TWI803390B - 蝕刻液組成物及其蝕刻方法 - Google Patents

Abstract

一種蝕刻液組成物，適用於對厚膜，特別是指用於對膜厚大於500埃米(Å)以上之透明導電氧化物進行蝕刻，其包含0.5~10wt%的有機酸、0.001~0.5wt%的表面活性劑、0.001~0.5wt%的添加劑，及餘量的水。本發明之蝕刻液組成物可以有效減少殘留在玻璃基板上之ITO殘留物，且不會腐蝕金屬導線，並具有低表面張力、低起泡性、高消泡性等特點，組成物本身亦能提高整體溶液之穩定性，延長使用壽命。

Description

蝕刻液組成物及其蝕刻方法

本發明是關於一種用於厚膜，特別是指用於膜厚大於500埃米(Å)以上的透明導電氧化物之蝕刻液組成物，及使用該蝕刻液組成物之蝕刻方法。

透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, 簡稱TCO)因本身具有良好的導電性、極高的可見光透光率及紅外線反射率，具有廣泛的應用領域。其中又以摻氧化銦錫(Indium Tin Oxide, 簡稱ITO)之透明導電氧化物做為常應用於液晶顯示器(LCD)、電致發光顯示器(ELD)、觸控面板、太陽能電池等領域之透光性導電材料。在商業化的製程中，主要是利用如濺鍍法等成膜方法，先成膜於玻璃等基板上，並透過溼式蝕刻法對ITO膜進行蝕刻得到圖形化之ITO薄膜。

近年來，隨著大尺寸面板的發展，顯示器需要更低的電阻電容信號延遲(RC delay)、及更低的開口率，故在配線材料上的需求逐漸轉向高導電性、電致遷移能力更好的材料，為了將ITO膜達到上述的需求，常使用的方法有兩種，第一種方法是增加鍍膜時的溫度，使ITO膜結晶化進而得到更高的導電率，但此種方法容易在後續的蝕刻階段遇到問題，主因是結晶化後的ITO膜，由於分子排列的較緻密，導致抗化性提高，需要用到如鹽酸、硝酸系列的強酸才有辦法進行蝕刻，當使用這些強酸進行蝕刻時，亦容易對其他的金屬導線造成腐蝕的狀況，而有斷線的疑慮；第二種方法則是增加ITO膜的厚度，以增加導電度。過去常見的ITO膜厚度約為400Å - 800Å，近期則逐漸轉變為800Å-1200Å的厚膜ITO，此種方法雖不會形成結晶化的ITO膜，但由於膜厚增加、鍍膜所需的時間也相對拉長，在底層的ITO膜容易因為蓄熱的問題產生半結晶化。隨著半結晶化ITO膜的增加，在此狀態下的ITO膜抗化性也會提高，導致在蝕刻階段時容易造成蝕刻不均勻而出現明顯的ITO殘留。

業界在針對非結晶型ITO膜，常見的溼式蝕刻法大多是以草酸水溶液進行蝕刻，早期ITO薄膜在進行蝕刻時，為了使細線寬的線路蝕刻更均勻，會加入表面活性劑使表面張力降低再來進行蝕刻，例如在日本特開平7-141932號公報中公開了一種含有十二烷基苯磺酸系列表面活性劑的草酸系蝕刻液，但加入的表面活性劑會有起泡嚴重的問題，而此結果會使基板容易因泡沫的累積產生浮動，除了造成蝕刻精度差的問題外，也容易使廠務端的光學感應器產生干擾，造成生產上的困擾；在專利文獻CN104388090A中記載了一種草酸、烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性劑、有機多元磷酸和水的草酸系蝕刻液，添加有機多元磷酸，雖然可改善草酸銦沉澱問題，但腐蝕能力強，難以控制蝕刻角度和蝕刻時間，往往在蝕刻過程中造成其他金屬導線的腐蝕，操作不易；在專利文獻CN107446582A中記載了一種含有聚乙烯吡咯烷酮以及萘磺酸縮合物作為表面活性劑的草酸系蝕刻液，雖此類型配方對於氧化銦的溶解有幫助，但由於萘磺酸縮合物須添加一定濃度才能明顯改善對銦的溶解效果，且由於此類化合物的特性，不易穿透PTFE的薄膜，此種性質容易在後續製程端塞住濾心進而影響產能。

