WO2020013485A1 - Composition for etching silicon nitride film and method for etching silicon nitride film by using same - Google Patents
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Abstract
Provided are a composition for etching a silicon nitride film and a method for etching a silicon nitride film by using same, the composition comprising: an inorganic acid or a salt thereof; water; a compound of chemical formula 1; a compound of chemical formula 2; and the reaction product of the compound of chemical formula 1 and/or the reaction product of the compound of chemical formula 2.
Description
본 발명은 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막 식각 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 실란계 화합물로 화학식 1의 화합물; 화학식 2의 화합물; 및 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 반응 생성물 중 1종 이상을 포함함으로써, 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비를 현저하게 높일 수 있고, 실리콘 산화막의 두께가 늘어나거나 식각 중 및/또는 식각 후에 실란계 화합물의 자체 반응으로 인한 석출이 없도록 할 수 있는, 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막 식각 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon nitride film etching composition and a silicon nitride film etching method using the same. More specifically, the present invention is a silane-based compound; A compound of formula 2; And at least one of a compound of Formula 1 or a reaction product of Formula 2, thereby significantly increasing the etching selectivity of the silicon nitride film to the silicon oxide film, and increasing the thickness of the silicon oxide film, or during and / or after etching. The present invention relates to a silicon nitride film etching composition and a silicon nitride film etching method using the same, which can prevent precipitation due to self-reaction of a silane compound.
실리콘 질화막은 실리콘 산화막의 위 또는 아래에 존재하거나 교대로 적층된다. The silicon nitride film is present above or below the silicon oxide film or is alternately stacked.
반도체 제조 과정 중 기판 상에 형성된 실리콘 질화막 패턴을 제거하기 위해 고온으로 가열된 인산 용액을 이용하는 식각 방법이 알려져 있다. 그러나, 인산 용액은 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비를 높이는데 한계가 있었다. 식각 선택비를 높이기 위해 실란계 화합물을 포함시키는 방법이 고려되고 있다.An etching method using a phosphoric acid solution heated to a high temperature is known to remove a silicon nitride film pattern formed on a substrate during a semiconductor manufacturing process. However, the phosphoric acid solution has a limit in increasing the etching selectivity of the silicon nitride film to the silicon oxide film. In order to increase the etching selectivity, a method of including a silane compound is considered.
실란계 화합물로서 테트라에톡시실란을 사용할 수 있다. 그러나, 테트라에톡시실란으로는 식각 선택비 개선에 여전히 한계가 있었으며, 실리콘 산화막 표면에 테트라에톡시실란이 쌓여 실리콘 산화막의 두께가 늘어나는 문제점(이상 성장 문제점)이 있거나 테트라에톡시실란이 스스로 반응함으로써 식각 중에 또는 식각 후에 석출되는 문제점이 있었다.Tetraethoxysilane can be used as a silane type compound. However, tetraethoxysilane still has limitations in improving the etching selectivity, and there is a problem in that the thickness of the silicon oxide film is increased due to the accumulation of tetraethoxysilane on the surface of the silicon oxide film (ideal growth problem) or the tetraethoxysilane reacts by itself. There was a problem of precipitation during or after etching.
본 발명의 목적은 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비를 현저하게 높일 수 있는 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a silicon nitride film etching composition that can significantly increase the etching selectivity of the silicon nitride film to the silicon oxide film.
본 발명의 다른 목적은 실리콘 산화막의 두께가 늘어나거나 식각 중 및/또는 식각 후에 실란계 화합물의 자체 반응으로 인한 석출이 없도록 할 수 있는 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a silicon nitride film etching composition capable of increasing the thickness of the silicon oxide film or preventing precipitation due to self-reaction of the silane compound during and / or after etching.
본 발명의 또 다른 목적은 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비를 개선할 수 있고 실리콘 산화막의 두께가 늘어나거나 실란계 화합물의 자체 반응으로 인한 석출이 없도록 할 수 있는 실리콘 질화막 식각 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a silicon nitride film etching method capable of improving the etching selectivity of the silicon nitride film with respect to the silicon oxide film and preventing the silicon oxide film from increasing in thickness or precipitation due to self reaction of the silane compound. will be.
본 발명의 실리콘 질화막 식각용 조성물은 무기산 또는 그의 염; 물; 및 하기 화학식 1의 화합물; 하기 화학식 2의 화합물; 및 하기 화학식 1의 화합물 또는 하기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물 중 1종 이상을 포함할 수 있다:The silicon nitride film etching composition of the present invention is an inorganic acid or a salt thereof; water; And a compound of Formula 1; A compound of Formula 2; And a reaction product of a compound of Formula 1 or a compound of Formula 2:
<화학식 1><Formula 1>
(상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R6은 하기 발명의 설명에서 정의한 바와 같다)(In Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 , R 6 are as defined in the description of the following invention)
<화학식 2><Formula 2>
(상기 화학식 2에서, R9, R10, R11, R12는 하기 발명의 설명에서 정의한 바와 같다)(In Formula 2, R 9 , R 10 , R 11 , R 12 are as defined in the following description of the invention)
일 구체예에서 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3는 C1-C10 알콕시기일 수 있다.In one embodiment, in Chemical Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 may be a C 1 -C 10 alkoxy group.
일 구체예에서 상기 화학식 1의 화합물은 아세톡시알킬트리알콕시실란, 벤조일옥시알킬트리알콕시실란, (카르보알콕시)알킬트리알콕시실란, 히드록시알킬트리알콕시실란 중 1종 이상을 포함할 수 있다.In one embodiment, the compound of Formula 1 may include one or more of acetoxyalkyltrialkoxysilane, benzoyloxyalkyltrialkoxysilane, (carboalkoxy) alkyltrialkoxysilane, and hydroxyalkyltrialkoxysilane.
일 구체예에서 상기 화학식 2에서, R9, R10, R11은 C1-C10 알콕시기일 수 있다.In one embodiment, in Chemical Formula 2, R 9 , R 10 , R 11 may be a C 1 -C 10 alkoxy group.
일 구체예에서 상기 화학식 2에서, 상기 에폭시화된 지방족 탄화수소기는 글리시독시기이고 상기 에폭시화된 지환족 탄화수소기는 에폭시시클로헥실기일 수 있다.In one embodiment, in Chemical Formula 2, the epoxidized aliphatic hydrocarbon group may be a glycidoxy group and the epoxidized alicyclic hydrocarbon group may be an epoxycyclohexyl group.
