WO2015014839A1 - Device and method for handling process gases in a plasma stimulated by high frequency electromagnetic waves - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a device for the treatment of process gases in a plasma excited by in particular high-frequency electromagnetic waves comprising a plasma chamber, a generator for generating the electromagnetic waves and a waveguide arrangement for Supply of electromagnetic waves into the plasma chamber. Furthermore, the invention relates to a method for the treatment of process gases in a plasma, are generated in the electromagnetic waves and fed to a plasma chamber.
  • Plasma devices have been known in the art for decades and are used as external plasma sources for isotropically etching different layers on semiconductor substrates and removing damaged silicon layers on the back side of the semiconductor substrate after mechanical thin grinding of the silicon substrates. Furthermore, external plasma sources are used for cleaning process chambers for coating processes of so-called chemical vapor deposition processes with and without plasma assistance. Further, they are used for conditioning surfaces of plastics and other materials by excited oxygen, nitrogen or hydrogen. Another field of application is the decomposition of grossly polluting greenhouse gases such as carbon tetrafluoride, sulfur hexafluoride and nitrogen trifluoride, etc., which are used as process gases during the production of integrated circuits and are only partially consumed in the individual process steps.
  • greenhouse gases such as carbon tetrafluoride, sulfur hexafluoride and nitrogen trifluoride, etc.
  • the object of the invention is to provide a device and a method for the treatment of process gases in a plasma, which is suitable by its design features and method steps, even at higher powers of the electromagnetic waves to distribute the supplied energy as evenly as possible over the gas discharge chamber.
  • the device comprises a plasma chamber which is lined with a dielectric, a generator for generating the electromagnetic waves and a waveguide arrangement for supplying the electromagnetic waves into the plasma chamber, wherein the waveguide arrangement has at least two feed points, each having an E-field waveguide branch have to feed the electromagnetic waves as continuous waves in the dielectric.
  • a multi-sided feeding of the electromagnetic waves is advantageous over a one-sided feed, as this can form a comparatively uniform plasma density over the entire circumference of the plasma chamber.
  • the dielectric, in particular a hollow cylinder, in particular a hollow ceramic cylinder, which covers the inner surfaces of a plasma chamber housing, is therefore uniformly thermally stressed. As a result, a large process window with regard to the parameters gas flow, process pressure and fed microwave power can be ensured.
  • the abovementioned advantage is achieved to a particular extent if the feed points are arranged distributed uniformly around the plasma chamber or the dielectric. With two feed sources, these are then preferably arranged on opposite sides of the plasma chamber. In the case of an even number of feed sources, two feed sources are preferably arranged on opposite sides of the plasma chamber. In principle, however, an odd number of supply sources is possible. An even distribution is also present when the feed sources are arranged substantially uniformly distributed around the plasma chamber.
  • the waveguide arrangement is designed in such a way that it is structurally coherently superimposed by different electromagnetic waves fed in in particular to all feed points, in particular in the center of the plasma chamber.
  • the device may be designed such that the electromagnetic waves fed by the feed points are generated by a single or common generator.
  • the waveguide arrangement may have at least one waveguide branch in order to supply the electromagnetic waves to a plurality of feed points, the lengths of the respective sections of the waveguide arrangement being different from the respective waveguide branch to the respective feed points equal to or a multiple of half the wavelength of the electromagnetic waves ,
  • the respective feed point has an oscillator element which forms an oscillator together with the respective E-field waveguide branching.
  • the inner cross section of the respective section of the waveguide arrangement, with which the waveguide arrangement rests against the dielectric is completely covered by the dielectric. In this way, a complete supply of the energy of the electromagnetic waves to the dielectric can also be ensured.
  • This aspect is also claimed independently of the at least two feed points.
  • the invention therefore also relates to a device for treating process gases in an electromagnetic wave excited plasma, comprising a plasma chamber lined with a dielectric, a generator for generating the electromagnetic waves and a waveguide arrangement for feeding the electromagnetic waves into the plasma chamber the inner cross section of the respective section of the waveguide arrangement, with which the waveguide arrangement bears against the dielectric, is completely covered by the dielectric.
  • an ignition device for igniting a plasma is provided in the plasma chamber, wherein the ignition device comprises an ignition element with at least one elongated ignition section. With such an ignition device ignition of the plasma can be achieved even at low power levels of the supplied electromagnetic wave.
  • the ignition device in particular the ignition element, be designed such that the longitudinal axis of the or at least one ignition section is oriented at an angle of at most 45 °, in particular at least substantially parallel to the propagation direction of the electromagnetic waves at least one feed point.
  • the invention relates to a method for the treatment of process gases in a plasma excited by electromagnetic waves, in which generates the electromagnetic waves and one lined with a dielectric Plasma chamber are supplied such that the electromagnetic waves are fed to at least two, each having an E-field waveguide branching feed points as continuous waves in the dielectric. Further developments of the method according to the invention result in an analogous manner from the developments of the device according to the invention.
  • Electromagnetic waves in particular microwaves, in particular with the customary and ex officio approved frequencies of 2.45 GHz, 5.8 GHz and 915 MHz, are used in the device and the method according to the invention.
  • FIG. 1 is a schematic representation of a plasma apparatus
  • FIG. 2 is a schematic representation of a plasma apparatus according to the invention
  • Fig. 3 is a schematic representation of another invention
  • FIG. 4 shows an atmospheric pressure plasma device according to the invention in FIG.
  • FIG. 5 shows the atmospheric pressure plasma apparatus of FIG. 4 in longitudinal section
  • FIG. 6 shows a low-pressure plasma device according to the invention in cross-section
  • FIG. 7 shows the low-pressure plasma apparatus from FIG. 6 in longitudinal section, FIG.
  • FIG. 8 shows an ignition apparatus for the atmospheric pressure plasma apparatus of FIGS. 4, and
  • the electromagnetic waves are generated according to Fig. 1 to 3 in a microwave generator 1 1 and passed by a waveguide 12 via a tuning device 13 to a plasma chamber housing 14, in which a ceramic cylinder 1 6 or a tube or a tube is inserted.
  • the electromagnetic waves are conducted directly to the plasma chamber housing 14 (FIG. 1) or split in pairs at a particular first waveguide branch 15a and, if desired, branched again at two further waveguide branches 15b and guided to the plasma chamber housing 14 and then to the ceramic cylinder 1 6, where they can propagate through E-field waveguide branches 18 as traveling waves in the ceramic (FIGS. 2 and 3).
  • the boundaries of the electromagnetic waves in the ceramic form on the one hand the inner surfaces of the plasma chamber housing 14 made of metal and on the other hand a layer of high electron concentration in the plasma, which forms near the inner surface of the ceramic cylinder 1 6.