雖然習知技術揭露了一種草酸系蝕刻液的技術，但是實際使用時仍具有下列缺點：

一、產生嚴重起泡、加工精度低 基板因起泡問題而無法被確實固定，且無法與蝕刻液充分地接觸，造成圖案蝕刻精度差的問題。此外，起泡泡沫也容易干擾光學感應器之檢測，使檢測精確度降低，造成生產上的困擾。

二、不易控制蝕刻效果、操作具安全疑慮 習知草酸系蝕刻液加入鹽酸等強酸，雖可改善蝕刻不全效果，惟因腐蝕能力強，難以控制蝕刻效果，而損害到其他金屬導線，導致良率降低。此外，對操作人員之危險性高。

三、穩定性不足、降低使用壽命 習知蝕刻液所選用的表面活性劑在酸性環境下容易衰退，造成蝕刻液穩定性不足，降低使用壽命。

目前，隨著越來越多的高解析度面板產品開始使用厚膜ITO層，因此，如何生產出一種能夠提高加工精度與減少底層ITO殘留物的蝕刻液，是相關技術人員亟需努力的目標。

有鑑於此，本發明之目的是在提供一種蝕刻液組成物，適用於對透明導電氧化物進行蝕刻，其包含0.5~10wt%的有機酸、0.001~0.5wt%的表面活性劑、0.001~0.5wt%的添加劑，及餘量的水。

本發明的又一技術手段，是在於所述有機酸包含羧基。

本發明的另一技術手段，是在於所述有機酸可選自蘋果酸、丙二酸、己二酸、琥珀酸、酒石酸、戊二酸、乙醇酸、天冬氨酸、衣康酸、谷氨酸、丙三羧酸、庚二酸、辛二酸、癸二酸、硬脂酸、丙酮酸、乙醯乙酸、乙醛酸、壬二酸、富馬酸、戊烯二酸、創傷酸、黏康酸、烏頭酸、丙三羧酸（carballylic acid）、三元酸、苯六甲酸、異檸檬酸、檸檬酸、乳酸、葡萄糖酸、馬來酸、抗壞血酸、亞氨基乙酸、草酸、焦性沒食子酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一酸、月桂酸、十三酸、肉豆蔻酸、十五酸、棕櫚酸、氨基磺酸、水楊酸、對甲苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、聚乙烯磺酸、十二烷基苯磺酸、對羥基苯磺酸、甲基磺酸及硝基苯磺酸中的一種或多種的混合。

本發明的再一技術手段，是在於所述表面活性劑可選自脂肪酸鹽、磷酸酯鹽、環烷酸鹽、脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、烷基銨鹽中的一種或多種的混合。

本發明的又一技術手段，是在於所述添加劑選自磺酸類化合物，可選自烷基二磺酸、烷基二磺酸鉀、烷基磺酸鈉、烷基磺酸銨、烷基苯磺酸鈉、聚萘甲醛磺酸化合物或其鹽中的一種或多種的混合。

本發明的另一技術手段，是在於所述餘量的水為去離子水。

本發明的再一技術手段，是在於所述透明導電氧化物係含銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

本發明的又一技術手段，是在於所述透明導電氧化物係為微晶型、半結晶型。

本發明另一目的是在提供一種蝕刻方法，其使用所述蝕刻液組成物來蝕刻透明導電氧化物。

本發明的又一技術手段，是在於所述透明導電氧化物之膜厚大於500埃米(Å)，且該蝕刻溫度是介於35~50°C。

本發明之有益功效在於，藉由選用具特殊官能基之表面活性劑及添加劑，使該蝕刻液組成物可以有效移除厚膜ITO底層的ITO殘留物，提高蝕刻圖案精度，同時該蝕刻液組成物具有高穩定性，有較長使用壽命，可降低蝕刻成本。

有關本發明之相關申請專利特色與技術內容，在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。在進行詳細說明前應注意的是，類似的元件是以相同的編號作表示。

本發明蝕刻液組成物之較佳實施例，適用於對透明導電氧化物進行蝕刻，其包含0.5~10wt%的有機酸、0.001~0.5wt%的表面活性劑、0.001~0.5wt%的添加劑，及餘量的水。 [ 有機酸 ]

