TW201926103A - 電子設備 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 79
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 44
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000008280 blood Substances 0.000 claims description 9
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 claims description 9
- VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical group [Ge].[Ge] VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 22
- 238000012795 verification Methods 0.000 abstract description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical group CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 210000000577 adipose tissue Anatomy 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002612 cardiopulmonary effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/048—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI]
- G06F3/0484—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] for the control of specific functions or operations, e.g. selecting or manipulating an object, an image or a displayed text element, setting a parameter value or selecting a range
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L9/00—Cryptographic mechanisms or cryptographic arrangements for secret or secure communications; Network security protocols
- H04L9/08—Key distribution or management, e.g. generation, sharing or updating, of cryptographic keys or passwords
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- H—ELECTRICITY
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- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L9/00—Cryptographic mechanisms or cryptographic arrangements for secret or secure communications; Network security protocols
- H04L9/32—Cryptographic mechanisms or cryptographic arrangements for secret or secure communications; Network security protocols including means for verifying the identity or authority of a user of the system or for message authentication, e.g. authorization, entity authentication, data integrity or data verification, non-repudiation, key authentication or verification of credentials
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Abstract
本發明提供了一種電子設備，所述設備包括顯示單元、光偵測器件、主電路板、處理器和存儲介質；顯示單元、光偵測器件、主電路板自上而下設置；所述主電路板上設置有通用積體電路卡卡槽，所述通用積體電路卡卡槽裡設置有通用積體電路卡。本發明藉由將使用者生理特徵訊息存儲於UICC卡，在識別認證過程中無需藉由雲端伺服器進行校驗，而是藉由處理器獲取UICC卡中的預設身份識別訊息，並將其與待認證的身份訊息進行比對，實現身份識別認證過程。
Description
本發明涉及安全認證領域，特別涉及一種電子設備。
通用積體電路卡(Universal Integrated Circuit Card，UICC)是具有物理特性的智慧卡的總稱。若應用在寬頻移動網路的終端裝置當中，UICC可作為終端中一個可移動的智慧卡，用於存儲使用者訊息、鑒權金鑰(包括公開金鑰與金鑰)、付費方式等訊息。ISO/IEC國際化標準組織制定了一系列的智慧卡安全特性協定，以確保寬頻移動網路使用者的終端裝置對UICC檔的安全訪問。UICC引入了多應用平臺的概念，實現了多個邏輯應用同時運行的多通道機制。在UICC中可以包括多種邏輯模組，如使用者標識模組（Subscriber Identity Module，SIM）、通用使用者標識模組（Universal Subscriber Identity Module，USIM）、IP多媒體業務標識模組（IP Multimedia Service Identity Module，ISIM）以及其他如電子簽名認證、電子錢包等非電信應用模組。UICC中的邏輯模組可以單獨存在，也可以多個同時存在。
儘管UICC已被應用在終端裝置中有關電子簽名認證、電子錢包等涉及使用者隱私的應用模組，且ISO/IEC國際化標準組織的安全特性協定保障了終端裝置對UICC檔的安全訪問，但對於已越來越普及的移動終端身份識別並不適用。例如指紋識別、臉部識別等，目前的方法仍然是依靠終端所配置的感測器件及應用程式來實現，習知這類識別功能是以解鎖終端裝置為主要目的，或是在相對考慮訊息安全的應用程式上實現解鎖功能，具有識別功能的應用程式或識硬體處理器僅是將用戶按壓輸入的身份識別圖像（如指紋訊息），透過終端裝置所配置的軟體或硬體與原儲存在終端的圖像（預先設置好的指紋圖像）作比對，並未與UICC 的加密功能一起綁定。