일 구체예에서 상기 화학식 2의 화합물은 글리시독시알킬트리알콕시실란, (글리시독시알킬)알킬디알콕시실란, 에폭시시클로헥실알킬트리알콕시실란 중 1종 이상을 포함할 수 있다.In one embodiment, the compound of Formula 2 may include at least one of glycidoxyalkyltrialkoxysilane, (glycidoxyalkyl) alkyldialkoxysilane, and epoxycyclohexylalkyltrialkoxysilane.
일 구체예에서 상기 화학식 1의 화합물; 상기 화학식 2의 화합물; 및 상기 화학식 1의 화합물 또는 상기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물 중 1종 이상은 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물 중 약 0.1ppm 내지 약 25 중량%로 포함될 수 있다.In one embodiment the compound of Formula 1; A compound of Formula 2; And at least one of the reaction products of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 may be included in about 0.1 ppm to about 25% by weight of the silicon nitride film etching composition.
일 구체예에서 상기 무기산은 인산일 수 있다.In one embodiment, the inorganic acid may be phosphoric acid.
본 발명의 실리콘 질화막 식각 방법은 본 발명의 실리콘 질화막 식각용 조성물을 이용하여 실리콘 질화막을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.The silicon nitride film etching method of the present invention may include etching the silicon nitride film by using the silicon nitride film etching composition of the present invention.
본 발명은 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비를 현저하게 높일 수 있는 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제공하였다.The present invention provides a silicon nitride film etching composition which can significantly increase the etching selectivity of the silicon nitride film with respect to the silicon oxide film.
본 발명은 실리콘 산화막의 두께가 늘어나거나 실란계 화합물의 자체 반응으로 인한 석출이 없도록 할 수 있는 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제공하였다.The present invention provides a silicon nitride film etching composition capable of increasing the thickness of the silicon oxide film or preventing precipitation due to self-reaction of the silane compound.
본 발명은 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비를 현저하게 높일 수 있고 실리콘 산화막의 두께가 늘어나거나 실란계 화합물의 자체 반응으로 인한 석출이 없도록 할 수 있는 실리콘 질화막 식각 방법을 제공하였다.The present invention provides a silicon nitride film etching method which can significantly increase the etching selectivity of the silicon nitride film with respect to the silicon oxide film and prevent the precipitation of the silicon oxide film from increasing due to the increase of the thickness or the self-reaction of the silane compound.
본 명세서에서 수치 범위가 주어지는 경우(예: C1-C10알킬기), 이 범위 내의 각 수치뿐만 아니라 그 사이에 있는 모든 범위가 포함될 수 있다. 예를 들어, "C1-C10 알킬기"는 C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9, C10, C2-10, C3-10, 또는 C1-2 알킬을 포함할 수 있다.Where numerical ranges are given herein (eg, C 1 -C 10 alkyl groups), each range within this range as well as all ranges therebetween may be included. For example, "C 1 -C 10 alkyl group" means C 1 , C 2 , C 3 , C 4 , C 5 , C 6 , C 7 , C 8 , C 9 , C 10 , C 2-10 , C 3 -10 , or C 1-2 alkyl.
"알킬"은 표시된 수의 탄소 원자를 갖는 포화 직쇄 또는 분기쇄의 탄소 사슬을 의미한다. "Alkyl" means a saturated straight or branched carbon chain having the indicated number of carbon atoms.
"알케닐"은 표시된 수의 탄소 원자를 지니면서 대응하는 알킬기의 이웃하는 탄소 원자로부터 1분자의 수소를 제거하여 유래된 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 불포화 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기를 의미한다."Alkenyl" means an unsaturated straight or branched chain alkyl group having the indicated number of carbon atoms and having at least one carbon-carbon double bond derived from the removal of one molecule of hydrogen from the neighboring carbon atoms of the corresponding alkyl group. do.
"알키닐"은 표시된 수의 탄소 원자를 지니면서 대응하는 알킬기의 이웃하는 탄소 원자로부터 2분자의 수소를 제거하여 유래된 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합을 지니는 불포화 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기를 의미한다."Alkynyl" means an unsaturated straight or branched chain alkyl group having the indicated number of carbon atoms and having at least one carbon-carbon triple bond derived from the removal of two molecules of hydrogen from the neighboring carbon atoms of the corresponding alkyl group. do.
"사이클로알킬"은 표시된 수의 탄소 원자의 고리 탄소 원자를 갖는 비방향족의 완전 포화된 탄소화 고리를 의미한다. 사이클로알킬은 단환식 또는 다환식(예: 이환식 또는 삼환식)일 수 있다."Cycloalkyl" means a non-aromatic fully saturated carbonated ring having the ring carbon atoms of the indicated number of carbon atoms. Cycloalkyls can be monocyclic or polycyclic (eg bicyclic or tricyclic).
"사이클로알케닐"은 표시된 수의 탄소 원자를 포함하면서 대응하는 사이클로알킬의 이웃하는 탄소 원자로부터 1분자의 수소를 제거함으로써 유래된 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 비방향족 탄소환 고리를 의미한다. 사이클로알케닐기는 단환식 혹은 다환식(예: 이환식 또는 삼환식)일 수 있다."Cycloalkenyl" refers to a non-aromatic carbocyclic ring containing at least one carbon-carbon double bond derived from the removal of one molecule of hydrogen from the neighboring carbon atoms of the corresponding cycloalkyl containing the indicated number of carbon atoms. it means. Cycloalkenyl groups may be monocyclic or polycyclic (eg bicyclic or tricyclic).
"아릴"은 표시된 수의 탄소 원자를 지니는 방향족 탄소 고리를 의미한다. 아릴기는 단환식 또는 다환식(예:이환식 또는 삼환식)일 수 있다."Aryl" means an aromatic carbon ring having the indicated number of carbon atoms. The aryl group can be monocyclic or polycyclic (eg bicyclic or tricyclic).
"아릴알킬"은 아릴 모이어티가 알킬 잔기를 통해서 모 구조에 부착되어 있는 표시된 수의 탄소 원자를 지니는 잔기를 의미한다. 알킬 잔기는 직쇄 또는 분기쇄일 수 있다."Arylalkyl" means a moiety having the indicated number of carbon atoms to which the aryl moiety is attached to the parent structure through an alkyl moiety. The alkyl moiety can be straight or branched chain.
"헤테로시클로알킬", "헤테로시클로알케닐", "헤테로아릴", "헤테로아릴알킬"에서 "헤테로"는 해당 작용기의 탄소 원자가 N, O, 및 S로부터 선택되는 원자로 치환된 작용기를 의미한다."Hetero" in "heterocycloalkyl", "heterocycloalkenyl", "heteroaryl", "heteroarylalkyl" means a functional group in which the carbon atom of the functional group is substituted with an atom selected from N, O, and S.
