TWI580079B - 發光二極體封裝結構及發光二極體模組 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝結構及發光二極體模組
本發明關於一種發光二極體封裝結構及發光二極體模組，尤指一種可實現無封裝基板之封裝的發光二極體封裝結構及發光二極體模組。
請參閱第1圖，第1圖為先前技術之發光二極體封裝結構1的示意圖。如第1圖所示，發光二極體封裝結構1包含一封裝基板10、一發光二極體晶片12以及一封裝膠體14。發光二極體晶片12設置於封裝基板10上，且封裝膠體14點膠於封裝基板10與發光二極體晶片12上，以對發光二極體晶片12進行封裝，也就是說，發光二極體晶片12是位於封裝基板10與封裝膠體14之間。由於發光二極體晶片12需先設置於封裝基板10上才能進行封裝，製作較為不便，使得產能無法提升。
本發明提供一種可實現無封裝基板之封裝的發光二極體封裝結構及發光二極體模組，以解決上述之問題。
根據一實施例，本發明之發光二極體封裝結構包含一第一透光板、一發光單元以及一第一封裝膠體。發光單元設置於第一透光板上。第一封裝膠體設置於發光單元與第一透光板之間且包覆部分發光單元。第一封裝膠體之一第一側表面與第一透光板之一第二側表面切齊。至少部分發光單元發出之光線依序穿過第一封裝膠體與第一透光板而射出。
較佳地，第一封裝膠體內摻雜複數個第一螢光粒子，且第一螢光粒子的放射波長(Emission Wavelength)大於發光單元的主發光波長。
較佳地，第一封裝膠體包含一第一部分以及一第二部分，第一部 分位於發光單元與第二部分之間，且第一部分中的第一螢光粒子之濃度小於第二部分中的第一螢光粒子之濃度。
較佳地，第一封裝膠體內更包含複數個第二螢光粒子，且第一螢 光粒子之放射波長小於第二螢光粒子之放射波長。
較佳地，第一封裝膠體包含一第一部分以及一第二部分，第一部 分位於發光單元與第二部分之間，第一部分內摻雜複數個第一螢光粒子，第二部分內摻雜複數個第二螢光粒子，第一螢光粒子的放射波長大於發光單元的主發光波長，且第一螢光粒子之放射波長小於第二螢光粒子之放射波長。
較佳地，發光單元與第一封裝膠體之第一側表面的距離大於發光 單元與第一封裝膠體之一第一底表面間的距離，且第一透光板連接於第一封裝膠體之第一底表面。
根據另一實施例，本發明之發光二極體模組包含一承載座以及一 如上所述之發光二極體封裝結構。發光二極體封裝結構設置於承載座上並與承載座電性連接。
綜上所述，本發明可利用封裝膠體及透光板直接將多個發光單元 封裝後進行切割，以完成發光二極體封裝結構之製作，進而實現無封裝基板之封裝。於切割後的發光二極體封裝結構中，封裝膠體之側表面即會與透光板之側表面切齊。由於本發明係為無封裝基板之封裝，只要將以封裝膠體及透光板封裝後的發光單元進行切割，即可完成發光二極體封裝結構之製作，因此本發明之發光二極體封裝結構製作相當方便，可有效提升產能。此外，本發明係利用透光板對封裝膠體進行定型，可不用額外模具的製作，進而節省成本。由於透光板之硬度大於封裝膠體之硬度，在後續將發光二極體封裝結構設置於承載座上時，透光板可保護發光單元，進而避免因外力破壞而影響出光。再者，本發明可於封裝膠體內摻雜螢光粒子，並且藉由調整螢光粒子的濃度及/或放射波長，來調整出光效率與光線顏色，同樣地，透光板也可 以保護螢光粒子，具有防止封裝膠體表面的螢光粒子脫落的功效。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
1、2、3、4、5、6、7、11‧‧‧發光二極體封裝結構
8、9、13‧‧‧發光二極體模組
10‧‧‧封裝基板
12‧‧‧發光二極體晶片
14‧‧‧封裝膠體
20‧‧‧第一透光板
22‧‧‧發光單元
24‧‧‧第一封裝膠體
60‧‧‧第二透光板
62‧‧‧第二封裝膠體
80‧‧‧承載座
82‧‧‧第一型接合墊
84‧‧‧第二型接合墊
24a‧‧‧第一部分
24b‧‧‧第二部分
200‧‧‧第二側表面
220‧‧‧基板
222‧‧‧第一型半導體層
224‧‧‧發光層
226‧‧‧第二型半導體層
228‧‧‧第一型電極
230‧‧‧第二型電極
232‧‧‧反射層
240‧‧‧第一側表面
242‧‧‧第一底表面
244‧‧‧第一螢光粒子
246‧‧‧第二螢光粒子
600‧‧‧第四側表面
620‧‧‧第三側表面
622‧‧‧第二底表面
L‧‧‧光線
D1、D2、D3‧‧‧距離
第1圖為先前技術之發光二極體封裝結構的示意圖。
第2圖為根據本發明第一實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。
第3圖為以第一封裝膠體及第一透光板封裝多個發光單元的示意圖。
第4圖為根據本發明第二實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。
