 12 내지 36시간 또는 12 내지 24시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 12시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based lysate drying step may be performed for 12 to 72 hours, 12 to 60 hours, 12 to 48 hours, 12 to 36 hours, or 12 to 24 hours, for example, it is performed for 12 hours. may be, but is not limited thereto.
보레이트계 용해물 건조 단계가 12시간 보다 적게 수행되는 경우, 보레이트계 용해물에 포함되는 용매가 충분히 증발되지 못하고, 용매가 잔류하여 보레이트계 형광체 조성물이 오염될 수 있다.If the borate-based melt drying step is performed for less than 12 hours, the solvent contained in the borate-based melt may not be sufficiently evaporated, and the solvent may remain, thereby contaminating the borate-based phosphor composition.
본 발명에 있어서 보레이트계 하소 단계는 보레이트계 용해물 건조 단계를 수행한 보레이트계 건조 혼합물을 열 처리하여 보레이트계 하소 혼합물을 수득하는 것일 수 있다.In the present invention, the borate-based calcination step may be to obtain a borate-based calcination mixture by heat-treating the borate-based dry mixture that has been subjected to the borate-based melt drying step.
본 발명에 있어서 보레이트계 하소 단계는 900 내지 1300℃, 900 내지 1200℃, 1000 내지 1300℃, 1000 내지 1200℃, 1100 내지 1300℃, 또는 1100 내지 1200℃의 온도 조건에서 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 1100 내지 1200℃의 온도 조건에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based calcination step may be carried out at a temperature condition of 900 to 1300 ° C, 900 to 1200 ° C, 1000 to 1300 ° C, 1000 to 1200 ° C, 1100 to 1300 ° C, or 1100 to 1200 ° C. For example, it may be carried out at a temperature condition of 1100 to 1200 ℃, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 하소 단계는 6 내지 24시간, 6 내지 20시간, 6 내지 16시간, 6 내지 12시간 또는 6 내지 8시간 동안 수행되는 것일 수 있으며, 예를 들어, 6시간 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based calcination step may be performed for 6 to 24 hours, 6 to 20 hours, 6 to 16 hours, 6 to 12 hours, or 6 to 8 hours, for example, to be performed for 6 hours. However, the present invention is not limited thereto.
보레이트계 하소 단계가 6시간 보다 적게 수행되는 경우, Ba(NO3)2, La(NO3)3, Tb(NO3)3, Ce(NO3)3 및 HBO3 중 일부가 보레이트계 형광체 조성물로 합성되지 못하므로, 불순물 또는 잔류물로 남아 보레이트계 형광체 조성물의 수율이 낮아질 수 있다.When the borate-based calcination step is performed for less than 6 hours, some of Ba(NO 3 ) 2 , La(NO 3 ) 3 , Tb(NO 3 ) 3 , Ce(NO 3 ) 3 , and HBO 3 are added to the borate-based phosphor composition Since it cannot be synthesized as an impurity or residue, the yield of the borate-based phosphor composition may be lowered.
본 발명의 일 구현예에서, 보레이트계 하소 단계는 도핑되는 희토류 금속 이온의 환원을 위해 H2 및 N2 가스를 포함하고, 이를 제외한 다른 종류의 가스를 포함하지 않는 혼합 가스 조건 하에서 수행되는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the borate-based calcination step includes H 2 and N 2 gas for the reduction of doped rare earth metal ions, and may be performed under a mixed gas condition that does not include other types of gases. have.
본 발명에 있어서 혼합 가스는 전체 가스의 몰 기체 분율을 기준으로 H2 가스를 5 내지 10%, 5 내지 9%, 5 내지 8%, 5 내지 7% 또는 5 내지 6% 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 5% 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the mixed gas may include 5 to 10%, 5 to 9%, 5 to 8%, 5 to 7%, or 5 to 6% of H 2 gas based on the molar gas fraction of the total gas, For example, it may include 5%, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 혼합 가스는 전체 가스의 몰 기체 분율을 기준으로 N2 가스를 90 내지 95%, 91 내지 95%, 92 내지 95%, 93 내지 95% 또는 94 내지 95% 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 95% 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the mixed gas may include 90 to 95%, 91 to 95%, 92 to 95%, 93 to 95%, or 94 to 95% of N 2 gas based on the molar gas fraction of the total gas, For example, it may include 95%, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 하소 단계는 보레이트계 하소 혼합물을 분쇄하는 분쇄 단계를 추가로 포함하는 것일 수 있다.In the present invention, the borate-based calcination step may further include a grinding step of pulverizing the borate-based calcination mixture.