"할로겐"은 F, Cl, Br 또는 I를 의미한다."Halogen" means F, Cl, Br or I.
"치환 또는 비치환된"에서 "치환된"은 해당 작용기 중 하나 이상의 수소 원자가 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4), C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C1-C20헤테로아릴기 중 하나로 치환되는 것을 의미한다."Substituted" in "substituted or unsubstituted" means that at least one hydrogen atom of the functional group is halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= O) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= O) -OC (= O) (R 4 ), C 1- C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 It means substituted by one of a cycloalkenyl group, a C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, a C 6 -C 20 aryl group, and a C 1 -C 20 heteroaryl group.
본 발명자는 무기산 또는 그의 염과 물을 포함하는 실리콘 질화막의 식각용 조성물에 있어서, 실란계 화합물로서 하기 화학식 1의 화합물; 하기 화학식 2의 화합물; 및 하기 화학식 1의 화합물 또는 하기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물 중 1종 이상을 포함함으로써, 실리콘 산화막의 식각 속도에 대한 실리콘 질화막의 식각 속도의 비(식각 선택비)가 현저하게 높아질 수 있고, 실리콘 산화막 표면에서 하기 화학식 1의 화합물; 하기 화학식 2의 화합물; 또는 하기 화학식 1의 화합물 또는 하기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물이 쌓이지 않아서 실리콘 산화막의 두께가 늘어나는 문제점(이상 성장 문제점)이 없고, 식각한 후 또는 식각 도중에 하기 화학식 1의 화합물, 하기 화학식 2의 화합물; 또는 하기 화학식 1의 화합물 또는 하기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물이 스스로 반응을 일으켜 석출되는 일이 없음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.The present inventors in the etching composition of the silicon nitride film containing an inorganic acid or a salt thereof and water, the compound of formula (1) as a silane-based compound; A compound of Formula 2; And by including at least one of the reaction product of the compound of formula (1) or the compound of formula (2), the ratio (etch selectivity) of the silicon nitride film to the etching rate of the silicon oxide film can be significantly increased, silicon A compound of formula 1 below on an oxide film surface; A compound of Formula 2; Or there is no problem of increasing the thickness of the silicon oxide film (abnormal growth problem) because the reaction product of the compound of formula (1) or compound of formula (2) does not accumulate, and after etching or during etching, the compound of formula (1), compound of formula (2) ; Or it was confirmed that the reaction product of the compound of formula (1) or the compound of formula (2) does not react by itself and precipitated to complete the present invention.
이하, 본 발명의 실리콘 질화막 식각용 조성물의 구성 성분을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the component of the silicon nitride film etching composition of this invention is demonstrated in detail.
무기산 또는 그의 염은 실리콘 질화막 식각용 조성물 내에 수소 이온을 제공하여 식각을 촉진시킬 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 무기산은 황산, 질산, 염산, 과염소산, 불산, 붕산, 인산(H3PO4), 아인산(H3PO3), 하이포아인산(H3PO2), 하이포인산(H4P2O6), 트리폴리인산(H5P3O10), 피로인산(H4P2O7) 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 무기산으로 인산을 사용할 수 있다.The inorganic acid or a salt thereof is not particularly limited as long as it can promote etching by providing hydrogen ions in the silicon nitride film etching composition. For example, inorganic acids are sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, hydrofluoric acid, boric acid, phosphoric acid (H 3 PO 4 ), phosphorous acid (H 3 PO 3 ), hypophosphoric acid (H 3 PO 2 ), hypophosphoric acid (H 4 P 2 O 6 ), tripolyphosphoric acid (H 5 P 3 O 10 ), pyrophosphoric acid (H 4 P 2 O 7 ) It may include one or more. Preferably, phosphoric acid may be used as the inorganic acid.
무기산 또는 그의 염은 실리콘 질화막 식각용 조성물 중 약 60 중량% 내지 약 99.99 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘 산화막의 식각 속도에 대한 실리콘 질화막의 식각 속도의 비(식각 선택비)가 높아지는 효과가 있을 수 있다. 예를 들어, 무기산 또는 그의 염은 실리콘 질화막 식각용 조성물 중 약 60 중량% 내지 약 95 중량% 포함될 수 있다. 다른 예를 들면 약 80 중량% 내지 약 90 중량%로 포함될 수 있다. 예를 들면, 약 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99 또는 99.99 중량% 포함될 수 있다.The inorganic acid or a salt thereof may be included in about 60% to about 99.99% by weight of the silicon nitride film etching composition. In the above range, the ratio (etch selectivity) of the etching rate of the silicon nitride film to the etching rate of the silicon oxide film may be increased. For example, the inorganic acid or a salt thereof may be included in about 60% to about 95% by weight of the silicon nitride film etching composition. For example, from about 80% to about 90% by weight. For example, about 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82 , 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99 or 99.99% by weight.
물은 예를 들어 반도체용 등급의 물 또는 초순수일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 물은 실리콘 질화막 식각용 조성물 중 잔량으로 포함될 수 있다.Water may be, for example, but not limited to semiconductor grade water or ultrapure water. Water may be included in the remaining amount of the silicon nitride film etching composition.