然而，在對訊息安全較高的金融支付、生理健康監控等應用上，越來越嚴謹的身份認證與訊息加密已是大勢所趨，特別是這類要求極端訊息安全的應用通常都是以雲伺服器做為後端運算處理平臺。雲端運算的伺服器為了保證發送生理特徵訊息的終端裝置為註冊的終端裝置，一般會對終端裝置的合法性進行安全驗證。例如在進行金融交易的應用程式中，使用者在發送認證要求給該金融交易雲端平臺後，雲端平臺通常會發送安全驗證碼到同一個終端裝置或不同的終端裝置，提示使用者輸入驗證碼以提高金融交易的安全性。即便如此，這種雲端驗證的平臺仍無法提高操作該終端裝置的使用者正是合法註冊該用戶的本人，即儘管實現了對終端裝置合法性的驗證，但是無法鑒別使用該終端裝置的是否為戶主本人（即合法用戶），仍然存在著較大的安全隱患。
為此，需要提供一種電子設備，解決目前雲端伺服器無法對操作終端裝置的使用者進行認證，導致訊息驗證過程中存在安全隱患等問題。
為實現上述目的，發明人提供了一種電子設備，所述電子設備包括顯示單元、光偵測器件、主電路板、處理器和存儲介質；顯示單元、光偵測器件、主電路板自上而下設置；所述光偵測器件和處理器連接，所述顯示單元上設置有身份識別區域，所述光偵測器件設置於身份識別區域的下方；所述主電路板上設置有通用積體電路卡卡槽，所述通用積體電路卡卡槽裡設置有通用積體電路卡；所述存儲介質中存儲有可執行電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現以下步驟：接收光偵測器件採集到的預設身份識別訊息，並將所述預設身份識別訊息寫入通用積體電路卡；接收身份認證請求和光偵測器件採集到的待認證的身份訊息，從所述通用積體電路卡中獲取預設身份識別訊息，將待認證的身份訊息與對應的預設身份識別訊息進行比對，若匹配成功則身份認證成功，否則認證失敗。
在本發明的一實施例中，所述光偵測器件包括MxN個像素偵測區，每一像素偵測區對應設置一個以上薄膜電晶體所組成一組掃描驅動與傳輸資料的像素薄膜電路、以及一光偵測薄膜；所述光偵測薄膜包括光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列。
在本發明的一實施例中，所述光偵測薄膜為光敏二極體所形成的陣列，所述光敏二極體所形成的陣列包括光敏二極體感應區，所述光敏二極體感應區包括光敏二極體層，所述光敏二極體層包括p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層，p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層自上而下堆疊設置，所述i型半導體層為微晶矽結構或非結晶矽化鍺結構。
在本發明的一實施例中，所述光偵測薄膜為光敏電晶體所形成的陣列，所述光敏電晶體所形成的陣列包括光敏電晶體感應區，所述光敏電晶體感應區設置有光敏薄膜電晶體，所述光敏薄膜電晶體包括閘極、源極、汲極、絕緣層、光吸收半導體層；所述光敏薄膜電晶體為倒立共平面式結構，所述倒立共平面式結構包括：所述閘極、絕緣層、源極縱向自下而上設置，所述汲極與所述源極橫向共面設置；絕緣層包裹所述閘極，以使得閘極與源極、閘極與汲極之間均不接觸；源極和汲極之間間隙配合，源極和汲極橫向之間形成光敏電流通道，所述光吸收半導體層設置於光敏電流通道內。
在本發明的一實施例中，所述身份識別區域包括多個身份識別子區域，每一身份識別子區域的下方對應設置一個光偵測器件；所述電子設備還包括光偵測器件控制電路，所述光偵測器件控制電路與各個身份識別子區域下方的光偵測器件連接；所述光偵測器件控制電路用於在接收對某一光偵測器件的啟動信號時，控制該光偵測器件開啟，或用於在接收到某一光偵測器件的關閉信號時，控制該光偵測器件關閉。
在本發明的一實施例中，所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：採用加密散列函數將預設身份識別訊息轉換為預設身份識別訊息摘要，所述預設身份識別訊息以預設身份識別訊息摘要的形式存儲於通用積體電路卡中。
在本發明的一實施例中，所述電腦程式被處理器執行時實現以下步驟：電子設備進行對預設身份識別訊息採集時，乃是以顯示單元上的陣列像素組合，照射預備採集之身份識別訊息所在身體部位，並由光偵測器件接受反射光信號以獲取身份識別訊息。在所述對預設身份識別訊息採集時，電腦程式可對顯示單元上的陣列像素組合作編碼，以加密過之組合光源照射身體部位而採集到多個預設身份識別訊息被加密過之光訊息；或是電腦程式不對顯示單元上的陣列像素組合作散列函數編碼，光偵測器件採集到的多個預設身份識別訊息之後，電腦程式將採用加密散列函數將多個預設身份識別訊息轉換為預設身份識別訊息摘要；所述預設身份識別訊息包括人臉訊息、指紋訊息、虹膜訊息、血量訊息。
在本發明的一實施例中，所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：將鑒權金鑰存儲於積體電路卡中，所述鑒權金鑰包括公開金鑰和私密金鑰；獲取通用積體電路卡中的公開金鑰，採用RSA加密演算法應用公開金鑰對預設身份識別訊息摘要進行加密，得到預設加密訊息，所述預設加密訊息包括加密後的預設身份識別訊息摘要；接收待認證的身份訊息後，採用加密散列函數將待認證的身份訊息轉換為待認證身份訊息摘要；以及採用RSA加密演算法應用公開金鑰對待認證身份訊息摘要進行加密，得到待認證加密訊息，所述待認證加密訊息包括加密後的待認證身份訊息摘要；獲取通用積體電路卡中的私密金鑰，採用RSA加密演算法應用私密金鑰對預設加密訊息進行解密，獲得預設身份識別訊息摘要，將預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要進行比較，若匹配成功則身份認證成功，否則認證失敗。
在本發明的一實施例中，所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：接收預設身份識別訊息後，隨機生成第一隨機數字字串與第一隨機填充空白，所述第一隨機填充空白為隨機生成、填充於預設身份識別訊息摘要的字元；所述預設加密訊息還包括加密後的第一隨機數字字串與第一隨機填充空白；接收待認證的身份訊息後，隨機生成第二隨機數字字串與第二隨機填充空白，所述第二隨機填充空白為隨機生成、填充於待認證身份訊息摘要的字元；獲取通用積體電路卡中的私密金鑰，採用RSA加密演算法應用私密金鑰對預設加密訊息進行解密，獲得第一隨機數字字串與第一隨機填充空白；比較第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白是否匹配成功，若是則身份認證成功，否則認證失敗。