第5圖為根據本發明第三實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。
第6圖為根據本發明第四實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。
第7圖為根據本發明第五實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。
第8圖為根據本發明第六實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。
第9圖為根據本發明第七實施例之發光二極體模組的示意圖。
第10圖為根據本發明第八實施例之發光二極體模組的示意圖。
第11圖為根據本發明第九實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。
第12圖為根據本發明第十實施例之發光二極體模組的示意圖。
請參閱第2圖，第2圖為根據本發明第一實施例之發光二極體封裝結構2的示意圖。如第2圖所示，發光二極體封裝結構2包含一第一透光板20、一發光單元22以及一第一封裝膠體24。發光單元22設置於第一透光板20上，而第一封裝膠體24設置於發光單元22與第一透光板20之間且包覆部分發光單元22。
於此實施例中，發光單元22包含一基板220、一第一型半導體層222、一發光層224、一第二型半導體層226、一第一型電極228、一第二型電極230以及一反射層232。發光單元22可為覆晶式發光二極體晶片，且基 板220之材料可為藍寶石，但不以此為限。第一型半導體層222位於基板220上，發光層224位於第一型半導體層222上，第二型半導體層226位於發光層224上，反射層232位於第二型半導體層226上，第一型電極228與第一型半導體層222電性連接，第二型電極230與第二型半導體層226電性連接，且第一型電極228與第二型電極230外露於第一封裝膠體24外。換言之，第一封裝膠體24並未包覆發光單元22之第一型電極228與第二型電極230。第一型半導體層222可為N型半導體層(例如，N型氮化鎵層)，且第二型半導體層226可為P型半導體層(例如，P型氮化鎵層)。此時，第一型電極228即為N型電極，且第二型電極230即為P型電極。需說明的是，發光單元22之發光原理係為習知技藝之人所熟知，在此不再贅述。
反射層232之反射率可大於90%，且反射層232之材料可選自金、銀、鋁、銅、鎳及鉻所構成之材料群組，但不以此為限。反射層232可將光線反射，進而增加發光單元22的整體出光效率。需說明的是，本發明可根據實際出光需求決定是否設置反射層232。
請參閱第3圖，第3圖為以第一封裝膠體24及第一透光板20封裝多個發光單元22的示意圖。如第3圖所示，本發明可直接將多個發光單元22以第一封裝膠體24封裝後再蓋上第一透光板20定型。接著，再針對每一個發光單元22進行切割，以完成如第2圖所示之發光二極體封裝結構2之製作，進而實現無封裝基板之封裝。於切割後的發光二極體封裝結構2中，第一封裝膠體24之一第一側表面240即會與第一透光板20之一第二側表面200切齊。由於本發明係為無封裝基板之封裝，因此本發明之發光二極體封裝結構2製作相當方便，可有效提升產能。此外，本發明係利用第一透光板20對第一封裝膠體24進行定型，可不用額外模具的製作，進而節省成本。
如第2圖所示，當發光單元22發光時，至少部分發光單元22發出之光線L即會依序穿過第一封裝膠體24與第一透光板20而射出。於此實施例中，第一透光板20針對發光單元22發出之光線L的透光率可大於90%， 且第一透光板20之材料可為玻璃或陶瓷，但不以此為限。較佳地，發光單元22與第一封裝膠體24之第一側表面240間之距離D1可大於發光單元22與第一封裝膠體24之一第一底表面242間之距離D2，此為搭配發光單元22所發出之光形之設計，以增加發光單元22的整體出光效率及出光角度，其中第一透光板20係連接於第一封裝膠體24之第一底表面242。
於此實施例中，第一封裝膠體24內可摻雜複數個第一螢光粒子 244。較佳地，第一螢光粒子244的放射波長(Emission Wavelength)可大於發光單元22的主發光波長。第一螢光粒子244可將發光單元22發出之光線L的波長轉換為另一波長，進而改變發光單元22發出之光線L的顏色，較佳地，發光單元22與第一封裝膠體24之第一側表面240間之距離D1可大於發光單元22與第一封裝膠體24之一第一底表面242間之距離D2，如此一來，發光二極體封裝結構2可具有較佳的光均勻性及光強度。需說明的是，本發明可根據實際出光需求決定是否於第一封裝膠體24內摻雜第一螢光粒子244。
