WO2001067540A1 - Shielding metal plate and circuit device comprising the same - Google Patents

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WO2001067540A1
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plate
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Yoji Ohashi
Toshihiro Simura
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Definitions

  • the present invention relates to a shield metal plate and a circuit device using the same.
  • it relates to shield metal plates suitable for millimeter wave and microwave circuit devices.
  • a shield member that performs electromagnetic shielding to prevent direct contact with the outside or crosstalk with peripheral circuits.
  • the evening plate is essential.
  • such a shield metal plate is used as a shield cover member for an integrated circuit or a circuit device having an integrated circuit, which is a target for preventing direct contact with the outside or crosstalk with peripheral circuits.
  • This parallel plate mode is equivalent to the so-called waveguide mode, and causes radiation loss due to power leakage, or crosstalk or interference with peripheral circuits and packages.
  • an object of the present invention is to provide a novel metal shield structure to prevent unnecessary parallel plate mode propagation in a shield plate without directly processing an integrated circuit or package to be shielded. It is to control.
  • the present invention provides a photonic with an arbitrary shape for a metal shield used as a shield or a cover at an interval corresponding to half the guided wavelength of a parallel plate mode. It forms a band gap (hereinafter referred to as PBG) device.
  • PBG band gap
  • the shape of this PBG element can be circular, rectangular, square, or any other polygon.
  • the suppression level in the parallel plate mode depends on the number of repetitions of the PBG element, the size and spacing of the PBG element. It is determined by the ratio and the height (depth) of the PBG element. Therefore, the suppression level of the parallel plate mode can be increased by increasing the number of PBG elements provided on the metal cover, the size of the PBG elements, and the height of the PBG.
  • the PBG elements are uniformly arranged on the metal plate, it is possible to suppress parallel plate mode propagation in any direction.
  • FIG. 1 is an embodiment of the present invention, and shows an example in which a shield metal plate 1 is used as a shield cover for a microstrip circuit.
  • Fig. 2 shows an embodiment in which the present invention is applied to a coplanar waveguide. It is the figure which observed the structure from the upper part.
  • FIG. 3 is a diagram showing measurement data of the microstrip circuit 2 in the embodiment of FIG.
  • FIG. 4 shows another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 shows an embodiment in which the shape of the PBG element 10 is a square pole.
  • FIG. 6 shows characteristic data corresponding to the embodiment of FIG.
  • FIG. 7 shows still another embodiment, in which the shape of the PBG element 10 is a hexagonal prism.
  • FIG. 8 shows characteristic data corresponding to the embodiment of FIG.
  • FIG. 9 shows characteristic data in still another dimension corresponding to the embodiment of FIG. Description of an embodiment of the present invention
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention. An example is shown in which the shield metal plate 1 according to the present invention is used as a shield cover for a microstrip circuit.
  • FIG. 1 (A) is a view of the shield metal plate 1 as viewed from the back surface.
  • the hollow metal column 10 has a diameter D as a size, and a plurality of hollow columns 10 are provided at a center interval P.
  • FIG. 1B is a diagram showing a cross-sectional structure of the shield metal plate 1.
  • the height of a plurality of hollow cylinders 10 as PBG elements provided at a center interval P is defined by d.
  • the shield metal plate 1 is disposed with a gap g on the substrate 20 of the microstrip circuit 2 having the microstrip conductor 21 on the front surface and the ground plate 22 formed on the back surface.
  • FIG. 1 (C) is a perspective view of the shield metal plate 1, in which the microstrip conductor 21 is formed on the substrate 20 of the microstrip circuit 2, and Covered by metal plate 1.
  • FIG. 2 is a diagram observing the configuration of an embodiment in which the present invention is applied to a coplanar waveguide circuit from above.
  • a coplanar waveguide 3 is formed on a substrate 20 with a central transmission conductor 21 and ground planes 22 and 23 disposed on both sides thereof. ing.