실란계 화합물로서 하기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다:As the silane-based compound, the compound of Formula 1 may be included:
<화학식 1><Formula 1>
(상기 화학식 1에서, (In Formula 1,
R1, R2, R3은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4), C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고, 상기 R4 및 R5는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐, C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,R 1 , R 2 , and R 3 are each independently hydrogen, halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= O) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= O) -OC (= O) (R 4 ), C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group, wherein R 4 and R 5 are independently of each other, hydrogen, halogen, C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group,
R1, R2, R3 중 적어도 하나는 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4) 및 C1-C10알콕시기 중에서 선택되고,At least one of R 1 , R 2 and R 3 is halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= 0) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= 0) -OC (= 0) (R 4 ) and a C 1 -C 10 alkoxy group,
R6은 하기 화학식 1-1 또는 하기 화학식 1-2이다;R 6 is the following Chemical Formula 1-1 or the following Chemical Formula 1-2;
<화학식 1-1><Formula 1-1>
R8-A-R7-*R 8 -AR 7- *
(상기 화학식 1-1에서,(In Chemical Formula 1-1,
*은 상기 화학식 1 중 Si에 대한 결합 부위이고,* Is a binding site to Si in Formula 1,
A는 *-(C=O)-O-* 또는 *-O-(C=O)-*이고, 이때 *는 연결 부위이고,A is *-(C = O) -O- * or * -O- (C = O)-*, where * is the linking site,
R7은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬렌기이고,R 7 is a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 arylene group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylene group, substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkylene group or substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkylene group ego,
R8은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬기이다)R 8 is a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6- A C 20 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkyl group)
<화학식 1-2><Formula 1-2>
R14-B-R13-*R 14 -BR 13- *
(상기 화학식 1-2에서,(In Chemical Formula 1-2,
*은 상기 화학식 1 중 Si에 대한 결합 부위이고,* Is a binding site to Si in Formula 1,
B는 *-O-*이고, 이때 *는 연결 부위이고,B is * -O- *, where * is the linking site,
R13은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬렌기이고,R 13 is a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 arylene group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylene group, substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkylene group or substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkylene group ego,
R14는 H, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬기이고,R 14 is H, a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C A 6 -C 20 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkyl group or a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkyl group,
R14는 H이거나, 또는R 14 is H, or
R13, R14 중 적어도 하나는 히드록시기로 치환된다).At least one of R 13 and R 14 is substituted with a hydroxy group).
일 구체예에서, R1, R2, R3 중 한개는 C1-C10알콕시기일 수 있다. 일 구체예에서, R1, R2, R3 중 두개는 C1-C10알콕시기일 수 있다. 일 구체예에서, R1, R2, R3는 C1-C10알콕시기일 수 있다.In one embodiment, one of R 1 , R 2 , R 3 may be a C 1 -C 10 alkoxy group. In one embodiment, two of R 1 , R 2 , R 3 may be C 1 -C 10 alkoxy groups. In one embodiment, R 1 , R 2 , R 3 can be a C 1 -C 10 alkoxy group.
일 구체예에서, A는 *-(C=O)-O-*일 수 있다. 이때, R7은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기일 수 있다. 일 구체예에서, R7은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기일 수 있다. 일 구체예에서, R7은 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기일 수 있다.In one embodiment, A can be *-(C = 0) -0- *. In this case, R 7 may be a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, or a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group. In one embodiment, R 7 can be a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group. In one embodiment, R 7 can be a substituted or unsubstituted C 1 -C 5 alkylene group.
일 구체예에서, A는 *-(C=O)-O-*일 수 있다. 이때, R8은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기일 수 있다. 일 구체예에서, R8은 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6-C10아릴기일 수 있다.In one embodiment, A can be *-(C = 0) -0- *. In this case, R 8 may be a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkyl group or a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group. In one embodiment, R 8 can be a substituted or unsubstituted C 1 -C 5 alkyl group or a substituted or unsubstituted C 6 -C 10 aryl group.
일 구체예에서, A는 *-O-(C=O)-*일 수 있다. 이때, R7은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기일 수 있다. 일 구체예에서, R7은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기일 수 있다. 일 구체예에서, R7은 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기일 수 있다.In one embodiment, A can be * -O- (C = 0)-*. In this case, R 7 may be a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, or a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group. In one embodiment, R 7 can be a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group. In one embodiment, R 7 can be a substituted or unsubstituted C 1 -C 5 alkylene group.
일 구체예에서, A는 *-O-(C=O)-*일 수 있다. 이때, R8은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기일 수 있다. 일 구체예에서, R8은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기일 수 있다. 일 구체예에서, R8은 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬기일 수 있다.In one embodiment, A can be * -O- (C = 0)-*. In this case, R 8 may be a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group. In one embodiment, R 8 can be a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkyl group. In one embodiment, R 8 can be a substituted or unsubstituted C 1 -C 5 alkyl group.
일 구체예에서, 상기 화학식 1-2에서 R13은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기이고, R14는 H이다.In one embodiment, R 13 in Formula 1-2 is a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group, and R 14 is H.
일 구체예에서, 화학식 1의 화합물은 아세톡시메틸트리알콕시실란, 아세톡시에틸트리알콕시실란, 아세톡시프로필트리알콕시실란 등을 포함하는 아세톡시알킬트리알콕시실란; 벤조일옥시프로필트리알콕시실란 등을 포함하는 벤조일옥시알킬트리알콕시실란; 2-(카르보메톡시)에틸트리알콕시실란 등을 포함하는 (카르보알콕시)알킬트리알콕시실란; 히드록시프로필트리메톡시실란 등을 포함하는 히드록시알킬트리알콕시실란 중 1종 이상을 포함할 수 있다.In one embodiment, the compound of formula 1 is acetoxyalkyltrialkoxysilane, including acetoxymethyltrialkoxysilane, acetoxyethyltrialkoxysilane, acetoxypropyltrialkoxysilane, and the like; Benzoyloxyalkyl trialkoxysilanes including benzoyloxypropyl trialkoxysilane and the like; (Carboalkoxy) alkyltrialkoxysilanes including 2- (carbomethoxy) ethyltrialkoxysilane and the like; It may contain one or more of hydroxyalkyltrialkoxysilanes including hydroxypropyltrimethoxysilane and the like.
실란계 화합물로서 하기 화학식 2의 화합물을 포함할 수 있다:As the silane-based compound, the compound of Formula 2 may be included:
<화학식 2><Formula 2>
(상기 화학식 2에서,(In Formula 2,
R9, R10, R11은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4), C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고, 상기 R4 및 R5는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐, C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,R 9 , R 10 and R 11 are each independently hydrogen, halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= O) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= O) -OC (= O) (R 4 ), C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group, wherein R 4 and R 5 are independently of each other, hydrogen, halogen, C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group,
R12는 치환 또는 비치환된, 에폭시화된 지방족 탄화수소기 또는 에폭시화된 지환족 탄화수소기를 가지며 알킬렌 사슬 내에 1개 이상의 산소를 포함하거나 포함하지 않는 C1-C10알킬렌기이다).R 12 is a substituted or unsubstituted, epoxidized aliphatic hydrocarbon group or epoxidized alicyclic hydrocarbon group and is a C 1 -C 10 alkylene group with or without one or more oxygens in the alkylene chain).
상기 화학식 2에서 R12에서 기술된 "에폭시화된 지방족 탄화수소기", "에폭시화된 지환족 탄화수소기"는 C1-C10알킬렌기의 알킬렌 사슬 내에 또는 알킬렌 사슬 말단에 위치될 수 있다.The "epoxylated aliphatic hydrocarbon group" and "epoxylated alicyclic hydrocarbon group" described in R 12 in Formula 2 may be located in the alkylene chain of the C 1 -C 10 alkylene group or at the alkylene chain end. .
