TWI523720B - 應用於雷射處理工件中的特徵的聲光偏轉器及相關雷射處理方法 - Google Patents

Description

應用於雷射處理工件中的特徵的聲光偏轉器及相關雷射處理方法

本發明有關介電質或其他材料之雷射處理。

通常使用介電質與導電材料之雷射處理，以去除電子組件中之細微特徵。例如，可以將晶片封裝基板雷射處理，以便將信號從半導體晶粒傳送之球格柵陣列或類似封裝。經雷射處理特徵可以包括：信號跡線、接地跡線以及微通孔(以連接封裝層間之信號跡線)。最近之設計趨勢為將信號與接地跡線合併於一單層上，以嚴密控制信號阻抗，同時減少在晶片封裝中層之數目。此種方式會需要小的跡線尺寸與間隔(例如，大約10微米(μm)至大約25μm)，以及每封裝長的跡線長度(例如，大約5 m至大約10m)。為了經濟節省地建構晶片封裝，此等特徵被去除之速率可能非常快(例如，從大約1米/秒(m/s)至大約10m/s)。某些封裝例如可以在大約0.5秒至大約5秒中處理，以符合客戶產量目標。

晶片封裝另一有用之特徵為：以經控制之深度變化提供相交跡線。例如，接地跡線可以在整個樣式中在數個點分支。在各分支相交處，此等跡線可以少於大約±10%所想要深度變化而去除。在正常情況下，如果兩個溝渠在一點被去除，則此去除射束之雙曝露會產生大約100%之深度變化。

晶片封裝另一有用之特徵為：可以在封裝之不同部份提供可變跡線寬度，以控制阻抗、或提供用於層間連接通孔之墊。跡線寬度控制應以減少或最小干擾提供給主要跡線之高速處理。

亦可以有用，使用減少或最小時間、以高速處理任何尺寸與形狀之特徵，以改變此特性之特徵。例如，此等特徵可以包括：具有各種直徑及/或側壁錐度(taper)、正方形或矩形墊、配置基準及/或文數字符號之微通孔。在傳統上為了處理特徵例如微通孔而設計光學系統，以提供可變直徑之成形強度輪廓(例如，平頂射束)，或純粹高斯(Gaussian)射束。當改變雷射處理點特徵時，此等光學系統具有重大時間延遲(例如，大約10毫秒(ms)至大約10秒(s))。

亦有其他問題，其與建構一機器以符合以上說明處理參數有關。例如，由於路由需求，跡線可以在整個封裝中改變方向。當以高速處理跡線時，此軌跡角度中之變化可以須要在非常短的時間尺度之高射束位置加速。當例如以高速(例如，大約1m/s至大約10m/s)操作而用於高產量時，雷射處理可以容易地超過射束定位器之動態限制。

此種加速度及/或速度在傳統雷射處理機器中難以達成，其依賴射束定位技術，例如：線性平台、與鏡電流計射束偏轉器(在此稱為“galvo”或”galvo鏡”)之組合，以及靜態(或緩慢改變)射束調整光學裝置，其無法在使用於此種型式處理之時間尺度(例如在大約1微秒(μs)至100微秒(μs)之等級)中響應。

實際之去除過程亦為考慮因素。可以使用具有高尖峰功率之雷射脈衝以去除介電材料，而同時將例如熔化、斷裂、以及基板損壞之熱副效應最小化。例如，具有脈衝寬度在大約20微微秒(ps)至大約50ps之範圍中，以大約5MHz至大約100MHz重複率之超快雷射，可以高尖峰功率處理材料，同時提供重大脈衝重疊，以避免脈衝間隔效應。光纖雷射現在通常以大於大約500kHz之重複率在奈秒區域中提供脈衝寬度。在正常情況下，對於給定處理條件(去除深度與寬度)，此提供給處理材料之“劑量”(功率/速度)應為固定。然而，在低速率，此所提供功率可能變得太低，以致於尖峰脈衝功率並不足以去除材料而不會導致熱效應(例如：熔化以及燒焦)。

另一種會降低去除效率之處理效應為：處理射束與去除材料煙塵之交互作用。煙塵會使得射束足夠地扭曲變形或偏轉，而干擾到所聚焦射束，或由於其偏轉而造成準確度問題。

射束定位器設計可以使用電流計將處理射束偏轉。此在工件處理射束之強度輪廓可以為：高斯(用於將高斯射束簡單地聚焦)；或形成強度輪廓(例如，平頂輪廓)用於由固定光學射束成形器所調整之射束。

在以上已經說明此等系統，其中聲光偏轉器(AOD)與電流計組合以提供高速偏轉，此例如在美國專利案號5,837,962與7,133,187中說明，然而此等引証案中並未說明如何在先進射束定未設計中獲得所想要之性能表現。

在一實施例中，此用於將工件微機械加工之雷射處理系統包括：以雷射源，其產生一系列雷射脈衝，用於處理在工件表面中特徵；一電流計驅動(galvo)子系統，其沿著相對於工件表面處理軌跡給予雷射射束點位置之第一相對移動；以及一聲光偏轉器(AOD)子系統，其沿著垂直於處理軌跡之方向有效地加寬雷射射束點。此AOD子系統可以包括：AOD與電光偏轉器之組合。

在一實施例中，提供一種方法，用於以一系列脈衝處理在工件中之特徵。此方法包括使用第一定位系統，沿著處理軌跡，給予雷射射束點位置第一相對移動。此方法亦包括使用第二定位系統，沿著相對於該處理軌跡之颤動方向，給予雷射射束點位置第二相對移動。第二相對移動與第一相對移動重疊，且第二相對移動之速度實質上大於第一相對移動之速度。此方法亦包括在第二相對移動期間，發射第一複數個雷射脈衝，而在颤動方向中有效地加寬在此工件上之雷射射束點，且改變該第一複數個雷射脈衝之強度輪廓、作為沿著該颤動方向偏轉位置之函數，而在該颤動方向中將第一特徵選擇地成形。

在此所揭示之實施例提供一種經濟節省且可行之彈性高速率射束定位與調整。此所揭示之內容說明AOD與線性定位平台及/或電流計組合之使用。

雖然，在此所揭示範例實施例是有關於聲光偏轉器(AOD)，然而，亦可以使用電光偏轉器(EOD)。例如，在某些實施例中，EOD適合用於取代一些或所有AOD指標(偏轉)功能。EOD(當設定用於角度偏轉時)典型地並不會調變功率。因此，在某些實施例中，使用一或更多個AOD用於功率調變，且使用一或更多個EOD用於指標。實施調變之聲光裝置在此稱為聲光調變器(AOM)。可以其他機械射束操控技術例如快速操控鏡(FSM)，以取代電流計射束定位子系統，而不會損失其功能。

一雷射處理系統，根據以下詳細說明之某些實施例，可以提供AOD與電流計定位。一種包括AOD與電流計射束定位之系統，可以藉由製成用於所想要操作條件之功率線性曲線，而提供AOD之較大偏轉範圍vs高繞射效率之抵換能力。

某些實施例藉由快速地更新AOD偏轉指令，以產生用於工件客製化處理之所選擇強度輪廓，而提供處理射束之颤動。可以使用顫動以改變此處理射束之有效尺寸(例如，其寬度或橫截面形狀)，或產生客製化點強度輪廓，而用於例如通孔形成之應用(任意形狀之頂帽強度輪廓)。可以使用顫動例如在工件上產生相交去除特徵，同時避免由於相交部份過度曝露之非所欲之深度變化。在此所揭示之相交處理能力允許持續處理(將射束強度輪廓成形，同時處理主要特徵而不會停止)，或使用掃瞄方式客製化處理，此提供能力以產生任意形狀相交，否則以其他方式無法或難以即興處理。

此具有AOD與電流計定位之系統亦提供掃瞄樣式(此處理射束點之位置與強度)之最適化，以適當地形成所想要之相交。某些實施例亦藉由以下方式而提供用於電流計定位誤差之修正：將電流計誤差信號適當地過濾，而將來自電流計誤差之相位與增益響應、與在所選擇頻率範圍上射束位置匹配，同時濾除非所欲之雜訊。在對於顫動之替代方式中，某些實施例藉由”干擾”此AOD聲音波形，以脈衝-脈衝基礎將射束去焦，而改變處理射束點之尺寸。

此外，或在其他實施例中，將電流計射束定位器之操作與AOD定位操作協調，以允許AOD將用於高頻寬軌跡成份之處理射束偏轉，且允許電流計將用於較低頻寬軌跡成份之處理射束偏轉，其實施方式是藉由各別輪廓指令，或藉由將主射束軌跡指令過濾。此高速射束軌跡可以藉由允許AOD將射束速度於小局部區域中降低而同時並不改變電流計速度而致能，這使得能夠以全速處理較大之局部特徵。類似地，調變此處理射束功率而在特徵處理期間維持固定劑量(與射束速度無關)，允許電流計在某些區段中以全速操作，且在其他區段快地減速至較低速度，以便較佳地追蹤軌跡。

在某些實施例中，可以平行地處理多個工件特徵(使用AOD而在特徵間顫動)，以降低射束定位器速度，且藉由平行處理而允許較高產量。可以使用由AOD所提供相交處理能力，而將平行處理工件特徵部份接合至非平行處理之相鄰區段。

亦可以藉由使用AOD沿著所選擇工件特徵之速度向量以顫動射束位置，而使用AOD以較少額外成本或在光學序列中複雜度以穩定射束抖動，及/或避免在工件處理期間煙塵形成之非所欲效應。亦可以使用AOD同時提供用於通過透鏡觀看與對準工件之場照明與參考處理射束點，以(少的額外成本或複雜度)提供能力，而以非常高的準確度將處理射束對準工件特徵，且將用於處理射束之焦點調整最適化。AOD亦可以提供能力，以製成處理射束之負載周期，以致於可以將熱影響區域之效應最小化。

現在參考所附圖式，其中類似參考號碼是指類似元件。為了清楚起見，參考號碼之第一個數字顯示首先使用相對應元件之圖號。在以下說明中，提供各種特定細節，用於徹底瞭解在此所揭示之實施例。然而，熟習此技術人士瞭解，亦可以無須一或更多個特定細節、或以其他方法、組件、或材料以實施此等實施例。此外，在一些情形中，並未詳細顯示與說明熟知之結構、材料、或操作，以避免模糊本發明之觀點。此外，可以將所說明特性、結構、特徵，以任何適當方式組合於一或更多實施例中。

此等實施例可以包括各種步驟，其可以在機器可執行指令中實現，而可以由一般用途電腦或特殊用途電腦(或其他電子裝置)執行。以替代方式，此等步驟可以由包括特定邏輯之硬體組件實施，而由硬體、軟體、及/或韌體之組合實施此等步驟。

亦可以提供此等實施例作為電腦程式產品，其包括非轉換的機器可讀取媒體，而具有儲存於其上之指令，可以使用此等指令以程式規劃一電腦(或其他電子裝置)，以實施在此所說明之過程。此機器可讀取媒體可以包括但並不受限於：硬碟機、軟性磁碟、光碟、CD-ROM、DVD-ROM、ROM、RAM、EPROM、EEPROM、磁卡或光學卡、固態記憶體裝置、或適合用於儲存電子指令之其他型式媒體/電腦 可讀取媒體。

I. 聲光偏轉器(AOD)之概要

圖1說明根據某些實施例而可以使用之AOD 100之操作。AOD 100包括接合至晶體112之壓電轉換器110。此AOD 100更包括射頻(RF)驅動器113，其被組態以驅動壓電轉換器110，而在晶體112中產生(例如：在大約50MHz與大約1500MHz間頻率範圍中)RF頻率聲波114。此輸入雷射射束115由在晶體112中產生率聲波114而繞射，此輸入射束功率之一部份被偏轉(“第一等級”射束116)，此射束剩餘功率未偏轉(“第零等級”射束118)。在一些實施例中，此第一等級射束116使用於處理，此此第零等級射束傳送至射束收集器122。此第一等級偏轉角度120與所施加之RF頻率成比例。

在一實施例中，將此輸入射束相對於聲波行之角度設定為Bragg角度。將輸入射束角度設定至Bragg角度會增加繞射效率或將其最大化，此繞射效率為第一等級射束功率與輸入射束功率之比。此偏轉至第一等級射束116中之相對功率可以與在低RF功率位準由RF驅動器113所提供之RF功率大致成比例。然而，此偏轉至第一等級射束116中之相對功率(例如在圖2中所示)會在高位準飽和。在實際操作中，少量功率亦可能散射或偏轉至較高等等級射束中(未圖示)。

以所選擇RF頻率與振幅，對於具有良好(高品質Gaussian)輸入射束之適當設計裝置，AOD之繞射效率可以至大約95%或更多。當RF頻率改變時，此偏轉射束角度改 變，且其繞射效率降至其最大值以下。在等於工件(未圖示)焦點大約3至5個直徑偏轉範圍上，AOD可以維持大於大約90%之效率。此經由操控聲音射束角度為RF頻率函數之技術，特殊設計之AOD可以達成甚至更高之繞射效率。

