TWI392404B - 線路板及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種線路板及其製作方法,且特別是有關於一種可有效控制雷射加工深度之線路板及其製作方法。
隨著市場對於電子產品具有輕薄短小且攜帶方便的需求,因此電子產品中的電子零件亦需隨之朝向小型化與薄型化的方向發展。為此,習知技術提出一種局部降低線路板厚度的方法。
圖1A~圖1C為習知的線路板的製程剖面圖。圖2為圖1A~圖1C中之線路基板的上視圖,其中圖1A~圖1C為習知的線路板製程沿圖2中的I-I’線段的剖面圖。
首先,請同時參照圖1A與圖2,提供一線路基板100,其具有一第一介電層110、一第二介電層120、一線路層130、一第三介電層140以及一第四介電層150。第二介電層120、第三介電層140以及第四介電層150依序堆疊於第一介電層110上,且線路層130配置於第二介電層120上並位於第二與第三介電層120、140之間。線路基板100具有一預移除區L。
接著,請參照圖1B,以雷射加工的方式移除第三介電層140以及第四介電層150之位於預移除區L周邊的部分。然後,請參照圖1C,移除第三介電層140以及第四介電層150之位於預移除區L內的部分,以形成一移除區L1,此時,已大致形成一線路板P。由於線路板P的移除區L1的厚度小於線路板P之其他區域的厚度,因此,在實際應用上,電子元件200可配置於移除區L1內,如此,可降低線路板P與配置於其上的電子元件200的總厚度。
然而,以雷射加工的方式移除第三介電層140以及第四介電層150時,不易控制雷射加工的深度。因此,容易過度燒蝕(over trench)第二介電層120甚至是第一介電層110。
本發明提出一種線路板,特別是具有可有效控制雷射加工深度的線路板結構。
本發明另提出一種線路板的製作方法,可有效控制雷射加工深度。
本發明提出一種線路板,其具有一移除區。線路板包括一第一介電層、一第一雷射阻擋結構、一第二介電層、一線路層、一第二雷射阻擋結構以及一第三介電層。第一雷射阻擋結構配置於第一介電層的一第一表面上,且位於移除區邊緣。第二介電層配置於第一介電層上,並覆蓋第一雷射阻擋結構。線路層配置於第二介電層的一第二表面上,且部分線路層由移除區外延伸進移除區內。第二雷射阻擋結構配置於第二表面上並位於移除區邊緣,且與線路層絕緣,第二雷射阻擋結構與線路層之間存在至少一間隙,間隙於第一表面上的垂直投影與第一雷射阻擋結構重疊。第三介電層配置於第二介電層上,並具有對應移除區的一開口,開口暴露出線路層之位於移除區內的部分以及第二雷射阻擋結構之位於移除區內的部分。
在本發明之一實施例中,第二雷射阻擋結構為一環狀結構,環狀結構具有至少一缺口,且線路層由缺口延伸進移除區內。
在本發明之一實施例中,當第二雷射阻擋結構與線路層之間存在多個間隙時,第一雷射阻擋結構包括多個彼此獨立的點狀結構。
在本發明之一實施例中,第一雷射阻擋結構包括一條狀結構。
在本發明之一實施例中,條狀結構與第二雷射阻擋結構於第一表面上的垂直投影重疊。
在本發明之一實施例中,第二介電層具有至少一凹槽(cavity),且凹槽位於間隙下方。
在本發明之一實施例中,凹槽暴露出第一雷射阻擋結構。
在本發明之一實施例中,線路板更包括一第三雷射阻擋結構,第三雷射阻擋結構配置於第二表面上並位於預移除區邊緣,第三雷射阻擋結構與線路層之位於移除區邊緣的部分相連,並與第二雷射阻擋結構絕緣。
在本發明之一實施例中,線路板更包括一保護層,保護層覆蓋線路層之位於移除區內的部分。
本發明提出一種線路板的製作方法如下所述。首先,提供一基板,基板具有一預移除區。基板包括一第一介電層、一第一雷射阻擋結構、一第二介電層、一線路層、一第二雷射阻擋結構以及一第三介電層。第一雷射阻擋結構配置於第一介電層的一第一表面上,且位於預移除區邊緣。第二介電層配置於第一介電層上,並覆蓋第一雷射阻擋結構。線路層配置於第二介電層的一第二表面上,且部分線路層由預移除區外延伸進預移除區內。第二雷射阻擋結構配置於第二表面上並位於預移除區邊緣,且與線路層絕緣,第二雷射阻擋結構與線路層之間存在至少一間隙,且間隙於第一表面上的垂直投影與第一雷射阻擋結構重疊。第三介電層配置於第二介電層上,並覆蓋線路層與第二雷射阻擋結構。接著,進行一雷射加工製程,以蝕刻位於預移除區邊緣的第三介電層。然後,移除第三介電層之位於預移除區內的部分。
在本發明之一實施例中,雷射加工製程更包括蝕刻第二介電層之位於間隙下的部分。