  • the shield metal plate 1 is disposed on the front side of the substrate 20 so as to cover the center conductor 21 of the coplanar waveguide 3 and the ground planes 22, 23 arranged on both sides thereof. Are located in
  • FIG. 3 is a diagram showing measurement data when the shield metal plate 1 is applied to the microstrip circuit 2 as shown in FIG.
  • the condition is that the diameter D of the hollow cylinder is 1.2 mm, the center interval P is 1.62 mm, the height d is 1.2 mm, the number of repeating rows is 9, and the gap g with the microstrip circuit 2 is g. This is the measurement data when the value is set to 0.5 mm.
  • the graph of S11 is the amount of reflection from the first port
  • the graph of S21 is the amount of transmission from the first port to the second port.
  • Pp is parallel plate mode
  • ms is microstrip mode.
  • the unnecessary parallel plate mode is given about ⁇ 10 dB of suppression at 76 GHz without affecting the desired microstrip mode propagation. (See S21 (pp)).
  • FIG. 4 shows another embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 shows a cross section of a shield metal plate 1 disposed above a coplanar waveguide 3 similarly to FIG.
  • the shield metal plate 1 is used as a central member, and a metal member 12 is formed on a dielectric central member 11 such as a plastic resin. Furthermore, the portion constituting the PBG element 10 can be a void or filled with a dielectric.
  • FIG. 5 This is an embodiment in which the shape of the element 10 is a square pole.
  • FIG. 5 (A) shows the upper part of the shield mail plate 1 in a see-through manner without illustration.
  • FIG. 5B shows an arrangement of hollow square pillars as PBG elements.
  • Figure 5 Each dimension in the embodiment is represented by the size D of the side of the rectangular prism, the center interval P, and the height d.
  • FIG. 6 shows characteristics data corresponding to the embodiment of FIG.
  • the unnecessary parallel plate mode can suppress 110 dB or more at 76 GHz without affecting the desired microstrip mode propagation. Has been given.
  • FIG. 7 shows still another embodiment, in which the shape of the PBG element 10 is a hexagonal prism.
  • FIG. 7 (A) shows the upper portion of the shielded mail plate 1 in a see-through manner as in FIG. 5 (A).
  • Figure 7 (B) shows the arrangement of hexagonal prisms.
  • Each dimension in the embodiment of FIG. 7 is represented by the size D of the side of the square pole, the center interval P, the depth c of the corner, and the height d.
  • FIG. 8 shows characteristic data corresponding to the embodiment of FIG.
  • the unnecessary parallel plate mode is given a suppression of --12 dB or more at 76 GHz without affecting the desired microstrip mode propagation. I have.
  • the unnecessary parallel plate mode does not affect the desired microstrip mode transmission, and the characteristic data in this case is 76 GHz And a suppression of more than 13 dB. Therefore, even if the height of the PBG element is changed, It can be understood that the mode suppression amount is increased.
  • the shielded metal plate of the present invention can be used without being limited to the microstrip circuit for the object to be shielded.

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Abstract

A shielding metal plate suitable for a millimeter-wave circuit, especially a microwave circuit, characterized in that the plate is provided with gap parts periodically arranged, and the interval between the gap parts is half the propagation wavelength of a parallel plate mode.

Description

明細書 シールドメタルプレート及びこれを用いた回路装置 発明の背景  Description Shield metal plate and circuit device using the same
発明の属する技術分野 Technical field to which the invention belongs
本発明は、 シールドメタルプレート及びこれを用いた回路装置に関する。 特 にミ リ波、 マイクロ波用回路装置に適したシールドメタルプレートに関する。 従来の技術  The present invention relates to a shield metal plate and a circuit device using the same. In particular, it relates to shield metal plates suitable for millimeter wave and microwave circuit devices. Conventional technology
ミリ波、 マイクロ波、 あるいはそれ以下の周波数帯域における集積回路ある いは集積回路を備える回路装置において、 外部との直接接触あるいは、 周辺回 路とのクロストークを防止するために電磁シールドを行うシールドメ夕ルプレ 一トは不可欠のものである。  In a circuit device equipped with an integrated circuit or an integrated circuit in the millimeter wave, microwave or lower frequency band, a shield member that performs electromagnetic shielding to prevent direct contact with the outside or crosstalk with peripheral circuits. The evening plate is essential.