配合第2圖，請參閱第4圖，第4圖為根據本發明第二實施例之 發光二極體封裝結構3的示意圖。發光二極體封裝結構3與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構3之第一封裝膠體24包含一第一部分24a以及一第二部分24b，第一部分24a位於發光單元22與第二部分24b之間，且第一部分24a中的第一螢光粒子244之濃度小於第二部分24b中的第一螢光粒子244之濃度。藉此，可進一步增加發光單元22的整體出光效率。需說明的是，第4圖中與第2圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第2圖，請參閱第5圖，第5圖為根據本發明第三實施例之 發光二極體封裝結構4的示意圖。發光二極體封裝結構4與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構4之第一封裝膠體24內更包含複數個第二螢光粒子246。於此實施例中，第一螢光粒子244之放射波長可小於第二螢光粒子246之放射波長。換言之，本發明可藉由第一 螢光粒子244與第二螢光粒子246將發光單元22發出之光線L的波長轉換為二相異波長，進而將發光單元22發出之光線L的顏色轉換為二相異顏色，與發光單元22發出之光線L混光後可提高發光二極體封裝結構4的色飽和度。需說明的是，第5圖中與第2圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第2圖，請參閱第6圖，第6圖為根據本發明第四實施例之發光二極體封裝結構5的示意圖。發光二極體封裝結構5與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構5之第一封裝膠體24包含一第一部分24a以及一第二部分24b，第一部分24a位於發光單元22與第二部分24b之間，第一部分24a內摻雜複數個第一螢光粒子244，且第二部分24b內摻雜複數個第二螢光粒子246。於此實施例中，第一螢光粒子244的放射波長可大於發光單元22的主發光波長，且第一螢光粒子244之放射波長可小於第二螢光粒子246之放射波長。發光單元22發出之光線L的顏色可先藉由第一螢光粒子244轉換為另一顏色，再藉由第二螢光粒子246轉換為另一顏色，進而產生不同的發光效果，混光後可提高發光二極體封裝結構5的色飽和度，較佳地，第一螢光粒子244的吸收波長與發光單元22的主發光波長的差值小於150nm，第二螢光粒子246的吸收波長與第一螢光粒子244之放射波長的差值小於150nm，如此可具有較佳的螢光轉換效率。需說明的是，第6圖中與第2圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第2圖，請參閱第7圖，第7圖為根據本發明第五實施例之發光二極體封裝結構6的示意圖。發光二極體封裝結構6與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構6更包含一第二透光板60以及一第二封裝膠體62，且第一封裝膠體24內無摻雜第一螢光粒子244。如第7圖所示，第二封裝膠體62包覆第一透光板20與第一封裝膠體24，第二透光板60連接第二封裝膠體62的一第二底表面622，且第二封裝 膠體62之一第三側表面620與第二透光板60之一第四側表面600切齊。於此實施例中，第二封裝膠體62內可摻雜複數個第一螢光粒子244，第一螢光粒子244的放射波長可大於發光單元22的主發光波長，且第一螢光粒子244的粒徑可介於3微米到50微米之間。此外，發光單元22與第一封裝膠體24之第一底表面242的距離D2可為第一透光板20與第二封裝膠體62之第二底表面622的距離D3的1到30倍，由於發光單元22所發出之光線L會先經過第一封裝膠體24及第一透光板20後才激發第一螢光粒子244，因此第一封裝膠體24與第二封裝膠體62的厚度比在此範圍內具有較佳的導光效果，因此可導出較多的光線L去激發第一螢光粒子244。藉由上述之結構配置，可進一步增進整體出光效率及變換不同的出光效果。需說明的是，第7圖中與第2圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第7圖，請參閱第8圖，第8圖為根據本發明第六實施例之 發光二極體封裝結構7的示意圖。發光二極體封裝結構7與上述的發光二極體封裝結構6的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構7之第二封裝膠體62內更包含複數個第二螢光粒子246。於此實施例中，第二螢光粒子246的放射波長可大於第一螢光粒子244的放射波長。換言之，本發明可藉由第一螢光粒子244與第二螢光粒子246將發光單元22發出之光線L的波長轉換為二相異波長，進而將發光單元22發出之光線L的顏色轉換為二相異顏色，混色後可提高發光二極體封裝結構7的色飽和度。