可以將兩個AOD組合以產生一個二度空間(2-D)偏轉子系統。當如同以下所討論將其設置在電流器之前時，此兩個AOD在由電流計所產生額定射束位置周圍給予小射束偏轉。此種配置例如是在美國專利案號5,837,962中說明。當使用此種配置以處理工件時，儘管繞射效率中變化是為AOD偏轉之函數，某些實施例在AOD偏轉期間維持固定射束功率。此在AOD偏轉期間維持固定射束功率可以藉由以下方式達成：藉由更新(例如調變)此RF功率振幅作為RF頻率之函數，而在高速達成(例如：使用於AOD之更新速率為從大約0.1μs至大約10μs)。此RF功率調變所具有效應為：降低在AOD偏轉範圍中間部份中繞射效率，以致於其匹配或接近最低繞射效率。雖然，匹配此最低繞射效率會降低此偏轉子系統之效率，其允許AOD使用於應用中，此等應用在AOD偏轉範圍上使用實質上固定(或可預測)功率。

如同以上所討論，可以使用EOD作為AOD之替代(或與AOD一起使用)，而用於角度偏轉應用。EOD偏轉器具有類似於AOD之能力：具有有限範圍(例如：等於在工件幾個點直徑)、非常大之頻寬(例如：微秒響應時間)、以及高傳輸效率。然而，使用晶體以執行EOD裝置會遭受相對高之光學功率吸收(例如：幾個百分比)或重大電性功率耗散， 其會導致熱透鏡及/或射束指向漂移之問題。仍然，對於一些實施例而言(例如：使用低光學功率及/或高傳輸波長)，以下所說明使用AOD之技術可以EOD達成。

II. 功率線性化

為了將AOD適當使用於雷射處理應用中，根據某些實施例，此繞射效率曲線被線性化，而作為RF功率與頻率之函數。用於可預測操作，可以使用被正常化之AOD功率衰減指令(從0至1)，其導致第一等級射束功率之線性衰減。圖2顯示之在各種RF頻率之AOD繞射效率vs RF功率之曲線，此曲線可以根據某些實施例而使用。如同於圖2中所顯示，此AOD繞射效率曲線通常為非線性。由於此繞射效率曲線之非線性性質，可以根據某些實施例將繞射效率vs RF功率映射，以及可以產生線性函數(例如：多項式、查詢表、或類似演算法)，其提供RF功率且導致所命令之衰減。

圖3說明根據一實施例使用範例AOD功率線性化曲線以選擇所想要之衰減。圖3中所說明範例線性化函數可以查詢表形式代表。圖3中所顯示線性化函數對於特定RF頻率為有效，對於不同RF頻率有稍微變化。為了使得能夠在合理RF頻率(以及因此偏轉)範圍上作線性操作，某些實施例使用複數個線性化表。此線性化表之數目取決於提供給AOD之頻率範圍與維持功率正常化之準確度。在某些實施例中，此等線性化表可以在大約1%之公差中產生線性功率調節。

在一個2度空間AOD組態中，只需要一個AOD以控 制用於功率線性化之RF功率。此第一AOD之RF功率調變可以提供控制，而使用於將第二AOD之繞射效率線性化。在某些此種實施例中，此第二AOD在接近其飽和點操作，而在RF頻率中改變對於繞射效率具有最小影響，而將作為偏轉函數之繞射效率變化減少或最小化。如果想要用於某些實施例，可以使用兩個AOD中之任一個用於功率線性化。在某些實施例中，可以使用第一AOD用於粗略之功率控制，以及使用第二AOD用於精細之功率控制，以便將由量化RF功率指令所導入之線性化誤差減少或最小化。

由於在最適RF頻率設定此繞射效率曲線之尖峰，而在其他頻率操作會需要AOD在較低光學效率操作。如果此AOD在給定偏轉範圍上以一致光學輸出功率操作，則在某些此種實施例中，可以將所請求輸出功率組態，而在整個偏轉範圍上保持低於所能達成最小輸出功率。在設計雷射處理系統中可以確認此限制，以及可以導引AOD操作偏轉範圍之選擇。對於需要非常高光學效率之過程，此AOD可以在小的偏轉範圍(例如小於大約5點直徑)中操作。對於需要較大偏轉範圍(例如：一直至數百點直徑)之過程，可以將最大效率降低以允許使用者將效率(例如：光學功率)vs偏轉範圍作抵換。例如，圖4為根據某些實施例使用於選擇繞射效率與偏轉範圍間抵換之AOD繞射效率vs射頻(RF)頻率之曲線。圖4顯示繞射效率響應vs RF頻率位移、以及在最小繞射效率中之改變，用於範例RF頻率(偏轉振幅)操作範圍412。在箭頭414顯示在小範圍上之高效率，以及在箭頭416顯示在較大範圍上之較低效率。

III. 顫動

圖5為根據一實施例之一系統500之方塊圖，此系統包括AOD子系統506與電流計子系統508用於將雷射射束顫動。系統500包括雷射源510，用於提供處理射束512至AOD子系統506。在一實施例中，雷射源510包括一脈衝雷射源，以致於處理射束512包括一系列雷射脈衝。在另一實施例中，雷射源510包括連續波(CW)雷射源，以致於處理射束512包括CW雷射射束。在某些此等實施例中，AOD子系統506以離散(“脈衝”)間隔藉由將處理射束512偏轉而由CW雷射射束產生雷射脈衝。

如同以上討論，AOD子系統506以AOD偏轉角度514將處理射束512之第一等級射束513偏轉，以及將處理射束512之零等級射束515偏轉至射束儲存器516。系統500可以更包括：一固定鏡518，將第一等級射束513偏轉至電流計子系統508；以及一掃瞄透鏡520，將雷射射束點522聚焦至工件524上或之中。掃瞄透鏡520之輸出在此稱為聚焦雷射射束525。

在一實施例中，AOD子系統506可以包括單一AOD，其被使用在第一方向(例如：顫動方向)中來回提供偏轉，而電流計子系統508在沿著處理軌跡526之第二方向中提供偏轉。然而，為了增加速率與變化，在圖5所說明之實施例中，AOD子系統506沿著相對於工件524表面之X-軸與Y-軸提供二度空間(2-D)偏轉。在此例中，Y-軸平行於處理軌跡526，且X-軸垂直於處理軌跡526。因此，X-軸可以稱為顫動方向。處理軌跡526可以對應於一方向，例如，在此方向中，系統500劃線或切割溝渠528(例如，在電流計子系統508之控制下)至工件524之表面中。

為了提供所說明二度空間(2-D)偏轉，AOD子系統506包括：第一AOD530與第二AOD532，用於當電流計子系統508將射束軸沿著處理軌跡526移動時，各將第一等級射束513在第一與第二方向中偏轉。換句話說，此由AOD子系統506所提供射束點位置之移動、與由電流計子系統508所提供射束點位置之移動重疊。如同於圖5中所示，電流計子系統508亦可以包括：第一電流計鏡533與第二電流計鏡535，用於將第一等級射束513在相對於工件524表面之X-軸與Y-軸方向中偏轉。

此AOD偏轉方向可以並不對準於電流計子系統508之偏轉軸。通常，可以將座標轉換應用至AOD偏轉指令，將所產生之AOD偏轉對準於所想要之座標框。此座標轉換亦可以為速度函數，將此AOD偏轉座標框旋轉，而將AOD射束偏轉保持垂直於由電流計子系統508所界定之處理軌跡。

以此包括於系統500中之AOD子系統506，可以將數個操作模式致能。在一實施例中，操作模式包括此能力將處理射束512顫動，以有效地加寬在工件524之雷射射束點522。換句話說，顫動此處理射束512包括：將一系列聚焦雷射射束點534空間地定位以產生幾何特徵，其所具有尺寸大於由掃瞄透鏡520所聚焦之各個雷射射束點522之尺寸。為了說明目的，圖5顯示此顫動雷射射束點534，此為當溝渠528在處理軌跡526之方向中處理時，由工件524之表面上觀看之情形。因此，例如以給定重複率，此顫動雷射射束點534系列所具有之效應為：以較低之脈衝重複率，將一系列較大直徑雷射射束點連續施加於處理軌跡526之方向中。

在某些實施例中，AOD530與532可以大約0.1μs至大約10μs之等級，以更新其各聲音場(將光學孔徑填以新的聲音波形)。假設額定更新率為大約1μs，則可以快速地更新此處理射束位置，以致於在處理期間數個顫動雷射射束點534會重疊。此等顫動雷射射束點534可以在一度空間中(例如：沿著X-軸或顫動方向)重疊，而垂直於處理軌跡526，以加寬此被處理之特徵(例如：溝渠528)。如同於圖5中所顯示，此等顫動雷射射束點534亦可以在處理軌跡526之方向重疊。為了將顫動射束方向保持垂直於處理軌跡526，根據某些實施例，當處理軌跡526之角度改變時，可以持續地調整顫動軸。此外，可以調整顫動軸，以補償給予顫動點之線上之角度而為處理軌跡速度之函數。給定軌跡速度V、顫動更新期間Td、顫動點之數目Npts以及顫動路徑Dd，則此角度等於atan(Td*(Npts-l)* V/Dd]。

除了將射束位置相對於工件524表面顫動之外，或在其他實施例中，可以使用AOD子系統506，以改變顫動軸中之強度輪廓。此沿著顫動軸之處理射束512強度輪廓之操控，使得能夠形成處理溝渠528之橫截面形狀。例如，溝渠528可以被處理而具有所形成矩形、U形、或V形橫截面形狀。此成形之特徵例如側壁斜坡可以有用於例如相交成形之情形中。此形成形狀之解析度可以根據基本點尺寸，且此成形之強度輪廓可以為以下之捲積：顫動樣式(位置與強度)，以及點強度輪廓(例如：Gaussian或另一個輪廓形狀)。可以例如藉由以下方式將特徵形成形狀：沿著顫動軸在某些位置將脈衝重疊(例如：可以在相同位置施加兩個或更多脈衝)，以去除所選擇數量之靶材料；及/或調變雷射脈衝之功率振幅，作為沿著顫動軸偏轉位置之函數。

除了沿著顫動軸將特徵成形之外，或在其他實施例中，可以使用AOD子系統506，以控制功率作為沿著處理軌跡526位置之函數，以允許經處理線性特徵之“終點”類似地成形。亦可控制功率為沿著處理軌跡526位置之函數，而有用於例如相交形成之應用中。使用AOD子系統506，使得能夠以非常高速率(例如：以微秒等級)將功率調變致能，以致於可以在高處理速度(例如：具有在大約1m/s與大約5m/s間之範圍中)，作強度輪廓之精細控制(例如：在大約5μm與大約50μm間範圍中之特徵尺寸)。

除了高斯(Gaussian)射束偏轉外，某些實施例亦可藉由傳統射束成形技術將所成形射束偏轉，此傳統射束成形技術例如包括繞射光學元件(DOE)。例如，圖5A為根據一實施例用於射束成形之系統之540方塊圖。系統540包括：AOD子系統506(具有第一AOD530與第二AOD532)、零等級射束儲存器516、以及在圖5中所顯示之鏡518。系統540更包括：繞射光學元件(DOE)542，用於射束成形；以及光學元件544(例如：影像光學裝置、電流計鏡、以及掃瞄透鏡)。為了說明目的，將圖5A中之第一等級射束513顯示於AOD偏轉角度514之範圍中。在圖5A所說明之實施例中，此由AOD子系統506所偏轉之第一等級射束513經由傳送透鏡546而傳送至DOE 542(在DOE 542上形成射束樞軸點之影像)，而將第一等級射束513保持集中在DOE之孔徑上，而不論由AOD子系統506所給予之AOD偏轉角度541。此DOE 542然後可以藉由給予額外波前相位失真而將射束強度成形(如同典型地對於此種射束成形DOE)。此方式有益於此種情形：將較大成形射束偏轉且對接以形成具有例如正方形強度輪廓之更均勻顫動流量輪廓。此方式亦有益於此種情形：小數目之雷射脈衝足以形成所想要特徵(例如：在介電質材料中所鑽之微通孔)。在此種情形中，高斯(Gaussian)脈衝之掃瞄應用相對於成形強度輪廓之應用為較不有效率，然而，對於成形強度處理點位置之高速控制，此高速AOD偏轉可以為令人所欲。

在其他實施例中，可以使用類似傳送透鏡組態，而在掃瞄透鏡產生AOD偏轉射束之偏轉。此由於至少兩個原因而令人所欲。首先，此為令人所欲將射束之樞軸點傳送至電流計掃瞄鏡(以去除射束之橫向偏轉)，而(a)將射束保持集中於電流鏡與掃瞄透鏡之清楚孔徑中，以避免射束剪切；以及(b)避免此射束從掃瞄透鏡進入瞳孔之中央之位移，因為此種位移會在工件表面產生傾斜射束。其次，可以令人所欲在掃瞄透鏡給予橫向射束偏轉，以便有意地在工件表面產生射束傾斜。傾斜射束在某些高斯雷射鑽孔應用中為有利，以便在所處理特徵(例如：微通孔鑽孔)中產生陡峭側壁。

圖5B為根據一實施例提供傾斜處理射束552之系統550方塊圖。系統550包括：AOD子系統506(具有第一AOD 530與第二AOD 532)、零等等級射束儲存器516、以及在圖5中所顯示之鏡518。系統550更包括：傳送透鏡546、以及光學元件544(例如：影像光學裝置、電流計鏡以及掃瞄透鏡)。為了說明目的，將圖5B中之第一等級射束513顯示於AOD偏轉角度514之範圍中。如同在圖5B中所顯示，藉由適當設計與間隔554此傳送透鏡546與掃瞄透鏡(例如：圖5中所顯示之掃瞄透鏡520)，此由AOD子系統506所偏轉之第一等級射束513亦可以橫向偏轉，而在工件524之表面產生傾斜射束552。此在工件524用於處理點之給定偏轉之射束傾斜數量可以藉由以下方式控制：(a)使用AOD 530與632，而在工件524實質地產生橫向點偏轉，且改變傳送透鏡546與至掃瞄透鏡(掃瞄透鏡520)之間隔554；或(b)協調電流計(例如：在圖5中所顯示之電流計533與535)以及AOD 530與532，以致於在掃瞄透鏡之任意橫向射束偏轉(以及因此在工件524之任意射束傾斜)，可以由在工件524之所想要橫向點偏轉而獨立地給予。