所述有機酸主要作為提供蝕刻效果，包含羧基，可選自蘋果酸、丙二酸、己二酸、琥珀酸、酒石酸、戊二酸、乙醇酸、天冬氨酸、衣康酸、谷氨酸、丙三羧酸、庚二酸、辛二酸、癸二酸、硬脂酸、丙酮酸、乙醯乙酸、乙醛酸、壬二酸、富馬酸、戊烯二酸、創傷酸、黏康酸、烏頭酸、丙三羧酸（carballylic acid）、三元酸、苯六甲酸、異檸檬酸、檸檬酸、乳酸、葡萄糖酸、馬來酸、抗壞血酸、亞氨基乙酸、草酸、焦性沒食子酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一酸、月桂酸、十三酸、肉豆蔻酸、十五酸、棕櫚酸、氨基磺酸、水楊酸、對甲苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、聚乙烯磺酸、十二烷基苯磺酸、對羥基苯磺酸、甲基磺酸及硝基苯磺酸中的一種或多種的混合。

進一步地，本發明所述有機酸優選為草酸。本發明僅使用有機酸，未加入鹽酸、硝酸等無機酸，除了可有效控制蝕刻效果，不會腐蝕到基板上之金屬導線，亦可提高操作人員於蝕刻過程的安全性。

在一些優選的實施方式中，本發明所述有機酸占蝕刻組合物的0.5~10wt%。在一些優選的實施方式中，本發明所述有機酸占蝕刻組合物的1~5wt%。在一些優選的實施方式中，所述有機酸在蝕刻組合物中的重量百分比可以為0.5%、1%、1.2%、1.5%、1.8%、2%、2.2%、2.5%、2.8%、3%、3.2%、3.5%、3.8%、4%、4.2%、4.5%、4.8%、5%、8%、10%等。 [ 表面活性劑 ]

所述表面活性劑的主要功能是有效降低所述蝕刻液組成物的表面張力，增加滲透與浸潤性，並能有效提高消泡性。此外，所述表面活性劑在酸性環境中能穩定存在。所述表面活性劑並無特殊限制，可選自脂肪酸鹽、磷酸酯鹽、環烷酸鹽、脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、烷基銨鹽中的一種或多種的混合。優選為磷酸酯鹽、聚氧乙烯烷基醚，最佳表面活性劑為磷酸酯鹽。

在一些優選的實施方式中，本發明所述表面活性劑占蝕刻組合物的0.001~0.5wt%。在一些優選的實施方式中，本發明所述表面活性劑占蝕刻組合物的0.005~0.05wt%。在一些優選的實施方式中，所述表面活性劑在蝕刻組合物中的重量百分比可以為0.001%、0.002%、0.003%、0.005%、0.008%、0.01%、0.02%、0.05%、0.08%、0.1%、0.5%等。 [ 添加劑 ]

所述添加劑主要作用是與微晶型、半結晶化的氧化銦產生反應，進而破壞晶體的穩定性，使其更容易被有機酸蝕刻，有效改善對於厚膜ITO的蝕刻殘留去除效果。所述添加劑選自磺酸類化合物，可選自烷基二磺酸、烷基二磺酸鉀、烷基磺酸鈉、烷基磺酸銨、烷基苯磺酸鈉、聚萘甲醛磺酸化合物或其鹽中的一種或多種的混合。優選為烷基磺酸銨、聚萘甲醛磺酸化合物或其鹽，最佳可使用烷基磺酸銨化合物。

在一些優選的實施方式中，本發明所述添加劑占蝕刻組合物的0.001~0.5wt%。在一些優選的實施方式中，本發明所述添加劑占蝕刻組合物的0.005~0.05wt%。在一些優選的實施方式中，所述添加劑在蝕刻組合物中的重量百分比可以為0.001%、0.002%、0.003%、0.005%、0.008%、0.01%、0.02%、0.05%、0.08%、0.1%、0.5%等。 [ 水 ]

本發明之蝕刻液組成物含有水，可以是純水或去離子水，優選採用去離子水作為溶劑，消除水中可能存在的雜質離子對蝕刻性能的不利影響。所述水之含量範圍可以使蝕刻液組合物的總重量成為100 wt%。在一些優選的實施方式中，本發明所述水占蝕刻組合物的80wt%以上。 [ 蝕刻液組成物的製備 ]

本發明之蝕刻液組成物可利用常規方法將有機酸、表面活性劑、添加劑及水，於常溫下攪拌至完全溶解均勻後，然後經過濾後，即可出料完成。其中，過濾步驟可以採用0.1-1 μm的過濾器進行，優選採用0. 5μm的過濾器進行。本發明之蝕刻液組成物在常溫、常壓和簡單的攪拌設備下即可製備，不需特別製備條件和設備，可降低生產成本。 [ 蝕刻方法 ]