需說明的是，第8圖中與第7圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第2圖，請參閱第9圖，第9圖為根據本發明第七實施例之 發光二極體模組8的示意圖。如第9圖所示，發光二極體模組8包含一承載座80、一發光二極體封裝結構2、一第一型接合墊82以及一第二型接合墊84。發光二極體封裝結構2設置於承載座80上並與承載座80電性連接。於此實施例中，第一型接合墊82可為N型接合墊，且第二型接合墊84可為P型接合墊。第一型接合墊82與第二型接合墊84設置於承載座80上，且第一 型接合墊82與第二型接合墊84用以電性連接發光二極體封裝結構2。如第9圖所示，發光單元22之第一型電極228與第一型接合墊82電性連接，且發光單元22之第二型電極230與第二型接合墊84電性連接。於此實施例中，承載座80可具有可撓性，例如可撓性電路板，可應用在各種形狀的燈座上，但不以此為限。此外，第9圖中的發光二極體封裝結構2亦可以第4圖至第8圖中的發光二極體封裝結構3-7替換，視實際應用而定。需說明的是，第9圖中與第2圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第9圖，請參閱第10圖，第10圖為根據本發明第八實施例 之發光二極體模組9的示意圖。發光二極體模組9與上述的發光二極體模組8的主要不同之處在於，發光二極體模組9更包含複數個第一型接合墊82與複數個第二型接合墊84。如第10圖所示，複數個第一型接合墊82與複數個第二型接合墊84設置於承載座80上，用以電性連接複數個發光二極體封裝結構2。換言之，本發明可根據實際出光需求於承載座80上設置一個以上的發光二極體封裝結構2。此外，第10圖中的發光二極體封裝結構2亦可以第4圖至第8圖中的發光二極體封裝結構3-7替換，視實際應用而定。需說明的是，第10圖中與第9圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第2、3圖，請參閱第11圖，第11圖為根據本發明第九實施 例之發光二極體封裝結構11的示意圖。如第3圖所示，本發明可直接將多個發光單元22以第一封裝膠體24封裝後再蓋上第一透光板20定型。接著，再針對複數個發光單元22進行切割，以完成如第11圖所示之發光二極體封裝結構11之製作，進而實現無封裝基板之封裝。如第11圖所示，於切割後的發光二極體封裝結構11中係包含三個發光單元22，但不以此為限。本發明亦可針對兩個、四個或四個以上之發光單元進行切割，以完成包含多個發光單元22之發光二極體封裝結構11之製作。此外，在發光二極體封裝結構11切割完成後，第一封裝膠體24之一第一側表面240即會與第一透光板20之 一第二側表面200切齊。需說明的是，第11圖中與第2圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合第10、11圖，請參閱第12圖，第12圖為根據本發明第十實 施例之發光二極體模組13的示意圖。如第12圖所示，發光二極體模組13包含一承載座80、一發光二極體封裝結構11、複數個第一型接合墊82與複數個第二型接合墊84，其中複數個第一型接合墊82與複數個第二型接合墊84設置於承載座80上，用以電性連接發光二極體封裝結構11之複數個發光單元22。比較第10圖之發光二極體模組9與第12圖之發光二極體模組13，本發明可將多個具有單一發光單元22之發光二極體封裝結構2設置於承載座80上，亦可將具有多個發光單元22之發光二極體模組13設置於承載座80上，視實際應用而定。需說明的是，第12圖中與第10、11圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
綜上所述，本發明可利用透光板與封裝膠體直接將多個發光單元 封裝後進行切割，以完成發光二極體封裝結構之製作，進而實現無封裝基板之封裝。於切割後的發光二極體封裝結構中，封裝膠體之側表面即會與透光板之側表面切齊。由於本發明係為無封裝基板之封裝，只要將封裝過後的發光單元進行切割，即可完成發光二極體封裝結構之製作，因此本發明之發光二極體封裝結構製作相當方便，可有效提升產能。此外，本發明係利用透光板對封裝膠體進行定型，可不用額外模具的製作，進而節省成本。由於透光板之硬度大於封裝膠體之硬度，在後續將發光二極體封裝結構設置於承載座上時，透光板可保護發光單元，進而避免因外力破壞而影響出光。再者，本發明可於封裝膠體內摻雜螢光粒子，並且藉由調整螢光粒子的濃度及/或放射波長，來調整出光效率與光線顏色，同樣地，透光板也可以保護螢光粒子，具有防止封裝膠體表面的螢光粒子脫落的功效。另外，透光板及封裝膠體都具有導光功能，可提高光取出效率。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所 做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