以下在標示為「範例AOD控制實施例」之段落中揭示成形技術之進一步細節。

雖然，射束顫動可以非常有效且具彈性，用於產生所想要之輪廓；對於颤動之一種替代方式(通常為更加限制)包括：藉由將干擾波形施加於AOD 530與532之至少之一，而改變雷射射束點522之焦點。以一干擾波形，聲波之瞬間頻率在此通過AOD晶體之光學處理射束512中線性地變化。聲波瞬間頻率之線性變化所具有效應為：將一單軸(散 光)聚焦條件提供給處理射束512，而並非將雷射射束點522以離散步驟位移。根據某些實施例，藉由提供干擾波形至AOD 530與532，可以將雷射射束點522對稱地去焦，因此增加在工件524點之尺寸。此方式可以有用於例如較低重複率雷射之情形中，在此種情形中，脈衝重複頻率可能並不足夠高，在工件524提供脈衝之良好重疊，以避免當加寬溝渠528時之強度變化。

IV. 掃瞄

另一個可以與AOD子系統506一起使用之操作模式包括：以AOD 530與532非常快地掃瞄二度空間樣式。此掃瞄之一用途包括：將處理射束512之強度輪廓以空間方式成形，而在工件524例如微通孔產生所想要之特徵。AOD 530與532控制點位置與強度加權，其使得能夠產生任何所想要的強度輪廓。此外，可以為有益改變在各位置雷射射束點522之停留時間，其使用高強度用於處理操作例如銅鑽孔。

使用掃瞄可以提供優於傳統“成形光學裝置”方式之數個效益。一些效益包括但並不受限於：任意選擇處理點之直徑(在AOD範圍中)或形狀(例如：圓形、正方形、矩形、卵形、或其他形狀)；由於去除成形光學裝置、及/或高斯或成形模式改變光學裝置而成本降低；一種能力，能以非常高速率、沒有由於電流計射束定位之動態限制、而以高強度高斯(Gaussian)射束(例如：使用螺旋、穿孔、或其他樣式)以處理特徵；藉由適當修正掃瞄樣式而補償射束失真(例如：橢圓形點)；及/或即興地產生空間強度分佈而將特徵例如尖端及/或底部品質最適化或改善。

有數個選擇可供使用以設計掃瞄樣式(點位置與振幅)。一實施例包括：以點位置之陣列填入一區域。然而，此實施例對於在此區域上最後累積流量輪廓提供很少控制。例如，在掃瞄區域邊緣流量輪廓之定義可能不具有所想要的“斜率”(例如：流量vs位置中之改變)，用於通孔形成或相交處理。

在另一實施例中，明確地界定流量輪廓，且選擇掃瞄樣式以最適合所界定輪廓。此所具有之優點為：產生客製化流量分佈，例如，具有在整個掃瞄區域之可變流量位準以改變深度，或在掃瞄區域之邊緣具有特定成形之側壁。當例如將相交跡線之流量組合及/或當以客製化側壁錐度(taper)鑽通孔時，此實施例可以為有用。

圖6為根據一實施例之一方法600之流程圖，其使用最小平方最適化常式(routine)以判斷在掃瞄點之格柵上一組點振幅。如同於圖6中所示，此方法600包括：設定610一候選掃瞄格柵。對於在掃瞄格柵中之各點，此方法600包括：計算612在掃瞄場上流量輪廓，以產生各“影響函數”。此方法600更包括：編輯614此影響函數成影響函數矩陣，計算616此擬似-逆影響函數矩陣(例如：使用單值分解(SDV)演算法)；以及使用此擬似-逆影響函數矩陣，計算618在各格柵點之點振幅。此方法600更包括：根據在各掃瞄點所計算之點振幅將雷射射束點施加620至工件。

在以下概要說明範例式，其說明在圖6中所說明之方法。此範例式假設一掃瞄樣式，其界定於XY座標[xr，yr]中而包含Nr點。應用一組掃瞄振幅(Zr)，以產生所想要的流量表面(Zs)，其可以在一組包含Ne點之XY座標[xe，ye]估計。此影響矩陣H界定如下：

Ze=H*Zr，is(Ne x Nr)

執行一操作以產生影響矩陣H，其包括計算位於一[xr，yr]點之單一處理點之流量，此於各[xe，ye]點上估計。如果對於各估計將Zr與Ze矩陣”向量化”，則Zr為(Nr x 1)，而Ze為(Ne x 1)。對於各[xr，yr]掃瞄電重複此程序，用於總共Nr估計。將所有結果(Zr與Ze)附加於矩陣中，以產生尺寸(Nr x Nr)之Zr對角線矩陣，以及尺寸(Ne x Nr)之Ze矩陣。藉由此所提供各點振幅將結果正常化，而產生用於Zr之單元矩陣。然後，此影響矩陣H為(正常化)Ze矩陣。

給定此影響矩陣H，則使用此所想要致動器指令向量Zr，而產生所想要之表面流量zDes，而可以給定為：

Zs=Hinv*Zr

Hinv可以經由SVD分解而計算，而限制其在Hinv中模式數目，以避免過度雜訊效應。因為H(以及Hinv)之辨識為進似，Zr之計算可以在封閉迴路模式中實施，而具有所提供之調整增益為：

Zr(k+1)=Zr(k)-kAlpha*Hinv*(zDes-Zs)

而Zs由一模式或所測量系統資料在各疊代(iteration)中計算。

雖然圖6中之方法600與上述範例式可以為相當直截了當，此方法600對於掃瞄格柵之選擇以及計算擬似-逆矩陣之方法為敏感。然而，方法600對於在基本雷射射束處理點之空間特徵限制中所想要之流量輪廓，提供可接受之近似，其可以對於掃瞄樣式任何邊緣之解析度施加基本限制。圖7A圖示說明所想要之流量輪廓，且圖7B圖示說明此根據圖6之方法600與上述範例式所決定相對應最適化掃瞄振幅。

根據另一實施例，一相關方式涉及使用梯度下降方法將掃瞄樣式最適化。在此實施例中界定目標函數(例如：其適合所想要之流量輪廓)。此最適化過程決定局部目標函數梯度(此所給定函數中遞增變化會導致流量中遞增變化，而施加至各掃瞄格柵位置)，且在一演算法中使用此梯度以搜尋掃瞄點振幅之最適向量。

可以將此兩種方式(SVD與梯度下降)實施於模擬或系統中。在此系統中，可以使用此由所給定掃瞄樣式所產生之實際流量分佈(由量測攝影機所測量)，將性能表現量化。然後，可以應用此兩種最適化方法中之任一種，將流量分佈最適化，此種過程可以避免或減少模型誤差與說明系統中之公差，例如：點尺寸與失真、AOD線性化誤差、及/或光學對準。

當然，可以其他最適化方法以取代上述演算法。

V. 形成相交

某些實施例包括形成相交之處理特徵(例如：溝渠、墊、通孔、以及其他特徵)，而具有在相交處特徵深度之經控制變化。例如，可能另人所欲控制電性特徵，例如：阻抗(以維持高速信號之完整性)、介電崩潰(其可能對於電鍍溝渠與下面導電層間之間隙敏感)、或控制電鍍品質。

當例如此處理射束流量大於材料去除臨界值許多時，此相交處理可能變得非常難，這是因為工件介電質之去除是與所提供之累積流量成比例。在此種情行中，藉由將特徵簡單地相交以處理兩個相交特徵會導致“雙重曝露”，其在雙重曝露點具有接近100%之深度變化。

為了避免或減輕此問題，可以使用以上參考圖5所討論之系統500，而將在相交區域兩個特徵之流量“混合”，以減輕或避免雙重曝露。例如，如果使用AOD子系統506，以處理溝渠特徵、其在側壁具有流量寬的“斜坡”；以及處理相交溝渠特徵，其具有在其終點匹配之流量“斜波”。將此兩個流量分佈組合，而在其相交處產生額定平坦流量場。因此，可以使用AOD子系統506，以產生深度控制相交。

此流量斜坡之產生提供其他效益，例如，將由於射束定位公差所產生之深度變化最小化。以此在相交區域中陡的流量斜坡，此在相交特徵去除期間在射束位置中小的變化(例如：大約1μm至5μm之等級)，會造成重大深度變化。藉由在流量中產生緩的斜波，則射束定位誤差會產生可接受之深度變化(例如：小於大約10%至大約15%之額定深度)。

此流量斜坡之產生，可以藉由隨時即興(on-the-fly)地改變流量斜坡及/或寬度以處理此相交特徵而實施。在另一實施例中，此溝渠特徵在相交處(具有適當之流量斜坡)之外終止，接著為掃瞄此相交體積之其餘部份。此實施例具有數個優點，其包括，例如：對於相交型式較小之敏感度(例如：相交溝渠之角度、多個溝渠在單點相交、彎曲溝渠之相交)；使用最小化額外線寬度以產生側流量斜坡、其會在對接溝渠間之間隙中強迫造成非所欲之變化；及/或將掃瞄樣式客製化之能力，而將相交特徵最適化。掃瞄樣式客製化在當處理任意形狀相交、例如具有多個相交跡線之圓形墊時，可以為有用。

在此所揭示相交處理之額外細節，是標示於「範例相交處理實施例」之段落中。

VI. 電流計誤差修正

重覆性誤差(如同以上說明，其會限制以良好深度控制作機器相交之能力)之一來源可能為在圖5中所顯示電流計子系統508之定位誤差。此誤差可能由於感測器雜訊或追蹤誤差。在電流計子系統508中之各電流計鏡533與535可以與回饋感測器(未圖示)連接，而使用各電流計伺服器(未圖示)以控制鏡移動。當電流計伺服器追蹤在伺服器頻寬中回饋感測器雜訊時，會產生感測器雜訊效應，而導致實體射束移動。此誤差激發亦可以藉由電流計之封閉迴路響應而放大，其會將頻率頻譜之一些部份放大。感測器雜訊效應會產生射束誤差，取決於特殊光學與伺服器設計，而為從大約0.1μm均方根(RMS)至大約5μm均方根(RMS)。

感測器雜訊效應會在所有時間發生，而不論其被命令之射束軌跡。然而，追蹤誤差是在當電流計被命令跟隨一動態積極射束軌跡(包含大加速度或高頻率指令)時發生。此電流計伺服器無法追蹤指令會導致追蹤誤差與所產生重覆性損失。追蹤誤差可以例如為線性伺服器響應表現及/或非線性電流計行為(例如：軸承磨擦或磁性磁滯)之結果。

為了減少感測器雜訊誤差與追蹤誤差之來源，根據一實施例，使用AOD子系統506之偏轉能力，以修正由位置感測器回饋所顯示之電流計誤差。此感測器讀取內容包括感測器雜訊，其可以在一合理頻寬上被濾除，以減少或避免響應與此雜訊而增加非所欲之射束移動。在一實施例中，此濾除實質上將在有關頻寬中電流計位置感測器與射束位移之間移轉函數(“射束移轉函數”或BTF)之相位與增益匹配，而同時濾除較高頻率。在某些實施例中，此BTF受到位置感測器與電流計鏡之間動態關係之強烈影響，此動態關係經常是由輕微阻尼之第二等級極所良好模製。此影響相位匹配之其他因素例如為：由於信號濾波與資料通訊所造成之時間延遲，而可以包括於誤差修正濾波器之設計中。圖8圖示說明AOD誤差修正濾波器之一範例實施例，其提供在大約10kHz以下相位與增益匹配、以及在大約10kHz以上感測器雜訊濾除之互相衝突需求間之妥協。

感測器雜訊去除亦可以經由例如為估計(例如”Kalman濾波)之替代方式而達成，由於非模製動態特性或非線性行為，而在一些實施例中有降低性能表現之危險。

VII. 用於射束位置準確改良之PSD鏡感測

在某些實施例中，可以使用外部感測器以加強AOD誤差修正，此外部感測器偵測實際電流計鏡位置。在某些以電流計為主之射束定位系統中，可以將角度位置感測器內建於此電流計中，以感測鏡之角度。這些感測器可以位於電流計軸之遠端(離開此鏡)，而其他感測器可以位於靠近鏡之軸終端。

當此角度位置感測器為於離開此鏡之電流計軸之遠端時，此感測器偵測軸之旋轉。然而，軸角度偏轉會造成此鏡具有不同偏轉角度。此感測器設置具有一些優點，其提供能力以增加伺服器迴路頻寬，因為其並不會對於鏡共振響應。

當此角度位置感測器為於靠近此鏡之軸終端時，此感測器偵測較靠近鏡之軸之角度偏轉。此感測器設置可以更準確地測量真實鏡角度。然而，當此鏡本身相對於在感測器之軸偏轉時，此感測器仍然會遭受誤差。此外，以此感測器設置，此軸與鏡之共振會出現於電流計頻率響應中(從馬達驅動器至感測器輸出)，而使得電流計伺服器之設計複雜，而限制其性能表現。