상기 화학식 2에서 R12에서 기술된 "에폭시화된 지방족 탄화수소기"는 지방족 탄화수소를 구성하는 탄소-탄소가 에폭시화된 작용기를 의미한다. 예를 들어, 에폭시화된 지방족 탄화수소기는 글리시독시기가 될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다."Epoxylated aliphatic hydrocarbon group" described in R 12 in Formula 2 means a functional group epoxidized carbon-carbon constituting aliphatic hydrocarbon. For example, an epoxidized aliphatic hydrocarbon group can be a glycidoxy group, but is not limited thereto.
상기 화학식 2에서 R12에서 기술된 "에폭시화된 지환족 탄화수소기"는 지환족 탄화수소를 구성하는 탄소-탄소가 에폭시화된 작용기를 의미한다. 예를 들어, 에폭시화된 지환족 탄화수소기는 에폭시화된 C5-C10의 지환족 탄화수소기일 수 있다. 예를 들어, 에폭시화된 지환족 탄화수소기는 에폭시시클로헥실기, 에폭시시클로헵틸기, 에폭시시클로펜틸기가 될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다."Epoxylated cycloaliphatic hydrocarbon group" described in R 12 in Formula 2 means a functional group epoxidized carbon-carbon constituting the cycloaliphatic hydrocarbon. For example, the epoxidized cycloaliphatic hydrocarbon group can be an epoxidized C 5 -C 10 cycloaliphatic hydrocarbon group. For example, the epoxidized alicyclic hydrocarbon group may be an epoxycyclohexyl group, an epoxycycloheptyl group, or an epoxycyclopentyl group, but is not limited thereto.
상기 화학식 2에서 R12에서 기술된 C1-C10알킬렌기에서 "C1-C10"은 에폭시화된 지방족 탄화수소기, 에폭시화된 지환족 탄화수소기에 포함된 탄소 원자를 제외한 탄소 원자의 개수가 1개 내지 10개임을 의미한다.In the C 1 -C 10 alkylene group described in R 12 in Formula 2, "C 1 -C 10 " is the number of carbon atoms excluding carbon atoms included in the epoxidized aliphatic hydrocarbon group and the epoxidized alicyclic hydrocarbon group. It means 1 to 10.
일 구체예에서, R11, R12, R13 중 적어도 하나는 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4) 및 C1-C10알콕시기 중에서 선택될 수 있다.In one embodiment, at least one of R 11 , R 12 , R 13 is halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C ( = O) (R 4 ), * -C (= O) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= O) -OC (= O) (R 4 ) and C 1 -C 10 alkoxy It may be selected from the group.
일 구체예에서 R9, R10, R11 중 한 개는 C1-C10알콕시기일 수 있다. 일 구체예에서, R9, R10, R11 중 두개는 C1-C10알콕시기일 수 있다. 일 구체예에서, R9, R10, R11은 C1-C10알콕시기일 수 있다.In one embodiment one of R 9 , R 10 , R 11 may be a C 1 -C 10 alkoxy group. In one embodiment, two of R 9 , R 10 , R 11 may be C 1 -C 10 alkoxy groups. In one embodiment, R 9 , R 10 , R 11 can be a C 1 -C 10 alkoxy group.
일 구체예에서, 화학식 2의 화합물은 (3-글리시독시프로필)트리알콕시실란 등을 포함하는 글리시독시알킬트리알콕시실란; (3-글리시독시프로필)메틸디알콕시실란 등을 포함하는 (글리시독시알킬)알킬디알콕시실란; 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란 등을 포함하는 에폭시시클로헥실알킬트리알콕시실란 중 1종 이상을 포함할 수 있다.In one embodiment, the compound of formula 2 is a glycidoxyalkyltrialkoxysilane including (3-glycidoxypropyl) trialkoxysilane and the like; (Glycidoxyalkyl) alkyl dialkoxysilanes including (3-glycidoxypropyl) methyl dialkoxysilane and the like; It may contain one or more of epoxycyclohexylalkyltrialkoxysilanes including 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane and the like.
화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물의 반응 생성물은 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물로부터 유래되는 성분을 의미한다. 상기 반응 생성물은 예를 들어 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물 각각의 반응 생성물; 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물과 상기 무기산 또는 그의 염과의 반응 생성물; 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물과 상기 물과의 반응 생성물; 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물, 상기 무기산 또는 그의 염 및 상기 물과의 반응 생성물 등일 수 있다. 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물은 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4) 및 C1-C10알콕시기를 포함할 수 있기 때문에, 이웃한 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물, 무기산 또는 그의 염 및/또는 물과 반응할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물이 히드록시기를 포함하는 경우, 이웃한 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물들 사이에서 또는 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물과 무기산 또는 그의 염 사이에서 탈수 반응이 진행되어 에테르 결합을 포함하는 반응 생성물이 형성될 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물이 할로겐기 또는 알콕시기를 포함하는 경우, 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물과 물과의 반응으로 인해 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물의 할로겐기 또는 알콕시기가 히드록시기로 변환된 반응 생성물이 형성될 수 있다. 또한, 이렇게 물과의 반응으로 생성된 히드록시기를 포함한 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물은 이웃한 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물 또는 무기산 또는 그의 염과의 탈수 반응을 통해 에테르 결합을 포함하는 반응 생성물을 형성할 수 있다. 이외에도 다양한 반응 생성물이 형성될 수 있으며, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 상술한 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물의 관능기, 무기산 또는 그의 염 및/또는 물로부터 그 반응 생성물을 용이하게 생각해 낼 수 있다.The reaction product of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 means a component derived from the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2. The reaction product may be, for example, a reaction product of each of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2; A reaction product of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 with the inorganic acid or a salt thereof; A reaction product of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 with the water; The compound of Formula 1 or the compound of Formula 2, the inorganic acid or a salt thereof and the reaction product with the water and the like. The compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 is halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= O) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= O) -OC (= O) (R 4 ) and C 1 -C 10 alkoxy groups And a compound of formula 1 or a compound of formula 2, an inorganic acid or a salt thereof, and / or water. For example, when the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 includes a hydroxyl group, the compound of Formula 1 or the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 and an inorganic acid or a salt thereof are adjacent to each other. The dehydration reaction may proceed in between to form a reaction product including an ether bond. For another example, when the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 includes a halogen group or an alkoxy group, the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 due to the reaction of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 with water A reaction product can be formed in which a halogen or alkoxy group of is converted to a hydroxy group. In addition, the compound of formula (1) or compound of formula (2) including the hydroxy group produced by the reaction with water comprises an ether bond through a dehydration reaction with a compound of formula (1) or a compound of formula (2) or an inorganic acid or salt thereof The reaction product can be formed. In addition, various reaction products may be formed, and one of ordinary skill in the art may readily prepare the reaction product from the functional group of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2, the inorganic acid or salt thereof, and / or water. I can think of it.