  • FIGS. 4 and 5 describe a first device according to the invention and a method which is predominantly used under atmospheric pressure, before at a pressure ranging between 10 kPa and 1 MPa, the electromagnetic wave in the present device being supplied to the plasma chamber 25 from both sides.
  • the electromagnetic wave can also be supplied only from one side of the plasma chamber 25 and the opposite opening for feeding the microwave is in this case closed or even not present at all.
  • a double-sided feed by means of constructive coherent waves 17 is advantageous over a one-sided feeding of the microwave, as this already forms a perfect coaxial TM mode 19 at the feed plane, the plasma over a very large process window well stabilized in terms of gas flow and fed microwave power.
  • the electric field of the electromagnetic wave is shown schematically by the vectors 27. As is apparent from Figs. 4 and 5, the inner cross section of the rectangular waveguide 12 is completely covered at the feed points of the ceramic cylinder 1 6.
  • an oscillator pin 28 is advantageous, wherein in each case an oscillator is formed, which consists of an E-field Waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6 and the adjacent oscillator pin 28 consists.
  • the position, the height and the cross section of the oscillator pin 28 are chosen so that the incoming wave is almost completely fed via the E-field waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6.
  • the cross section of the oscillator pin 28 can be round, elliptical or rectangular, but also have a different shape. A remaining tuning of the plasma devices in FIGS. 1 to 3 takes place via the tuning devices 13.
  • the process gas is introduced through in particular two gas inlets 21 tangentially to the ceramic cylinder 1 6 in the plasma chamber 25 to generate there a rotating flow toward the gas outlet 24.
  • the plasma is ignited by an igniter 37, in detail 37a or 37b (FIGS. 8 and 9), and extends in a frusto-conical shape over the entire length of the ceramic cylinder 16 to a reactor cylinder 34 which is made of a heat-resistant metal alloy. exists.
  • a further device according to the invention and a method is described, which is mainly used in the low-pressure region, preferably at a pressure in the range between 10 Pa and 1500 Pa, particularly preferably at a pressure in the range between 30 Pa and 300 Pa, wherein the electromagnetic wave is supplied in the present device from both sides of the plasma chamber 25, in which case the electric field of the shaft is perpendicular to the axis of the ceramic cylinder 1 6.
  • the electromagnetic wave can also be supplied only from one side of the plasma chamber 25 and the opposite opening for feeding the microwave is in this case closed or even not present at all.
  • an H-mode of the electromagnetic wave may be formed with a waveguide surface formed by the inner surface 29 of the plasma chamber housing 14 and the opposite surface by the high plasma density 35 near the ceramic surface in the plasma chamber 25.
  • a double-sided feed by means of constructive coherent shafts 17 is advantageous over a one-sided feed of the microwave, as a uniform plasma density is thereby formed over the entire circumference of the ceramic cylinder 16, which results in uniform thermal loading of the ceramic cylinder 16 This allows a very large process window in terms of gas flow, process pressure and fed microwave power.
  • the electric field of the electromagnetic wave is shown schematically by the vectors 27. As is apparent from Figs. 6 and 7, the inner cross section of the rectangular waveguide 12 at the feed points of the ceramic cylinder 1 6 is completely covered.
  • an oscillator pin 28 is advantageous, in each case an oscillator is formed, which consists of an E-field waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6 and the adjacent oscillator pin 28.
  • the position, the height and the cross section of the oscillator pin 28 are chosen so that the incoming wave is almost completely fed via the E-field waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6.
  • the cross section of the oscillator pin 28 can be round, elliptical or rectangular, but also have a different shape. A remaining tuning of the plasma devices in FIGS. 1 to 3 takes place via the tuning devices 13.
  • the process gas is introduced through two gas inlets 22 and 23, wherein the gas inlet 22 opens on the back of the ceramic cylinder 1 6, and the gas inlet 23 opposite the gas outlet 24.
  • the gas inlet 22 on the back of the ceramic cylinder 1 6 is used for better cooling of the ceramic cylinder first 6 in the case of the operation of the plasma device at very low pressure.
  • ceramic components 26 are additionally inserted for sealing the gas inlet 22, which seal the process gas from the environment by means of vacuum seals 36.
  • a gas inlet is provided which enters the plasma chamber in the area of the cylindrical surface of the ceramic cylinder.
  • Igniter devices 37 are shown in FIGS. 8 and 9, in particular for the device in FIGS. 4 and 5, which is predominantly used for plasma under atmospheric pressure, wherein in FIG. 8 a rectangular plate 37a with rounded edges in FIG its longitudinal axis is aligned with the directions of incidence of the electromagnetic wave. To ignite the plasma, this plate 37a, for example by means of a rod, raised in the plane of the rectangular waveguide 14, and there is a corresponding field strength in the center of the plate 37a, the ignition of the plasma even at low power of the fed electromagnetic wave is sufficient.
  • the plate 37a may also be sharpened at its ends arrow-shaped or semi-circular shaped.
  • a star-shaped plate 37b is shown with 6 ends, whose ends are formed as well as the ends of the plate 37a.
  • the advantage of plate 37b over plate 37a is given by the fact that in each rotational position of the plate 37b, a reliable ignition of the plasma takes place.
  • the ignition device 37 may also have 5, 7, 8 and even more ends.

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Abstract

The invention relates to a device for handling process gases in a plasma stimulated by electromagnetic waves, comprising a plasma chamber, which is lined by a dielectric, a generator for generating the electromagnetic waves and a waveguide assembly for feeding the electromagnetic waves into the plasma chamber, wherein the waveguide assembly has at least two feed points, each having an electric field waveguide branch, for feeding the electromagnetic waves as continuous waves into the dielectric.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Prozessgasen in einem Plasma angeregt durch elektromagnetische Wellen hoher Frequenz Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung von Prozessgasen in einem Plasma angeregt durch insbesondere hochfrequente elektromagnetische Wellen umfassend eine Plasmakammer, einen Generator zur Erzeugung der elektromagnetischen Wellen und eine Hohlleiteranordnung zur Zuführung der elektromagnetischen Wellen in die Plasmakammer. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Behandlung von Prozessgasen in einem Plasma, bei dem elektromagnetische Wellen erzeugt und einer Plasmakammer zugeführt werden.  The present invention relates to a device for the treatment of process gases in a plasma excited by in particular high-frequency electromagnetic waves comprising a plasma chamber, a generator for generating the electromagnetic waves and a waveguide arrangement for Supply of electromagnetic waves into the plasma chamber. Furthermore, the invention relates to a method for the treatment of process gases in a plasma, are generated in the electromagnetic waves and fed to a plasma chamber.