在本發明之一實施例中,雷射加工製程不蝕刻第一介電層。
在本發明之一實施例中,移除第三介電層的方法包括剝除法。
在本發明之一實施例中,第二雷射阻擋結構為一環狀結構,環狀結構具有至少一缺口,且線路層由缺口延伸進預移除區內。
在本發明之一實施例中,當第二雷射阻擋結構與線路層之間存在多個間隙時,第一雷射阻擋結構包括多個彼此獨立的點狀結構。
在本發明之一實施例中,第一雷射阻擋結構包括一條狀結構。
在本發明之一實施例中,條狀結構與第二雷射阻擋結構於第一表面上的垂直投影重疊。
在本發明之一實施例中,基板更包括一第三雷射阻擋結構,第三雷射阻擋結構配置於第二表面上並位於預移除區邊緣,第三雷射阻擋結構與線路層之位於移除區邊緣的部分相連,並與第二雷射阻擋結構絕緣。
在本發明之一實施例中,基板更包括一保護層,保護層覆蓋線路層之位於預移除區內的部分。
綜上所述,由於本發明之線路板具有第一與第二雷射阻擋結構,故本發明可利用第二雷射阻擋結構來控制雷射加工的深度,並可利用第一雷射阻擋結構保護其下的第一介電層免於受到雷射加工的影響。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
圖3A~圖3C與圖4A~圖4C為本發明一實施例之線路板的製程剖面圖。圖5為圖3A~圖3C與圖4A~圖4C之基板的線路層與第二雷射阻擋結構的上視圖。圖6為圖3A~圖3C與圖4A~圖4C之基板的第一雷射阻擋結構的上視圖。
值得注意的是,圖5中1-1’線段的位置對應圖6中1-1’的位置,且圖3A~圖3C為本發明一實施例之線路板製程沿圖5與圖6中1-1’線段的剖面圖。圖5中Ⅱ-Ⅱ’線段的位置對應圖6中Ⅱ-Ⅱ’線段的位置,且圖4A~圖4C為本發明一實施例之線路板製程沿圖5與圖6中Ⅱ-Ⅱ’線段的剖面圖。
首先,請同時參照圖3A、圖4A、圖5與圖6,提供一基板S,基板S具有一預移除區L。基板S包括一第一介電層310、一第一雷射阻擋結構320、一第二介電層330、一線路層340、一第二雷射阻擋結構350以及一第三介電層360。
第一雷射阻擋結構320配置於第一介電層310的一第一表面312上,且位於預移除區L邊緣。第二介電層330配置於第一介電層310上,並覆蓋第一雷射阻擋結構320。線路層340配置於第二介電層330的一第二表面332上,且部分線路層340由預移除區L外延伸進預移除區L內。
第二雷射阻擋結構350配置於第二表面332上並位於預移除區L邊緣,且與線路層340絕緣,第二雷射阻擋結構350與線路層340之間存在多個間隙G,且間隙G於第一表面312上的垂直投影與第一雷射阻擋結構320重疊。
第三介電層360配置於第二介電層330上,並覆蓋線路層340與第二雷射阻擋結構350。在本實施例中,基板S還包括一配置於第三介電層360上的一第四介電層370。
接著,請同時參照圖3B、圖4B、圖5與圖6,進行一雷射加工製程,以蝕刻位於預移除區L邊緣的第三介電層360與第四介電層370。雷射加工製程在第三介電層360與第四介電層370上形成多個凹槽T,且這些凹槽T暴露出位於預移除區L邊緣的第二雷射阻擋層350與線路層340。
具體而言,雷射加工是作用在預移除區L的邊緣(即圖5與圖6中標示為L的虛線之處)。因此,當雷射穿過第三與第四介電層360、370後,會被第二雷射阻擋結構350阻擋。如此一來,本實施例可利用第二雷射阻擋結構350來控制雷射加工的深度,進而提升製程良率。
此外,為提升第二雷射阻擋結構350阻擋雷射加工的效果,本實施例之第二雷射阻擋結構350的寬度D大於雷射光束的徑度。因此,在較佳的情況下,凹槽T僅暴露出第二雷射阻擋結構350之位於預移除區L邊緣的部分。
值得注意的是,由於本實施例的基板S具有第一雷射阻擋結構320,故當雷射穿過間隙G下方的第二介電層330時,會被間隙G下方的第一雷射阻擋結構320阻擋。因此,第一雷射阻擋結構320可保護其下的第一介電層310免於受到雷射加工的影響,並有助於控制雷射加工的深度。此時,雷射加工製程例如是在間隙G下方的第二介電層330上形成凹槽334。
然後,請同時參照圖3C、圖4C、圖5與圖6,移除第三介電層360與第四介電層370之位於預移除區L內的部分,而形成一移除區L1,其中,移除第三與第四介電層360、370的方法包括剝除法(lift off)。在本實施例中,基板S還包括一保護層380,其覆蓋線路層340之位於移除區L1內的部分,以保護線路層340免於受到移除第三與第四介電層360、370的影響。