此外，上述兩種感測器之設置方式均無法測量與軸角度無關之鏡模式。一種模式包括“振動”(flapping)鏡。其中，此鏡平面圍繞著垂直於旋轉軸之軸而旋轉。此種模式會對於高速電流計偏轉系統之性能表現造成限制。

此電流計旋轉感測器之另一個問題為其雜訊性能表現。由於此電流計小的封裝尺寸，以及想要將位置感測器尺寸(以及旋轉慣性)最小化之意願，此存在與感測器電路中之電性雜訊會轉換成相當有效之角度雜訊，此會使得電流計伺服器定位表現退化。例如：在10kHz之頻寬中，此雜訊可以為大約0.1微徑(μRad)RMS至大約5微徑(μRad)RMS。

在一實施例中，可以選擇不同感測器以實施以下步驟：偵測鏡之真實角度位置，而無軸偏轉效應；偵測會影響射束位置準確度之鏡移動之所有模式；以及以低雜訊位準產生角度測量，以致於此測量可以由電流計伺服器回路或其他裝置使用，以修正所感測誤差。

為了修正在實際電流鏡位置中之誤差，根據某些實施例，此在圖5中所示電流計子系統508包括一輔助感測器(於圖5中未顯示)，其提供回饋而將此電流計鏡相對於掃瞄透鏡520保持定位。例如，圖9為根據一實施例雷射處理系統900之示意圖，其包括在電流計子系統912中之輔助感測器910。在此例中之輔助感測器910包括一位置感測二極體(PSD)，其在此稱為PSD 910。此雷射處理系統900亦包括：一AOD子系統506、一掃瞄透鏡520、一參考射束源914、以及一參考組合鏡916。此AOD子系統506與掃瞄透鏡520在以上參考圖5說明，以提供至工件524之表面之聚焦處理射束922。

參考組合鏡916將來自參考射束源914之參考射束918、與來自AOD子系統506之處理射束920組合，以輸入至電流計子系統912。參考射束組合器916可以包括例如：一分色鏡、一偏極化分光鏡、或其他類似裝置，用於將雷射射束組合，以提供具有穩定功率與指向角度之參考射束。如果此處理射束之位置與功率足夠穩定用於特定應用，則在PSD感測操作期間可以使用來自AOD子系統506之處理射束920(但並非必要)。

除了PSD 910外，電流計子系統912包括：一電流計鏡924、一PSD擷取鏡926、以及一PSD透鏡928。此參考射束918(以及主要處理射束920)由電流計鏡924反射。此PSD擷取鏡926(例如：分光鏡)擷取所偏轉之參考射束(由電流計鏡924所偏轉)，且將所偏轉之參考射束導向PSD而用於偵測。

可以將PSD透鏡928(例如：聚焦透鏡)選擇性地插於測量路徑中，以致於僅有所偏轉參考射束之角度移動被移轉至在於PSD 910上之XY點偏轉，而其橫向射束移動被轉換至在於PSD 910之射束角度，以及因此無法在PSD XY平面中被測量。在某些實施例中，PSD透鏡928包括一袖珍遠距攝影透鏡，其具有長的有效焦距，用於將在PSD平面之點移動放大。在某些此等實施例中，將PSD透鏡928定位，以致於其前焦點是位於掃瞄透鏡進入瞳孔。如果橫向射束移動並非所關切事項，且在PSD 910上射束移動之調整足以用於特定應用，則在某些實施例中，可以將PSD透鏡928省略。

可以選擇獨立參考射束918與PSD 910，以致於此射束功率與PSD光學敏感度組合可以提供足夠低雜訊。在PSD測量中主要雜訊來源可以為“起伏(shot)雜訊”或為將在輸出電流中電荷載體(個別電子)量化所產生雜訊。此訊號-至-雜訊比(SNR)可以與電流之平方根成比例。藉由將輸出電流提高至一高位準，而可以改善SNR，且可以作低雜訊角度測量。

一旦將此PSD感測定位，則可以容易地校準：此PSD 910之輸出對於(vs)工件聚焦處理射束922之位置。給定一經校準PSD 910，則可以數種方式改善射束定位。例如，可以使用PSD 910作為用於電流計伺服器之位置回饋感測器。此可以由於其產生交互耦合系統之事實而變為複雜，而將回饋系統之動態關係複雜化。此外，難以將非旋轉鏡模式(振動(flapping)或其他模式)容納於伺服器迴路中。可以使用動態估計器(例如：Kalman濾波器、Luenberger觀察器或其他估計器)，將動態模式分開，且改善伺服器迴路設計。

此外，或在其他實施例中，可以使用PSD 910而由電流計子系統912本身作有限誤差修正。例如，如果其頻率內容是在電流計伺服器之頻寬中，則可以由電流計修正鏡相交軸模式。此外，此在內建式電流計感測器(未圖示)中之低頻雜訊誤差，可以藉由將來自PSD 910之回饋(以低頻率)與來自內建感測器之回饋(以較高頻率)混合而去除。

此外，或在其他實施例中，可以使用此PSD位置讀取內容，而由各別裝置、例如包括於射束路徑中之AOD，作開放迴路誤差修正。此為有用之操作模式，因為它將來自誤差修正系統之電流計動態特性分開。使用此由主要處理射束(其由AOD子系統506偏轉，且因此由PSD 910感測)分開之參考射束，而允許在一“開放迴路”模式中操作之AOD誤差修正，其中此AOD誤差修正並不會影響PSD射束位置輸出。此可以大幅簡化誤差修正演算法。在此一實施中可以容易地修正雜訊與鏡偏轉模式。

如果此處理射束920亦使用作為PSD參考射束918，則類似的AOD誤差修正仍然為可能，而以AOD子系統506形成一封閉誤差修正迴路。在此種情形中，分析此PSD讀取內容，而將任何故意之AOD偏轉指令(例如：顫動、掃瞄及/或高動態射束定位)去除，因為此故意指令是由PSD 910感測。

在某些實施例中，可以有用地包括：一第一PSD感測器、其感測各別參考射束角度；以及一第二PSD感測器(未圖示)，其感測處理射束角度，而將上述實施例之效益組合。例如：可以使用第二PSD，而用於診斷測量與處理品質監視。

VIII. 產量改善：AOD/電流計協調與第三輪廓

某些雷射處理應用，例如雷射直接去除(LDA)是以高的處理射束速度(例如：在大約0.2m/s與大約5m/s之間範圍中之速度)去除特徵，以達成高產量。執行此高速處理之一項挑戰為：使用於控制處理射束位置之電流計射束定位系統之動態限制。在一些特徵例如短弧區段之處理期間，此射束定位器加速，以改變射束速度軌跡。此LDA應用例如會要求以所想要大約1μm之重覆率(在電流器之場中)以處理特徵，而此特徵為具有小於或等於數十微米等級之緊密圈半徑。圖10說明根據某些實施例用於LDA應用之範例所處理溝渠樣式。在此所揭示實施例提供溝渠相交1010、墊相交1012、具有緊密轉換1014之墊相交以及與LDA處理有關之其他特徵之高速處理。

當處理射束速度增加時、或弧形區段變得較短時，加速度是在較短時間期間發生，在此期間射束定位器使用較高頻寬控制。此最後變成為抵達高速能力之限制。

再度參考圖5，此限制可以藉由使用高速偏轉器例如AOD子系統506實施射束軌跡控制之高頻寬部份而避免。以此方式，可以設計電流計軌跡以大致依據所想要之處理軌跡526，同時保持在電流子系統508之動態限制(例如：加速度及/或頻寬)中。例如，圖11為根據一實施例之與AOD以及電流計協調有關之曲線。如同於圖11中所顯示，此電流計路徑1110可能無法準確地依據所想要之處裡路徑1112，而造成射束軌跡誤差。此射束軌跡誤差可以藉由使用AOD子系統506以額外地偏轉處理射束512而去除。例如，圖11顯示AOD指令信號1114與電流計路徑1110以及處理路徑1112間之關係。因為此兩個軌跡(電流計與處理射束)事先為已知，所以可以計算AOD偏轉軌跡且証實其滿足AOD限制(例如：範圍、以及在此範圍上之最大正常化功率)。可以製成此電流計軌跡，以致於其剩餘誤差並不會違反AOD限制。此可以為一疊代過程；例如，在工具路徑之某些部份中可以降低此電流計速度，以致於此電流計可以更緊密地追蹤所選擇之軌跡，且因此將所產生之軌跡誤差保持在此AOD範圍限制中。

另一實施例包括：如同以上說明，使用AOD子系統506，以“被動地”修正電流計追蹤誤差。在此實施例中，計畫此所選擇之處理軌跡526而並無明確的限制，而此電流計子系統508嘗試依據此路徑，而以AOD子系統506修正任何所產生之追蹤誤差。此種方式之限制包括：在電流計中非所欲動態特性之激發(例如：鏡共振)，以及此危險此AOD誤差修正之性能表現並不足以合適地降低追蹤誤差，以符合用於特定應用之整體射束定位需求。

在某些實施例中，此電流計誤差之AOD修正可以與各別產生之射束以及電流計軌跡一起使用，以去除剩餘電流計追蹤誤差。可以應用在以上任何實施例中所說明AOD操作，而同時將射束顫動與去焦點，以控制有效點尺寸。

此產量之另一限制可以為，可供使用以處理特定樣式之不同部份之雷射功率。對於一所給定材料，此處理劑量(功率除以速度)可以為此去除特徵之橫截面面積之函數。如果此系統使用最大可供使用雷射功率，則此處理射束速度可以由劑量(速度=功率/劑量)所決定。儘管劑量之改變，通常令人想要維持最高可能速度，以維持高產量。在某些情形中，此由於劑量快速改變而為困難。例如，當相當薄的溝渠加寬大約5倍(5x)以形成一大面積特徵時，則難以獲得高速度。在此情形中，如果此射束速度在特徵集合之長度上保持固定，則此速度會受到在擴充面積所使用高劑量之限制，此可能會並無必要地減緩此沿著較薄溝渠之射束速度。由於電流計之動態限制，此主要射束定位器(電流計)之快速加速度與減速度、特別是對於快速轉換，可能非令人所欲。

為了避免或減少此主要射束定位器之快速加速與減速，根據一實施例，此可供使用AOD場在短區段上產生較慢射束速度。例如，假設一溝渠特徵可以大約2m/s之速度處理，且此擴張特徵具有長度為100μm，則可以三倍(3x)較慢之速度處理(由於3倍較高之指定劑量)。如果此電流計速度2m/s並未改變，則此射束在大約50μs內額定地通過此寬的特徵。然而，此射束以大約2/3=0.67m/s之射束速度處理此特徵(以維持適當劑量)。因此，此AOD偏轉之相對速度為大約2-0.67=1.33m/s，而此可以應用大約50μs，以造成大約67μm(±大約33μm)之AOD偏轉。藉由避免由於寬特徵而在整個區段中速度限制，此範例實施例有效地增加局部處理速率大約3倍(3x)。圖12說明例如在此時間期間之速度軌跡。圖12圖示說明使用高劑量之寬特徵或其他特徵之與AOD速率補償有關之曲線。

此外，或在另一實施例中，可以動態地改變(調變)此射束之平均速度，而同時維持固定劑量(功率/速度)。在某些此等實施例中，此AOD子系統506調變此處理射束功率，作為瞬間電流計速度之函數。此功率調變提供此能力，將電流計鏡533與535緩慢下來，而以更限制性動態要求(例如：快速且頻繁地改變去除特徵之方向)處理工件524之區段；或以放鬆之動態要求(例如：直截了當之區段或方向非常緩慢改變之區段)，在此等區段中將電流計鏡533與535加速。如果沒有即時AOD功率控制，則此種能力並不可能，而會導致產量損失。

當處理平行線區段(例如：對接溝渠)時，可以會產生用於產量改善之另一機會。在某些此等實施例中，此AOD子系統506可以足夠快速率(例如：大約1μs)切換在兩線之間處理射速512，以致於此兩線顯得為同時處理。對於需要相同劑量之相同尺寸兩線，平行處理會加倍此所需雷射功率。在一功率限制系統中，此可能需要將速度降低大約50%，而限制產量之優點。然而，此可以去除用於兩線之設定移動，且可以減少此取決於速度之動態限制、否則其會防止使用全速。在沒有此種功率限制之系統中，平行線處理會加倍該區段之產量。此外，在以上兩種情形中，此等線之平行處理可以改善線-線之間隔控制(其由AOD子系統506之重複性而控制)，而在一些應用中有益於控制線阻抗。

當此等線在一角落轉彎時，則取決於轉彎半徑、轉彎角度、以及線間隔，此兩線之路徑長度可以為不同。在某些此等實施例中，可以調整兩線之有效射束速度，而用於兩線區段之不同路徑長度。然後可以由AOD子系統506調變功率(劑量*速度)，而作為兩線間之處理開關。在以下情形中可以將相同方式延伸應用至多線：只要此線集合適用於可供使用AOD場中，且有足夠處理射束功率可供使用，以產生足夠高的速度。

當多條線在其各整個路徑上無法保持平行時，此在相同時間處理多條線會變得複雜。在某些此等實施例中，如同在使用於相交處理之技術中，可以將適當區域平行地處理，且將一轉換區域應用至此區域之終端(例如：傾斜流量)。然後可以處理其餘區段，且以類似轉換區域在終端接合。以此方式可以將所使用平行處理最大化，以增加產量。