Plasmavorrichtungen sind seit Jahrzehnten als Stand der Technik bekannt und werden als externe Plasmaquellen zum isotropen Ätzen von unterschiedlichen Schichten auf Halbleitersubstraten sowie zum Entfernen geschädigter Siliziumschichten auf der Rückseite des Halbleitersubstrats nach einem mechanischen Dünnschleifen der Siliziumsubstrate verwendet. Ferner werden externe Plasmaquellen zum Reinigen von Prozesskammern für Beschichtungsprozesse von so genannten chemischen Gasphasenabscheideprozessen mit und ohne Plasmaun- terstützung verwendet. Weiter werden sie zur Konditionierung von Oberflächen von Kunststoffen und anderen Materialien durch angeregten Sauerstoff, Stickstoff oder Wasserstoff verwendet. Ein weiteres Anwendungsfeld ist das Zerlegen von grob umweltschädlichen Treibhausgasen wie Kohlenstofftetrafluorid, Schwefelhe- xafluorid und Stickstofftrifluorid etc., die im Zuge der Herstellung von integrierten Schaltkreisen als Prozessgase verwendet werden und bei den einzelnen Prozessschritten nur teilweise verbraucht werden. Diese unverbrauchten Prozessgase werden entweder in Niederdruckplasmavorrichtungen zerlegt, welche in die Vakuumpumpleitungen der Ätzanlagen integriert sind, oder in Atmosphärendruckplas- mavorrichtungen aufgespalten, die der Vakuumpumpe nachgeschaltet sind. Die aufgespalteten Prozessgase werden anschließend standardgemäß in Gaswäschern beziehungsweise Gasabsorbern entsorgt. Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Behandlung von Prozessgasen in einem Plasma bereitzustellen, das durch seine Konstruktionsmerkmale und Verfahrensschritte geeignet ist, auch bei höheren Leistungen der elektromagnetischen Wellen die zugeführte Energie möglichst gleichmäßig über die Gasentladungskammer zu verteilen. Plasma devices have been known in the art for decades and are used as external plasma sources for isotropically etching different layers on semiconductor substrates and removing damaged silicon layers on the back side of the semiconductor substrate after mechanical thin grinding of the silicon substrates. Furthermore, external plasma sources are used for cleaning process chambers for coating processes of so-called chemical vapor deposition processes with and without plasma assistance. Further, they are used for conditioning surfaces of plastics and other materials by excited oxygen, nitrogen or hydrogen. Another field of application is the decomposition of grossly polluting greenhouse gases such as carbon tetrafluoride, sulfur hexafluoride and nitrogen trifluoride, etc., which are used as process gases during the production of integrated circuits and are only partially consumed in the individual process steps. These unconsumed process gases are either decomposed into low-pressure plasma devices, which are integrated into the vacuum pump lines of the etching systems, or in atmospheric pressure plasma. splitting maschinenrichtungen downstream of the vacuum pump. The split process gases are then disposed of by default in gas scrubbers or gas absorbers. The object of the invention is to provide a device and a method for the treatment of process gases in a plasma, which is suitable by its design features and method steps, even at higher powers of the electromagnetic waves to distribute the supplied energy as evenly as possible over the gas discharge chamber.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung zur Behandlung von Prozessgasen in einem durch elektromagnetische Wellen angeregten Plasma mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Die Vorrichtung umfasst eine Plasmakammer, die mit einem Dielektrikum ausgekleidet ist, einen Generator zur Erzeu- gung der elektromagnetischen Wellen und eine Hohlleiteranordnung zur Zuführung der elektromagnetischen Wellen in die Plasmakammer, wobei die Hohlleiteranordnung wenigstens zwei Einspeisungsstellen aufweist, die jeweils eine E-Feld- Hohlleiterverzweigung aufweisen, um die elektromagnetischen Wellen als fortlaufende Wellen in das Dielektrikum einzuspeisen. This object is achieved by a device for the treatment of process gases in a plasma excited by electromagnetic waves having the features of claim 1. The device comprises a plasma chamber which is lined with a dielectric, a generator for generating the electromagnetic waves and a waveguide arrangement for supplying the electromagnetic waves into the plasma chamber, wherein the waveguide arrangement has at least two feed points, each having an E-field waveguide branch have to feed the electromagnetic waves as continuous waves in the dielectric.
Eine mehrseitige Einspeisung der elektromagnetischen Wellen ist gegenüber einer einseitigen Einspeisung vorteilhaft, da sich dadurch über den gesamten Umfang der Plasmakammer eine vergleichsweise gleichmäßige Plasmadichte ausbilden kann. Das Dielektrikum, insbesondere ein Hohlzylinder, insbesondere ein Kera- mikhohlzylinder, das bzw. der die Innenflächen eines Plasmakammergehäuses bedeckt, wird daher gleichmäßig thermisch belastet. Hierdurch kann ein großes Prozessfenster hinsichtlich der Parameter Gasdurchfluss, Prozessdruck und eingespeiste Mikrowellenleistung gewährleistet werden. Der vorgenannten Vorteil wird in besonderem Maße erreicht, wenn die Einspei- sungsstellen gleichverteilt um die Plasmakammer bzw. das Dielektrikum herum angeordnet sind. Bei zwei Einspeisungsquellen sind diese dann bevorzugt auf einander gegenüberliegenden Seiten der Plasmakammer angeordnet. Bei einer geradzahligen Anzahl an Einspeisungsquellen sind bevorzugt jeweils zwei Einspeisungsquellen auf einander gegenüberliegenden Seiten der Plasmakammer angeordnet. Grundsätzlich ist aber auch eine ungeradzahlige Anzahl an Einspeisungsquellen möglich. Eine Gleichverteilung liegt auch dann vor, wenn die Einspeisungsquellen im Wesentlichen gleichverteilt um die Plasmakammer herum angeordnet sind. A multi-sided feeding of the electromagnetic waves is advantageous over a one-sided feed, as this can form a comparatively uniform plasma density over the entire circumference of the plasma chamber. The dielectric, in particular a hollow cylinder, in particular a hollow ceramic cylinder, which covers the inner surfaces of a plasma chamber housing, is therefore uniformly thermally stressed. As a result, a large process window with regard to the parameters gas flow, process pressure and fed microwave power can be ensured. The abovementioned advantage is achieved to a particular extent if the feed points are arranged distributed uniformly around the plasma chamber or the dielectric. With two feed sources, these are then preferably arranged on opposite sides of the plasma chamber. In the case of an even number of feed sources, two feed sources are preferably arranged on opposite sides of the plasma chamber. In principle, however, an odd number of supply sources is possible. An even distribution is also present when the feed sources are arranged substantially uniformly distributed around the plasma chamber.