先於玻璃基板上以濺射法形成ITO膜，經曝光、顯影等程序後，形成抗蝕塗層圖案。該具有ITO膜之玻璃基板可在35~50°C溫度條件下，較佳地可在38~42°C之間，使用本發明之蝕刻液組成物進行蝕刻。蝕刻時間可根據ITO膜的膜厚等進行調整，由於本發明蝕刻液組成物之蝕刻速率約為10埃米(Å)/Second，以膜厚500埃米(Å)及800埃米(Å)為例，需時各約為50~100秒，及80~160秒，一般而言蝕刻時間約為1~5分鐘。蝕刻結束後，可根據實際需要進行後續清洗和乾燥。

根據上述實施方式，藉由實際的實施例與比較例，更具體地說明本發明之蝕刻液組成物對透明導電氧化物進行蝕刻後，可有效移除底層ITO殘留物，使基板表面呈現平滑。 [ 實施例與比較例 ]

首先，製備實施例1~15的蝕刻液組成物以及對照例1~7的蝕刻液組成物。有關於實施例、比較例的蝕刻液組成物中的有機酸，是使用草酸，其餘表面活性劑、添加劑之成分如表1所示。 表1

	草酸(%)	表面活性劑(%)	添加劑(%)	水
實施例1	3.4	磷酸酯鹽	0.01%	烷基磺酸銨化合物	0.01%	餘量
實施例2	3.4	聚氧乙烯烷基醚	0.01%	烷基磺酸銨化合物	0.01%	餘量
實施例3	3.4	脂肪酸鹽	0.01%	烷基磺酸銨化合物	0.01%	餘量
實施例4	3.4	甘油脂肪酸酯	0.01%	烷基磺酸銨化合物	0.01%	餘量
實施例5	3.4	烷基銨鹽	0.01%	烷基磺酸銨化合物	0.01%	餘量
實施例6	3.4	磷酸酯鹽	0.01%	聚萘甲醛磺酸化合物	0.01%	餘量
實施例7	3.4	聚氧乙烯烷基醚	0.01%	聚萘甲醛磺酸化合物	0.01%	餘量
實施例8	3.4	脂肪酸鹽	0.01%	聚萘甲醛磺酸化合物	0.01%	餘量
實施例9	3.4	甘油脂肪酸酯	0.01%	聚萘甲醛磺酸化合物	0.01%	餘量
實施例10	3.4	烷基銨鹽	0.01%	聚萘甲醛磺酸化合物	0.01%	餘量
實施例11	3.4	磷酸酯鹽	0.01%	烷基硫酸鹽化合物	0.01%	餘量
實施例12	3.4	聚氧乙烯烷基醚	0.01%	烷基硫酸鹽化合物	0.01%	餘量
實施例13	3.4	脂肪酸鹽	0.01%	烷基硫酸鹽化合物	0.01%	餘量
實施例14	3.4	甘油脂肪酸酯	0.01%	烷基硫酸鹽化合物	0.01%	餘量
實施例15	3.4	烷基銨鹽	0.01%	烷基硫酸鹽化合物	0.01%	餘量
比較例1	3.4	磷酸酯鹽	0.01%		-	餘量
比較例2	3.4	-	-	烷基磺酸銨化合物	0.01%	餘量
比較例3	3.4	聚氧乙烯烷基醚	0.01%	-	-	餘量
比較例4	3.4	-	-	聚萘甲醛磺酸化合物	0.01%	餘量
比較例5	3.4	烷基銨鹽	0.01%	-	-	餘量
比較例6	3.4	-	-	烷基硫酸鹽化合物	0.01%	餘量
比較例7	3.4	-	-	-	-	餘量

依以下測試項目及表2之評價標準，對表1中之實施例及比較例的蝕刻液組成物的表面張力、起泡性、消泡性、ITO殘渣除去能力及藥液穩定性進行評價。 1.     表面張力： 將所有添加的成分均勻混合後，固定在室溫25°C並以表面張力儀量測。 2.     起泡性： 將100mL的蝕刻液組成物盛放於100mL的定量瓶中，垂直震盪多次，並測量泡沫高度。 3.     消泡性： 將100mL的蝕刻液組成物盛放於100mL的定量瓶中，垂直震盪多次，停止1分鐘後測量泡沫高度。 4.     穩定性： 將所有添加的成分均勻混合後，固定在室溫25°C度下保存，隨時間測量表面張力的變化。 5.     ITO殘渣除去能力測試： 本次測試之試片為1000 Å的厚膜ITO且在40度°C 下進行過蝕刻 (over etching，O/E，表示實際蝕刻時間超出恰好蝕刻時間的百分數）的測試，具體進行O/E 100%測試，並利用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察蝕刻後的ITO殘渣以進行評價。 表2