すなわち、 かかるシールドメタルプレートは外部との直接接触あるいは、 周 辺回路とのクロス トークを防止する対象とされる集積回路あるいは集積回路を 備える回路装置に対し、 シールドカバ一部材として用いられる。  That is, such a shield metal plate is used as a shield cover member for an integrated circuit or a circuit device having an integrated circuit, which is a target for preventing direct contact with the outside or crosstalk with peripheral circuits.
しかし、 従来構造におけるシールドメタルプレートを用いる場合、 一般にシ ールドメタルプレートとシールド対象とされる構造体の金属部分との間で不要 なパラレルプレートモードが生じる可能性が高いものであった。 このパラレル プレートモードは、 いわゆる導波管モードに等しいものであり、 パワーリーク による放射損失、 あるいは周辺回路、 パッケージとの間でのクロストークある いは干渉を生じさせる。  However, when using the shield metal plate in the conventional structure, there is generally a high possibility that an unnecessary parallel plate mode will occur between the shield metal plate and the metal part of the structure to be shielded. This parallel plate mode is equivalent to the so-called waveguide mode, and causes radiation loss due to power leakage, or crosstalk or interference with peripheral circuits and packages.
フォトニックバンドギャップ （Photonic band gap ) 構造により不要モード の抑圧を行うことが既に提案され、 種々検討が加えられている。 フォ トニック バンドギヤップ構造は帯域阻止機能を示し、 しばしばフィル夕に用いられる。 そして、 2次元構造のフォトニックバンドギャップ構造を回路上に直接設け ることにより、 高次モードの伝搬を抑制し、 ある場合には、 回路における不要 なパラレルプレートモ一ド伝搬を回避することが提案されている。 しかしながら、 実際の適用に当たっては、 不要なパラレルプレートモード伝 搬を抑圧するためには、 かかる 2次元構造のフォトニックバンドギヤップ構造 を回路上に直接設けることは非常に難しく、 同時に通常モードの伝搬に対して 影響を与えてしまうものであった。 発明の概要 It has already been proposed to suppress unnecessary modes using a photonic band gap (Photonic band gap) structure, and various studies have been made. The photonic bandgap structure exhibits a band rejection function, and is often used in filters. By providing a two-dimensional photonic bandgap structure directly on the circuit, the propagation of higher-order modes can be suppressed, and in some cases, unnecessary parallel plate mode propagation in the circuit can be avoided. Proposed. However, in actual application, it is very difficult to directly provide such a two-dimensional photonic bandgap structure on a circuit in order to suppress unnecessary parallel plate mode propagation. It had an effect on them. Summary of the Invention
かかる事情に鑑みて本発明の目的は、 シールドされるべき集積回路あるいは パッケージに直接の加工を施すことなく、 新規のメタルシールド構造によりシ ールドメ夕ルプレートにおける不要のパラレルプレ一トモ一ド伝搬を抑制する ことにある。  In view of such circumstances, an object of the present invention is to provide a novel metal shield structure to prevent unnecessary parallel plate mode propagation in a shield plate without directly processing an integrated circuit or package to be shielded. It is to control.
この目的を達成するために本発明は、 シールドあるいはカーバ一として用い られるメタルシールドに任意の形状で、 パラレルプレートモ一ドの伝搬波長 ( guided wavelength) の半分の大きさに相当する間隔でフォトニックバンド ギャップ （以下、 適宜 P B Gという） 素子を形成するものである。  In order to achieve this object, the present invention provides a photonic with an arbitrary shape for a metal shield used as a shield or a cover at an interval corresponding to half the guided wavelength of a parallel plate mode. It forms a band gap (hereinafter referred to as PBG) device.