在本發明的一實施例中，所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：接收加密等級設置指令，設置電子設備的加密等級，所述加密等級包括第一加密等級、第二加密等級和第三加密等級；當電子設備處於第一加密等級時，判斷身份認證成功的條件為預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要、第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白之間三者均匹配成功；當電子設備處於第二加密等級時，判斷身份認證成功的條件為預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要匹配成功、以及第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白兩者中的任一項匹配成功；當電子設備處於第三加密等級時，判斷身份認證成功的條件為預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要匹配成功。
區別於現有技術，上述技術方案的電子設備，包括顯示單元、光偵測器件、主電路板、處理器和存儲介質；顯示單元、光偵測器件、主電路板自上而下設置；所述光偵測器件和處理器連接，所述顯示單元上設置有身份識別區域，所述光偵測器件設置於身份識別區域的下方；所述主電路板上設置有通用積體電路卡卡槽，所述通用積體電路卡卡槽裡設置有通用積體電路卡；所述存儲介質中存儲有可執行電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現以下步驟：接收光偵測器件採集到的預設身份識別訊息，並將所述預設身份識別訊息寫入通用積體電路卡；接收身份認證請求和光偵測器件採集到的待認證的身份訊息，從所述通用積體電路卡中獲取預設身份識別訊息，將待認證的身份訊息與對應的預設身份識別訊息進行比對，若匹配成功則身份認證成功，否則認證失敗。本發明藉由將使用者生理特徵訊息存儲於UICC卡，在識別認證過程中無需藉由雲端伺服器進行校驗，而是藉由處理器獲取UICC卡中的預設身份識別訊息，並將其與待認證的身份訊息進行比對，實現身份識別認證過程。由於身份訊息是即時採集、即時認證的，可以保證設備的驗證操作者即為合法註冊用戶本人，有效提高了認證過程的安全性。
為詳細說明技術方案的技術內容、構造特徵、所實現目的及效果，以下結合具體實施例並配合附圖詳予說明。
請參閱圖1，為本發明一實施方式涉及的電子設備的示意圖；所述電子設備為具有觸摸顯示幕的設備，如手機、平板電腦、個人數位助理等智慧移動設備，還可以是個人電腦、工業裝備用電腦等電子設備。所述電子設備包括顯示單元102、光偵測器件104、主電路板106、處理器和存儲介質；顯示單元102、光偵測器件104、主電路板106自上而下設置；所述光偵測器件104和處理器連接，所述顯示單元102上設置有身份識別區域，所述光偵測器件104設置於身份識別區域的下方；所述主電路板106上設置有通用積體電路卡卡槽107，所述通用積體電路卡卡槽107裡設置有通用積體電路卡108。
在某些實施例中，所述顯示單元102為以有源陣列薄膜電晶體作為掃描驅動與傳輸資料的顯示幕。所述顯示幕包括AMOLED顯示幕或微發光二極體顯示幕。顯示幕的透光率大於3%，從而在實現光偵測功能過程中，透過顯示幕的光線的光通量足夠大，進而被設置於顯示幕下方的光偵測器件接收，從而實現光偵測功能。在另一些實施例中，所述顯示單元102的上方還設置有觸控式螢幕或蓋板玻璃101，從而滿足不同終端產品的需求。
所述顯示單元102的下端面與光偵測器件104的上端面可以經由低折射率膠103粘合，所述低折射率膠的折射率小於1.4。低折射率膠一方面可以起到粘合作用，使得光偵測薄膜緊固於顯示單元的底面，不易發送脫落；另一方面採用低折射率的膠，當光線透過顯示單元照射入光偵測薄膜時，由於低折射率膠的折射作用（膠的折射率低於光偵測薄膜上與之接觸的部位的折射率，通常情況下光偵測薄膜上與低折射率膠接觸的部位的折射率在1.4以上），使得光線在低折射率膠位置發生折射後，可以盡可能以垂直方向入射至光偵測薄膜，可以有效提高光電轉換率。在本實施方式中，所述低折射率膠為具有碳-氟鍵的有機化合膠材。
所述處理器為具有資料處理功能的電子元件，如中央處理器（Central Processing Unit，簡稱CPU）、數位訊號處理器（Digital Signal Processor，簡稱DSP）或者系統晶片（System on Chip, 簡稱SoC）。所述存儲介質為具有資料存儲功能的電子元件，包括但不限於：RAM、ROM、磁碟、磁帶、光碟、快閃記憶體、U盤、移動硬碟、存儲卡、記憶棒等。
所述存儲介質中存儲有可執行電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現以下步驟：接收光偵測器件採集到的預設身份識別訊息，並將所述預設身份識別訊息寫入通用積體電路卡；接收身份認證請求和光偵測器件採集到的待認證的身份訊息，從所述通用積體電路卡中獲取預設身份識別訊息，將待認證的身份訊息與對應的預設身份識別訊息進行比對，若匹配成功則身份認證成功，否則認證失敗。在本實施方式中，所述預設身份識別訊息包括人臉訊息、指紋訊息、虹膜訊息、血量訊息。
由於預設身份識別訊息被預先存儲於通用積體電路卡（以下簡稱UICC卡）中，處理器可以獲取UICC卡中的預設身份識別訊息，並將其與待認證的身份訊息進行比對，實現身份識別認證過程。由於身份訊息是即時採集、即時認證的，可以保證設備的驗證操作者即為合法註冊用戶本人，相較於在雲端伺服器進行認證的方式，有效提高了認證過程的安全性。
以預設身份識別訊息為血量訊息為例，當光線穿過人體皮膚進入到體表以下人體其他組織時，有些光線將被吸收，有些光線會發生反射、散射等情況，光路的變化取決於皮膚以下組織的構造。一般情況下，人體血液可以吸收比周圍組織更多的光，因而當光信號遇到更多的血液時，反射回的光信號就越少。因此可以藉由檢測身體部分反射回的光信號訊息，得到使用者對應的血量訊息，而根據使用者對應的血量訊息又可以藉由換算得到用戶的其他預設身份識別訊息（如血壓指數、體脂含量、血氧飽和度、心肺指數、心電圖等）。
在某些實施例中，所述光偵測器件104與主電路板106經由軟性電路板105進行連接，所述軟性電路板105包括具有影像信號讀取識別功能的晶片。所述識別功能的晶片包括指紋影像讀取晶片、指紋識別演算法晶片等，晶片型號如Analog Devices公司的ADAS1256 晶片。軟性電路板又稱柔性線路板、撓性線路板。簡稱軟板或FPC，是相對於普通硬樹脂線路板而言，軟性電路板具有配線密度高、重量輕、厚度薄、配線空間限制較少、靈活度高等優點。軟性電路板的設置可以使得光偵測裝置整體更加輕薄化，滿足市場需求。
