SU951474A1 - Электроннолучевой прибор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к электрон ной технике, а именно к технике электроннолучевых приборов (ЭЛП) и может быть использовано дл  усовершенствовани  конструкции 3JV1, уменьшени  веро тности возникновени  пробоев , на высоковольтные электроды электроннооптической системы (.ЭОС) и мощности этих пробоев в случае их возникновени .Ю

Обеспечение высоких требований по  ркости свечени , разрешающей способности , скорости записи и другим параметрам ЭЛП во многих случа х возможно только при использовании 15 высоких напр жений, подаваемых на те или иные электроды ЭОС. Наиболее неТко эта тенденци  прослеживаетс  в цветных и проекционных кинескопах, дл  питани  которых используетс  М напр жени  25-75 кВ. Зачастую увеличение питающих напр жений происг ходит при одновременном уменьшении диаметра горловины, увеличении диаметров эУ(ектродов, увеличении геттерирующей поверхности,и т.п. Все это .приводит к .образованию локальных электрических полей, имеющих большой градиент потенциала, возникновению и неконтролируемому перераспределе-. нию зар дов на изолирующих поверхност х , по влению участков с повышенной эмиссионной способностью и другим  влени м, провоцирующим пробой .

Во врем  пробо  токи.разр да достигают больших величин нескольких дес тков - сотен ампер. Выдел ема  мощность  вл етс  причиной разрушени  контактов, разогрева деталей ЭОС, дополнительного .газовыделени  и т.п. Возможен и выход из стро , источников питани . ЭЩ.

Известные традиционные методы предотвращени  пробоев свод тс  к усложнению конструкции и технологии изготовлени  ЭЛП: применение искрогасителей , повышение частоты обработки электродов ЭОС и элементов ЭЛП. Используетс  и технологический -прием высоковольтного прожига, так называемое жестчение, при котором в результате преднамеренных пробоев , вызванных подачей на прибор нап жени , повышенного по сравнению с рабочим значениемJ выгорают некоторые дефекты, проводирующие пробои C Однако эти методы, несмотр  на усложнение, конструкции и технологии изготовлени  прибора, привод щие к увеличению его стоимости,.тем не ме нее, не обеспечивают полного устран нени  пробоев, а жестчение может  витьс  причиной как выхода прибора из стро  в св зи с подачей повышенного напр жени , так и возникновени  новых дефектов, порождающих в последующем пробои в ранее нормально работавшем приборе. Известны также ЭЛП, в которых традиционно низкоомное покрытие соедин ющее последний электрод ЭОС с анодным выводом на стеклооболочке заменено покрытием со сравнительно высокоомным сопротивлением пор дка сотен Ом. Резистор входит в цепь разр да и ограничивает ток и мосцнос пробо . Покрытие нанос тс  на конусную часть оболочки и горловину прибора. Более детальное изучение цепи разр да, показывает, что важно не только наличие гас щего резистора, но также необходимо учитывать емкости , которые этот резистор образу ет с другими элементами прибора. С этой точки зрени  прот женное покры тие, имеющее большую поверхность, не очень выгодно, так как образует значительные собственные емкости. Кроме того, дл  успешного подавлени  разр да величина гас щего резис тора должна быть большой - пор дка сотен-тыс ч килоом. Изготовление такого высокоомного покрыти , рдно-. родного по всей площади расположенного внутри колбы, представл ет собой сложную технологическую задаЧУТОК и мощность установившегос  разр да определ ютс  характеристика ми гас щего резистора. Поэтому оно должно отвечать определенным требов ни м, основными из которых  вл ютс  равномерность сопротивлени  по всем зонам покрыти  и стабильность его параметров от прибора к прибору.Местна  неравномерность сопротивлени  может привести к неравномерному распределению потенциала и нагреву при прохождении тока разр да. Это в свою очередь может  витьс  причиной перекрыти , т.е. закорачивани  разр дом части или всего гас щего резистора . Вместе с тем, обычна  технологи  нанесени  сплошных покрытий на внутренние полости ЭЛП н позвол ет получать гас щие резисторы, отвечающие этим требовани м. ) В известном устройстве дл  уменьшени  паразитных емкостей гас щего, резистора он выполнен в виде провод щего покрыти , нанесенного на керамическом держателе антенного геттера . Так как гас щий резистор, по ; существу,  вл етс  отдельным элементом , при его изготовлении может быть использована более совершенна  технологи , позвол юща  сделать его однородным . Нар ду с положительными свойствами изготовление гас щего резистора в виде отдельного элемента, размещаемого внутри ЭЛП, имеет и р д недостатков: невозможность использовани  такого решени  в других типах ЭЛП, кроме цветных кинескопов; .существенное усложнение конструкции и технологии изготовлени  ЭЛП; уменьшение механической прочности ЭЛП. . Цель изобретени  - повышение надежности за счет повышени  устойчивости к высоковольтным пробо м. Указанна  цель достигаетс  тем, что в ЭЛП, содержащем вакуумную оболочку с размещенной внутри нее ЭОС, высоковольтный электрод которой электрически соединен с анодным выводом на оболочке через гас щий резистор , последний выполнен в виде спирали из резистивного материала, нанесенной на внутреннюю поверхность горловины оболочки, при этом длинаспирали составл ет 1-2 диамет- ра горловины. На чертеже изображен один из возможных вариантов использовани  изобретени , ЭЛП содержит стекл нную вакуумную, оболочку 1 с горловиной 2, в которой размещена ЭОС, содержаща  катод 3, модул тор Ц, ускор ющий электрод 5, фокусирующий . электрод 6 и высоковольтный электрод 7. Дл  нормальной работы прибора на последний электрод 7 требуетс  подвести высокое напр жение, обычно подаваемое через анодный вывод 8 на оболочке 1. Высоковольтный электрод