Vorzugsweise ist die Hohlleiteranordnung derart ausgebildet ist, dass sich von verschiedenen, insbesondere allen Einspeisungsstellen eingespeiste elektromagnetische Wellen insbesondere im Zentrum der Plasmakammer konstruktiv kohä- rent überlagern. Alternativ und/oder zusätzlich kann die Vorrichtung derart ausgebildet sein, dass die von den Einspeisungsstellen eingespeisten elektromagnetische Wellen von einem einzigen bzw. gemeinsamen Generator erzeugt werden. Preferably, the waveguide arrangement is designed in such a way that it is structurally coherently superimposed by different electromagnetic waves fed in in particular to all feed points, in particular in the center of the plasma chamber. Alternatively and / or additionally, the device may be designed such that the electromagnetic waves fed by the feed points are generated by a single or common generator.
Insbesondere hierfür kann die Hohlleiteranordnung wenigstens eine Hohlleiterver- zweigung aufweisen, um die elektromagnetischen Wellen mehreren Einspeisungsstellen zuzuführen, wobei die Längen der jeweiligen Abschnitte der Hohlleiteranordnung von der jeweiligen Hohlleiterverzweigung zu den jeweiligen Einspeisungsstellen gleich oder um ein Vielfaches der halben Wellenlänge der elektromagnetischen Wellen voneinander verschieden sind. In particular for this purpose, the waveguide arrangement may have at least one waveguide branch in order to supply the electromagnetic waves to a plurality of feed points, the lengths of the respective sections of the waveguide arrangement being different from the respective waveguide branch to the respective feed points equal to or a multiple of half the wavelength of the electromagnetic waves ,
Um dem Dielektrikum die Energie der elektromagnetischen Wellen möglichst vollständig zuzuführen, ist es bevorzugt, wenn die jeweilige Einspeisungsstelle ein Oszillatorelement aufweist, das zusammen mit der jeweiligen E-Feld-Hohlleiter- verzweigung einen Oszillator bildet. Gemäß einer Ausbildung der Erfindung ist der Innenquerschnitt des jeweiligen Abschnitts der Hohlleiteranordnung, mit dem die Hohlleiteranordnung an dem Dielektrikum anliegt, von dem Dielektrikum vollständig abgedeckt. Hierdurch kann ebenfalls eine vollständige Zuführung der Energie der elektromagnetischen Wellen an das Dielektrikum gewährleistet werden. Dieser Aspekt wird auch unabhängig von den wenigstens zwei Einspeisungsstellen beansprucht. Die Erfindung betrifft daher auch eine Vorrichtung zur Behandlung von Prozessgasen in einem durch elektromagnetische Wellen angeregten Plasma, umfassend eine Plasmakammer, die mit einem Dielektrikum ausgekleidet ist, einen Generator zur Erzeugung der elektromagnetischen Wellen und eine Hohlleiteranordnung zur Zuführung der elektromagnetischen Wellen in die Plasmakammer, wobei der Innenquerschnitt des jeweiligen Abschnitts der Hohlleiteranordnung, mit dem die Hohlleiteranordnung an dem Dielektrikum anliegt, von dem Dielektrikum vollständig abgedeckt wird. In order to supply the energy of the electromagnetic waves as completely as possible to the dielectric, it is preferred if the respective feed point has an oscillator element which forms an oscillator together with the respective E-field waveguide branching. According to one embodiment of the invention, the inner cross section of the respective section of the waveguide arrangement, with which the waveguide arrangement rests against the dielectric, is completely covered by the dielectric. In this way, a complete supply of the energy of the electromagnetic waves to the dielectric can also be ensured. This aspect is also claimed independently of the at least two feed points. The invention therefore also relates to a device for treating process gases in an electromagnetic wave excited plasma, comprising a plasma chamber lined with a dielectric, a generator for generating the electromagnetic waves and a waveguide arrangement for feeding the electromagnetic waves into the plasma chamber the inner cross section of the respective section of the waveguide arrangement, with which the waveguide arrangement bears against the dielectric, is completely covered by the dielectric.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung ist eine Zündeinrichtung zur Zündung eines Plasmas in der Plasmakammer vorgesehen, wobei die Zündeinrichtung ein Zündelement mit wenigstens einem länglichen Zündabschnitt umfasst. Mit einer derartigen Zündeinrichtung kann eine Zündung des Plasmas auch bei gerin- gen Leistungen der eingespeisten elektromagnetischen Welle erreicht werden. According to a further embodiment of the invention, an ignition device for igniting a plasma is provided in the plasma chamber, wherein the ignition device comprises an ignition element with at least one elongated ignition section. With such an ignition device ignition of the plasma can be achieved even at low power levels of the supplied electromagnetic wave.
Dabei kann die Zündeinrichtung, insbesondere das Zündelement, derart ausgebildet sein, dass die Längsachse des oder wenigstens eines Zündabschnitts unter einem Winkel von höchstens 45°, insbesondere zumindest im Wesentlichen paral- lel, zu der Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Wellen an zumindest einer Einspeisungsstelle orientiert ist. In this case, the ignition device, in particular the ignition element, be designed such that the longitudinal axis of the or at least one ignition section is oriented at an angle of at most 45 °, in particular at least substantially parallel to the propagation direction of the electromagnetic waves at least one feed point.
Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Behandlung von Prozessgasen in einem durch elektromagnetische Wellen angeregten Plasma, bei dem die elektro- magnetische Wellen erzeugt und einer mit einem Dielektrikum ausgekleideten Plasmakammer derart zugeführt werden, dass die elektromagnetischen Wellen an wenigstens zwei, jeweils eine E-Feld-Hohlleiterverzweigung aufweisende Einspei- sungsstellen als fortlaufende Wellen in das Dielektrikum eingespeist werden. Fortbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich in analoger Weise aus den Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Furthermore, the invention relates to a method for the treatment of process gases in a plasma excited by electromagnetic waves, in which generates the electromagnetic waves and one lined with a dielectric Plasma chamber are supplied such that the electromagnetic waves are fed to at least two, each having an E-field waveguide branching feed points as continuous waves in the dielectric. Further developments of the method according to the invention result in an analogous manner from the developments of the device according to the invention.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung und dem erfindungsgemäßen Verfahren kommen elektromagnetische Wellen, insbesondere Mikrowellen, insbesondere mit den gebräuchlichen und von Amts wegen zugelassenen Frequenzen von 2,45 GHz, 5,8 GHz und 915MHz, zum Einsatz. Electromagnetic waves, in particular microwaves, in particular with the customary and ex officio approved frequencies of 2.45 GHz, 5.8 GHz and 915 MHz, are used in the device and the method according to the invention.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind auch in den Unteransprüchen, der Figurenbeschreibung und der Zeichnung beschrieben. Advantageous embodiments of the invention are also described in the subclaims, the description of the figures and the drawing.