為了加強UICC卡中預設身份識別訊息的安全性，以及節省預設身份識別訊息在UICC卡中的存儲空間，在某些實施例中，所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：電子設備進行對預設身份識別訊息採集時，乃是以顯示單元上的陣列像素組合，照射預備採集之身份識別訊息所在身體部位，並由光偵測器件接受反射光信號以獲取身份識別訊息。在所述對預設身份識別訊息採集時，電腦程式可對顯示單元上的陣列像素組合作編碼，以加密過之組合光源照射身體部位而採集到多個預設身份識別訊息被加密過之光訊息；或是電腦程式不對顯示單元上的陣列像素組合作散列函數編碼，光偵測器件採集到的多個預設身份識別訊息之後，電腦程式採用加密散列函數將預設身份識別訊息轉換為預設身份識別訊息摘要，所述預設身份識別訊息以預設身份識別訊息摘要的形式存儲於通用積體電路卡中。加密散列函數即Hash Function（也有直接音譯為“雜湊”）的，就是把任意長度的輸入（又叫做預映射，pre-image），藉由散列演算法，變換成固定長度的輸出，該輸出就是散列值。這種轉換是一種壓縮映射，也就是，散列值的空間通常遠小於輸入的空間，不同的輸入可能會散列成相同的輸出。簡言之，加密散列函數就是一種將任意長度的消息壓縮到某一固定長度的消息摘要（Digest）的函數，經由轉換可以壓縮預設身份識別訊息的存儲空間，以便預設身份識別訊息更好地存儲。
如圖12所示，為本發明一實施方式所述的電腦程式被處理器執行時的步驟流程圖。所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：
首先進入步驟S1201將鑒權金鑰存儲於積體電路卡中，所述鑒權金鑰包括公開金鑰和私密金鑰；
而後進入步驟S1202獲取通用積體電路卡中的公開金鑰，採用RSA加密演算法應用公開金鑰對預設身份識別訊息摘要進行加密，得到預設加密訊息，所述預設加密訊息包括加密後的預設身份識別訊息摘要；
而後進入步驟S1203接收待認證的身份訊息後，採用加密散列函數將待認證的身份訊息轉換為待認證身份訊息摘要；以及採用RSA加密演算法應用公開金鑰對待認證身份訊息摘要進行加密，得到待認證加密訊息，所述待認證加密訊息包括加密後的待認證身份訊息摘要；
而後進入步驟S1204獲取通用積體電路卡中的私密金鑰，採用RSA加密演算法應用私密金鑰對預設加密訊息進行解密，獲得預設身份識別訊息摘要；
而後進入步驟S1205將預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要進行比較，若匹配成功則進入步驟S1207身份認證成功，否則進入步驟S1206認證失敗。藉由上述方法，採用公開金鑰加密、私密金鑰解密的方式，由於公開金鑰和私密金鑰存儲於UICC卡中，使得提取UICC卡中預設身份識別訊息摘要的提取安全性大大更加。在另一些實施例中，對摘要進行加密或解密的演算法並不局限於RSA演算法，也可以是現有的其他加密解密演算法。
如圖13所示，為了進一步提高訊息認證的安全性，在某些實施例中，所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：
首先進入步驟S1301接收預設身份識別訊息後，隨機生成第一隨機數字字串與第一隨機填充空白。所述第一隨機填充空白為隨機生成、填充於預設身份識別訊息摘要的字元；所述預設加密訊息還包括加密後的第一隨機數字字串與第一隨機填充空白；而後進入步驟S1302接收待認證的身份訊息後，隨機生成第二隨機數字字串與第二隨機填充空白，所述第二隨機填充空白為隨機生成、填充於待認證身份訊息摘要的字元；而後進入步驟S1303獲取通用積體電路卡中的私密金鑰，採用RSA加密演算法應用私密金鑰對預設加密訊息進行解密，獲得第一隨機數字字串與第一隨機填充空白；而後進入步驟S1304比較第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白是否匹配成功，若是則進入步驟S1306身份認證成功，否則進入步驟S1305認證失敗。簡言之，待認證的身份訊息要想通過認證，除了其生成的摘要與UICC卡中的預設身份識別訊息摘要相匹配之外，還要求第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白中的一種或多種相匹配，從而有效提高了身份訊息認證的安全性。
為了讓使用者可以根據實際需要設置不同的應用軟體或者電子設備開機的加密等級，在某些實施例中，所述電腦程式被處理器執行時還實現以下步驟：
接收加密等級設置指令，設置電子設備的加密等級，所述加密等級包括第一加密等級、第二加密等級和第三加密等級；
當電子設備處於第一加密等級時，判斷身份認證成功的條件為預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要、第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白之間三者均匹配成功；
當電子設備處於第二加密等級時，判斷身份認證成功的條件為預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要匹配成功、以及第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白兩者中的任一項匹配成功；
當電子設備處於第三加密等級時，判斷身份認證成功的條件為預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要匹配成功。
簡言之，加密程度從高到低為第一加密等級、第二加密等級、第三加密等級。對於一些需要增強式加密的應用，例如涉及到金融交易、商業秘密資料、線上支付密碼的軟體，使用者可以將這些應用程式的加密等級設置為第一加密等級，以便在身份訊息認證過程中，只有當預設身份識別訊息摘要與待認證身份訊息摘要、第一隨機數字字串與第二隨機數字字串、第一隨機填充空白與第二隨機填充空白之間三者均匹配成功時，才可以完成相應的解鎖操作或支付操作，從而提高訊息資料的安全性。而對於不需要增強式加密的應用，例如相冊圖片的流覽，使用者可以根據自身需要將應用程式的加密程度設置為第二加密等級或第三加密等級。
在某些實施例中，所述電腦程式被處理器執行時實現以下步驟：接收光偵測器件採集到的多個預設身份識別訊息，將採用加密散列函數將多個預設身份識別訊息轉換為預設身份識別訊息摘要。多個預設身份識別訊息可以是相同類型，也可以是不同類型。例如預設身份識別訊息為不同手指的指紋訊息時，當使用者將多個手指置於身份識別區上時，光偵測器件可以同步採集到用戶多個手指對應的預設指紋訊息，進而採用加密散列函數將採集的多個指紋訊息轉換為指紋摘要。再比如多個預設身份識別訊息包括一個手指的指紋訊息以及人臉訊息，將採用加密散列函數將人臉訊息和指紋訊息轉換為相應的指紋摘要。預設身份識別訊息為多個，一方面給用戶提供了更多的選擇，另一方面也有效提高了身份訊息認證的安全性和準確性。