圖13說明根據一實施例之平行處理與區域接合。圖13說明多條線1306(a)、1306(b)、1306(c)以及1306(d)(其集體稱為線1306)，其在第一區域1308中彼此平行進行，而在第二區域1309中彼此分開地進行。換句話說。此等線1306具有在第一區域1308中之平行部份，以及在第二區域1309中之分開部份。圖13說明此轉換區域1310，在此處此等線1306從平行部份改變至分開部份。

為了在第一區域1308中使用顫動以處理此等線1306，AOD子系統506將雷射射束點位置在此等線1306之平行部份之間來回移動，以致於此雷射射束沿著在第一區域1308中互相處理軌跡在單一通過中處理此平行部份。AOD子系統506在此等平行部份之間調整有效射束處理速度，而用於沿著此處理軌跡之轉彎，此導致對應於各平行部份之不同路徑長度。AOD子系統506亦根據此經調整有效射束處理速度，以調變雷射射束之功率，以維持用於各此等平行部份之所想要處理劑量。當抵達轉換區域1310時，此AOD子系統506將此三線1306(a)、1306(b)、1306(c)之平行部份選擇地成形，同時繼續沿著其處理軌跡以處理線1306(d)，而終止其在轉換區域1310中對此三個成形線1306(a)、1306(b)、1306(c)之處理。此成形允許被終止處理之線1306(a)、1306(b)、1306(c)在稍後之時點相交(藉由其各分歧部份)，同時在各相交處維持所想要之深度。在處理線1306(d)之分歧部份之後，在第二區域1309中沿著其各分歧處理軌跡，依序處理此等線1306(a)、1306(b)、1306(c)之分歧部份。

圖14說明根據一實施例之第三輪廓子系統1400。第三輪廓是指使用AOD子系統506作為第三定位器(例如，除了XY平台與電流計子系統508之外)。一種範例雷射射束第三定位器是在美國專利案第6,706,999號中(其被受讓於本案之受讓人)說明，其在此整個併入作為參考。如同在此所揭示，此使用AOD子系統506之第三輪廓允許以高速率(例如：使用大約1μs之更新以提供計時解析度)將射束路徑形成輪廓，其中，此AOD指令是在離散計時邊界發出。第三輪廓子系統1400包括：一輪廓濾波器1404、一延遲元件1406以及一減法器1408。

圖14說明範例射束輪廓1410，其對應於所想要被切入於工件中之溝渠。此範例射束輪廓1410包括尖銳之轉彎，其難以使用電流計子系統508以高速追蹤。將此範例射束輪廓1410(作為命令射束位置信號)提供給輪廓濾波器1404與延遲元件1406。輪廓濾波器1404包括一低通濾波器，其將高頻內容濾除，電流計子系統508難以追蹤此高頻成份。輪廓濾波器1404之輸出可以使用作為電流計指令(電流計控制信號)，如同由位置輪廓1412所示。圖14說明位置輪廓1412之放大部份1413，其顯示相對於由電流計子系統508所提供實際位置1418之命令位置1416。使用AOD子系統506以修正在命令位置1416與實際位置1418間之差異。

在所說明之實施例中，輪廓濾波器1404包括一有限脈衝響應(FIR)濾波器。FIR濾波器對於在任何頻率範圍中之信號自然地具有固定延遲。然而，熟習此技術人士由在此所揭示內容瞭解，亦可使用其他型式之濾波器。

延遲元件1406將範例射束輪廓1410延遲與由輪廓濾波器1404所導入大約相同延遲數量。減法器1408將延遲元件1406之輸出減去輪廓濾波器1404之輸出，以獲得由電流計指令所去除之高頻成份。此由減法器1408所輸出之高頻內容然後被使用作為AOD指令信號，用於控制AOD子系統506。圖14說明範例AOD位置指令輪廓1414。雖然並未揭示，可以將此差異使用於位置指令輪廓1414上，以計算相對應速度與加速度指令輪廓。

作為進一步例子而並非限制，圖15A、15B、15C、15D以及15E說明根據一實施例，而由圖14中所顯示第三輪廓子系統1400所產生及/或使用之信號。圖15A說明此輸入至第三輪廓子系統1400之範例射束輪廓。圖15B圖示說明X、Y以及XY射束速度軌跡，其對應於圖15A之範例射束輪廓。圖15C圖示說明X與Y射束加速軌跡，其對應於圖15A之範例射束輪廓。圖15D說明範例電流計動態特性，其包括：指令位置、速度、以及加速度信號。圖15E說明範例第三(AOD)動態特性，其包括：被命令移動與誤差信號。

圖16A、16B以及16C說明根據某些實施例之範例AOD指令序列。在圖16A中，此AOD指令序列以大約5μs之間隔更新AOD，其對準至5μs邊界。此種實施例對於低速處理(例如：以大約200mm/s處理)為足夠。在圖16B中，一高速AOD指令序列以大約1μs之間隔更新AOD，其並未對準至計時邊界。在一些實施例中，難以執行任意計時(其更新並未對準於任何計時邊界)。例如：相交處理可能要求，AOD轉換以大約1μs之解析度、以大約2m/s至大約3m/s之高速度發生。為滿足此要求，以固定速度處理任意佈局可以使用可變次微秒計時解析度。此外，可變速度處理為令人所欲以：對於窄溝渠提供高速度用於增加產量；對於寬溝渠提供較低速度以維持流量；在掃瞄區域上減緩(或停止)以掃瞄內線(例如：減少或去除回復移動)；及/或如果須要則減緩，以改善電流計追蹤且將AOD保持在其範圍中。

在一實施例中，計時是由：位置為主之AOD指令、與任意射束軌跡所提供。在此種實施例中，觸發是根據XY位置。因此，對於非線性射束定位軌跡，此觸發是取決於特徵位置，而根據X軸或Y軸。由於以下原因，此實施例可以具有增加場可程式陣列(FPGA)資料處理要求：當處理工件時，流線式先進先出(FIFO)觸發資料、即時位置指令資料(X與Y)、以及在處理期間所使用寬的動態範圍(例如：在整個場上之高解析度)。此實施例亦可使用指令觸發，其並不提供可變速度處理。

在另一實施例中，計時是由：時間為主之AOD指令與修正射束軌跡所提供。此實施例會限制AOD指令轉換至區段邊界，其中此區段可以如同須要被次分割，以包括AOD指令。此實施例將區段對準於位置(而非時間)邊界，其將處理幾何與射束速度解除關聯。此實施例亦調整區段速度，以致於邊界並非在規律時間間隔出現，其提供：彈性可變處理速度；速度變化其容易以第三射束定位器執行；以及對於AOD轉換間隔合理限制。此種方式在例如脈衝雷射系統中有利，其可能須要在離散可預測時間邊界上之雷射脈衝控制。

在圖16C中，以1μs之間隔更新AOD，且對準至離散確定之1μs邊界。然而，特徵位置可以位於工具路徑中之任意位置。為了時間上對準此任意位置之特徵，要預先決定特徵間之速度。因此，在某些此等實施例中，使用在特徵之間從區段至區段之速度調變。圖17A與17B說明根據某些實施例之速度調變之例。在圖17A中，此速度調變使用根據位置遞增之計時，此位置遞增對應於最適處理速度。在圖17B中，此速度調變藉由將計時對準於離散時間遞增(相同位置遞增)而調整速度。在某些實施例中，區段邊界之間之時間delta(△)，其額定等於Dseg/Vnom(而Dseg=區段長度，且Vnom=最大處理速度)，而被進位至下一個離散計時邊界。在速度調變期間，可以將劑量保持固定(例如：藉由隨著速度改變而改變功率)。可以選擇最小位置遞增(△Pmin)與最大時間遞增(△T)，而將處理速度之相對下降限制為Vnom*△T/△Pmin，而Vnom為額定速度。例如：選擇△T為1μs，且選擇△Pmin為20μm，以提供在3m/s之15%速度變化。因為速度變化僅對短時間期間發生，其對於產量具有很少影響或不具影響。

第三輪廓會產生由於離散AOD更新期間與AOD速度項之定位誤差。例如，圖18圖示說明根據一實施例之相對於位置指令信號1812與所產生AOD位置輪廓1814之定位誤差1810。如同於圖18中所顯示，AOD並不會以例如機械鏡相同方式在指令更新之間偏轉。因此，例如以3m/s速度之1μs更新期間會產生大約±1.5μm之定位誤差。如果須要限制此誤差可以將更新期間縮短。在某些實施例中，干擾此RF波形可以減少位置誤差。圖15E圖示說明一範例位置誤差。

IX. 射束指向穩定化

在提供良好準確度及/或重覆性之某些雷射處理應用中，此角度或平移射束抖動之貢獻會成為誤差預算之一重要部份。此抖動可能是由於：雷射源本身之射束移動；或射束路徑中空氣擾動(其由於在射束路徑中空氣溫度差異而放大)；及/或在此光學裝置序列中機械振動。在一雷射掃瞄系統中，當由掃瞄透鏡焦距調整時，角度誤差直接造成在工件之位置誤差。射束平移誤差藉由在工件產生(未補償)射束角度而間接造成工件誤差；此角度由工件表面任何Z高度變化而調整，而在工件上產生XY射束定位誤差。

一配備有AOD偏轉能力之系統，例如在圖5中所顯示之系統500，可以很少或沒有額外致動成本，而修正射束抖動。藉由沿著光學路徑(例如：靠近掃瞄透鏡520)設置感測器(未圖示)，回饋控制可以命令AOD偏轉，以便將射束正確地定位於掃瞄透鏡520中，此可以改善射束位置準確度與重複性。許多射束抖動源之頻率成份可能相對的低(例如：對於空氣擾動小於大約10Hz，且對於機械振動小於大約500Hz)，且因此由AOD子系統506容易地修正。此種方式之限制因素可以為：使用於偵測射束角度與平移之感測器之雜訊成份。

當實施測量時，可以設計AOD之故意偏轉(其被命令以產生所選擇之工件軌跡)。例如，在一光學裝置序列中，其中並未使用傳送光學裝置，以傳送AOD偏轉射束至掃瞄透鏡520，當由AOD子系統506至掃瞄透鏡520之射束路徑長度調整時，此AOD偏轉角度會在掃瞄透鏡520上產生一 平移偏移。一簡單校準允許在抖動修正之前，將此從測量去除。如果需要的話，可以實施此校準作為：AOD子系統506至掃瞄透鏡520之路徑長度之函數。然而，通常，如果處理射束是聚焦於感測器上，則並不需要此種補償，因為橫向射束移動並不會影響在感測器之點位置。

請注意，抖動修正亦可以對於來自AOD操作之非所欲副效應實施，其例如為由於AOD加熱所產生射束熱飄移，此會對於高功率AOD裝置發生。

X. 處理改善：工作周期

在一些實施例中，AOD子系統506使得能夠作雷射/材料交互作用處理改善。在一例中，此切割進入介電材料中之溝渠之橫截面積是對於施加至工件之”劑量”(處理射束功率/射束速度)敏感。在一些應用中，為了最佳或改善性能表現，可以將所施加劑量保持得較材料去除臨界劑量高許多，以便避免熱影響區域(HAZ)效應，其例如為熔化或燒焦。可以將低速度使用於一些情況中，而由於射束定位器動態特性或雷射功率所施加之限制，此所施加之劑量會開始產生非所欲之HAZ效應。因此，根據一實施例，為了避免或降低HAZ效應，AOD子系統506調變處理射束512之功率工作周期，以致於可以維持高尖峰功率，同時將平均功率降低至使用於特定操作條件之位準。例如：當以大約100mm/s移動處理射束512時，以大約10%之工作周期(大約1μs導通、9μs切斷)調變此射束，以產生大約1μm之可接受小之“切割尺寸”(每脈衝期間遞增處理長度)，同時相對於經衰減100%工作周期射束，將尖峰功率增加大約 10倍(10x)。如同以上關於抖動修正之說明，可以添加此能力而需要很少或無需額外成本。

XI. 處理改善：避免煙塵

AOD操作亦可以提供能力，以減少或避免在工件上或工件中靶材料去除期間之煙塵效應。此由工件去除之材料可以射出作為電漿、氣體或顆粒碎片，而會經由例如波前扭曲干擾、功率衰減、及/或指向效應，以影響處理射束點之品質。為了減輕此根據一實施例之煙塵效應，在處理期間將此處理點之位置切換，以致於各點並不受先前點之煙塵效應之影響。如果此處理點位置可以在可供使用AOD場據距離(Daod)上N個位置間切換(而以所有點沿著所選擇處理軌跡設置)，則當以處理速度V進行時，此向前處理點之煙塵在其影響下一點之前，可以有Daod/V/N秒以擴散。例如：當位置N=5、Daod=50μm以及V=2m/s時，在其影響到下一點之前，此向前處理點之煙塵會有大約5μs可以擴散。當此處理軌跡包括彎曲區段時，可以調整此等所分佈點之位置，以保持在所選擇之軌跡上。

XII. 透過透鏡視野

在雷射處理機器中，將處理射束對準於工件特徵。此對準可以藉由以一對準攝影機辨識工件對準基準而實施，且然後將攝影機之視野經由校準而映射至處理射束位置。然而，速率與效率會降低，這是因為此使用兩步驟過程(此涉及雷射-至-攝影機校準誤差、與攝影機基準辨識誤差)，以及因為攝影機掃瞄透鏡彼此分開，此由於定位平台之重複性與準確度而會增加另一種不確定性。