본 발명의 또 다른 일 예는 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물을 포함하는 치과용 조성물을 제공하는 것이다.Another example of the present invention is to provide a dental composition comprising a borate-based phosphor composition represented by Chemical Formula 3.
[화학식 3][Formula 3]
AE3(REE41-x-yREE5xREE6y)2(BO3)4
AE 3 (REE4 1-xy REE5 x REE6 y ) 2 (BO 3 ) 4
본 발명에 있어서 치과용 조성물은 치아 수복물, 치아 보철물 및 치아 보형물 표면처리제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the dental composition may be at least one selected from the group consisting of a dental restoration, a dental prosthesis, and a surface treatment agent for a dental prosthesis, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 치아는 자연치 및/또는 인공치를 의미하는 것일 수 있다.In the present invention, teeth may refer to natural and/or artificial teeth.
본 발명의 또 다른 일 예는 다음의 단계를 포함하는 보레이트계 형광체 조성물의 도포 방법에 관한 것이다:Another example of the present invention relates to a method for applying a borate-based phosphor composition comprising the steps of:
화학식 3으로 표시되는 형광체 조성물 및 파우더를 포함하는 보레이트계 분말 혼합물, 및 바인더를 혼합하여 보레이트계 도포물을 준비하는 보레이트계 혼합 단계;a borate-based mixing step of preparing a borate-based coating material by mixing a borate-based powder mixture comprising a phosphor composition represented by Formula 3 and a powder, and a binder;
대상체에 상기 보레이트계 도포물을 도포하는 보레이트계 도포물 도포 단계; 및a borate-based coating material application step of applying the borate-based coating material to an object; and
대상체에 도포된 보레이트계 도포물을 40 내지 60 ℃/분의 승온 속도로 650 내지 750℃의 온도 조건까지 승온시키고 20 내지 40분 동안 등온 상태로 유지하는 보레이트계 열 처리 단계.A borate-based heat treatment step of raising the temperature of the borate-based coating applied to the object to a temperature condition of 650 to 750°C at a temperature increase rate of 40 to 60°C/min and maintaining the isothermal state for 20 to 40 minutes.
[화학식 3][Formula 3]
AE3(REE41-x-yREE5xREE6y)2(BO3)4
AE 3 (REE4 1-xy REE5 x REE6 y ) 2 (BO 3 ) 4
본 발명에 있어서 보레이트계 분말 혼합물은 화학식 3으로 표시되는 보레이트계 형광체 조성물 및 파우더를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based powder mixture may include the borate-based phosphor composition and powder represented by Formula 3, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 분말 혼합물에 포함되는 보레이트계 형광체 조성물 및 파우더의 중량비 (w/w%)는 1:9인 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the borate-based phosphor composition and the powder included in the borate-based powder mixture may be 1:9, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 바인더는 부탄디올 (butanediol), 프로필렌 글리콜 (propylene glycol) 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 보레이트계 형광체 조성물의 성형성을 용이하게 하기 위하여 적절한 것을 이용할 수 있다.In the present invention, the binder may be butanediol, propylene glycol, or a combination thereof, but is not limited thereto, and an appropriate binder may be used to facilitate moldability of the borate-based phosphor composition.