所述光偵測器件為TFT影像感測陣列薄膜，包括MxN個像素偵測區，每一像素偵測區對應設置一個以上薄膜電晶體所組成一組掃描驅動與傳輸資料的像素薄膜電路、以及一光偵測薄膜；所述光偵測薄膜包括光敏二極體或光敏電晶體。以光偵測薄膜包括光敏二極體為例，每一個像素偵測區的基本電路組成如圖2所示。光敏二極體為形成光偵測薄膜之主要感測器件，閘極掃描線以固定之畫面播放速率(Frame Rate)將薄膜電晶體(TFT)操作在打開模式，當所述光偵測器件偵測到光信號，打開之薄膜電晶體即可將電容電壓資料傳輸到讀取晶片。具體可以參考以下兩篇文獻：[1]“M. J. Powell, I. D. French, J. R. Hughes, N. C. Bird, O. S. Davies, C. Glasse, and J. E. Curran, [2]“Amorphous silicon image sensor arrays,”in Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1992, vol. 258, pp. 1127–1137”、“B. Razavi, “Design of Analog CMOS Integrated Circuits,” McGraw-Hill, 2000”。
所述光偵測器件為TFT影像感測陣列薄膜，其光偵測波長範圍包含可見光波段或是紅外光波段。所述TFT影像感測陣列薄膜由MXN個光偵測薄膜組成，每一光偵測薄膜對應偵測一個像素，因而TFT影像感測陣列薄膜可以用於偵測MXN個像素，以形成相應影像。對於每一個光偵測薄膜而言，有以下幾種實現方式：
實施例一：所述TFT影像感測陣列薄膜（即光偵測器件）為光敏二極體所形成的陣列，所述光敏二極體所形成的陣列包括光敏二極體感應區。現有的液晶顯示(LCD)面板或有機發光二極體(OLED)顯示面板，皆是以TFT結構驅動掃描單一像素，以實現面板上像素陣列的顯示功能。形成TFT開關功能的主要結構為半導體場效電晶體 (FET)，其中熟知的半導體層材料主要有非晶矽、多晶矽、氧化銦鎵鋅(IGZO)、或是混有碳納米材料之有機化合物等等。由於光感測二極體的結構亦可採用此類半導體材料製備，且生產設備也相容於TFT陣列的生產設備，因此近年來TFT光偵測二極體（即光敏二極體）開始以TFT陣列製備方式進行生產。現有的光敏二極體的具體結構可以參考美國專利US6943070B2、中華人民共和國專利 CN204808361U中對光偵測器件結構的描述。TFT影像感測陣列薄膜的生產工藝與顯示面板TFT結構不同的是：原本在顯示面板的像素開口區域，在生產工藝上改為光感測區域。其TFT製備方式可以採用薄型玻璃為基材，亦可採用耐高溫塑性材料為基材，如美國專利US6943070B2所述。
現有的TFT影像感測陣列薄膜易受周圍環境光或者顯示幕像素所發出的可見光的反射、折射等因素影響，造成光學干擾，嚴重影響內嵌於顯示面板下方的TFT影像感測陣列薄膜的信號雜訊比（SNR），為了提高信號雜訊比，如圖3所示，本發明的光偵測薄膜做了進一步改進，使得改進後的TFT影像感測陣列薄膜可以偵測識別使用者身體部分反射回的紅外信號。具體結構如下：
所述光敏二極體層包括p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層，p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層自上而下堆疊設置，所述i型半導體層為微晶矽結構或非結晶矽化鍺結構。所述微晶矽結構為矽烷與氫氣藉由化學氣相沉積成膜的半導體層，微晶矽的結構的結晶度大於40%，且其禁帶寬度小於1.7 eV。所述非結晶矽化鍺結構為矽烷、氫氣與鍺烷藉由化學氣相沉積成膜的非結晶半導體層，且其禁帶寬度小於1.7 eV。
禁帶寬度(Band gap)是指一個帶隙寬度(單位是電子伏特(eV))，固體中電子的能量是不可以連續取值的，而是一些不連續的能帶，要導電就要有自由電子存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從價帶躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。禁帶寬度是半導體的一個重要特徵參量，其大小主要決定於半導體的能帶結構，即與晶體結構和原子的結合性質等有關。
在室溫下（300K），鍺的禁帶寬度約為0.66ev，矽烷中含有鍺元素，當摻入鍺元素後，會使得i型半導體層的禁帶寬度下降，當滿足小於1.7 eV時，說明i型半導體層可以接收可見光至紅外光（或近紅外光）波長範圍內的光信號。藉由調整化學氣象沉積的GeH4濃度，可以將含有非晶或微晶矽化鍺結構的光敏二極體的操作波長範圍擴展到光波長 600nm 到2000 nm 的範圍。
實施例二：在採用實施例一的基礎上，為了提高光電轉換之量子效率，非晶矽光電二極體也可採用雙結以上p型/i型/n型結構堆疊形成。該光電二極體第一結層p型/i型/n型材料仍然為非晶矽結構，第二結層以上p型/i型/ n型材料可以為微晶結構、多晶結構或是摻有可擴展光敏波長範圍之化合物材料。簡言之，可以採用多組p型/i型/n型結構上下堆疊來實現組成光敏二極體結構，對於每一個p型/i型/n型結構，則採用實施例一所描述的光敏二極體結構。
實施例三：在採用實施例一或實施例二的基礎上，對於每一個p型/i型/n型結構而言，其所包含的p型半導體層可以為大於兩層的多層結構。例如p型半導體層為三層結構，自上而下包括第一p型半導體層（p1層）、第二p型半導體層（p2層）、第三p型半導體層（p3層）。其中，p1層可以採用非結晶結構且重摻雜硼（含硼濃度為標準工藝的兩倍以上）；p2和p3採用微晶結構，且正常摻雜硼（按照標準工藝濃度摻雜），依靠厚度減薄的 p2 層和p3層減少對光線的吸收，使得光線盡可能多地進入i層並被i層所吸收，提高光電轉換率；另一方面p2 層和p3層採用正常的硼摻雜可以有效避免由於p1 層的重摻雜導致劣化內建電位。當p型半導體層包括為其他層數的多層結構與此類似，此處不再贅述。
同樣的，n型半導體層也可以為大於兩層的多層結構。例如n型半導體層為三層結構，自上而下包括第一n型半導體層（n1層）、第二n型半導體層（n2層）、第三n型半導體層（n3層）。其中，n3層可以採用非結晶結構且重摻雜磷（含磷量為標準工藝兩倍以上）；n1和n2採用微晶結構，且正常摻雜磷（按照標準生產工藝），依靠厚度減薄的 n1 層和n2層減少對光線的吸收，使得光線盡可能多地進入i層並被i層所吸收，提高光電轉換率；另一方面n1 層和n2層採用正常的磷摻雜可以有效避免由於n3 層的重摻雜導致劣化內建電位。當n型半導體層包括為其他層數的多層結構與此類似，此處不再贅述。
實施例四：本實施例是針對實施例一或二或三的進一步改進，如圖6中的（a）所示，具體包括：在所述p型半導體層的上端面設置有第一光學器件，所述第一光學器件用於降低光線在p型半導體層的上端面的反射率、或是減小光線在p型半導體層的折射角度以增加光入射量。減小光線在p型半導體層的折射角度，可以讓光線盡可能地以接近於垂直方向射入p型半導體層，使得光線盡可能地被p型半導體層下方的i型半導體層所吸收，從而進一步提高光敏二極體的光電轉換率。當p型半導體層為多層結構時，第一光學器件設置於最上方的一層p型半導體層的上端面。
所述第一光學器件包括折射率呈週期性變化的光子晶體結構或微透鏡陣列結構、或是折射率呈非週期性變化的漫散射結構。所述第一光學器件的折射率小於p型半導體層的折射率，可以使得光線在第一光學器件發生折射後，入射角小於折射角，即光線盡可能地以接近於垂直方向射入p型半導體層。