在某些實施例中，更令人所欲使用透過透鏡視野，以擷取在一影像中之處理射束與工件視野，其使得能夠測量射束與基準靶間之相對位置。此可以藉由設計於圖5中所顯示之掃瞄透鏡520在兩個波長(一處理波長與一視覺波長)操作而達成。在掃瞄透鏡之設計中經常會作妥協，以容納處理波長與視覺波長。一實施例藉由在當形成基準影像時，以處理射束波長照射工件524而克服此妥協。

例如，圖19為根據一實施例之系統1900方塊圖，其使用掃瞄照射之AOD子系統506而用於透過透鏡之視野。此系統1900亦包括：一攝影機1910、一影像透鏡1912、一鏡1914、一部份反射器1916、以及一掃瞄透鏡520。如同以上參考圖5所討論，此AOD子系統506包括：AOD 530與532，其用於將處理射束512偏轉而提供給掃瞄透鏡520，其提供一聚焦雷射射束525至工件524。可能難以找出一照射源，其具有與處理射束512相同波長，且使用不同波長(即使在幾個奈米中)會使得檢視解析度退化。

反而是，可以將處理射束512之一部份分解，且使用於照射工件524。此可以用分光器與擴散器而實施，而此會增加額外光學組件、對準、以及複雜度。因此，在圖19中所顯示之實施例中，使用AOD子系統506以照射工件524，其使用掃瞄樣式以均勻流量填入於工件524上之區域，且包括一較高強度之參考點，而使用作為將處理射束對準於工件524之參考。此部份反射器1916擷取由工件524所反射之光線，此鏡1914將此所反射光線重新導向經由影像透鏡1912將此影像聚焦於攝影機1910上。增加光學路徑以 擷取由工件524所反射光線、且將其重新成像於掃瞄透鏡520中，此允許攝影機1910形成工件524與參考點之影像，且判斷射束至基準之相對對準。

在圖19中所顯示之實施例亦可提供能力，以判斷正確掃瞄透鏡Z高度調整以維持點焦點(將在對準攝影機中之點尺寸最小化)。記錄在三至五各別透鏡Z高度此重新影像點尺寸，則在期望點尺寸成長vsZ高度之曲線適用後，可以提供足夠資訊以導出最適點位置。

此對準技術提供非常良好射束-至-基準對準準確度(例如：小於點尺寸之大約10%)，此可以提供能力快速地對準在工件上兩個各別掃瞄範圍區域，因為在工件上XY位置可以相同而用於處理與對準。藉由將一掃瞄範圍之點對準於相鄰掃瞄範圍之處理特徵，則可以各別地處理兩個處理範圍，而以高準確度將其接合在一起。

此透過透鏡視野之額外特徵為其能力以映射：在被處理部份表面上之射束定位誤差。此處理在此種大範圍上一部份之挑戰為，此射束可以為非遠心的(telecentric)(例如：此在工件之射束角度可以為非零或不正常)，且在此範圍上變化。此角度乘以任何Z高度變化，會產生XY定位誤差。此用於大範圍掃瞄透鏡之遠心角可以一直至大約15度。工件表面變化可以為大約±100μm。因此，此遠心角度與工件表面變化之組合可以產生XY誤差一直至大約±26μm(相對於例如在大約10μm與大約20μm間範圍中之誤差預算)。藉由使用此透過透鏡視野以記錄在此範圍中數個點之位置偏差(有足夠樣本以準確地映射在此處理範圍上此部份之Z 地形)，而可以將遠心誤差去除。可以使用在工件上一組參考基準，以致於可以準確地測量相對於基準之處理點之位置(至數微米之內)。在此透過透鏡設置中點位置之絕對測量可能為困難。然而，點位置測量可以在對準期間實施或在部份處理期間即時地實施。

XIII. 範例AOD控制實施例

(a)導論

在此段落說明：此根據一實施例之使用AOD控制結構之LDA處理，此包括範例式，以判斷在處理期間AOD偏轉指令。

此AOD提供至少兩個功能：(1)射束位置顫動，以擴張處理射束尺寸，以及(2)振幅調變，以使得能夠在去除特徵上作斜坡控制。斜坡控制為在特徵相交處獲得可接受深度變化之一觀點。

在此例中，經由FPGA，將AOD頻率與振幅調變指令更新。例如，圖22為根據一實施例之在FPGA 2200中所執行AOD之控制資料流之方塊圖。此額定更新期間為大約260ns。可以將基本顫動表2210以每個應用為基礎載入於FPGA 2200中。在處理期間，此顫動樣式是在兩個AOD軸之間動態地調整與分開。此外，振幅調變指令動態地控制雷射功率。

由在此所揭示內容，熟習此技術人士瞭解，此結構可以被延伸以包括，例如：不同組之顫動波形、電流計誤差修正及/或輪廓協助。

(b)一般定義

XY射束定位軸並未與AOD軸對準(由於在電流計區塊內旋轉鏡之角度)。因此，在此例中，AOD軸稱為軸0與軸1，而非軸X與軸Y。

颤動：此為對於一或兩個AOD軸快速地改變頻率指令之過程。此在工件上或工件中處理射束之位置為AOD頻率指令之線性函數。

F0：AOD頻率指令，軸0。

F1：AOD頻率指令，軸1。

Fnom：用於零偏轉之額定AOD頻率指令(額定110MHz)。

Fd[1..Nd]：一組偏轉頻率，其包括上述之“顫動表”2210

Nd：偏轉頻率點之數目。

Kw：顫動寬度調整因素。Kw=0用於無顫動(額定處理射束)。

W0：額定寬度(用於未顫動處理射束)。

Wmax：用於完全AOD偏轉之最大寬度

Lwc：寬度-改變轉換之長度

Wk：處理區段k終端之寬度

Theta0：顫動角度偏差。在此角度切割路徑，相對於系統XY軸偏轉AOD1將溝渠加寬。相對於X軸、正CCW以界定角度。

Vx=X軸速度

Vy=Y軸速度

劑量：基本處理參數以判斷溝渠品質；界定為功率/速度，或W/(m/sec)=(J/sec)/(m/sec)=J/M。在處理期間，可以界定劑量而用於在焦點之額定(未顫動)處理射束。

(c) AOD頻率更新

以下式說明根據一範例實施例在處理期間產生AOD頻率指令之過程。對於變數使用指數，其如同以下說明是由SCC流出或由資料表取出。計算或測量非指數變數，在此例中，有“j”個處理區段(變數計時)，以及來自FPGA 2200(額定260ns)之”k”個更新

注意DSP與FPGA 2200之更新期間為額定，且可以取決於產量(對於DSP)或AOD驅動器性能表現(對於FPGA 2200)而(例如：在0.1至5.0μsec範圍中)調整。

(c-i)　直線處理

對於W[j]=用於目前處理區段之寬度

Kw=(W[j]-W0)(Wmax-W0)

Theta=atan(Vy/Vx)-Theta0

Fo=Fnom+Fd[k]*Kw

Fo=Fo*cos(Theta)

F1=Fo*sin(Theta)

(c-ii)　角落處理

如果處理軌跡改變方向，則在轉彎區段期間動態地改變Vy與Vx。此轉彎是以(額定)固定切線速度(Vx 2+Vy 2=常數)實施。若已知最初與最後角度，則可以內插Theta作為時間函數。

可以選擇性地限制工具路徑，而僅使用平滑區段，以致於角落為連續且為正弦輪廓(或對於正弦輪廓之適當進似)而實施，此特別是用於寬線而Kw＞0。

(c-iii)　寬度改變

在寬度改變期間，即時地更新顫動因素Kw。

設

Tseg=處理寬度改變區段之累積耗用時間(時間函數)，

V[j]=V[j-1]=處理區段速度，

Lwc=寬度改變處理區段之長度，

此即時寬度可以為時間函數，而可以為

W=W[j-1]+(W[j]-W[j-1]*Tseg/Lwc/V[j])，且其顫動因數Kw可以為：

Kw=(W-W0)/(Wmax-W0)

(d)　功率調變

(d-i)　操作模式

在AOD子系統中之功率調變可以達成數個目的，其包括：射束“遮蔽”(導通/切斷)(on/off)；在處理期間，以中等更新速率(大約0.1至5μs)調變功率；以及在偏轉顫動期間，以高更新速率(大約260至2000ns)調變功率。

在此例中藉由驅動器數位調變離散輸入(DMOD)，以提供射束“遮蔽”。用於處理控制與顫動之功率調變是藉由AOD驅動器類比調變輸入(AMOD)而提供。

可以使用“遮蔽”用於導通/切斷控制，以提供實質上完全去除(即使以零指令，類比調變可能會有洩漏功率)。此在例如用於模式鎖定而並無Q-開關控制時為有用。

處理功率調變之用意為：當速度動態地改變時，維持用於工件特徵之所想要劑量(功率/速度比)，或在相交處形成特徵終端壁斜坡。

顫動功率調變具有至少兩個目的：(1)將繞射效率正常化為偏轉指令之函數；以及(2)形成射束強度輪廓作為偏轉位置之函數，其被使用在終端壁產生經控制斜坡。斜坡控制(特別是，減少之斜坡角度)可以在所去除特徵之相交處改善深度控制。

(d-ii)　處理功率調變

調變功率作為劑量與速度之函數。速度在加速與減速區段期間改變，且劑量可以在此等區段中改變，劑量可以在具有不同寬度兩個區段之劑量間轉換，或轉換至不同深度：

Dose=Dose[j-1]+(Dose[j]-Dose[j-1])*Tseg/(Lwc/V[j])

以及處理功率藉由劑量與速度之乘積而調變：

P=Dose*V

功率可以藉由在AOD之衰減而控制，可以校準AOD而將其衰減響應線性化。在處理一部份之前，可以測量最大(未衰減)功率位準Pmax。因此：

Atten=P/Pmax

(d-iii)　高速功率調變(“成形”)

高速振幅調變是與定位顫動同步以產生強度，以便將側壁斜坡控制形成輪廓，以支持正確之相交處理。此被知為射束之強度輪廓之“成形”。請注意，此調變應不與在此所討論之高速線性化補償混淆，因為此可以為兩個各別步驟。由於以所想要的速率(例如：大約260ns之更新速率)，高速調變可以在FPGA查詢表(LUT)中執行。

調整因子Ks可以調整強度成形，此類似於上述偏轉顫動。此調整允許只將成形使用於相交，因此在寬特徵長的執行期間可以避免或減少重大功率損失。

給定以下條件：

Nd=在顫動表2210中項目之數目(例如：大約256個項目)

Shape[k]=成形值之表2212(0至1；Nd項目)

Ks=成形調整因子(0至1；以0.1至5μs速率更新)

成形表2212之調整由下式所給定：

Kshape=1-Shape[k]*Ks(k在1與Nd之間持續循環)

請注意，一種所有1之Shape[]表2213實際上對應於0功率(對於Ks=0)。因此，此表可以載以(1-NomShape)，而使用者設定NomShape=1用於全功率，以及0用於零功率。

(d-iv) AOD響應與線性化

以上所說明之功率調變模式假設：振幅調變指令在射束功率中產生線性響應。然而，AOD對於振幅調變指令之響應可以為非線性。且因此可以被正常化。

當其RF驅動振幅改變時(以此RF頻率決定偏轉振幅)，AOD將輸出射束功率衰減。此衰減特徵可以正弦函數近似，而在振幅調變指令之某值作尖峰傳輸(最小衰減)。此關係由“繞射效率”(DE)曲線說明，而類似於圖20與21中所說明者。對於單一RF頻率(因此固定偏轉角度)，此調變曲線可以經由單一查詢表(LUT)而線性化。

當使用不同RF頻率(偏轉位置)時，則會變得複雜。此DE曲線之尖峰會在不同調變指令發生，且此DE尖峰值可以變化作為RF頻率之函數。雖然此效應並不重要(例如：對於小的偏轉範圍是大約10%至大約20%之等級、5-10點直徑等級)，但是其可以足夠大而引起一些處理應用之關切。

為了將此適當地正常化，可以將一獨特振幅調變修正LUT應用於特定頻率範圍。對於某些實施例，其中，偏轉範圍為中等(例如：大約3至5點直徑)，則八個查詢表(LUT)為足夠。對於各AOD軸可以使用一組LUT。

LUT可以提供直接映射至：振幅調變指令、或線性化調整因子。此調整因子之執行可以減少資料點數目及/或內插之需求。在圖22中顯示調整之執行。

因為某些AOD操作模式可以使用快速(例如：大約4MHz)振幅調變，可以將AOD修正應用至(以FPGA位準)各頻率指令更新。

(d-v)　振幅調變總結

總而言之，振幅調變可以由三個衰減因子之乘積而產生(1)處理功率，(2)快速振幅調變(與位置顫動同步)，以及(3)頻率依賴線性化。此完整功率調變序列可以說明如下：依據劑量與速度(功率=劑量*速度)，設定處理功率調變值(Kpwr)(每處理更新期間一次)；由顫動表2210計算頻率指令(每顫動更新循環一次)；計算高速振幅調變值(Kshape)(每顫動更新循環一次)；由AttenDes=Kpwr*Kshape而給定所想要之衰減指令；以及藉由線性化LUT且根據目前頻率指令與AttenDes以產生振幅調變指令。

圖22說明FPGA AOD控制區塊，其包括：位置顫動、成形衰減、低速衰減以及線性化之細節。

請注意，在某些實施例中，只需一個AOD以控制功率。此可能優點為將類比調變指令對AOD頻道(Ch0)保持固定，因為AOD在“飽和”或全面振幅調變中更可預測地操作。此第二AOD(Ch1)控制射束衰減。