この P B G素子の形状は、 円形、 長方形、 四角形あるいは、 その他の多角形 とすることが可能であり、 パラレルプレートモードの抑圧レベルは、 P B G素 子の繰り返しの数、 P B G素子の大きさと間隔との比、 及び P B G素子の高さ (深さ） で決められる。 したがって、 メタルカバーに設けられる P B G素子の 数、 P B G素子の大きさと P B Gの高さを増すことにより、 パラレルプレート モ一ドの抑圧レベルを大きくすることができる。  The shape of this PBG element can be circular, rectangular, square, or any other polygon.The suppression level in the parallel plate mode depends on the number of repetitions of the PBG element, the size and spacing of the PBG element. It is determined by the ratio and the height (depth) of the PBG element. Therefore, the suppression level of the parallel plate mode can be increased by increasing the number of PBG elements provided on the metal cover, the size of the PBG elements, and the height of the PBG.
さらに、 P B G素子は、 メタルプレートに均一に配置されるので、 パラレル プレートモード伝搬をいずれの方向においても抑制が可能である。  Furthermore, since the PBG elements are uniformly arranged on the metal plate, it is possible to suppress parallel plate mode propagation in any direction.
本発明の更なる特徴は、 以下の図面を参照して説明される発明の実施の形態 から明らかになる。 図面の簡単な説明  Further features of the present invention will be apparent from embodiments of the present invention described with reference to the following drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1は、 本発明の実施例であり、 シールドメタルプレート 1をマイクロス ト リップ回路に対するシールドカバーとして使用する例を示す図である。  FIG. 1 is an embodiment of the present invention, and shows an example in which a shield metal plate 1 is used as a shield cover for a microstrip circuit.
図 2は、 本発明を共平面導波回路 （coplanar waveguide) に適用した実施例 構成を上方より観察した図である。 Fig. 2 shows an embodiment in which the present invention is applied to a coplanar waveguide. It is the figure which observed the structure from the upper part.
図 3は、 図 1の実施例におけるマイクロストリップ回路 2の測定デ一夕を示 す図である。  FIG. 3 is a diagram showing measurement data of the microstrip circuit 2 in the embodiment of FIG.
図 4は、 本発明の他の実施例である。  FIG. 4 shows another embodiment of the present invention.
図 5は、 P B G素子 1 0の形状を四角柱とする実施例である。  FIG. 5 shows an embodiment in which the shape of the PBG element 10 is a square pole.
図 6は、 図 5の実施例に対応する特性データである。  FIG. 6 shows characteristic data corresponding to the embodiment of FIG.
図 7は、 更に別の実施例であり、 P B G素子 1 0の形状を六角柱とする実施 例である。  FIG. 7 shows still another embodiment, in which the shape of the PBG element 10 is a hexagonal prism.
図 8は、 図 7の実施例に対応する特性データである。  FIG. 8 shows characteristic data corresponding to the embodiment of FIG.
図 9は、 図 7の実施例に対応する更に別のディメンジョンにおける特性デー 夕である。 本発明の実施の形態の説明  FIG. 9 shows characteristic data in still another dimension corresponding to the embodiment of FIG. Description of an embodiment of the present invention
以下図面に従い本発明の実施の形態を説明する。 なお、 図において、 同一又 は、 類似のものには同一の参照数字又は参照記号を付して説明する。  Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or similar components are denoted by the same reference numerals or reference symbols.
図 1は、 本発明の実施例を説明する図である。 本発明に従うシールドメタル プレート 1をマイクロストリップ回路に対するシールドカバーとして使用する 例を示している。  FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention. An example is shown in which the shield metal plate 1 according to the present invention is used as a shield cover for a microstrip circuit.
シールドメ夕ルプレート 1には P B G素子としての中空円柱 1 0が一定間 隔で形成されている。 すなわち、 図 1 ( A ) は、 シールドメタルプレート 1を 裏面から見た図であり、 中空円柱 1 0の大きさとして直径 Dを有し、 中心間隔 Pで複数設けられている。  Hollow cylinders 10 as PBG elements are formed in the shield mail plate 1 at regular intervals. That is, FIG. 1 (A) is a view of the shield metal plate 1 as viewed from the back surface. The hollow metal column 10 has a diameter D as a size, and a plurality of hollow columns 10 are provided at a center interval P.