본 발명에 있어서 보레이트계 도포물에 포함되는 보레이트계 분말 혼합물의 중량비 (w/w%)는 50 내지 70 중량%, 50 내지 65 중량%, 50 내지 60 중량%, 55 내지 70 중량%, 55 내지 65 중량% 또는 55 내지 60 중량%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the borate-based powder mixture contained in the borate-based coating material is 50 to 70% by weight, 50 to 65% by weight, 50 to 60% by weight, 55 to 70% by weight, 55 to It may be 65% by weight or 55 to 60% by weight, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 도포물에 포함되는 바인더의 중량비 (w/w%)는 30 내지 50 중량%, 30 내지 45 중량%, 35 내지 50 중량%, 35 내지 45 중량%, 40 내지 50 중량% 또는 40 내지 45 중량%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the weight ratio (w/w%) of the binder included in the borate-based coating material is 30 to 50 wt%, 30 to 45 wt%, 35 to 50 wt%, 35 to 45 wt%, 40 to 50 wt% Or it may be 40 to 45% by weight, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 대상체는 자연치, 인공치 또는 치과용 조성물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the object may be a natural tooth, an artificial tooth, or a dental composition, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 도포물은 대상체에 적절히 도포되기 위한 점도를 갖도록 보레이트계 분말 혼합물 및 바인더를 혼합한 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based coating material may be a mixture of a borate-based powder mixture and a binder to have a viscosity to be properly applied to an object, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 열 처리 단계의 승온 속도는 40 내지 60 ℃/분, 40 내지 58 ℃/분, 40 내지 56 ℃/분, 40 내지 54 ℃/분, 40 내지 52 ℃/분, 42 내지 60 ℃/분, 42 내지 58 ℃/분, 42 내지 56 ℃/분, 42 내지 54 ℃/분, 42 내지 52 ℃/분, 44 내지 60 ℃/분, 44 내지 58 ℃/분, 44 내지 56 ℃/분, 44 내지 54 ℃/분, 44 내지 52 ℃/분, 46 내지 60 ℃/분, 46 내지 58 ℃/분, 46 내지 56 ℃/분, 46 내지 54 ℃/분, 46 내지 52 ℃/분, 48 내지 60 ℃/분, 48 내지 58 ℃/분, 48 내지 56 ℃/분, 48 내지 54 ℃/분 또는 48 내지 52 ℃/분 일 수 있으며, 예를 들어, 48 내지 52 ℃/분일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the temperature increase rate of the borate-based heat treatment step is 40 to 60 °C/min, 40 to 58 °C/min, 40 to 56 °C/min, 40 to 54 °C/min, 40 to 52 °C/min, 42 to 60 °C/min, 42 to 58 °C/min, 42 to 56 °C/min, 42 to 54 °C/min, 42 to 52 °C/min, 44 to 60 °C/min, 44 to 58 °C/min, 44 to 56 °C/min, 44-54 °C/min, 44-52 °C/min, 46-60 °C/min, 46-58 °C/min, 46-56 °C/min, 46-54 °C/min, 46-52 °C /min, 48 to 60 °C/min, 48 to 58 °C/min, 48 to 56 °C/min, 48 to 54 °C/min, or 48 to 52 °C/min, for example, 48 to 52 °C/min. minutes, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 열 처리 단계는 250 내지 750℃, 250 내지 700℃, 250 내지 650℃, 250 내지 600℃, 250 내지 550℃, 250 내지 500℃, 300 내지 750℃, 300 내지 700℃, 300 내지 650℃, 300 내지 600℃, 300 내지 550℃, 300 내지 500℃, 350 내지 750℃, 350 내지 700℃, 350 내지 650℃, 350 내지 600℃, 350 내지 550℃, 350 내지 500℃, 400 내지 750℃, 400 내지 700℃, 400 내지 650℃, 400 내지 600℃, 400 내지 550℃, 또는 400 내지 500℃의 온도 조건까지 승온시키는 것일 수 있으며, 예를 들어 400 내지 500℃의 온도 조건까지 승온시키는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based heat treatment step is 250 to 750 ℃, 250 to 700 ℃, 250 to 650 ℃, 250 to 600 ℃, 250 to 550 ℃, 250 to 500 ℃, 300 to 750 ℃, 300 to 700 ℃, 300 to 650 °C, 300 to 600 °C, 300 to 550 °C, 300 to 500 °C, 350 to 750 °C, 350 to 700 °C, 350 to 650 °C, 350 to 600 °C, 350 to 550 °C, 350 to 500 °C, 400 to 750 ° C, 400 to 700 ° C, 400 to 650 ° C, 400 to 600 ° C, 400 to 550 ° C, or 400 to 500 ° C. It may be to raise the temperature to, but is not limited thereto.
본 발명에 있어서 보레이트계 열 처리 단계는 20 내지 40 분, 20 내지 35 분, 25 내지 40 분 또는 25 내지 30 분 동안 등온 상태를 유지하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 25 내지 30 분 동안 등온 상태를 유지하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the borate-based heat treatment step may be to maintain an isothermal state for 20 to 40 minutes, 20 to 35 minutes, 25 to 40 minutes, or 25 to 30 minutes, for example, isothermal state for 25 to 30 minutes. may be to maintain, but is not limited thereto.