Die Erfindung wird im Folgenden beispielhaft unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben. Es zeigen, The invention will now be described by way of example with reference to the drawings. Show it,
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Plasmavorrichtung, 1 is a schematic representation of a plasma apparatus,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Plasmavorrichtung, 2 is a schematic representation of a plasma apparatus according to the invention,
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Fig. 3 is a schematic representation of another invention
Plasmavorrichtung,  Plasma device
Fig. 4 eine erfindungsgemäße Atmosphärendruckplasmavorrichtung im 4 shows an atmospheric pressure plasma device according to the invention in FIG
Querschnitt,  Cross-section,
Fig. 5 die Atmosphärendruckplasmavorrichtung aus Fig. 4 im Längsschnitt, Fig. 6 eine erfindungsgemäße Niederdruckplasmavorrichtung im Querschnitt, 5 shows the atmospheric pressure plasma apparatus of FIG. 4 in longitudinal section, FIG. 6 shows a low-pressure plasma device according to the invention in cross-section,
Fig. 7 die Niederdruckplasmavorrichtung aus Fig. 6 im Längsschnitt, 7 shows the low-pressure plasma apparatus from FIG. 6 in longitudinal section, FIG.
Fig. 8 eine Zündvorrichtung für die Atmosphärendruckplasmavorrichtung aus Fig. 4, und FIG. 8 shows an ignition apparatus for the atmospheric pressure plasma apparatus of FIGS. 4, and
Fig. 9 eine weitere Zündvorrichtung für die Atmosphärendruckpl 9 shows a further ignition device for the atmospheric pressure pl
richtung aus Fig. 4.  direction from FIG. 4.
Die elektromagnetischen Wellen werden entsprechend Fig. 1 bis 3 in einem Mikrowellengenerator 1 1 erzeugt und mittels eines Hohlleiters 12 über eine Abstimm- Vorrichtung 13 zu einem Plasmakammergehäuse 14 geleitet, in das ein Keramikzylinder 1 6 oder ein Rohr bzw. ein Röhrchen eingesetzt ist. Im Einzelnen werden dabei die elektromagnetischen Wellen direkt zum Plasmakammergehäuse 14 geleitet (Fig.1 ) oder an einer insbesondere ersten Hohlleiterverzweigung 15a paarweise aufgeteilt und - falls gewünscht - an zwei weiteren Hohlleiterverzwei- gungen 15b nochmals verzweigt und zum Plasmakammergehäuse 14 geführt und dort dann zum Keramikzylinder 1 6 geleitet, wo sie sich durch E-Feld-Hohl- leiterverzweigungen 18 als laufende Wellen in der Keramik ausbreiten können (Fig. 2 und Fig. 3). Die Begrenzungen der elektromagnetischen Wellen in der Keramik bilden dabei einerseits die inneren Oberflächen des Plasmakammerge- häuses 14 aus Metall und andererseits eine Schicht aus hoher Elektronenkonzentration im Plasma, die sich nahe der inneren Oberfläche des Keramikzylinders 1 6 ausbildet. The electromagnetic waves are generated according to Fig. 1 to 3 in a microwave generator 1 1 and passed by a waveguide 12 via a tuning device 13 to a plasma chamber housing 14, in which a ceramic cylinder 1 6 or a tube or a tube is inserted. In detail, the electromagnetic waves are conducted directly to the plasma chamber housing 14 (FIG. 1) or split in pairs at a particular first waveguide branch 15a and, if desired, branched again at two further waveguide branches 15b and guided to the plasma chamber housing 14 and then to the ceramic cylinder 1 6, where they can propagate through E-field waveguide branches 18 as traveling waves in the ceramic (FIGS. 2 and 3). The boundaries of the electromagnetic waves in the ceramic form on the one hand the inner surfaces of the plasma chamber housing 14 made of metal and on the other hand a layer of high electron concentration in the plasma, which forms near the inner surface of the ceramic cylinder 1 6.
In Fig. 4 und 5 ist eine erste erfindungsgemäße Vorrichtung und ein Verfahren beschrieben, das vorwiegend unter Atmosphärendruck angewendet wird, bevor- zugt bei einem Druck im Bereich zwischen 10 kPa und 1 MPa, wobei die elektromagnetische Welle in der vorliegenden Vorrichtung von beiden Seiten der Plasmakammer 25 zugeführt wird. Die elektromagnetische Welle kann grundsätzlich aber auch nur von einer Seite der Plasmakammer 25 zugeführt werden und die gegenüberliegende Öffnung zur Zuführung der Mikrowelle ist in diesem Fall geschlossen oder bereits überhaupt nicht vorhanden. Die elektromagnetischen Wellen in Fig. 4 und 5 werden mittels Rechteckhohlleiter 12 im H 0 Mode der Plasmakammer 25 zugeführt und im Keramikzylinder 1 6 durch Einspeisungsstellen in Form von E-Feld-Hohlleiterverzweigungen 18 an beiden Seiten des Keramikzylin- ders 1 6 jeweils in zwei gleiche Komponenten aufgespalten, die sich dort in einander entgegengesetzter und jeweils axialer Richtung, d.h. entlang der Längsachse des Keramikzylinders 1 6, als fortlaufende Wellen auszubreiten. Wird in der Plasmakammer 25 das Plasma durch eine Vorrichtung 37 wie in Fig. 8 bzw. Fig. 9 dargestellt gezündet, dann kann sich ein koaxialer TM Mode 19 der elektromagne- tischen Welle ausbilden, wobei der koaxiale Außenleiter durch die innere Oberfläche 29 des Plasmakammergehäuses 14 gebildet wird, und der koaxiale Innenleiter durch die kegelstumpfförmige Plasmawolke 25. Eine doppelseitige Einspeisung mittels konstruktiver kohärenter Wellen 17 ist gegenüber einer einseitigen Einspeisung der Mikrowelle vorteilhaft, da dadurch sich bereits an der Einspeisungsebene ein perfekter koaxialer TM Mode 19 ausbildet, der das Plasma über ein sehr großes Prozessfenster hinsichtlich Gasdurchfluss und eingespeister Mikrowellenleistung gut stabilisiert. Zur Illustration der Ausbreitung der elektromagnetischen Wellen im Hohlleiter 12, in der E-Feld-Hohlleiterverzweigung 18 und im Keramikzylinder 1 6 ist das elektrische Feld der elektromagnetischen Welle schematisch durch die Vektoren 27 dargestellt. Wie sich aus den Fig. 4 und 5 ergibt, wird der Innenquerschnitt der Rechteckhohlleiter 12 an den Einspeisungsstellen von dem Keramikzylinder 1 6 vollständig abgedeckt. FIGS. 4 and 5 describe a first device according to the invention and a method which is predominantly used under atmospheric pressure, before at a pressure ranging between 10 kPa and 1 MPa, the electromagnetic wave in the present device being supplied to the plasma chamber 25 from both sides. In principle, however, the electromagnetic wave can also be supplied only from one side of the plasma chamber 25 and the opposite opening for feeding the microwave is in this case closed or even not present at all. The electromagnetic waves in FIGS. 4 and 5 are supplied by means of rectangular waveguide 12 in the H 0 mode of the plasma chamber 25 and in the ceramic cylinder 1 6 by feed points in the form of E-field waveguide branches 18 on both sides of the Keramikzylin- ders 1 6 in two equal Split components that spread there in opposite and each axial direction, ie along the longitudinal axis of the ceramic cylinder 1 6, as a continuous waves. If the plasma is ignited in the plasma chamber 25 by a device 37 as shown in FIG. 8 or FIG. 9, then a coaxial TM mode 19 of the electromagnetic wave can form, the coaxial outer conductor passing through the inner surface 29 of the plasma chamber housing 14, and the coaxial inner conductor through the frustoconical plasma cloud 25. A double-sided feed by means of constructive coherent waves 17 is advantageous over a one-sided feeding of the microwave, as this already forms a perfect coaxial TM mode 19 at the feed plane, the plasma over a very large process window well stabilized in terms of gas flow and fed microwave power. To illustrate the propagation of the electromagnetic waves in the waveguide 12, in the E-field waveguide junction 18 and in the ceramic cylinder 1 6, the electric field of the electromagnetic wave is shown schematically by the vectors 27. As is apparent from Figs. 4 and 5, the inner cross section of the rectangular waveguide 12 is completely covered at the feed points of the ceramic cylinder 1 6.