實施例五：本實施例是針對實施例一或二或三或四的進一步改進，如圖6中的（b）（c）所示，所述n型半導體層的下端面還設置有第二光學器件，所述第二光學器件用於提高光線在n型半導體層的下端面的多重反射率。所述多重反射率是指光線在經過第二光學器件反射後進入i型半導體層，再次被i型半導體層所吸收，吸收後的光線又再次經過第二光學器件反射後進入i型半導體層，如此反復多次，提高i型半導體層的光電轉換率。當n型半導體層為多層結構時，第二光學器件設置於最下方的一層n型半導體層的下端面。
所述第二光學器件包括折射率呈週期性變化的光子晶體結構、或是折射率呈非週期性變化的漫散射結構，且所述第二光學器件的折射率小於n型半導體層的折射率。這樣，可以使得光線在n型半導體層的下端面盡可能發生反射，以便反射後的光線再次被i型半導體層所吸收，進而適量放大屬於i型半導體層可吸收的光波長範圍內的信號，提高該波長範圍內的光電流量。
實施例六：如圖4所示，所述TFT影像感測陣列薄膜（即光偵測器件）為光敏電晶體所形成的陣列，所述光敏電晶體所形成的陣列包括光敏電晶體感應區，所述光敏電晶體感應區設置有光敏薄膜電晶體，所述光敏薄膜電晶體包括閘極1、源極2、汲極3、絕緣層4、光吸收半導體層5；所述光敏薄膜電晶體為倒立共平面式結構，所述倒立共平面式結構包括：所述閘極1、絕緣層4、源極2縱向自下而上設置，所述汲極3與所述源極2橫向共面設置；絕緣層4包裹所述閘極1，以使得閘極1與源極2、閘極1與汲極3之間均不接觸；源極2和汲極3之間間隙配合，源極2和汲極3橫向之間形成光敏電流通道，所述光吸收半導體層5設置於光敏電流通道內。
一般藉由閘極電壓控制TFT操作在關閉狀態時，源極到汲極之間不會有電流通過；然而當TFT受光源照射時，由於光的能量在半導體激發出電子-空穴對，TFT結構的場效應作用會使電子-空穴對分離，進而使TFT產生光敏電流。這樣的光敏電流特性讓TFT陣列可應用在光偵測或光偵測之技術上。相較於一般採用TFT電流作光敏薄膜電晶體之器件，本發明以倒立共平面型場效電晶體結構將光吸收半導體層配置於最上方吸光層，大幅增加了光電子的激發，提高了光電轉換效率。
如圖7所示，為本發明一實施方式涉及的光偵測薄膜的製備方法的流程圖。所述方法用於製備實施例六的光敏薄膜電晶體（即光偵測薄膜），具體包括以下步驟：
首先進入步驟S801在像素薄膜電晶體的基材上藉由化磁控濺射鍍膜出閘極。像素薄膜電晶體的基材可以採用硬板，也可以採用柔性材料（如聚醯亞胺）；
而後進入步驟S802在所述閘極的上方藉由化學氣相沉積或是磁控濺射鍍膜出絕緣層；
而後進入步驟S803在所述絕緣層的上方藉由化學氣相沉積鍍膜出源極和汲極的n型摻雜半導體層，並藉由磁控濺射鍍膜出源極和汲極的金屬層，藉由黃光蝕刻工藝定義出預設結構的源極和汲極，得到源極和汲極橫向共面，且間隙配合，並使得源極和汲極橫向之間形成光敏電流通道；
而後進入步驟S804在所述光敏電流通道內化學氣相沉積鍍膜出光吸收半導體層。
實施例七：以熟知的場效電晶體結構而言，作為掃描驅動與資料傳輸開關的TFT 不需特別針對源極和汲極之間收集光電流的結構作設計；然而對場效電晶體應用在光敏電流的偵測上，如果被光線激發的電子-空穴對被場效分離後，受電場驅動的飄移(Drift)路徑太長，極有可能在光電子未能順利抵達電極之前，就已經與空穴作再結合(Recombination)，或是被光吸收半導體層本身的懸空鍵結(Dangling Bond)缺陷給捕獲，無法有效地貢獻作光偵測的光電流輸出。
為了改善光敏電流受源極與汲極之間通道長度的影響，以達到可增加吸收光半導體面積卻不致於劣化光電轉換效率的目的，本實施例中對實施例四的源極和汲極進行一步改進，提出了一源極與汲極的新型結構。
如圖5所示，所述源極和汲極的數量均為多個，源極和源極之間相互並聯，汲極和汲極之間相互並聯；所述源極和汲極之間間隙配合，源極和汲極橫向之間形成光敏電流通道包括：相鄰的源極之間形成第一間隙，一個汲極置於所述第一間隙內，相鄰的汲極之間形成第二間隙，一個源極置於所述第二間隙內，源極和汲極之間交錯設置且間隙配合。每一源極與相鄰的汲極之間的距離小於電子飄移距離，所述電子飄移距離為電子在場效作用下能夠生存的距離。這樣，在每一個偵測像素裡，所屬同一像素的多個源極都相互並聯，且所屬同一像素的多個汲極也都相互並聯，可以有效降低光激發電子與空穴再複合的機率，提高了場效應作用下電極收集光電子的成功機率，最大化地改善了TFT電流光敏薄膜電晶體的光敏度。
如圖8至11所示，為逐步製備實施例七的光敏薄膜電晶體（即光偵測薄膜）的過程，其大體步驟與製備實施例六的光敏薄膜電晶體類似。區別在於，在製備源極和汲極時，步驟S803中“藉由黃光蝕刻工藝定義出預設結構的源極和汲極，得到源極和汲極橫向共面，且間隙配合，並使得源極和汲極橫向之間形成光敏電流通道”包括：藉由黃光蝕刻工藝定義出源極電極組和汲極電極組，每一個源極電極組包括多個源極，源極和源極之間相互並聯；每一個汲極電極組包括多個汲極，汲極和汲極之間相互並聯；相鄰的源極之間形成第一間隙，一個汲極置於所述第一間隙內，相鄰的汲極之間形成第二間隙，一個源極置於所述第二間隙內，源極和汲極之間交錯設置且間隙配合。
在某些實施例中，所述光偵測器件用於接收偵測觸發信號，處於光偵測狀態，並接收偵測部位（如指紋、眼球、虹膜等）反射的光信號以捕捉使用者的偵測部位訊息；以及用於接收光源觸發信號，處於發出光源（如紅外光源）狀態。優選的，光源觸發信號與偵測觸發信號交替切換，並符合一預設頻率。以光偵測器件為光敏二極體所形成的陣列為例，在實際應用過程中，可借由TFT作掃描驅動外加一偏壓（包括正向偏壓，或零偏壓或負偏壓）在p型/i型/ n型光電二極體之間，實現TFT影像感測陣列薄膜發出紅外光功能。
具體地，可交替在p型/i型/ n型紅外光敏二極體之間施加正向偏壓，或零偏壓或負偏壓，以觸發所述第一觸發信號或第二觸發信號。以紅外光敏二極體所形成的陣列有10列像素點陣為例，在第一週期內對p型/i型/ n型紅外光敏二極體施加正向偏壓，使得10列像素點陣均處於發出紅外光狀態；在第二週期內對p型/i型/ n型紅外光敏二極體施加零偏壓或負偏壓，使得10列像素點陣均處於紅外光偵測狀態，用於捕捉使用者眼球反射回的紅外光訊息，並生成相應的紅外圖像輸出；在第三週期內又對p型/i型/ n型紅外光敏二極體施加正向偏壓，使得10列像素點陣均處於發出紅外光狀態，反復交替，以此類推。進一步地，光源觸發信號（即第一觸發信號）與偵測觸發信號（即第二觸發信號）交替切換，切換的頻率符合一預設頻率。相鄰的週期之間的時間間隔可以根據實際需要而設置，優選時間間隔可以設置為TFT陣列驅動掃描每一幀 (Frame) 紅外光敏二極體陣列至少能接收到一幀完整的影像信號所需的時間，即預設頻率為每經過上述時間間隔進行一次切換。
在某些實施例中，所述身份識別區域包括多個身份識別子區域，每一身份識別子區域的下方對應設置一個光偵測器件。以指紋識別為例，所述電腦程式被處理器執行時實現以下步驟：接收到對指紋識別子區域（即身份識別子區域）的啟動指令，偵測控制電路開啟所述指紋識別子區域（即身份識別子區域）的下方的光偵測器件；或者，接收到對指紋識別子區域的關閉指令，偵測控制電路開啟所述指紋識別子區域的下方的光偵測器件。