以下將就線路板300的結構部分作詳細地介紹。
請同時參照圖3C、圖4C、圖5與圖6,本實施例之線路板300具有一移除區L1,移除區L1為一凹陷區域。線路板300包括一第一介電層310、一第一雷射阻擋結構320、一第二介電層330、一線路層340、一第二雷射阻擋結構350以及一第三介電層360。
第一雷射阻擋結構320配置於第一介電層310的一第一表面312上,且位於移除區L1邊緣。第二介電層330配置於第一介電層310上,並覆蓋第一雷射阻擋結構320。線路層340配置於第二介電層330的一第二表面332上,且部分線路層340由移除區L1外延伸進移除區L1內。
在本實施例中,線路板300包括多個第三雷射阻擋結構390,第三雷射阻擋結構390配置於第二表面332上並位於移除區L1邊緣,第三雷射阻擋結構390與線路層340之位於移除區L1邊緣的部分相連,並與第二雷射阻擋結構350絕緣。
第二雷射阻擋結構350配置於第二表面332上並位於移除區L1邊緣,且第二雷射阻擋結構350與線路層340絕緣。第二雷射阻擋結構350與線路層340之間存在多個間隙G,間隙G於第一表面312上的垂直投影與第一雷射阻擋結構320重疊。
為提升第一雷射阻擋結構320阻擋雷射加工的效果,本實施例之第一雷射阻擋結構320的尺寸可大於間隙G在第一表面312上的垂直投影面積,以使間隙G在第一表面312上的垂直投影可完全落在第一雷射阻擋結構320上。另外,在本實施例中,第二介電層330可具有多個凹槽334,且凹槽334位於間隙G下方。凹槽334可暴露出第一雷射阻擋結構320。
具體而言,在本實施例中,第二雷射阻擋結構350為一環狀結構,環狀結構可具有多個缺口B,且部分線路層340由缺口B延伸進移除區L1內。此外,在本實施例中,第一雷射阻擋結構320可為多個彼此獨立的點狀結構。在其他實施例中,第一雷射阻擋結構320可為一條狀結構或一環狀結構,且條狀結構或環狀結構可與第二雷射阻擋結構350於第一表面312上的垂直投影重疊。
第三介電層360配置於第二介電層330上,並具有對應移除區L1的一開口O。在本實施例中,線路板300還包括一第四介電層370,且第四介電層370配置於第三介電層360上,並具有對應開口O的一開口O1。開口O、O1暴露出線路層340之位於移除區L1內的部分以及第二雷射阻擋結構350之位於移除區L1內的部分。此外,在本實施例中,可在移除區L1內配置一保護層380,其覆蓋線路層340之位於移除區L1內的部分,以保護開口O、O1所暴露之線路層340。
值得注意的是,本實施例是以一移除區L1為例,但並非用以限定本發明。舉例來說,在其他未繪示的實施例中,線路板亦可具有多個移除區,且這些移除區可選擇性地位於線路板的同一側或者是位於線路板的相對兩側。
綜上所述,由於本發明之線路板具有第一與第二雷射阻擋結構,故本發明可利用第二雷射阻擋結構來控制雷射加工的深度。並且,可利用第一雷射阻擋結構保護其下的第一介電層免於受到雷射加工的影響。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100...線路基板
110、310...第一介電層
120、330...第二介電層
130、340...線路層
140、360...第三介電層
150、370...第四介電層
200...晶片
300...線路板
312...第一表面
320...第一雷射阻擋結構
332...第二表面
334、T...凹槽
350...第二雷射阻擋結構
380...保護層
390...第三雷射阻擋結構
B...缺口
D...寬度
G...間隙
L...預移除區
L1...移除區
O、O1...開口
P...線路板
S...基板
圖1A~圖1C為習知的線路板的製程剖面圖。
圖2為圖1A~圖1C之線路基板的上視圖。
圖3A~圖3C與圖4A~圖4C為本發明一實施例之線路板的製程剖面圖。
圖5為圖3A~圖3C與圖4A~圖4C之基板的線路層與第二雷射阻擋結構的上視圖。
圖6為圖3A~圖3C與圖4A~圖4C之基板的第一雷射阻擋結構的上視圖。
300...線路板
312...第一表面
310...第一介電層
320...第一雷射阻擋結構
330...第二介電層
340...線路層
332...第二表面
334...凹槽
350...第二雷射阻擋結構
360...第三介電層
370...第四介電層