Zum Betrieb der Vorrichtung ist auch die Verwendung eines Oszillatorstiftes 28 vorteilhaft, wobei jeweils ein Oszillator gebildet wird, der aus einer E-Feld- Hohlleiterverzweigung 18 im Keramikzylinder 1 6 und dem benachbarten Oszillatorstift 28 besteht. Die Position, die Höhe und der Querschnitt des Oszillatorstiftes 28 sind so gewählt, dass die eintretende Welle nahezu vollständig über die E- Feld-Hohlleiterverzweigung 18 in den Keramikzylinder 1 6 eingespeist wird. Der Querschnitt des Oszillatorstiftes 28 kann rund, elliptisch oder rechteckig sein, aber auch eine andere Form aufweisen. Eine restliche Abstimmung der Plasmavorrichtungen in Fig.1 bis Fig. 3 erfolgt über die Abstimmvorrichtungen 13. For the operation of the device also the use of an oscillator pin 28 is advantageous, wherein in each case an oscillator is formed, which consists of an E-field Waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6 and the adjacent oscillator pin 28 consists. The position, the height and the cross section of the oscillator pin 28 are chosen so that the incoming wave is almost completely fed via the E-field waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6. The cross section of the oscillator pin 28 can be round, elliptical or rectangular, but also have a different shape. A remaining tuning of the plasma devices in FIGS. 1 to 3 takes place via the tuning devices 13.
Das Prozessgas wird durch insbesondere zwei Gaseinlässe 21 tangential zum Keramikzylinder 1 6 in die Plasmakammer 25 eingelassen, um dort eine rotierende Strömung in Richtung Gasauslass 24 zu erzeugen. Das Plasma wird durch eine Zündeinrichtung 37, im Detail 37a, bzw. 37b (Fig. 8 und Fig. 9) gezündet und breitet sich kegelstumpfförmig über die gesamte Länge des Keramikzylinders 1 6 bis zu einem Reaktorzylinder 34 aus, der aus einer hitzebeständigen Metalllegie- rung besteht. The process gas is introduced through in particular two gas inlets 21 tangentially to the ceramic cylinder 1 6 in the plasma chamber 25 to generate there a rotating flow toward the gas outlet 24. The plasma is ignited by an igniter 37, in detail 37a or 37b (FIGS. 8 and 9), and extends in a frusto-conical shape over the entire length of the ceramic cylinder 16 to a reactor cylinder 34 which is made of a heat-resistant metal alloy. exists.
In Fig. 6 und 7 ist eine weitere erfindungsgemäße Vorrichtung und ein Verfahren beschrieben, das vorwiegend im Niederdruckbereich angewendet wird, bevorzugt bei einem Druck im Bereich zwischen 10 Pa und 1500 Pa, besonders bevorzugt bei einem Druck im Bereich zwischen 30 Pa und 300 Pa, wobei die elektromagnetische Welle in der vorliegenden Vorrichtung von beiden Seiten der Plasmakammer 25 zugeführt wird, wobei in diesem Fall das elektrische Feld der Welle senkrecht zur Achse des Keramikzylinders 1 6 steht. Die elektromagnetische Welle kann grundsätzlich aber auch nur von einer Seite der Plasmakammer 25 zugeführt werden und die gegenüberliegende Öffnung zur Zuführung der Mikrowelle ist in diesem Fall geschlossen oder bereits überhaupt nicht vorhanden. Die elektromagnetischen Wellen in Fig. 6 und 7 werden mittels Rechteckhohlleiter 12 im H 0 Mode der Plasmakammer 25 zugeführt und im Keramikzylinder 1 6 durch Einspei- sungsstellen in Form von E-Feld-Hohlleiterverzweigungen 18 an beiden Seiten des Keramikzylinders 1 6 jeweils in zwei gleiche Komponenten aufgespalten, die sich dort in einander entgegengesetzter und jeweils tangentialer Richtung, .d.h. in Umfangsrichtung des Keramikzylinders 1 6, als fortlaufende Wellen auszubreiten. Wird in der Plasmakammer 25 das Plasma gezündet, dann kann sich ein H-Mode der elektromagnetischen Welle ausbilden, wobei eine Hohleiteroberfläche durch die innere Oberfläche 29 des Plasmakammergehäuses 14 gebildet wird, und die gegenüberliegende Oberfläche durch die hohe Plasmadichte 35 nahe der Keramikoberfläche in der Plasmakammer 25. Eine doppelseitige Einspeisung mittels konstruktiver kohärenter Wellen 17 ist gegenüber einer einseitigen Einspeisung der Mikrowelle vorteilhaft, da dadurch über den gesamten Umfang des Keramikzy- linders 1 6 eine gleichmäßige Plasmadichte sich ausbildet, die eine gleichmäßige thermische Belastung des Keramikzylinders 1 6 zur Folge hat und dadurch ein sehr großes Prozessfenster hinsichtlich Gasdurchfluss, Prozessdruck und eingespeister Mikrowellenleistung erlaubt. Zur Illustration der Ausbreitung der elektromagnetischen Wellen im Hohlleiter 12, in der E-Feld-Hohlleiterverzweigung 18 und im Keramikzylinder 1 6 ist das elektrische Feld der elektromagnetischen Welle schematisch durch die Vektoren 27 dargestellt. Wie sich aus den Fig. 6 und 7 ergibt, wird der Innenquerschnitt der Rechteckhohlleiter 12 an den Einspeisungsstellen von dem Keramikzylinder 1 6 vollständig abgedeckt. Zum Betrieb der Vorrichtung ist auch die Verwendung eines Oszillatorstiftes 28 vorteilhaft, wobei jeweils ein Oszillator gebildet wird, der aus einer E-Feld-Hohlleiterverzweigung 18 im Keramikzylinder 1 6 und dem benachbarten Oszillatorstift 28 besteht. Die Position, die Höhe und der Querschnitt des Oszillatorstiftes 28 sind so gewählt, dass die eintretende Welle nahezu vollständig über die E-Feld- Hohlleiterverzweigung 18 in den Keramikzylinder 1 6 eingespeist wird. Der Querschnitt des Oszillatorstiftes 28 kann rund, elliptisch oder rechteckig sein, aber auch eine andere Form aufweisen. Eine restliche Abstimmung der Plasmavorrichtungen in Fig.1 bis Fig. 3 erfolgt über die Abstimmvorrichtungen 13. Das Prozessgas wird durch zwei Gaseinlässe 22 und 23 eingelassen, wobei der Gaseinlass 22 auf der Rückseite des Keramikzylinders 1 6 einmündet, und der Gaseinlass 23 gegenüber dem Gasauslass 24. Der Gaseinlass 22 an der Rückseite des Keramikzylinders 1 6 dient zur besseren Kühlung des Keramikzylinders 1 6 im Falle des Betriebs der Plasmavorrichtung bei sehr geringem Druck. In Fig. 6 und 7 sind zur Abdichtung des Gaseinlasses 22 zusätzlich Keramikbauteile 26 eingefügt, die durch Vakuumdichtungen 36 das Prozessgas gegenüber der Umgebung abdichten. Grundsätzlich und unabhängig von beschriebenen Ausführungsform ist es bevorzugt, wenn ein Gaseinlass vorgesehen ist, der im Bereich der Zylinderfläche des Keramikzylinders in die Plasmakammer eintritt. 