評價等級	表面張力(N/m)	起泡性	消泡性	ITO殘渣去除能力	穩定性
A	25~35	泡沫高度＜0.5cm	泡沫高度＜0.5cm	無殘渣	＞3月
B	35~45	泡沫高度0.5~1.0cm	泡沫高度0.5~1.0cm	有少量殘渣	1-2 月
C	45以上	泡沫高度＞1.0cm	泡沫高度＞1.0cm	有明顯殘渣	＜1月

有關實施例及對比例結果如表3所示。 表3

--	表面張力(N/m)	起泡性	消泡性	ITO殘渣去除能力	穩定性
實施例1	A	A	A	A	A
實施例2	B	B	B	A	B
實施例3	B	B	B	A	B
實施例4	B	B	B	A	B
實施例5	B	B	B	A	A
實施例6	B	A	A	A	A
實施例7	B	B	B	A	B
實施例8	B	B	B	A	B
實施例9	B	B	B	A	B
實施例10	B	B	B	A	A
實施例11	A	A	B	B	A
實施例12	B	B	B	B	B
實施例13	B	B	B	B	B
實施例14	B	B	B	B	B
實施例15	B	B	B	B	A
比較例1	A	A	A	C	A
比較例2	B	C	C	A	A
比較例3	B	A	A	C	B
比較例4	B	C	C	B	B
比較例5	B	C	C	C	B
比較例6	B	C	C	C	A
比較例7	C	A	A	C	A

請參閱圖1，為比較例7的蝕刻液組成物於ITO膜所得的SEM圖。比較例7的蝕刻液組成物僅使用草酸，並未添加表面活性劑及添加劑，雖起泡性、消泡性、穩定性測試皆評價為A級，但表面張力及ITO殘渣去除能力測試評價僅有C級。由圖1可明顯看出，ITO膜因蝕刻不全導致基板表面存有大量殘留物，因此基板表面明顯呈現粗糙、不平滑，影響蝕刻圖案之精度。

有關比較例1、3及5的蝕刻液組合物，除草酸外，還分別添加不同表面活性劑。雖然比較例1使用磷酸酯鹽的表面活性劑，可以使蝕刻液組合物整體測試的大致評價為A級，惟殘渣去除能力測試評價仍僅有C級，並無法有效改善ITO殘留物。

有關比較例2、4及6的蝕刻液組合物，除草酸外，還分別添加不同添加劑。雖然比較例2使用烷基磺酸銨化合物的添加劑，可以使蝕刻液組合物的殘渣去除能力測試評價改善為A級，可是相對地其他測試項目則僅有評價為B~C級，整體蝕刻性能並不理想。另請參閱圖2，是比較例6的蝕刻液組成物於ITO膜所得的SEM圖。比較例6即為市售蝕刻液組合物產品，其雖然穩定性高，惟起泡性、消泡性、ITO殘渣去除能力測試評價皆僅有C級，可明顯看出底層ITO膜因蝕刻不全導致基板表面存有大量殘留物，如同圖1一樣表面呈現粗糙不平滑，影響加工精度。

從上述比較例1〜7得知，僅單純使用草酸、草酸結合表面活性劑，或草酸結合添加劑，都只能改善部分測試項目之表現，無法具有優異的蝕刻性能，且具有明顯ITO殘渣。

為改善上述缺點，本發明實施例除使用草酸外，亦同時加入特定之表面活性劑、添加劑以改善蝕刻性能。請參閱圖3，是依照本發明實施例1的蝕刻液組成物於ITO膜所得的SEM圖。有關實施例1的蝕刻液組合物，是選用磷酸酯鹽為表面活性劑、烷基磺酸銨化合物作為添加劑。相較上述比較例，該玻璃基板上未有ITO殘留物，且基板表面平滑，提高蝕刻圖案之精度。由於選用的表面活性劑與添加劑皆具有酸性的官能基，在酸性環境中皆能穩定存在，因此本發明之蝕刻液組成物具有優異的蝕刻效果。從實施例1〜10可知，選用磺酸化合物作為添加劑，並分別添加不同的表面活性劑，能大幅提升ITO殘渣去除能力，有效完全移除ITO殘渣。

有關實施例11〜15的蝕刻液組成物，是選用烷基硫酸鹽化合物為添加劑，並搭配不同的表面活性劑，雖整體測試評價都維持在B級以上，但ITO殘值去除效果略次於使用磺酸化合物之蝕刻液組成物。