図 1 ( B ) は、 シールドメタルプレート 1の断面構造を示す図である。 中心 間隔 Pで複数個設けられた P B G素子としての中空円柱 1 0の高さは dで定義 されている。 また、 表面にマイクロストリップ導体 2 1を有し、 裏面に接地板 2 2が形成されたマイクロストリップ回路 2の基板 2 0上に、 ギャップ gを有 して、 シールドメタルプレート 1が配置される。  FIG. 1B is a diagram showing a cross-sectional structure of the shield metal plate 1. The height of a plurality of hollow cylinders 10 as PBG elements provided at a center interval P is defined by d. The shield metal plate 1 is disposed with a gap g on the substrate 20 of the microstrip circuit 2 having the microstrip conductor 21 on the front surface and the ground plate 22 formed on the back surface.
図 1 ( C ) は、 シールドメタルプレート 1の斜視図であり、 マイクロストリ ップ回路 2の基板 2 0上にマイクロストリップ導体 2 1が形成され、 シールド メタルプレート 1により覆われる。 FIG. 1 (C) is a perspective view of the shield metal plate 1, in which the microstrip conductor 21 is formed on the substrate 20 of the microstrip circuit 2, and Covered by metal plate 1.
図 2は、 本発明を共平面導波回路 （coplanar waveguide) に適用した実施例 構成を上方より観察した図である。 図 2において、 共平面導波回路 （coplanar waveguide) 3は、基板 2 0上に中心伝送導体 2 1とその両側に配置される 接 地板 （grand plane) 2 2 , 2 3を有して形成されている。  FIG. 2 is a diagram observing the configuration of an embodiment in which the present invention is applied to a coplanar waveguide circuit from above. In FIG. 2, a coplanar waveguide 3 is formed on a substrate 20 with a central transmission conductor 21 and ground planes 22 and 23 disposed on both sides thereof. ing.
シールドメタルプレート 1は、 この共平面導波回路 (coplanar waveguide) 3の中心導体 2 1とその両側に配置される 接地板 （grand plane) 2 2 , 2 3 を覆うように基板 2 0の表面側に配置されている。  The shield metal plate 1 is disposed on the front side of the substrate 20 so as to cover the center conductor 21 of the coplanar waveguide 3 and the ground planes 22, 23 arranged on both sides thereof. Are located in
図 3は、 図 1に示すようにシールドメタルプレート 1をマイクロストリップ 回路 2に適用した時の測定データを示す図である。 なお、 条件として中空円柱 の直径 Dを 1 . 2 mmとし、 中心間隔 Pを 1 . 6 2 mm、 高さ dを 1 . 2 mm、 繰り返し列を 9とし、 更にマイクロストリップ回路 2とのギャップ gを 0 . 5 mmとした時の測定デ一夕である。  FIG. 3 is a diagram showing measurement data when the shield metal plate 1 is applied to the microstrip circuit 2 as shown in FIG. The condition is that the diameter D of the hollow cylinder is 1.2 mm, the center interval P is 1.62 mm, the height d is 1.2 mm, the number of repeating rows is 9, and the gap g with the microstrip circuit 2 is g. This is the measurement data when the value is set to 0.5 mm.
図 3において、 S 1 1のグラフは、 第 1のポートからの反射量であり、 S 2 1のグラフは、 第 1のポートから第 2のポートへの伝送量である。 さらに pp はパラレルプレートモードであり、 msはマイクロス トリップモードである。  In FIG. 3, the graph of S11 is the amount of reflection from the first port, and the graph of S21 is the amount of transmission from the first port to the second port. Pp is parallel plate mode, and ms is microstrip mode.
したがって、 図 3から観察できるように、 不要パラレルプレートモードは、 所望のマイクロストリヅプモ一ド伝搬に影響を与えずに、 7 6 G H zで約— 1 0 d Bの抑圧を与えられている （ S 2 1 (pp) 参照）。  Therefore, as can be observed from FIG. 3, the unnecessary parallel plate mode is given about −10 dB of suppression at 76 GHz without affecting the desired microstrip mode propagation. (See S21 (pp)).