상기 화학식 1의 화합물, 상기 화학식 2의 화합물, 및 상기 화학식 1의 화합물 또는 상기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물 중 1종 이상은 실리콘 질화막 식각용 조성물 중 약 0.1ppm 내지 약 25 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서 식각 선택비가 현저하게 높아질 수 있고, 이상 성장 문제점이 없으며, 자체 반응으로 인한 석출이 없도록 할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1의 화합물, 상기 화학식 2의 화합물, 및 상기 화학식 1의 화합물 또는 상기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물 중 1종 이상은 실리콘 질화막 식각용 조성물 중 약 0.001 중량% 내지 약 10 중량%, 예를 들면 약 0.01 중량% 내지 약 5 중량%, 다른 예를 들면 약 0.1 중량% 내지 약 3 중량%로 포함될 수 있다. 다른 예를 들면, 약 0.00001, 0.00005, 0.0001, 0.0005, 0.001, 0.005, 0.01, 0.05, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24 또는 25 중량% 포함될 수 있다.The compound of Formula 1, the compound of Formula 2, and the reaction product of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 may be included in about 0.1 ppm to about 25% by weight of the silicon nitride film etching composition. . Etch selectivity in the content range can be significantly increased, there is no abnormal growth problem, there can be no precipitation due to the self reaction. For example, at least one of the reaction products of the compound of Formula 1, the compound of Formula 2, and the compound of Formula 1 or Compound 2 is about 0.001% to about 10% by weight of the silicon nitride film etching composition. %, For example, about 0.01% to about 5%, and for example, about 0.1% to about 3% by weight. For example, about 0.00001, 0.00005, 0.0001, 0.0005, 0.001, 0.005, 0.01, 0.05, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24 or 25% by weight.
실리콘 질화막 식각용 조성물은 상기 화학식 1의 화합물 및/또는 화학식 2의 화합물 및/또는 상기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물의 반응 생성물의 용해도를 높이기 위해 유기 용매, 무기 용매 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 용매, 무기 용매는 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 1-메톡시-2-프로판올, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 등일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 유기 용매, 무기 용매는 1기압에서 비점이 약 100℃ 이상, 예를 들면 약 100℃ 내지 약 150℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The silicon nitride film etching composition may further include at least one of an organic solvent and an inorganic solvent to increase the solubility of the reaction product of the compound of Formula 1 and / or the compound of Formula 2 and / or the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2. It may include. The organic solvent and the inorganic solvent are not particularly limited as long as they are commonly used in the art, and may be, for example, 1-methoxy-2-propanol, propylene glycol methyl ether acetate, or the like. According to one embodiment, the organic solvent and the inorganic solvent may have a boiling point of about 100 ° C. or more, for example, about 100 ° C. to about 150 ° C. at 1 atmosphere, but is not limited thereto.
실리콘 질화막 식각용 조성물은 식각 성능을 향상시키기 위해 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 임의의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 부식 방지제, 계면활성제, 분산제, 식각 속도 조절제 등을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The silicon nitride film etching composition may further include any additive commonly used in the art to improve etching performance. For example, a corrosion inhibitor, a surfactant, a dispersant, an etching rate control agent, and the like may be further included, but are not limited thereto.
본 발명의 실리콘 질화막 식각 방법은 본 발명의 실리콘 질화막 식각용 조성물을 이용하여 실리콘 질화막을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.The silicon nitride film etching method of the present invention may include etching the silicon nitride film by using the silicon nitride film etching composition of the present invention.
상기 식각 방법은 예를 들어 실리콘 질화막 또는 상기 실리콘 산화막을 기판 위에 형성하는 단계; 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물을 상기 실리콘 질화막 또는 상기 실리콘 산화막에 가하여 식각하는 단계; 및 식각 후 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The etching method may include, for example, forming a silicon nitride film or the silicon oxide film on a substrate; Etching the silicon nitride film etching composition by adding the silicon nitride film to the silicon nitride film or the silicon oxide film; And removing the silicon nitride film etching composition after etching.
기판은 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 반도체 웨이퍼일 수 있다.The substrate is not particularly limited as long as it is commonly used in the art, and may be, for example, a semiconductor wafer.
실리콘 질화막 식각용 조성물을 상기 실리콘 질화막 또는 상기 실리콘 산화막에 가하여 식각하는 단계는 예를 들면 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물을 포함한 식각조 안에 상기 실리콘 질화막 또는 상기 실리콘 산화막을 침지시키거나, 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물을 상기 실리콘 질화막 또는 상기 실리콘 산화막 상에 분사하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The etching of the silicon nitride film etching composition by adding the silicon nitride film or the silicon oxide film to the silicon nitride film may include, for example, immersing the silicon nitride film or the silicon oxide film in an etching bath including the silicon nitride film etching composition, or etching the silicon nitride film. Spraying a composition on the silicon nitride film or the silicon oxide film, but is not limited thereto.
상기 실리콘 질화막 식각용 조성물을 상기 실리콘 질화막 또는 상기 실리콘 산화막에 가하여 식각하는 단계 이전에, 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물은 약 100℃ 이상, 예를 들어 약 100℃ 내지 약 500℃로 가열될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물은 약 150℃ 내지 약 300℃로 가열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The method may further include heating the silicon nitride film etching composition before the etching of the silicon nitride film etching composition by adding the silicon nitride film etching composition to the silicon nitride film or the silicon oxide film, wherein the silicon nitride film etching composition is about 100 ° C. or more. For example, about 100 ° C. to about 500 ° C. According to one embodiment, the silicon nitride film etching composition may be heated to about 150 ℃ to about 300 ℃, but is not limited thereto.
상기 식각 후 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제거하는 단계는 예를 들어 상기 식각용 조성물을 초순수 등으로 세척한 후, 상기 실리콘 산화막 또는 상기 실리콘 질화막을 건조하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Removing the silicon nitride film etching composition after the etching may include, for example, washing the etching composition with ultrapure water, and then drying the silicon oxide film or the silicon nitride film, but the present invention is not limited thereto. no.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention through the preferred embodiment of the present invention will be described in more detail. However, this is presented as a preferred example of the present invention and in no sense can be construed as limiting the present invention.