仍然使用線性化表2214將Ch0之光學效率線性化。下列三者之乘積為Ch1所選擇衰減(Atten1)：Ch0衰減指令(Atten0)、整體低速衰減指令(Kpwr)以及顫動衰減(Kshape)。此由Ch1線性化表2215處理，而產生Ch1類比調變指令。

將用於Ch0之Ch0類比調變指令輸出保持在1。然後，此用於Ch0之線性化表2214為單一參數(頻率指令)之函數。Ch1線性化表2215保持為所選擇衰減與頻率指令之函數。

(e)　解析度與計時

現在將以上說明用於資料之最小解析度與更新速率總結於以下表中。較高解析度與較快更新速率是可接受的。雖然以下並未討論，如果使用雷射所具有脈衝重複頻率靠近顫動更新頻率，則RF頻率更新可以與雷射脈衝計時同步。

可以提供等待修正2216，將功率控制與射束定位同步。在相交處理期間之協調公差為：在工件之大約1μm至大約2μm等級。對於大約1m/s至大約2m/s之處理速度，此所使用功率協調所具有解析度大約為1μs。

可以將此協調使用於至少兩個區域。在兩種情形中，交叉處理之品質取決於相交溝渠之壁斜坡之控制。

(e-i)　成形振幅調變

成形振幅調變之目的在於：以與顫動頻率同步之振幅調變，而形成溝渠特徵之側壁。可以使用等候源例如：DAC轉換及/或AOD驅動器響應。在一實施例中，此成形表2212相對於頻率顫動錶2210“偏斜”，這是因為用於各表之更新期間小於1微秒。

(e-ii)　低速振幅調變

振幅調變之目的為一般處理控制、例如劑量控制，以維持所想要的特徵深度。一種情形為在相交溝渠之終端之功率控制。在此種情形中，功率被快速地衰減，而在適當位置產生適當的終端壁斜坡。對於終端壁斜坡控制而在相交處貢獻小於大約5%之深度變化，且假設20μm終端壁轉換區域，則使用1μm之定位準確度(由於計時與射束定位器定位)。如果以大約1m/s處理，則所使用之計時準確度小於大約1μs。

此種相交處理之一種方式為，移動此射束定位器以固定速度通過相交處(而將對定位系統之干擾最小化)，且計時此劑量減少，以致於在正確位置轉換。等候效應可以藉由移動此轉換位置(等候*速度)而處理。但是此可能是危險的，這是因為在速度中之任何變化(例如：增加處理速度)，會有移動轉換點之副效應。因此，等候調整2216可以藉由調整相對應於射束定位器之劑量控制計時而達成。

此提前與延後調整可以藉由以下方式實施：以多個指令更新期間(Tupdate)而延遲此射束定位器位置指令，且調整用於部份延遲時間之劑量延遲參數。此部份延遲可以在此劑量指令被傳送至AOD子系統之前，由FIR濾波器在劑量指令上實施。此用於延遲小於更新期間之濾波器之例為：Dout〔k〕=(1-Cd)*Dcmd〔k〕+Cd*Dcmd〔k-1〕，其中Dout=至AOD子系統之等候修正劑量指令，Dcmd=來自指令流之劑量指令，K=時間指數，Cd=等候係數=延遲/Tupdate，以下為一表，其總結根據一實施例使用於AOD更新計算之範例參數與資料表。

XIV. 範例相交處理實施例

(a)導論

此段落概要說明在雷射處理期間用於產生相交特徵之方式。此種型式處理協助產生功能雷射處理系統，且可以為在系統設計中之挑戰。

此根據某些實施例而用於去除特徵之相交處理挑戰是由於：大約±10%之所想要深度變化控制。此對於深度控制公差之原因包括：電壓崩潰(從跡線至在下面之接地平面)、漏電、以及阻抗變化。

(b)基本方式

此具有累積雷射流量之去除特徵之深度大約為線性。因此，相交處之雙重曝光會導致大約100%之深度變化。為了避免此種情形發生，藉由在相交點停止切割“對接溝渠”而產生相交。使用此方法之深度變化取決於處理射束之形狀，其可以經由位置與振幅調變而修正。

(b-i)　高斯射束

此系統可以切割相交特徵，以致於其在將深度變化最小化之最適重疊點終止。然而，所累積高斯射束流量會使得此為困難。圖23說明在處理交叉之前之額定溝渠與對接溝渠。圖24說明沿著圖23中所示對接溝渠軸之橫截面。請注意，此對接溝渠之終止斜波之橫截面小於額定溝渠之橫截面，此可能是由於對接溝渠頭部所累積流量所產生。如果斜坡不匹配，則無法產生完美之相交。圖25與圖26說明最適相交之結果，其具有大約±10%之深度變化。此相交不允許用於位置變化之公差。

(b-ii)　顫動射束

當此處理射束並未顫動時，此所產生之溝渠斜坡是由(固定)高斯點直徑所決定。藉由顫動此垂直於溝渠軸之處理射束，可以修正側斜坡，以致於相鄰與額定斜坡幾乎相同，且較不陡峭(參考圖27與28)。在最適相交點，其深度變化小於大約2%(參考圖29與圖30)。然而，對於定位誤差之敏感度可能仍然無法接受。例如：1μm之位置誤差可以產生大於10%之深度變化。

(b-iii)　斜波成形

顫動射束可以改善相交，因為顫動可以減少相交處理射束之傾斜。然而，藉由顫動射束位置同時保持射束功率固定僅可以將斜坡中等程度地減少。溝渠斜坡之額外控制可以藉由以下方式提供：調變顫動射束之功率，作為用於“額定”溝渠颤動位置之函數(以控制側壁斜坡)；及/或當對接溝渠接近此相交處時，調變射束之功率(以控制側壁斜坡)。

假設相交定位誤差公差為Ebp，且所允許相對深度變化為△，則此斜坡轉換區域之寬度給定為Ws=Ebp/△。例如：若Ebp=1μm且△=0.05(5%)，則Ws=20μm。

一種產生控制斜坡之簡單方式為：以在轉換區域上從0至1之線性上升(使用額定溝渠之顫動調變，以及在對接溝渠上之位置依賴調變)，形成AOD衰減之輪廓。此所產生之累積流量為振幅調變與位置輪廓之捲積。此衰減曲線之“平坦頂”部份等於射束直徑，而保持轉換斜波防止受到相對斜坡之影響。

圖31說明額定與對接溝渠對，其具有在轉換斜坡上20μm之寬度。圖32說明在相交之前溝渠之橫截面。在此情形中，額定溝渠僅有一壁為傾斜，而同時並未成形對接溝渠之輪廓。此成形可以令人所欲將產量之影響最小化。此成形可以經由衰減而執行，且因此降低雷射有效功率與產量。如果額定與對接溝渠是以不同顫動樣式形成，則可以調整此施加至兩個溝渠之有效劑量(J/m)，而將溝渠深度正常化。

圖33說明具有最適定位之完成相交，而圖34說明在最適位置所產生之深度變化，其具有±0.1μm之公差。如同所期望，給定大約±1μm之定位誤差，此20μm之寬度轉換產生大約±5%深度變化。

(b-iv)　交叉式相交

此先前所提供範例在相交深度上有良好控制，其代價為較寬之溝渠尺寸。如果顫動機構之行進範圍受到限制，此可能成為問題，而此為AOD之情形。減少顫動行進範圍之另一種方式為：處理此具有交叉而非對接溝渠之相交。各溝渠是在相交之對稱“槽口”處理，而槽口之深度等於額定溝渠深度之一半，對於相同溝渠寬度其側斜坡可以為一半陡峭。因此，對於相同顫動寬度，此交叉方式對定位誤差之敏感度為相鄰方式之一半。

根據某些實施例，雖然此交叉式相交會產生“T”相交一側上之短突出部，此突出部之短的長度(幾微米)會造成最小阻抗效應。反之，此方式允許對於兩個相交溝渠使用相同處理，且簡化交叉式(非-“T”)相交之處理簡化。

圖35、36、37以及38說明根據某些實施例使用槽口之交叉式相交之性質。當使用先前範例一半之顫動寬度時，可以達成相同的位置公差。

圖39說明T相交之一實施例，其在相交處產生較小之突出部(幾微米長)。如同先前所討論，此在圖39中所顯示之實施例可以使用在相交處之槽口而產生。當此所產生溝渠被電鍍用於電性傳導時，此所產生之突出部對阻抗造成很小影響或不會造成影響。

(c)　處理參數定義

為了適當處理相交，根據某些實施例而定義用於位置顫動、振幅顫動以及功率控制之參數。此等參數取決於應用之各種性質，例如：額定高斯點尺寸、溝渠深度、溝渠寬度以及處理速度。在以上說明之範例結構中，使用PFGA查詢表而產生高速振幅與位置顫動參數。根據某些實施例以相同顫動參數而產生所有相交，以避免具有多個顫動表之過度複雜度。此暗示著使用相同顫動參數用於相交而應用於產生寬溝渠是可以接受的。另外實施例包括載入多個顫動表用於不同特徵型式。

為了處理相交，可以實施以下步驟之至少一些：改變至此所想要相交之速度(例如：根據準確度、指令更新速率以及其他處理因素)；改變寬度(顫動位置)與劑量(以維持深度)；改變橫截面形狀(顫動振幅)與劑量(如果需要以維持深度)；減少劑量(產生相交斜坡)；將劑量維持在額定之一半而用於某距離(此可以為選擇性的)；增加劑量(產生相對相交斜坡)；改變橫截面形狀(顫動振幅)與劑量(如果需要以維持深度)；改變寬度(顫動位置)與劑量(維持深度)；以及將速度改變回至額定速度。

在某些實施例中，可以依序地且各別地完成此等步驟，以避免會影響深度控制之交互作用(例如：當將寬度與速度改變組合時，可以使用非線性功率控制)。

圖40說明根據一實施例之在相交處之動態劑量與形狀控制。

熟習此技術人士瞭解，可以對於以上所說明實施例之細節作許多改變，而不會偏離本發明之原理。因此，本發明之範圍應僅由以下申請專利範圍所決定。

100．．．聲光偏轉器(AOD)

110．．．壓電轉換器

112．．．晶體

113．．．射頻(RF)

114．．．聲波

115．．．入射雷射射束

116．．．第一等級射束

118．．．零等級射束

120．．．第一等級偏轉角度

122．．．射束儲存器

412．．．範例RF頻率操作範圍

414．．．高頻率小範圍

416．．．較低頻率較大範圍

500．．．系統

506．．．聲光偏轉器(AOD)子系統

508．．．電流計子系統

510．．．雷射源

512．．．處理射束

513．．．第一等級射束

514．．．聲光偏轉器(AOD)偏轉角度

515．．．零等級射束

516．．．射束儲存器

518．．．固定鏡

520．．．掃瞄透鏡

522．．．雷射射束點

524．．．工件

525．．．聚焦雷射射束

526．．．處理軌跡

528．．．溝渠

530．．．第一聲光偏轉器(AOD)

530．．．第二聲光偏轉器(AOD)

533．．．第一電流計鏡

534．．．雷射射束點

535．．．第二電流計鏡

540．．．系統

542．．．繞射光學元件

544．．．光學元件

546．．．傳送透鏡

550．．．系統

552．．．傾斜處理射束

554．．．間隔

600．．．方法

610．．．建立步驟

612．．．計算步驟

614．．．編輯步驟

616．．．計算步驟

618．．．計算步驟

620．．．應用步驟

900．．．雷射處理系統

910．．．位置感測二極體

912．．．電流計子系統

914．．．參考射束源

916．．．參考組合鏡

918．．．參考射束

920．．．處理射束

922．．．聚焦處理射束

924．．．電流計鏡

926．．．位置感測二極體(PSD)擷取鏡

928．．．位置感測二極體(PSD)透鏡

1010．．．溝渠相交

1012．．．墊相交

1014．．．具有緊密轉換之墊相交

1110．．．電流計通路

1112．．．處理通路

1114．．．AOD指令信號

1306．．．線

1308．．．第一區域

1309．．．第二區域

1310．．．轉換區域

1400．．．第三輪廓子系統

1404．．．輪廓濾波器

1406．．．延遲元件

1408．．．減法器

1410．．．射束輪廓

1412．．．位置輪廓

1413．．．位置輪廓之放大部份

1414．．．AOD位置指令輪廓

1416．．．命令位置

1418．．．實際位置

1810．．．定位誤差

1812．．．位置命令信號

1814．．．AOD位置輪廓

1900．．．系統

1910．．．攝影機

1912．．．影像透鏡

1914．．．鏡

1916．．．部份反射器

2200．．．場可程式陣列(FPGA)