図 4は、 本発明の他の実施例である。 図 2に示すと同様に共平面導波回路 (coplanar waveguide) 3の上部に配置されたシ一ルドメタルプレート 1の断 面を示している。  FIG. 4 shows another embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a cross section of a shield metal plate 1 disposed above a coplanar waveguide 3 similarly to FIG.
この実施例の特徴は、 シールドメタルプレート 1を中心部材としてプラスチ ック樹脂等の誘電体の中心部材 1 1に金属メツキ 1 2を施して形成したもので ある。 さらに、 P B G素子 1 0を構成する部位は、 空隙とするか、 あるいは誘 電体を充填することも可能である。  The feature of this embodiment is that the shield metal plate 1 is used as a central member, and a metal member 12 is formed on a dielectric central member 11 such as a plastic resin. Furthermore, the portion constituting the PBG element 10 can be a void or filled with a dielectric.
図 5は、 ？ョ0素子 1 0の形状を四角柱とする実施例である。図 5 ( A )は、 シールドメ夕ルプレート 1の上部の図示を排除して透視状にして示している。 図 5 ( B ) には、 P B G素子として中空の四角柱の配列を示している。 図 5の 実施例における各ディメンジョンは、 四角柱の辺の大きさ D、 中心間隔 P、 高 さ dで表している。 Figure 5 This is an embodiment in which the shape of the element 10 is a square pole. FIG. 5 (A) shows the upper part of the shield mail plate 1 in a see-through manner without illustration. FIG. 5B shows an arrangement of hollow square pillars as PBG elements. Figure 5 Each dimension in the embodiment is represented by the size D of the side of the rectangular prism, the center interval P, and the height d.
図 6は、 図 5の実施例に対応する特性デ一夕である。 上記各ディメンジョン は、 四角柱の辺の大きさ D = 1. 4 mmx 1. 4 mm. 中心間隔 P= l . 65 mm、 高さ d= 0. 8 mmとする場合の時の特性グラフである。  FIG. 6 shows characteristics data corresponding to the embodiment of FIG. Each of the above dimensions is a characteristic graph when the size of the side of the rectangular prism is D = 1.4 mm x 1.4 mm. Center distance P = l. 65 mm and height d = 0.8 mm. .
図から理解できるように、 図 3の特性グラフと同様に、 不要パラレルプレー トモ一ドは、 所望のマイクロストリップモード伝搬に影響を与えずに、 76 G H zで一 1 0 d B以上の抑圧を与えられている。  As can be seen from the figure, similar to the characteristic graph of Fig. 3, the unnecessary parallel plate mode can suppress 110 dB or more at 76 GHz without affecting the desired microstrip mode propagation. Has been given.
図 7は、 更に別の実施例であり、 PBG素子 10の形状を六角柱とする実施 例である。 図 7 (A) は、 図 5 ( A) におけると同様にシールドメ夕ルプレー ト 1の上部を透視状にして示している。 図 7 (B) には、 六角柱の配列を示し ている。 図 7の実施例における各ディメンジョンは、 四角柱の辺の大きさ D、 中心間隔 P、 角部の深さ c、 及び高さ dで表している。  FIG. 7 shows still another embodiment, in which the shape of the PBG element 10 is a hexagonal prism. FIG. 7 (A) shows the upper portion of the shielded mail plate 1 in a see-through manner as in FIG. 5 (A). Figure 7 (B) shows the arrangement of hexagonal prisms. Each dimension in the embodiment of FIG. 7 is represented by the size D of the side of the square pole, the center interval P, the depth c of the corner, and the height d.
図 8は、 図 7の実施例に対応する特性デ一夕である。 上記各ディメンジョン は、 六角柱の辺の大きさ D = 1. 4 mmx 1. 4 mm, 中心間隔 P= l . 65 mm、 角部の深さ c= 100〃mx l 00〃m、 高さ d = 0. 8 mmとする場 合の時の特性グラフである。  FIG. 8 shows characteristic data corresponding to the embodiment of FIG. Each of the above dimensions is the size of the side of the hexagonal prism D = 1.4 mm x 1.4 mm, center distance P = l. 65 mm, corner depth c = 100〃mx l 00〃m, height d 6 is a characteristic graph when = 0.8 mm.