2‧‧‧發光二極體封裝結構
20‧‧‧第一透光板
22‧‧‧發光單元
24‧‧‧第一封裝膠體
200‧‧‧第二側表面
220‧‧‧基板
222‧‧‧第一型半導體層
224‧‧‧發光層
226‧‧‧第二型半導體層
228‧‧‧第一型電極
230‧‧‧第二型電極
232‧‧‧反射層
240‧‧‧第一側表面
242‧‧‧第一底表面
244‧‧‧第一螢光粒子
L‧‧‧光線
D1、D2‧‧‧距離

Claims (32)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包含：一第一透光板；一發光單元，設置於該第一透光板上；以及一第一封裝膠體，設置於該發光單元與該第一透光板之間且包覆部分該發光單元；其中，該第一封裝膠體之一第一側表面與該第一透光板之一第二側表面切齊，至少部分該發光單元發出之光線依序穿過該第一封裝膠體與該第一透光板而射出。
  2. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該發光單元包含一基板、一第一型半導體層、一發光層、一第二型半導體層、一第一型電極及一第二型電極，該第一型半導體層位於該基板上，該發光層位於該第一型半導體層上，該第二型半導體層位於該發光層上，該第一型電極與該第一型半導體層電性連接，該第二型電極與該第二型半導體層電性連接，且該第一型電極與該第二型電極外露於該第一封裝膠體外。
  3. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該第一透光板針對該發光單元發出之光線的透光率大於90%。
  4. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該第一透光板之材料為玻璃或陶瓷。
  5. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該發光單元與該第一封裝膠體之該第一側表面間之距離大於該發光單元與該第一封裝膠體之一第一底表面間之距離，且該第一透光板連接於該第一封裝膠體之該第一底表面。
  6. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體內摻雜複數個第一螢光粒子，該等第一螢光粒子的放射波長大於該發光單元的主 發光波長。
  7. 如請求項6所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體包含一第一部分以及一第二部分，該第一部分位於該發光單元與該第二部分之間，且該第一部分中的該等第一螢光粒子之濃度小於該第二部分中的該等第一螢光粒子之濃度。
  8. 如請求項6所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體內更包含複數個第二螢光粒子，且該等第一螢光粒子之放射波長小於該等第二螢光粒子之放射波長。
  9. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體包含一第一部分以及一第二部分，該第一部分位於該發光單元與該第二部分之間，該第一部分內摻雜複數個第一螢光粒子，該第二部分內摻雜複數個第二螢光粒子，該等第一螢光粒子的放射波長大於該發光單元的主發光波長，且該等第一螢光粒子之放射波長小於該等第二螢光粒子之放射波長。
  10. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，更包含一第二透光板以及一第二封裝膠體，該第二封裝膠體包覆該第一透光板與該第一封裝膠體，該第二透光板連接該第二封裝膠體的一第二底表面，且該第二封裝膠體之一第三側表面與該第二透光板之一第四側表面切齊。
  11. 如請求項10所述之發光二極體封裝結構，其中該第二封裝膠體內摻雜複數個第一螢光粒子，該等第一螢光粒子的放射波長大於該發光單元的主發光波長，且該等第一螢光粒子的粒徑介於3微米到50微米之間。
  12. 如請求項11所述之發光二極體封裝結構，其中該第二封裝膠體內更包含複數個第二螢光粒子，該等第二螢光粒子的放射波長大於該等第一螢光粒子的放射波長。
  13. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該發光單元為覆晶式發光二極體晶片。
  14. 一種發光二極體模組，包含：一承載座；以及一如請求項1至13中任一項所述之發光二極體封裝結構，設置於該承載座上並與該承載座電性連接。