以指紋識別子區域的數量為兩個為例，兩個指紋識別子區域可以一上一下或一左一右均勻分佈於螢幕中，也可以以其他排列方式分佈於螢幕中。下面對具有兩個指紋識別子區域的終端的應用過程做具體說明：在使用過程中，接收使用者觸發的啟動信號，將兩個指紋識別子區域下方的光偵測器件（即光偵測器件）都設置成開啟狀態。優選的實施例中，兩個指紋識別子區域構成的範圍覆蓋了整個顯示幕，這樣可以保證當兩個指紋識別子區域下方的光偵測器件都設置成開啟狀態時，進入顯示幕的光信號可以被下方的TFT影像感測陣列薄膜（即光偵測器件）所吸收，從而及時捕捉到使用者的指紋訊息或身體部分訊息。當然，使用者也可以根據自身喜好，設置某一個指紋識別子區域下方的光偵測器件開啟，另一個指紋識別子區域下方的光偵測器件關閉。
需要說明的是，儘管在本文中已經對上述各實施例進行了描述，但並非因此限制本發明的專利保護範圍。因此，基於本發明的創新理念，對本文所述實施例進行的變更和修改，或利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，直接或間接地將以上技術方案運用在其他相關的技術領域，均包括在本發明的專利保護範圍之內。
1‧‧‧閘極
2‧‧‧源極
3‧‧‧汲極
4‧‧‧絕緣層
5‧‧‧光吸收半導體層
101‧‧‧觸控式螢幕或蓋板玻璃
102‧‧‧顯示單元
103‧‧‧低折射率膠
104‧‧‧光偵測器件
105‧‧‧軟性電路板
106‧‧‧主電路板
107‧‧‧通用積體電路卡卡槽
108‧‧‧通用積體電路卡
D‧‧‧汲極電極
G‧‧‧閘極電極
n1、n2、i2、p1、p2‧‧‧半導體層
S‧‧‧源極電極
S801~S804‧‧‧步驟
S1201~S1207‧‧‧步驟
S1301~S1306‧‧‧步驟
TFT‧‧‧薄膜電晶體
圖1為本發明一實施方式涉及的電子設備的示意圖。 圖2為本發明一實施方式涉及的像素偵測區的電路示意圖。 圖3為本發明一實施方式涉及的光偵測薄膜的結構示意圖。 圖4為本發明另一實施方式涉及的光偵測薄膜的結構示意圖。 圖5為本發明一實施方式涉及的源極和汲極結構配合的示意圖。 圖6為本發明一實施方式涉及的光學器件的分佈方式的示意圖。 圖7為本發明一實施方式涉及的光偵測薄膜的製備方法的流程圖。 圖8為本發明一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。 圖9為本發明另一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。 圖10為本發明另一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。 圖11為本發明另一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。 圖12為本發明一實施方式所述的電腦程式被處理器執行時的步驟流程圖。 圖13為本發明另一實施方式所述的電腦程式被處理器執行時的步驟流程圖。
Claims (10)
- 一種電子設備，包括顯示單元、光偵測器件、主電路板、處理器和存儲介質；所述顯示單元、所述光偵測器件、所述主電路板自上而下設置；所述光偵測器件和所述處理器連接，所述顯示單元上設置有身份識別區域，所述光偵測器件設置於所述身份識別區域的下方；所述光偵測器件包括MxN個像素偵測區，每一所述像素偵測區對應設置一個以上薄膜電晶體所組成一組掃描驅動與傳輸資料的像素薄膜電路、以及一光偵測薄膜；所述光偵測薄膜包括光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列； 所述主電路板上設置有通用積體電路卡卡槽，所述通用積體電路卡卡槽裡設置有通用積體電路卡；所述存儲介質中存儲有可執行電腦程式，所述電腦程式被所述處理器執行時實現以下步驟： 接收所述光偵測器件採集到的預設身份識別訊息，並將所述預設身份識別訊息寫入所述通用積體電路卡； 接收身份認證請求和所述光偵測器件採集到的待認證的身份訊息，從所述通用積體電路卡中獲取所述預設身份識別訊息，將待認證的所述身份訊息與對應的所述預設身份識別訊息進行比對，若匹配成功則身份認證成功，否則認證失敗。
- 如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中所述光偵測薄膜為光敏二極體所形成的陣列，所述光敏二極體所形成的陣列包括光敏二極體感應區，所述光敏二極體感應區包括光敏二極體層，所述光敏二極體層包括p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層，所述p型半導體層、所述i型半導體層、所述n型半導體層自上而下堆疊設置，所述i型半導體層為微晶矽結構或非結晶矽化鍺結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中所述光偵測薄膜為光敏電晶體所形成的陣列，所述光敏電晶體所形成的陣列包括光敏電晶體感應區，所述光敏電晶體感應區設置有光敏薄膜電晶體，所述光敏薄膜電晶體包括閘極、源極、汲極、絕緣層、光吸收半導體層；所述光敏薄膜電晶體為倒立共平面式結構，所述倒立共平面式結構包括：所述閘極、所述絕緣層、所述源極縱向自下而上設置，所述汲極與所述源極橫向共面設置；所述絕緣層包裹所述閘極，以使得所述閘極與所述源極、所述閘極與所述汲極之間均不接觸；所述源極和所述汲極之間間隙配合，所述源極和所述汲極橫向之間形成光敏電流通道，所述光吸收半導體層設置於所述光敏電流通道內。
- 如申請專利範圍第1項所述的電子設備，其中所述身份識別區域包括多個身份識別子區域，每一所述身份識別子區域的下方對應設置一個所述光偵測器件；所述電子設備還包括光偵測器件控制電路，所述光偵測器件控制電路與各個所述身份識別子區域下方的所述光偵測器件連接； 所述光偵測器件控制電路用於在接收對某一所述光偵測器件的啟動信號時，控制所述光偵測器件開啟，或用於在接收到某一所述光偵測器件的關閉信號時，控制所述光偵測器件關閉。
- 如申請專利範圍第1至4項任一項所述的電子設備，其中所述電腦程式被所述處理器執行時還實現以下步驟： 對所述顯示單元上預設的像素陣列組合進行編碼，並以編碼過的像素陣列組合照射身體部位，以及接收所述身體部位反射回的光信號，得到所述預設身份識別訊息。
- 如申請專利範圍第1至4項任一項所述的電子設備，其中所述電腦程式被所述處理器執行時還實現以下步驟： 採用加密散列函數將所述預設身份識別訊息轉換為預設身份識別訊息摘要，所述預設身份識別訊息以所述預設身份識別訊息摘要的形式存儲於所述通用積體電路卡中。
- 如申請專利範圍第6項所述的電子設備，其中所述電腦程式被所述處理器執行時實現以下步驟： 接收所述光偵測器件採集到的所述預設身份識別訊息，將採用加密散列函數將所述預設身份識別訊息轉換為所述預設身份識別訊息摘要；所述預設身份識別訊息包括人臉訊息、指紋訊息、虹膜訊息、血量訊息。