7электрически соединен с выводом

8через участки низкоомных покрытий

9и 10, участок 11 спирали из резистивного материала. Прибор имеет люминесцентный экран 12 и внешнее провод щее покрытие 13. Нижний предел величины сопротивлени  спирали определ етс  необходимостью эффективного гашени  тока разр да, верхний необходимостью приложени  практически всего высокого напр жени  к электроду 7 (сопротивление спирали образует делитель с последовательно включенным сопротивлением утечки между

электродами 6 и 7Л Обычно величина сопротивлени  спирали должна лежать в диапазоне 0,1-ЗМём.1

Отличие применени  спирали в качестве высокоомного покрыти  на внутренней поверхности горловины оболочки в прот женных электростатических линзах (например, бипотенциальных } состоит в том, что в отсутствие пробо  в обычном режиме работы на спирали нет падени  напр жени  - она эквипотенциальна  и ,ее потенциал равен потенциалу вывода оболочки и высоковольтного электрода. Лишь в случае пробо  спираль начинает работать в режиме гашени  пробо  в то врем  как на спирали прот женной пин- зы в процессе ее работы имеет место падение напр жени . - .

Названные соотношени  длины спирали обусловлены следующим.

Если длина спирали вдоль оси меньше диаметра горловины, то в результате пробо  высоковольтного промежутка возможен пробой спирали по поверхности горловины и, следовательно, ток разр да высоковольтного промежутка не будет ограничиватьс  спиралью.

Если же длина спирали больше двух диаметров горловины, то в значительной степени возрастает паразитна  емкость гас щего сопротивлени  и будет велик ток пробо , привод щий к отрицательным  влени м & ЭЛП .и радиотехнической схеме.

При отсутствии пробо  напр жение, подведенное от внешнего источника к выводу 8, практически оказываетс  приложеннь1м к резистивному делителю , образованному сопротивлением спирали и сопротивлением утечки между электродами 7 и 6. Так как сопротивление утечки вакуумного промежутка существенно больше, чем сопротивление спирали, то практически все напр жение высоковольтного источника оказываетс  приложенным к высоковольтному электроду ЭОС. Электронный пучок, попадающий на экран, замыкаетс  на высоковольтный источник, мину  спираль.

При установлении рабочего режима происходит зар д паразитных емкостей Однако мала  площадь спирали и большие рассто ни  между ее концами обуславливают малую величину этих емкостей , а следовательно и малость энергии, запасенной в них. Поэтому в случае возникновени  пробо  между электродами 6 и 7 величина начального тока незначительна. Кроме того начальному скачку тока, которь1Й может вывести из стро  радиотехнические схемы, преп тствует не только активное сопротивление спирали, но и ее индуктивность. Все это приводит к тому, что разр д не развиваетс  и гаснет в начальной стадии, не вызыва  практически никаких отри;цательных последствий. Этому также способствует и равномерное, однородное по длине сопротивление спирали.

В целом использование изобретени  позвол ет повысить надежность ЭЛП, упростить конструкцию прибора и технологию его изготовлени  повысить механическую прочность прибора, а также увеличить процент выхода годны ЭЛП в процессе производства.

Изобретение может быть использовано во всех высоковольтных ЭЛП.

Claims (2)

1.Миллер В.А., Куракин Л.А. Приемные электроннолучевые трубки, М., Энерги , 1971, с.82-92. .

2.Schwartz I.M, and all Recent

5 developments in are supperession for picture tubes.- IEEE Trans CE, .v 25, 1979.

7 3 11 W 3 ff 5 .1 6 I I L