図から理解できるように、 図 8の特性グラフと同様に、 不要パラレルプレー トモードは、 所望のマイクロストリップモード伝搬に影響を与えずに、 76 G H zで— 1 2 dB以上の抑圧を与えられている。  As can be seen from the figure, similar to the characteristic graph of Fig. 8, the unnecessary parallel plate mode is given a suppression of --12 dB or more at 76 GHz without affecting the desired microstrip mode propagation. I have.
図 9は、 さらに図 7の実施例に対応する特性データであり、 上記各ディメン ジョンを図 8の実施例と異ならしめている。 六角柱の辺の大きさ D= 1. 4m mx 1. 4 mm、 中心間隔 P = 1. 65 mm、 角部の深さ c = 1 00〃mx 1 00〃m、高さ d= 1. 2 mmとする場合の時の特性グラフである。すなわち、 PB G素子である六角柱の高さ （深さ） を図 8に対し大きく している。  FIG. 9 further shows characteristic data corresponding to the embodiment of FIG. 7, and the above dimensions are different from those of the embodiment of FIG. Hexagon prism side size D = 1.4m mx 1.4mm, center distance P = 1.65mm, corner depth c = 1 00〃mx 100〃m, height d = 1.2 6 is a characteristic graph when mm is set. That is, the height (depth) of the hexagonal prism, which is the PBG element, is made larger than in FIG.
この場合における特性データは、 図から理解できるように、 図 8の特性グラ フと同様に不要パラレルプレ一トモ一ドは所望のマイクロス トリップモ一ド伝 搬に影響を与えずに、 76 GH zで一 1 3 dB以上の抑圧を与えられている。 したがって、 PB G素子の高さを変えることによつても不要パラレルプレート モードの抑圧量を大きくすることが理解できる。 産業上の利用可能性 As can be understood from the figure, the unnecessary parallel plate mode does not affect the desired microstrip mode transmission, and the characteristic data in this case is 76 GHz And a suppression of more than 13 dB. Therefore, even if the height of the PBG element is changed, It can be understood that the mode suppression amount is increased. Industrial applicability
以上図面に従い実施の形態を説明したように本発明に従うシールドメタル プレートを用いることにより不要パラレルプレートモ一ドを所望のマイクロス トリップモ一ド伝搬に影響を与えずに、 抑圧することが可能である。  By using the shield metal plate according to the present invention as described in the embodiment with reference to the drawings, it is possible to suppress unnecessary parallel plate mode without affecting desired micro strip mode propagation. .
さらに、 本発明のシールドメ夕ルプレートはシールド対象とするものはマイ クロストリップ回路に限られず使用することが可能である。  Further, the shielded metal plate of the present invention can be used without being limited to the microstrip circuit for the object to be shielded.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
1 . 基板と、  1. The substrate and
該基板に形成された導体と、  A conductor formed on the substrate;
該導体を覆い、 周期的に配置された複数の空隙部を有するメタルプレートを 有して  A metal plate covering the conductor and having a plurality of voids periodically arranged;
構成されることを特徴とする回路装置 Circuit device characterized by comprising
2 . 請求項 1において、  2. In Claim 1,
前記周期的に配置された複数の空隙部の間隔がパラレルプレートモ一ドの伝 搬波長の半分の大きさであって、 不要パラレルプレートモ一ドを抑圧する帯域 阻止効果を与えることを特徴とする回路装置。  The interval between the plurality of periodically arranged voids is half of the propagation wavelength of the parallel plate mode, and a band rejection effect for suppressing unnecessary parallel plate mode is provided. Circuit device.
3 . 請求項 1において、  3. In claim 1,
前記周期的に配置された複数の空隙部は、 一枚のメタルプレートから該空隙 部の大きさに対応する部分をく り抜いて形成されたものであることを特徴とす る回路装置。  The circuit device, wherein the plurality of periodically arranged voids are formed by hollowing out a portion corresponding to the size of the void from a single metal plate.