- 如申請專利範圍第6項所述的電子設備，其中所述電腦程式被所述處理器執行時還實現以下步驟： 將鑒權金鑰存儲於積體電路卡中，所述鑒權金鑰包括公開金鑰和私密金鑰； 獲取所述通用積體電路卡中的所述公開金鑰，採用RSA加密演算法應用公開金鑰對所述預設身份識別訊息摘要進行加密，得到預設加密訊息，所述預設加密訊息包括加密後的所述預設身份識別訊息摘要； 接收待認證的所述身份訊息後，採用所述加密散列函數將待認證的所述身份訊息轉換為待認證身份訊息摘要；以及採用所述RSA加密演算法應用公開金鑰對所述待認證身份訊息摘要進行加密，得到待認證加密訊息，所述待認證加密訊息包括加密後的所述待認證身份訊息摘要； 獲取所述通用積體電路卡中的所述私密金鑰，採用RSA加密演算法應用私密金鑰對所述預設加密訊息進行解密，獲得所述預設身份識別訊息摘要，將所述預設身份識別訊息摘要與所述待認證身份訊息摘要進行比較，若匹配成功則身份認證成功，否則認證失敗。
- 如申請專利範圍第8項所述的電子設備，其中所述電腦程式被所述處理器執行時還實現以下步驟： 接收所述預設身份識別訊息後，隨機生成第一隨機數字字串與第一隨機填充空白，所述第一隨機填充空白為隨機生成、填充於所述預設身份識別訊息摘要的字元；所述預設加密訊息還包括加密後的所述第一隨機數字字串與所述第一隨機填充空白； 接收待認證的所述身份訊息後，隨機生成第二隨機數字字串與第二隨機填充空白，所述第二隨機填充空白為隨機生成、填充於所述待認證身份訊息摘要的字元； 獲取所述通用積體電路卡中的所述私密金鑰，採用所述RSA加密演算法應用私密金鑰對所述預設加密訊息進行解密，獲得所述第一隨機數字字串與所述第一隨機填充空白；以及 比較所述第一隨機數字字串與所述第二隨機數字字串、所述第一隨機填充空白與所述第二隨機填充空白是否匹配成功，若是則身份認證成功，否則認證失敗。
- 如申請專利範圍第9項所述的電子設備，其中所述電腦程式被所述處理器執行時還實現以下步驟： 接收加密等級設置指令，設置所述電子設備的加密等級，所述加密等級包括第一加密等級、第二加密等級和第三加密等級； 當所述電子設備處於所述第一加密等級時，判斷身份認證成功的條件為所述預設身份識別訊息摘要與所述待認證身份訊息摘要、所述第一隨機數字字串與所述第二隨機數字字串、所述第一隨機填充空白與所述第二隨機填充空白之間三者均匹配成功； 當所述電子設備處於所述第二加密等級時，判斷身份認證成功的所述條件為所述預設身份識別訊息摘要與所述待認證身份訊息摘要匹配成功、以及所述第一隨機數字字串與所述第二隨機數字字串、所述第一隨機填充空白與所述第二隨機填充空白兩者中的任一項匹配成功； 當所述電子設備處於所述第三加密等級時，判斷身份認證成功的所述條件為所述預設身份識別訊息摘要與所述待認證身份訊息摘要匹配成功。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711217863.4A CN109842491B (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 一种电子设备 |
| CN201711217863.4 | 2017-11-28 | ||
| ??201711217863.4 | 2017-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201926103A true TW201926103A (zh) | 2019-07-01 |
| TWI695291B TWI695291B (zh) | 2020-06-01 |
Family
ID=66665383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107120859A TWI695291B (zh) | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 電子設備 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109842491B (zh) |
| TW (1) | TWI695291B (zh) |
| WO (1) | WO2019104958A1 (zh) |
Cited By (3)
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| TWI702730B (zh) * | 2019-08-26 | 2020-08-21 | 久盛光電股份有限公司 | 光敏式薄膜電晶體及電磁波檢測裝置 |
| TWI702405B (zh) * | 2019-08-12 | 2020-08-21 | 久盛光電股份有限公司 | 光敏式薄膜電晶體及電磁波檢測裝置 |
| TWI737280B (zh) * | 2020-04-28 | 2021-08-21 | 大陸商北京集創北方科技股份有限公司 | 生物特徵資料加密裝置與方法及利用該方法之資訊處理裝置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114068689B (zh) * | 2022-01-12 | 2022-04-01 | 深圳大学 | 基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构及其制造方法 |
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| CN101631020A (zh) * | 2008-07-16 | 2010-01-20 | 上海方立数码科技有限公司 | 指纹识别与pki体系相结合的身份认证系统 |
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- 2017-11-28 CN CN201711217863.4A patent/CN109842491B/zh active Active
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2018
- 2018-05-22 WO PCT/CN2018/087812 patent/WO2019104958A1/zh active Application Filing
- 2018-06-15 TW TW107120859A patent/TWI695291B/zh active
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|---|---|
| CN109842491B (zh) | 2021-08-24 |
| CN109842491A (zh) | 2019-06-04 |
| WO2019104958A1 (zh) | 2019-06-06 |
| TWI695291B (zh) | 2020-06-01 |
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