실시예Example
1 One
인산 85 중량%, 실란계 화합물로서 아세톡시메틸트리메톡시실란 0.5 중량% 및 잔량의 물로 구성된 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제조하였다.A silicon nitride film etching composition including 85% by weight of phosphoric acid, 0.5% by weight of acetoxymethyltrimethoxysilane as a silane compound, and a residual amount of water was prepared.
실시예Example
2 내지 2 to
실시예Example
8 8
실시예 1에 있어서, 실란계 화합물의 종류 및/또는 그의 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제조하였다.In Example 1, a silicon nitride film etching composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the type and / or content of the silane compound was changed as in Table 1 below.
실시예Example
9 내지 9 to
실시예Example
14 14
실시예 1에 있어서, 실란계 화합물의 종류 및/또는 그의 함량을 하기 표 2와 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제조하였다.In Example 1, a silicon nitride film etching composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the type and / or content of the silane compound was changed as shown in Table 2 below.
비교예Comparative example
1 내지 1 to
비교예Comparative example
8 8
실시예 1에 있어서, 실란계 화합물의 종류 및/또는 그의 함량을 하기 표 1, 하기 표 2와 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 질화막 식각용 조성물을 제조하였다.In Example 1, a silicon nitride film etching composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the type and / or content of the silane compound was changed as in Table 1 and Table 2 below.
실시예와 비교예에서 제조한 실리콘 질화막 식각용 조성물에 대하여 하기 표 1, 표 2에서 기재된 물성을 평가하였다.The physical properties described in Tables 1 and 2 below were evaluated for the silicon nitride film etching compositions prepared in Examples and Comparative Examples.
상기 실시예와 비교예에서 제조된 실리콘 질화막 식각용 조성물을 160℃로 가열한 후, LP-SiN막 또는 PE-SiO막을 넣고 5분간 식각하였다. 식각 전 및 식각 후의 LP-SiN막 또는 PE-SiO막의 두께를 엘립소미터을 이용하여 측정한 후, 실리콘 질화막의 식각 속도(A), 실리콘 산화막의 식각 속도(B)를 계산하고 하기 식 1에 따라 식각 선택비를 계산하고, 그 결과를 표 1, 표 2에 나타냈다.After the silicon nitride film etching composition prepared in Examples and Comparative Examples was heated to 160 ° C., an LP-SiN film or a PE-SiO film was added thereto and then etched for 5 minutes. After measuring the thickness of the LP-SiN film or PE-SiO film before and after etching by using an ellipsometer, the etching rate (A) of the silicon nitride film and the etching rate (B) of the silicon oxide film were calculated and The etching selectivity was calculated and the results are shown in Table 1 and Table 2.
[식 1][Equation 1]
식각 선택비 = A/BEtch selectivity = A / B
(상기 식 1 중, A는 조성물의 단위 시간당 실리콘 질화막에 대한 식각 속도(단위: Å/분)이고, B는 조성물의 단위 시간당 실리콘 산화막에 대한 식각 속도(단위: Å/분)이다).(In Formula 1, A is the etching rate (unit: dl / min) with respect to the silicon nitride film per unit time of a composition, B is the etching rate (unit: dl / min) with respect to the silicon oxide film per unit time of a composition.)
상기 실시예와 비교예에서 제조된 실리콘 질화막 식각용 조성물을 160℃로 가열한 후, LP-SiN막 또는 PE-SiO막을 넣고 5분간 식각하였다. 식각 후의 상기 조성물을 바이알에 넣고, Turbiscan을 이용하여 파장 880nm에서 투과도를 측정하여 상기 조성물 중의 석출물의 존재 여부를 확인하고 그 결과를 표 1, 표 2에 나타냈다.After the silicon nitride film etching composition prepared in Examples and Comparative Examples was heated to 160 ° C., an LP-SiN film or a PE-SiO film was added thereto and then etched for 5 minutes. After etching, the composition was placed in a vial, and transmittance was measured at a wavelength of 880 nm using Turbiscan to confirm the presence of precipitates in the composition, and the results are shown in Tables 1 and 2.
*상기 표 1, 표 2에서 "N/A"는 식각 선택비를 측정할 수 없었음을 의미한다.* In Table 1 and Table 2, "N / A" means that the etching selectivity could not be measured.
상기 표 1, 표 2에서와 같이, 본 발명의 실리콘 질화막 식각용 조성물은 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비를 높일 수 있고, 실리콘 산화막의 두께가 늘어나거나 실란계 화합물의 자체 반응으로 인한 석출이 없도록 할 수 있다.As shown in Table 1 and Table 2, the silicon nitride film etching composition of the present invention can increase the etching selectivity of the silicon nitride film to the silicon oxide film, the thickness of the silicon oxide film is increased or precipitated due to the self-reaction of the silane compound This can be done.
반면에, 본 발명의 실란계 화합물을 포함하지 않는 비교예의 실리콘 질화막 식각용 조성물은 식각 선택비 개선 정도가 미약하거나 실리콘 산화막의 두께가 늘어나거나 실란계 화합물의 자체 반응으로 인한 석출 문제점이 있었다.On the other hand, the silicon nitride film etching composition of the comparative example, which does not include the silane compound of the present invention, has a problem in that the etching selectivity is not improved, the thickness of the silicon oxide film is increased, or precipitation due to the self-reaction of the silane compound.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications or changes of the present invention can be easily carried out by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be seen to be included in the scope of the present invention.