4 . 請求項 1において、 4. In Claim 1,
前記周期的に配置された複数の空隙部に誘電体が充填されていることを特 徴とする回路装置。  A circuit device characterized in that the plurality of periodically arranged voids are filled with a dielectric.
5 . 請求項 1において、  5. In Claim 1,
前記周期的に配置された複数の空隙部を有するメタルプレートは、 一枚の誘 電体プレートから該空隙部の大きさに対応する部分がく り抜かれ、 更に該誘電 体プレート表面にメタルメツキを施して形成されたものであることを特徴とす る回路装置。  In the metal plate having a plurality of voids arranged periodically, a portion corresponding to the size of the void is cut out from one dielectric plate, and a metal plating is applied to the surface of the dielectric plate. A circuit device characterized by being formed.
6 . 請求項 2において、  6. In Claim 2,
前記複数の空隙部の経の大きさにより前記不要パラレルプレートモ一ドの抑 圧量が制御された回路装置。  A circuit device in which the amount of suppression of the unnecessary parallel plate mode is controlled by the size of the plurality of gaps.
7 . 請求項 2において、  7. In Claim 2,
前記複数の空隙部の高さにより前記不要パラレルプレートモ一ドの抑圧量が 制御された回路装置。  A circuit device in which the suppression amount of the unnecessary parallel plate mode is controlled by the height of the plurality of gaps.
8 . 周期的に配置された複数の空隙部を有し、 該周期的に配置された複数の空 隙部の間隔がパラレルプレートモ一ドの伝搬波長の半分の大きさであることを 特徴とするシールドメ夕ルプレート。 8. A plurality of periodically arranged voids, and the plurality of periodically arranged voids A shielded metal plate, wherein the interval between the gaps is half the propagation wavelength of the parallel plate mode.
9 . 請求項 8において、  9. In Claim 8,
前記周期的に配置された複数の空隙部は、 一枚のメタルプレートから該空隙 部の大きさに対応する部分をく り抜いて形成されたものであることを特徴とす るシールドメ夕ルプレート。  The plurality of periodically arranged void portions are formed by hollowing out a portion corresponding to the size of the void portion from one metal plate. .
1 0 . 請求項 8において、  10. In claim 8,
前記周期的に配置された複数の空隙部に誘電体が充填されていることを特 徴とする回路装置。  A circuit device characterized in that the plurality of periodically arranged voids are filled with a dielectric.
1 1 . 請求項 8において、  1 1. In claim 8,
前記周期的に配置された複数の空隙部は、 一枚の誘電体プレートから該空隙 部の大きさに対応する部分がく り抜かれ、 更に該誘電体プレート表面にメタル メツキを施して形成されたことを特徴とするシールドメタルプレート。  The plurality of periodically arranged voids are formed by cutting out a portion corresponding to the size of the void from one dielectric plate, and further applying a metal plating to the surface of the dielectric plate. A shield metal plate characterized by the following.
1 2 . 請求項 1乃至 7のいずれかにおいて、  1 2. In any one of claims 1 to 7,
前記空隙部は、 円筒形を成していることを特徴とする回路装置。  The circuit device, wherein the gap has a cylindrical shape.
1 3 . 請求項 8至 1 1のいずれかにおいて、  1 3. In any one of claims 8 to 11,
前記空隙部は、 円筒形を成していることを特徴とするシールドメ夕ルプレー 卜 Q The gap portion is Shirudome evening Rupure Bok Q, characterized in that it forms a cylindrical
1 4 . 請求項 1乃至 7のいずれかにおいて、  14. In any one of claims 1 to 7,
前記空隙部は、 多角柱を成していることを特徴とする回路装置。  The circuit device according to claim 1, wherein the gap has a polygonal shape.
1 5 . 請求項 8至 1 1のいずれかにおいて、  1 5. In any one of claims 8 to 11,
前記空隙部は、 多角柱を成していることを特徴とするシールドメ夕ルプレー h o  The gap portion is formed as a polygonal pillar, and the shield mail play h o
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