6 and 7, a further device according to the invention and a method is described, which is mainly used in the low-pressure region, preferably at a pressure in the range between 10 Pa and 1500 Pa, particularly preferably at a pressure in the range between 30 Pa and 300 Pa, wherein the electromagnetic wave is supplied in the present device from both sides of the plasma chamber 25, in which case the electric field of the shaft is perpendicular to the axis of the ceramic cylinder 1 6. In principle, however, the electromagnetic wave can also be supplied only from one side of the plasma chamber 25 and the opposite opening for feeding the microwave is in this case closed or even not present at all. The electromagnetic waves in FIGS. 6 and 7 are supplied by means of rectangular waveguide 12 in the H 0 mode of the plasma chamber 25 and in the ceramic cylinder 1 6 by Einspei- sungsstellen in the form of E-field waveguide branches 18 on both sides of the ceramic cylinder 1 6 in two equal Components split, the There in opposite and each tangential direction .Dh in the circumferential direction of the ceramic cylinder 1 6, to spread as continuous waves. When the plasma is ignited in the plasma chamber 25, an H-mode of the electromagnetic wave may be formed with a waveguide surface formed by the inner surface 29 of the plasma chamber housing 14 and the opposite surface by the high plasma density 35 near the ceramic surface in the plasma chamber 25. A double-sided feed by means of constructive coherent shafts 17 is advantageous over a one-sided feed of the microwave, as a uniform plasma density is thereby formed over the entire circumference of the ceramic cylinder 16, which results in uniform thermal loading of the ceramic cylinder 16 This allows a very large process window in terms of gas flow, process pressure and fed microwave power. To illustrate the propagation of the electromagnetic waves in the waveguide 12, in the E-field waveguide junction 18 and in the ceramic cylinder 1 6, the electric field of the electromagnetic wave is shown schematically by the vectors 27. As is apparent from Figs. 6 and 7, the inner cross section of the rectangular waveguide 12 at the feed points of the ceramic cylinder 1 6 is completely covered. For the operation of the device, the use of an oscillator pin 28 is advantageous, in each case an oscillator is formed, which consists of an E-field waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6 and the adjacent oscillator pin 28. The position, the height and the cross section of the oscillator pin 28 are chosen so that the incoming wave is almost completely fed via the E-field waveguide branch 18 in the ceramic cylinder 1 6. The cross section of the oscillator pin 28 can be round, elliptical or rectangular, but also have a different shape. A remaining tuning of the plasma devices in FIGS. 1 to 3 takes place via the tuning devices 13. The process gas is introduced through two gas inlets 22 and 23, wherein the gas inlet 22 opens on the back of the ceramic cylinder 1 6, and the gas inlet 23 opposite the gas outlet 24. The gas inlet 22 on the back of the ceramic cylinder 1 6 is used for better cooling of the ceramic cylinder first 6 in the case of the operation of the plasma device at very low pressure. In FIGS. 6 and 7 ceramic components 26 are additionally inserted for sealing the gas inlet 22, which seal the process gas from the environment by means of vacuum seals 36. In principle and independently of the described embodiment, it is preferred if a gas inlet is provided which enters the plasma chamber in the area of the cylindrical surface of the ceramic cylinder.
In Fig. 8 und Fig. 9 sind Zündeinrichtungen 37 dargestellt, insbesondere für die Vorrichtung in Fig. 4 und Fig. 5, die vorwiegend für Plasma unter Atmosphärendruck angewendet wird, wobei in Fig. 8 eine rechteckförmige Platte 37a mit abge- rundeten Kanten in seiner Längsachse zu den Einfallsrichtungen der elektromagnetischen Welle ausgerichtet ist. Zum Zünden des Plasmas wird diese Platte 37a, beispielsweise mittels eines Stabs, in die Ebene des Rechteckhohleiters 14 hochgefahren, und es entsteht dabei eine entsprechende Feldstärke im Zentrum der Platte 37a, die zur Zündung des Plasmas selbst bei geringen Leistungen der ein- gespeisten elektromagnetischen Welle ausreichend ist. Die Platte 37a kann an seinen Enden auch pfeilförmig zugespitzt sein oder auch halbrund geformt sein. Igniter devices 37 are shown in FIGS. 8 and 9, in particular for the device in FIGS. 4 and 5, which is predominantly used for plasma under atmospheric pressure, wherein in FIG. 8 a rectangular plate 37a with rounded edges in FIG its longitudinal axis is aligned with the directions of incidence of the electromagnetic wave. To ignite the plasma, this plate 37a, for example by means of a rod, raised in the plane of the rectangular waveguide 14, and there is a corresponding field strength in the center of the plate 37a, the ignition of the plasma even at low power of the fed electromagnetic wave is sufficient. The plate 37a may also be sharpened at its ends arrow-shaped or semi-circular shaped.