  15. 如請求項14所述之發光二極體模組，更包含一第一型接合墊與一第二型接合墊，設置於該承載座上，該第一型接合墊與該第二型接合墊用以電性連接該發光二極體封裝結構。
  16. 如請求項14所述之發光二極體模組，更包含複數個第一型接合墊與複數個第二型接合墊，設置於該承載座上，該等第一接合墊與該等第二接合墊用以電性連接複數個該發光二極體封裝結構。
  17. 如請求項14所述之發光二極體模組，其中該承載座具有可撓性。
  18. 一種發光二極體封裝結構，包含：一第一透光板；複數個發光單元，設置於該第一透光板上；一第一封裝膠體，設置於該等發光單元與該第一透光板之間且包覆部分該等發光單元，其中，該第一封裝膠體之一第一側表面與該第一透光板之一第二側表面切齊，至少部分該等發光單元發出之光線依序穿過該第一封裝膠體與該第一透光板而射出；一第二透光板；以及一第二封裝膠體，包覆該第一透光板與該第一封裝膠體，該第二透光板連接該第二封裝膠體的底表面，且該第二封裝膠體之一第三側表面與該第二透光板之一第四側表面切齊。
  19. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中每一該發光單元包含一基板、一第一型半導體層、一發光層、一第二型半導體層、一第一型電極及一第二型電極，該第一型半導體層位於該基板上，該發光層位於該第一型半導體層上，該第二型半導體層位於該發光層上，該第一型電極與 該第一型半導體層電性連接，該第二型電極與該第二型半導體層電性連接，且該第一型電極與該第二型電極外露於該第一封裝膠體外。
  20. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中該第一透光板針對該等發光單元發出之光線的透光率大於90%。
  21. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中該第一透光板之材料為玻璃或陶瓷。
  22. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中該等發光單元與該第一封裝膠體之該第一側表面間之距離大於該等發光單元與該第一封裝膠體之一第一底表面間之距離，且該第一透光板連接於該第一封裝膠體之該第一底表面。
  23. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體內摻雜複數個第一螢光粒子，該等第一螢光粒子的放射波長大於該等發光單元的主發光波長。
  24. 如請求項23所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體包含一第一部分以及一第二部分，該第一部分位於該等發光單元與該第二部分之間，且該第一部分中的該等第一螢光粒子之濃度小於該第二部分中的該等第一螢光粒子之濃度。
  25. 如請求項23所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體內更包含複數個第二螢光粒子，且該等第一螢光粒子之放射波長小於該等第二螢光粒子之放射波長。
  26. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中該第一封裝膠體包含一第一部分以及一第二部分，該第一部分位於該等發光單元與該第二部分之間，該第一部分內摻雜複數個第一螢光粒子，該第二部分內摻雜複數個第二螢光粒子，該等第一螢光粒子的放射波長大於該等發光單元的主發光波長，且該等第一螢光粒子之放射波長小於該等第二螢光粒子之放射波長。
  27. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中該第二封裝膠體內摻雜複數個第一螢光粒子，該等第一螢光粒子的放射波長大於該等發光單元的主發光波長，且該等第一螢光粒子的粒徑介於3微米到50微米之間。
  28. 如請求項27所述之發光二極體封裝結構，其中該第二封裝膠體內更包含複數個第二螢光粒子，該等第二螢光粒子的放射波長大於該等第一螢光粒子的放射波長。
  29. 如請求項18所述之發光二極體封裝結構，其中該等發光單元為覆晶式發光二極體晶片。
  30. 一種發光二極體模組，包含：一承載座；以及一如請求項18至29中任一項所述之發光二極體封裝結構，設置於該承載座上並與該承載座電性連接。
  31. 如請求項30所述之發光二極體模組，更包含複數個第一型接合墊與複數個第二型接合墊，設置於該承載座上，該等第一型接合墊與該等第二型接合墊用以電性連接該發光二極體封裝結構之該等發光單元。
  32. 如請求項30所述之發光二極體模組，其中該承載座具有可撓性。
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