Claims (9)
- 무기산 또는 그의 염; Inorganic acids or salts thereof;물; 및 water; And하기 화학식 1의 화합물; 하기 화학식 2의 화합물; 및 하기 화학식 1의 화합물 또는 하기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물 중 1종 이상을 포함하는 실리콘 질화막 식각용 조성물:A compound of Formula 1; A compound of Formula 2; And at least one of a reaction product of a compound of Formula 1 or a compound of Formula 2:<화학식 1><Formula 1>(상기 화학식 1에서, (In Formula 1,R1, R2, R3은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4), C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고, 상기 R4 및 R5는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐, C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,R 1 , R 2 , and R 3 are each independently hydrogen, halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= O) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= O) -OC (= O) (R 4 ), C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group, wherein R 4 and R 5 are independently of each other, hydrogen, halogen, C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group,R1, R2, R3 중 적어도 하나는 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4) 및 C1-C10알콕시기 중에서 선택되고,At least one of R 1 , R 2 and R 3 is halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= 0) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= 0) -OC (= 0) (R 4 ) and a C 1 -C 10 alkoxy group,R6은 하기 화학식 1-1 또는 하기 화학식 1-2이다;R 6 is the following Chemical Formula 1-1 or the following Chemical Formula 1-2;<화학식 1-1><Formula 1-1>R8-A-R7-*R 8 -AR 7- *(상기 화학식 1-1에서, *은 상기 화학식 1 중 Si에 대한 결합 부위이고,(In Formula 1-1, * is a binding site to Si in Formula 1,A는 *-(C=O)-O-* 또는 *-O-(C=O)-*이고, 이때 *는 연결 부위이고,A is *-(C = O) -O- * or * -O- (C = O)-*, where * is the linking site,R7은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬렌기이고,R 7 is a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 arylene group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylene group, substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkylene group or substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkylene group ego,R8은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬기이다)R 8 is a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6- A C 20 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkyl group)<화학식 1-2><Formula 1-2>R14-B-R13-*R 14 -BR 13- *(상기 화학식 1-2에서,(In Chemical Formula 1-2,*은 상기 화학식 1 중 Si에 대한 결합 부위이고,* Is a binding site to Si in Formula 1,B는 *-O-*이고, 이때 *는 연결 부위이고,B is * -O- *, where * is the linking site,R13은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬렌기이고,R 13 is a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 arylene group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylene group, substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkylene group or substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkylene group ego,R14는 H, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C20아릴알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴알킬기이고,R 14 is H, a substituted or unsubstituted C 1 -C 10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C A 6 -C 20 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkyl group or a substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroarylalkyl group,R14는 H이거나, 또는R 14 is H, orR13, R14 중 적어도 하나는 히드록시기로 치환된다)),At least one of R 13 and R 14 is substituted with a hydroxy group)),<화학식 2><Formula 2>(상기 화학식 2에서,(In Formula 2,R9, R10, R11은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 아미노기, 카르복시산기, 술폰산기, 포스포릭산기, 포스포닉산기, 아졸기, *-C(=O)(R4), *-C(=O)-N(R4)(R5), *-C(=O)-O-C(=O)(R4), C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고, 상기 R4 및 R5는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐, C1-C10알킬기, C2-C10알케닐기, C2-C10알키닐기, C1-C10알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,R 9 , R 10 and R 11 are each independently hydrogen, halogen, hydroxy group, thiol group, cyano group, amino group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, azole group, * -C (= O) (R 4 ), * -C (= O) -N (R 4 ) (R 5 ), * -C (= O) -OC (= O) (R 4 ), C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group, wherein R 4 and R 5 are independently of each other, hydrogen, halogen, C 1 -C 10 alkyl group, C 2 -C 10 alkenyl group, C 2 -C 10 alkynyl group, C 1 -C 10 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 20 aryl group and C 1 -C 20 heteroaryl group,R12는 치환 또는 비치환된, 에폭시화된 지방족 탄화수소기 또는 에폭시화된 지환족 탄화수소기를 가지며 알킬렌 사슬 내에 1개 이상의 산소를 포함하거나 포함하지 않는 C1-C10알킬렌기이다).R 12 is a substituted or unsubstituted, epoxidized aliphatic hydrocarbon group or epoxidized alicyclic hydrocarbon group and is a C 1 -C 10 alkylene group with or without one or more oxygens in the alkylene chain).
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3는 C1-C10알콕시기인 것인, 실리콘 질화막 식각용 조성물.The composition of claim 1, wherein in Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 are C 1 -C 10 alkoxy groups.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 아세톡시알킬트리알콕시실란, 벤조일옥시알킬트리알콕시실란, (카르보알콕시)알킬트리알콕시실란, 히드록시알킬트리알콕시실란 중 1종 이상을 포함하는 것인, 실리콘 질화막 식각용 조성물.According to claim 1, wherein the compound of formula (1) comprises at least one of acetoxyalkyl trialkoxysilane, benzoyloxyalkyl trialkoxysilane, (carboalkoxy) alkyl trialkoxysilane, hydroxyalkyl trialkoxysilane Phosphorus, silicon nitride film etching composition.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 2에서, R9, R10, R11은 C1-C10알콕시기인 것인, 실리콘 질화막 식각용 조성물.The composition of claim 1, wherein in Formula 2, R 9 , R 10 and R 11 are C 1 -C 10 alkoxy groups.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 2에서, 상기 에폭시화된 지방족 탄화수소기는 글리시독시기이고 상기 에폭시화된 지환족 탄화수소기는 에폭시시클로헥실기인 것인, 실리콘 질화막 식각용 조성물.The composition of claim 1, wherein the epoxidized aliphatic hydrocarbon group is a glycidoxy group and the epoxidized alicyclic hydrocarbon group is an epoxycyclohexyl group.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 2의 화합물은 글리시독시알킬트리알콕시실란, (글리시독시알킬)알킬디알콕시실란, 에폭시시클로헥실알킬트리알콕시실란 중 1종 이상을 포함하는 것인, 실리콘 질화막 식각용 조성물.The silicon nitride film according to claim 1, wherein the compound of Formula 2 comprises at least one of glycidoxyalkyltrialkoxysilane, (glycidoxyalkyl) alkyldialkoxysilane, and epoxycyclohexylalkyltrialkoxysilane. Etching composition.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물; 상기 화학식 2의 화합물; 및 상기 화학식 1의 화합물 또는 상기 화학식 2의 화합물의 반응 생성물 중 1종 이상은 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물 중 약 0.1ppm 내지 약 25 중량%로 포함되는 것인, 실리콘 질화막 식각용 조성물.According to claim 1, wherein the compound of Formula 1; A compound of Formula 2; And at least one of the reaction product of the compound of Formula 1 or the compound of Formula 2 comprises about 0.1 ppm to about 25 wt% of the silicon nitride film etching composition.
- 제1항에 있어서, 상기 무기산은 인산인 것인, 실리콘 질화막 식각용 조성물.The composition of claim 1, wherein the inorganic acid is phosphoric acid.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 실리콘 질화막 식각용 조성물을 이용하여 실리콘 질화막을 식각하는 단계를 포함하는 것인, 실리콘 질화막 식각 방법.The silicon nitride film etching method comprising etching the silicon nitride film using the composition for etching silicon nitride film of any one of claims 1 to 8.
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