2210．．．颤動表

2212．．．成形表

2213．．．1

2214．．．線性化表

2215．．．線性化表

2216．．．等候修正

圖1為方塊圖，其說明根據某些實施例所使用聲光偏轉器(AOD)之操作；

圖2為根據某些實施例在各種射頻(RF)頻率之AOD繞射效率vs射頻(RF)功率之曲線；

圖3為根據一實施例使用於選擇所想要衰減之範例AOD功率線性化曲線；

圖4為根據某些實施例使用於選擇繞射效率與偏轉範圍間抵換之AOD繞射效率vs射頻(RF)頻率之曲線；

圖5為根據一實施例之一系統之方塊圖，此系統包括AOD子系統與電流計子系統用於將雷射射束顫動；

圖5A為根據一實施例用於射束成形之系統方塊圖；

圖5B為根據一實施例以提供傾斜處理射束之系統之方塊圖；

圖6為根據一實施例之一方法之流程圖，其使用最小平方最適化常式以判斷在掃瞄點之格柵上一組點振幅；

圖7A說明根據一實施例之所想要之流量輪廓；

圖7B說明根據一實施例之最適化掃瞄振幅，其對應於圖7A之所想要流量輪廓；

圖8為根據一實施例之曲線，其有關於範例AOD電流計誤差修正濾波器；

圖9為根據一實施例之雷射處理系統之方塊圖，其包括在一電流計子系統中之輔助感測器；

圖10為根據某些實施例之範例溝渠樣式，其經處理用於雷射直接去

圖11為根據一實施例之與AOD以及電流計協調有關之曲線；

圖12為根據一實施例之與AOD速度補償有關之曲線；

圖13說明根據一實施例之平行處理與區域接合；

圖14說明根據一實施例之第三輪廓子系統；

圖15A、15B、15C、15D、15E為根據一實施例之由圖14中所示第三輪廓子系統所產生及/或使用之信號；

圖16A、16B、16C為根據某些實施例之範例AOD指令序列；

圖17A與17B說明根據某些實施例之速度調變之例；

圖18說明根據一實施例之相對於位置指令信號與所產生AOD位置輪廓之定位誤差；

圖19為根據一實施例之系統方塊圖，其使用用於掃瞄照射之AOD子系統而用於透過透鏡之視野；

圖20為根據一範例實施例之AOD繞射效率曲線；

圖21為根據一範例實施例之額外AOD線性化曲線；

圖22為根據一實施例之AOD控制資料流之方塊圖；

圖23為根據一實施例在一相交處相接溝渠之圖示；

圖24為根據一實施例之在圖23中所示相接溝渠與額定溝渠之橫截面輪廓；

圖25說明根據一實施例之與Gaussian射束之最適相交；

圖26為根據一實施例之在圖25中所示與Gaussian射束之最適相交之橫截面輪廓；

圖27說明根據一實施例之在相交之前之颤動溝渠；

圖28為根據一實施例之在圖27中所示具有颤動之額定與相接溝渠之橫截面輪廓；

圖29說明根據一實施例之與颤動射束之最適相交；

圖30說明根據一實施例與對應於圖29之顫動射束(最適+敏感度)之相交之橫截面；

圖31為根據一實施例之(在相交之前)用於改善位置公差之寬轉換邊緣；

圖32為根據一實施例在圖31中所示(在相交之前)具有寬轉換溝渠之額定與相接溝渠之橫截面輪廓；

圖33說明根據一實施例具有寬轉換邊緣之最適相交；

圖34說明根據一實施例對應於圖33之具有寬轉換(最適+敏感度)之相交橫截面；

圖35為根據一實施例之具有槽口之交叉式相交溝渠；

圖36為根據一實施例在圖35中所示槽口溝渠之橫截面輪廓；

圖37為根據一實施例之最適交叉式相交；

圖38說明根據一實施例具有對應於圖37之寬轉換(最適+敏感度)之相交橫截面；

圖39為根據一實施例以交叉溝渠處理之“T”相交；以及

圖40為根據一實施例之在相交處劑量與形狀之動態控制。

500．．．系統

506．．．聲光偏轉器(AOD)子系統

508．．．電流計子系統

510．．．雷射源

512．．．處理射束

513．．．第一等級射束

514．．．聲光偏轉器(AOD)偏轉角度

515．．．零等級射束

516．．．射束儲存器

518．．．固定鏡

520．．．掃瞄透鏡

522．．．雷射射束點

524．．．工件

525．．．聚焦雷射射束

526．．．處理軌跡

528．．．溝渠

530．．．第一聲光偏轉器(AOD)

530．．．第二聲光偏轉器(AOD)

533．．．第一電流計鏡

534．．．雷射射束點

535．．．第二電流計鏡

Claims (26)

1. 一種用於將雷射射束顫動以處理在一工件中特徵之方法，其包括以下步驟：使用一第一定位系統，沿著一處理軌跡，給予雷射射束點位置之第一相對移動；使用一第二定位系統，沿著相對於該處理軌跡之一颤動方向，給予該雷射射束點位置之第二相對移動，其中該第二相對移動是重疊在該第一相對移動上，以及其中，該第二相對移動之速度實質上大於該第一相對移動之速度，使用該第二定位系統，根據在該工件上之一或更多個相對應目標位置處的特定特性特徵，對雷射射束實施振幅調變；以及在該第二相對移動期間，將該雷射射束發射至該工件，而在該顫動方向中有效地加寬在該工件之雷射射束點。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，更包括：控制一或更多個聲光偏轉器，而沿著該顫動方向給予該雷射射束點位置之該第二相對移動，且將該雷射射束振幅調變。
3. 如申請專利範圍第1項之方法，更包括：控制一或更多個電光偏轉器，而沿著該顫動方向給予該雷射射束點位置之該第二相對移動，以及將該雷射射束振幅調變。
4. 如申請專利範圍第1項之方法，更包括：控制該第二定位系統，而將該雷射射束之兩個或更多個雷射脈衝至少部份地重疊，以根據沿著該顫動方向所選擇的特徵之形狀將目標材料之所選擇數量從該工件去除。
5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該特定特性特徵包括：在該顫動方向中所選擇的第一特徵之形狀，以及其中，該振幅調變改變由該雷射射束所提供至該工件之流量輪廓，而在該顫動方向中將該第一特徵選擇地成形。
6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中在該顫動方向中將該第一特徵選擇地成形之步驟包括將該第一特徵之側壁傾斜，該方法更包括：根據對應於該第一特徵與一第二特徵相交處之相交區域之所想要深度，以選擇該第一特徵側壁之傾斜數量；以及以該雷射射束處理該工件中之該第二特徵，該二特徵與在該相交區域之該該第一特徵之傾斜側壁相交。
7. 如申請專利範圍第6項之方法，更包括：當該第一特徵之傾斜側壁與該第二特徵之傾斜部份組合時，根據所產生該相交區域之該所想要深度，控制該第二定位系統，將對應於該相交區域之該第二特徵之一部份傾斜。
8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中使用該第二定位系統給予該雷射射束點位置之該第二相對移動更包括：將該雷射射束點位置在該第一特徵與該第一特徵之平行部份之間來回移動，以致於將該雷射射束發射至該工件更包括，在沿著該處理軌跡單次通過中處理該等平行部份。
9. 如申請專利範圍第8項之方法，更包括調整在該等平行部份間之有效射束處理速度，用於沿著該處理軌跡之轉彎，其導致對應於各該等平行部份之不同路徑長度；以及根據該所調整有效射束處理速度，以維持用於各該等平行部份之所想要處理劑量，使用該第二定位系統，以調變該雷射射束之功率。
10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該第一特徵與該第二特徵更包括彼此並不平行之分岐部份，以及其中一轉換區域界定從該等平行部份至該等分岐部份之改變，該方法更包括：在該轉換區域中，沿著該處理軌跡，將該第二特徵之該平行部份選擇性地成形；當沿著該處理軌跡繼續處理該第一特徵時，終止處理在該轉換區域中之該第二特徵；在處理該第一特徵之該分岐部份之後，沿著一分岐處理軌跡處理該第二特徵之該分岐部份，以致於與在該轉換區域中該第二特徵之選擇地成形平行部份相交，其中，該第二特徵之該分岐部份在該分岐處理軌跡之方向中，在該轉換區域中選擇地成形，以致於該第二特徵之該平行部份與該分岐部份之相交對應於在該處理區域中該第二特徵之所想要深度。
11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該特定特性特徵包括：在該處理軌跡之方向中該第一特徵之選擇性形狀，該方法更包括：使用該第二定位系統，改變流量輪廓，以在該處理軌跡之方向中產生該第一特徵之傾斜部份，其中，該處理軌跡之方向中該第一特徵之傾斜部份之傾斜數量是根據對應於該第一特徵與該第二特徵相交處之該相交區域中該所想要深度；以及以各系列雷射脈衝處理在該工件中之該第二特徵，該第二特徵與在該相交區域之該第一特徵之傾斜部份相交。
12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中將該處理軌跡之方向中該第一特徵之部份傾斜之步驟包括：當該第一特徵進入對應於該第一特徵與該第二特徵相交處之該相交區域時，將該第一特徵從第一深度傾斜至第二深度；當該第一特徵離開該相交區域時，將該第一特徵從該第二深度傾斜回該第一深度，其中，該第二深度大約為該第一深度之一半；以及以該各系列雷射脈衝處理在該第二特徵，而將該第二特徵成形，以致於當進入該相交區域時，該第二特徵從該第一深度傾斜至該第二深度，且當離開該相交區域時，該第二特徵從該第二深度傾斜至該第一深度。
13. 如申請專利範圍第1項之方法，更包括：產生點振幅之掃瞄樣式，以界定該等雷射脈衝之點位置與功率振幅，用於將該第一特徵之流量與該第二特徵之相交部份之流量組合；以及根據該點振幅之該掃瞄樣式，將複數個該等雷射脈衝提供給該工件。
14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中產生該點振幅之該掃瞄樣式之步驟包括：設定對應於該相交區域之一候選掃瞄格柵；對於該掃瞄格柵中之各點，計算在一掃瞄場上之流量輪廓，以產生各影響函數；將該等影響函數組合成一影響函數矩陣；計算一擬似逆影響函數矩陣；以及使用該擬似逆影響函數矩陣，計算在各格柵點之該點振幅。
15. 如申請專利範圍第1項之方法，更包括：感測在該第一定位系統中之一定位誤差；將該定位誤差過濾而在一所想要頻率範圍上匹配相位與增益響應，且將雜訊去除；以及將該經過濾定位誤差提供給該第二定位系統，以修正該定位誤差。
16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二定位系統包括：該聲光偏轉器(AOD)，該方法更包括以下步驟：根據由該第二定位系統所提供在該顫動方向中所想要偏轉範圍且根據該AOD之繞射效率以選擇該雷射射束之最大功率。
17. 一種用於將工件微機械加工之雷射處理系統，該系統包括：一雷射源，其產生雷射射束，用於處理在該工件表面中之一特徵；一第一定位系統，用於沿著相對於該工件表面之處理軌跡，而給予一雷射射束點位置之一第一相對移動；以及一第二定位系統，其包括一聲光偏轉器(AOD)子系統，而沿著垂直於該處理軌跡之方向，有效地加寬一雷射射束點。
18. 如申請專利範圍第17項之雷射處理系統，其中該第一定位系統是由以下所構成之組中選出：一電流計驅動子系統，以及快速操控鏡(FSM)子系統。
19. 如申請專利範圍第17項之雷射處理系統，其中該AOD子系統包括：由一第一射頻(RF)信號所驅動之一第一AOD；以及由一第二射頻(RF)信號所驅動之一第二AOD，其中，該第一AOD與該第二AOD藉由提供上升頻率給該第一RF信號與該第二RF信號，將該雷射射束去焦點，而使用干擾以有效地加寬該雷射射束點。
20. 如申請專利範圍第17項之雷射處理系統，其中該AOD子系統藉由沿著垂直方向給予雷射射束點位置一第二相對移動，而使用顫動將該雷射射束點有效地加寬，其中，該第二相對移動與該第一相對移動重疊，以及其中該第二相對移動之速度實質上大於該第二相對移動之速度。
21. 如申請專利範圍第17項之雷射處理系統，其中該AOD子系統更改變該雷射射束之強度輪廓，作為沿著垂直於該處理軌跡方向偏轉位置之函數，而在垂直於該處理軌跡方向中，將該特徵選擇地成形。
22. 如申請專利範圍第21項之雷射處理系統，其中在垂直於該處理軌跡方向中將該特徵選擇地成形，該AOD子系統根據沿著垂直於該處理軌跡方向之該雷射射束點位置，調整該雷射射束之平均流量。
23. 如申請專利範圍第22項之雷射處理系統，其中該AOD子系統更根據沿著該處理軌跡之偏轉位置，以調整該雷射射束之該平均流量與功率振幅，而沿著該處理軌跡，將該特徵選擇地成形。
24. 如申請專利範圍第21項之雷射處理系統，其中該AOD子系統包括：一電光偏轉器，而在該處理軌跡方向與垂直於該處理軌跡方向之至少之一中，將該雷射射束偏轉；以及一聲光調變器，用於將該雷射射束之該功率振幅調變。
25. 如申請專利範圍第17項之雷射處理系統，更包括：一感測器，以產生該電流計子系統之一定位誤差信號；以及一過濾器，將該定位誤差信號過濾，該過濾器在一所選擇頻率範圍上電流計誤差至射束位置之間，將一轉換函數之相位與增益實質地匹配，同時濾除高頻率感測器雜訊，其中，該AOD子系統根據該經過濾誤差信號，將該雷射射束偏轉。
26. 如申請專利範圍第17項之雷射處理系統，更包括：一低通濾波器，用於接收一命令射束位置信號，該低通濾波器將超過該電流計子系統頻寬之該命令射束位置信號之部份去除，該低通濾波器輸出一電流計命令信號，用於控制由該電流計子系統所提供之偏轉；一延遲元件，其根據由該低通濾波器所導入該電流計命令信號之延遲數量，以延遲該命令射束位置信號；以及一元件，用於將該延遲元件之輸出減去該低通濾波器所輸出之該電流計命令信號，以產生一AOD命令信號，用於控制由該AOD子系統所提供之偏轉。