390...第三雷射阻擋結構
G...間隙
L1...移除區
O、O1...開口
S...基板
Claims (15)
- 一種線路板,具有一移除區,包括:一第一介電層;一第一雷射阻擋結構,配置於該第一介電層的一第一表面上,且位於該移除區邊緣;一第二介電層,配置於該第一介電層上,並覆蓋該第一雷射阻擋結構;一線路層,配置於該第二介電層的一第二表面上,且部分該線路層由該移除區外延伸進該移除區內;一第二雷射阻擋結構,配置於該第二表面上並位於該移除區邊緣,且與該線路層絕緣,該第二雷射阻擋結構為一環狀結構,該環狀結構具有至少一缺口,且該線路層由該缺口延伸進該移除區內;一第三雷射阻擋結構,該第三雷射阻擋結構配置於該第二表面上並位於該預移除區邊緣,該第三雷射阻擋結構與該線路層之位於該移除區邊緣的部分相連,並與該第二雷射阻擋結構絕緣,該第二雷射阻擋結構與該第三雷射阻擋結構之間存在至少一間隙,該間隙於該第一表面上的垂直投影與該第一雷射阻擋結構重疊;以及一第三介電層,配置於該第二介電層上,並具有對應該移除區的一開口,該開口暴露出該線路層之位於該移除區內的部分以及該第二雷射阻擋結構之位於該移除區內的部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之線路板,其中當該第 二雷射阻擋結構與該線路層之間存在多個間隙時,該第一雷射阻擋結構包括多個彼此獨立的點狀結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之線路板,其中該第一雷射阻擋結構包括一條狀結構或一環狀結構。
- 如申請專利範圍第3項所述之線路板,其中該條狀結構或該環狀結構與該第二雷射阻擋結構於該第一表面上的垂直投影重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之線路板,其中該第二介電層具有至少一凹槽,且該凹槽位於該間隙下方。
- 如申請專利範圍第5項所述之線路板,其中該凹槽暴露出該第一雷射阻擋結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之線路板,更包括一保護層,該保護層覆蓋該線路層之位於該移除區內的部分。
- 一種線路板的製作方法,包括:提供一基板,該基板具有一預移除區,該基板包括:一第一介電層;一第一雷射阻擋結構,配置於該第一介電層的一第一表面上,且位於該預移除區邊緣;一第二介電層,配置於該第一介電層上,並覆蓋該第一雷射阻擋結構;一線路層,配置於該第二介電層的一第二表面上,且該部分線路層由該預移除區外延伸進該預移除區內;一第二雷射阻擋結構,配置於該第二表面上並位 於該預移除區邊緣,且與該線路層絕緣,該第二雷射阻擋結構為一環狀結構,該環狀結構具有至少一缺口,且該線路層由該缺口延伸進該移除區內;一第三雷射阻擋結構,該第三雷射阻擋結構配置於該第二表面上並位於該預移除區邊緣,該第三雷射阻擋結構與該線路層之位於該移除區邊緣的部分相連,並與該第二雷射阻擋結構絕緣,該第二雷射阻擋結構與該第三雷射阻擋結構之間存在至少一間隙,且該間隙於該第一表面上的垂直投影與該第一雷射阻擋結構重疊;以及一第三介電層,配置於該第二介電層上,並覆蓋該線路層與該第二雷射阻擋結構;進行一雷射加工製程,以蝕刻位於該預移除區邊緣的該第三介電層;以及移除該第三介電層之位於該預移除區內的部分。
- 如申請專利範圍第8項所述之線路板的製作方法,其中該雷射加工製程更包括蝕刻該第二介電層之位於該間隙下的部分。
- 如申請專利範圍第9項所述之線路板的製作方法,其中該雷射加工製程不蝕刻該第一介電層。
- 如申請專利範圍第8項所述之線路板的製作方法,其中移除該第三介電層的方法包括剝除法。
- 如申請專利範圍第8項所述之線路板的製作方法,其中當該第二雷射阻擋結構與該線路層之間存在多個 間隙時,該第一雷射阻擋結構包括多個彼此獨立的點狀結構。
- 如申請專利範圍第8項所述之線路板的製作方法,其中該第一雷射阻擋結構包括一條狀結構或一環狀結構。
- 如申請專利範圍第13項所述之線路板的製作方法,其中該條狀結構或該環狀結構與該第二雷射阻擋結構於該第一表面上的垂直投影重疊。
- 如申請專利範圍第8項所述之線路板的製作方法,其中該基板更包括一保護層,該保護層覆蓋該線路層之位於該預移除區內的部分。
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