由上述說明可知，本發明一種蝕刻液組成物及其蝕刻方法確實具有下列功效：

一、有效移除ITO殘留物、提高加工精度 本發明之蝕刻液組成物選用具有酸性的官能基之表面活性劑與添加劑，可有效移除厚膜ITO於製程中所產生的半結晶化ITO殘留物，使基板表面保持平滑，提高蝕刻圖案精度。

二、具有優異蝕刻性能 本發明之蝕刻液組成物除能有效移除ITO殘留物外，並具有低表面張力、低起泡性、高消泡性等特點，此外製程簡單能耗少，接近一般常溫下即可進行生產，無須繁複製程條件或設備，可有效降低生產成本。

三、低危險度、使用壽命延長 由於本發明之蝕刻液組成物是使用弱酸，未加入鹽酸等強酸類，可提高操作人員之安全性。此外，酸性的官能基之表面活性劑與添加劑亦可與弱酸相結合，提高溶液之穩定性，延長使用壽命。

綜上所述，本發明之蝕刻液組成物除提高厚膜ITO製程出現的半結晶化ITO殘渣除去能力，且具有低表面張力、低起泡性、高消泡性等特點，能有助於改善圖案化的合格率和提高精度。此外，本發明的蝕刻液組合物的穩定性高、保存壽命長，在原料、成品的保存與配製上容錯率更高，可以降低蝕刻成本。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

圖1是比較例7的蝕刻液組成物於ITO膜所得的SEM圖； 圖2是比較例6的蝕刻液組成物於ITO膜所得的SEM圖；及 圖3是依照本發明實施例1的蝕刻液組成物於ITO膜所得的SEM圖。

Claims (8)

1. 一種蝕刻液組成物，適用於對透明導電氧化物進行蝕刻，其包含：0.5~10wt%的有機酸、0.001~0.5wt%的表面活性劑、0.001~0.5wt%的添加劑，及餘量的水；所述有機酸選自草酸；所述表面活性劑選自脂肪酸鹽、磷酸酯鹽、環烷酸鹽、脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、烷基銨鹽的其中之一及其組合，用以在酸性環境下使所述有機酸穩定存在，並增加蝕刻時的滲透性與浸潤性；所述添加劑選自於磺酸類化合物、烷基磺酸銨化合物的其中之一及其組合，用以與所述透明導電氧化物產生反應並破壞晶體的穩定性，可大幅提升蝕刻之均勻性，減少透明導電氧化物的殘留。
2. 如請求項1所述蝕刻液組成物，其中，所述有機酸包含羧基。
3. 如請求項2所述蝕刻液組成物，其中，所述有機酸可選自蘋果酸、丙二酸、己二酸、琥珀酸、酒石酸、戊二酸、乙醇酸、天冬氨酸、衣康酸、谷氨酸、丙三羧酸、庚二酸、辛二酸、癸二酸、硬脂酸、丙酮酸、乙醯乙酸、乙醛酸、壬二酸、富馬酸、戊烯二酸、創傷酸、黏康酸、烏頭酸、丙三羧酸(carballylic acid)、三元酸、苯六甲 酸、異檸檬酸、檸檬酸、乳酸、葡萄糖酸、馬來酸、抗壞血酸、亞氨基乙酸、焦性沒食子酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一酸、月桂酸、十三酸、肉豆蔻酸、十五酸、棕櫚酸、氨基磺酸、水楊酸、對甲苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、聚乙烯磺酸、十二烷基苯磺酸、對羥基苯磺酸、甲基磺酸及硝基苯磺酸中的一種或多種的混合。
4. 如請求項1所述蝕刻液組成物，其中，所述磺酸類化合物可選自烷基二磺酸、烷基二磺酸鉀、烷基磺酸鈉、烷基磺酸銨、烷基苯磺酸鈉、聚萘甲醛磺酸化合物或其鹽中的一種或多種的混合。
5. 如請求項1所述蝕刻液組成物，其中，所述透明導電氧化物係含銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
6. 如請求項5所述蝕刻液組成物，其中，所述透明導電氧化物係為微晶型、半結晶型。
7. 一種蝕刻方法，其使用請求項1~6中任一項所述之蝕刻液組成物來蝕刻透明導電氧化物。
8. 如請求項7所述蝕刻方法，其中，所述透明導電氧化物之膜厚大於500埃米(Å)，且該蝕刻溫度是介於35~50℃。

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