In Fig. 9 ist eine sternförmige Platte 37b mit 6 Enden abgebildet, deren Enden ebenso ausgebildet sind wie die Enden der Platte 37a. Der Vorteil von Platte 37b gegenüber Platte 37a ist dadurch gegeben, dass in jeder Drehlage der Platte 37b eine sichere Zündung des Plasma erfolgt. Die Zündeinrichtung 37 kann aber auch 5, 7, 8 und noch weitere Enden aufweisen. In Fig. 9, a star-shaped plate 37b is shown with 6 ends, whose ends are formed as well as the ends of the plate 37a. The advantage of plate 37b over plate 37a is given by the fact that in each rotational position of the plate 37b, a reliable ignition of the plasma takes place. However, the ignition device 37 may also have 5, 7, 8 and even more ends.

Claims

Patentansprüche Patent claims
Vorrichtung zur Behandlung von Prozessgasen in einem durch elektromagnetische Wellen angeregten Plasma, umfassend eine Plasmakammer (25), die mit einem Dielektrikum (16) ausgekleidet ist, einen Generator (11) zur Erzeugung der elektromagnetischen Wellen und eine Hohlleiteranordnung (12) zur Zuführung der elektromagnetischen Wellen in die Plasmakammer (25), wobei die Hohlleiteranordnung (12) wenigstens zwei, jeweils eine E- Feld-Hohlleiterverzweigung (18) aufweisende Einspeisungsstellen zur Ein- speisung der elektromagnetischen Wellen als fortlaufende Wellen in das Dielektrikum (16) aufweist. Device for treating process gases in a plasma excited by electromagnetic waves, comprising a plasma chamber (25) which is lined with a dielectric (16), a generator (11) for generating the electromagnetic waves and a waveguide arrangement (12) for supplying the electromagnetic waves Waves into the plasma chamber (25), the waveguide arrangement (12) having at least two feed points, each with an E-field waveguide branch (18), for feeding the electromagnetic waves as continuous waves into the dielectric (16).
Vorrichtung nach Anspruch 1 , Device according to claim 1,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass die Einspeisungsstellen gleichverteilt um die Plasmakammer (25) herum, insbesondere jeweils zwei Einspeisungsquellen auf einander gegenüberliegenden Seiten der Plasmakammer (25), angeordnet sind. that the feed points are arranged evenly distributed around the plasma chamber (25), in particular two feed sources on opposite sides of the plasma chamber (25).
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, Device according to claim 1 or 2,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass die Hohlleiteranordnung (12) derart ausgebildet ist, dass sich von verschiedenen Einspeisungsstellen eingespeiste elektromagnetische Wellen in der Plasmakammer konstruktiv kohärent überlagern. that the waveguide arrangement (12) is designed in such a way that electromagnetic waves fed in from different feed points overlap in a structurally coherent manner in the plasma chamber.
4. Vorrichtung nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , 4. Device according to at least one of the preceding claims, characterized in that
dass die Hohlleiteranordnung (12) wenigstens eine Hohlleiterverzweigung (15a, 15b) aufweist, um die elektromagnetischen Wellen mehreren Einspei- sungsstellen zuzuführen, wobei die Längen der jeweiligen Abschnitte der Hohlleiteranordnung (12) von der jeweiligen Hohlleiterverzweigung (15a, 15b) zu den jeweiligen Einspeisungsstellen gleich oder um ein Vielfaches der halben Wellenlänge der elektromagnetischen Wellen voneinander verschieden sind. in that the waveguide arrangement (12) has at least one waveguide branch (15a, 15b) in order to supply the electromagnetic waves to several feed points, the lengths of the respective sections of the waveguide arrangement (12) from the respective waveguide branch (15a, 15b) to the respective feed points are the same as or different from each other by a multiple of half the wavelength of the electromagnetic waves.
5. Vorrichtung nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche, 5. Device according to at least one of the preceding claims,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass die jeweilige Einspeisungsstelle ein Oszillatorelement (28) aufweist, das zusammen mit der jeweiligen E-Feld-Hohlleiterverzweigung (18) einen Oszillator bildet. that the respective feed point has an oscillator element (28) which, together with the respective E-field waveguide branch (18), forms an oscillator.
6. Vorrichtung nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche, 6. Device according to at least one of the preceding claims,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass das Dielektrikum (16) als Hohlzylinder ausgebildet ist. that the dielectric (16) is designed as a hollow cylinder.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, 7. Device according to claim 6,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass der Innenquerschnitt des jeweiligen Abschnitts der Hohlleiteranordnung (12), mit dem die Hohlleiteranordnung (12) an dem Dielektrikum (16) anliegt, von dem Dielektrikum (16) vollständig abgedeckt wird. that the inner cross section of the respective section of the waveguide arrangement (12), with which the waveguide arrangement (12) lies against the dielectric (16), is completely covered by the dielectric (16).
8. Vorrichtung nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche, 8. Device according to at least one of the preceding claims,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass eine Zündeinrichtung (37) zur Zündung eines Plasmas in der Plasmakammer (25) vorgesehen ist, wobei die Zündeinrichtung (37) ein Zün- delement (37a, 37b) mit wenigstens einem länglichen Zündabschnitt um- fasst. that an ignition device (37) is provided for igniting a plasma in the plasma chamber (25), the ignition device (37) being an ignition element (37a, 37b) with at least one elongated ignition section.
Vorrichtung nach Anspruch 8, Device according to claim 8,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , characterized ,
dass die Zündeinrichtung (37), insbesondere das Zündelement (37a, 37b), derart ausgebildet ist, dass die Längsachse des oder wenigstens eines Zündabschnitts unter einem Winkel von höchstens 45°, insbesondere zumindest im Wesentlichen parallel, zu der Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Wellen an zumindest einer Einspeisungsstelle orientiert ist. in that the ignition device (37), in particular the ignition element (37a, 37b), is designed such that the longitudinal axis of the or at least one ignition section is at an angle of at most 45 °, in particular at least substantially parallel, to the direction of propagation of the electromagnetic waves at least is oriented towards a feed point.
Verfahren zur Behandlung von Prozessgasen in einem durch elektromagnetische Wellen angeregten Plasma, bei dem die elektromagnetische Wellen erzeugt und einer mit einem Dielektrikum ausgekleideten Plasmakammer derart zugeführt werden, dass die elektromagnetischen Wellen an wenigstens zwei, jeweils eine E-Feld-Hohlleiterverzweigung aufweisende Ein- speisungsstellen als fortlaufende Wellen in das Dielektrikum eingespeist werden. Method for treating process gases in a plasma excited by electromagnetic waves, in which the electromagnetic waves are generated and fed to a plasma chamber lined with a dielectric in such a way that the electromagnetic waves are delivered to at least two feed points, each with an E-field waveguide branch continuous waves are fed into the dielectric.
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