SU1138853A1

SU1138853A1 - Высокочастотный источник ионов

Info

Publication number: SU1138853A1
Application number: SU823401690A
Authority: SU
Inventors: Борис Александрович Дьячков; Георгий Васильевич Казанцев; Валентина Васильевна Агафонова
Original assignee: Институт физики твердого тела АН СССР
Priority date: 1982-02-03
Filing date: 1982-02-03
Publication date: 1985-02-07

Abstract

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИСТОЧНИК ИОНОВ, содержащий диэлектрическую разр дную камеру с размещенным в ней диэлектрическим экранирующим элементом , индуктор, охватывающий разр дную камеру и ионнооптическую систему , отличающийс тем, что, с целью повышени ресурса источника путем снижени запыпени внутренней поверхности разр дной камеры , экранирующий элемент выполнен в виде вставки с прорезью, установленной эквидистантно внутренней поверхности разр дной камеры, а длина прорези не меньше длины индуктора.

Description

:с эо эо

:л

:о

Изобретение относитс к области получени ионных пучков в вакууме и может быть использовано в электронной и ускорительной технике и физике.

Известен высокочастотньм источник ионов, содержащий диэлектрическую колбу, индуктор и ионно-оптическую систему дл выт гивани и формировани ионного пучка ll .

Недостатком такого источника вл етс невысокий срок службы (рерурс ) вследствие запылени внутренних стенок колбы при катодном распьтении электродов ионно-оптической системы. При этом внутренн поверхность колбы становитс провод щей и по отношению к индуктору вл етс закороченным витком, который ослабл ет высокочастотное (в.ч.) поле внутри колбы. Это приводит к снижени эффективности источника, к нестабильности его работы и, в конечном итоге к прекращению разр да. Срок службы (ресурс) Источника быстро уменьша ,етс с увеличением интенсивности и массы ионов пучка.

Наиболее близким техническим решением к изобретению вл етс высокочастотный источник ионов, содержащий диэлектрическую разр дную камеру с размещенным в ней диэлектрическим экранирующим элементом, индуктор, охватывающий разр дную камеру и ионно-оптическую систему.

В известном источнике экранирующий элемент вьтолнен в виде системы трубок малого диаметра с продольными прорез ми, закрепленных на стенках камеры 21 .

Образование сплошной металлической пленки на внутренней стенке камеры из-за катодного распьшени при э(Гом затруднено. Однако при длительной его работе все же запып етс и внутренн поверхность экранирующего элемента, и участок камеры, который он затен ет. Таким образом, ресурс источника определ етс временем запылени затененной поверхности до образовани замкнутого провод щего контура . Развитие площади затененной поверхности путем увеличени коли .честна трубок и увеличени их диаметра резко сокращает полезный объем, зан тый плазмой, что приводит к снижению интенсивности источника. При этом ресурс источника существенно

не увеличиваетс , так как веро тност запыпени каждой трубки одинакова.

К недостатку известного источника можно также отнести то, что трубки . жестко прикреплены одним краем прорези к внутренней стенке разр дной камеры. Обычно укрепление трубок производитс способом подварки, что вл етс трудоемкой операцией и вызыва ет большое количество брака, так как колбы трескаютс и оказываютс непригодными дл дальнейшего использовани

Целью изобретени вл етс повышение ресурса источника путем снижени запьшени внутренней поверхности разр дной камеры.

Цель достигаетс тем, что в высокочастотном источнике ионов, содержащем диэлектрическую разр дную камеру с размещенным в ней диэлектрическим экранирующим элементом, индуктор , охватывающий разр дную камеру и ионно-оптическую систему, экранирующий элемент вьтолнен в виде вставки с прорезью, установленной эквидистантно внутренней поверхности разр дной камеры, а длина прорези не меньше |ДЛины индуктора.

На фиг. 1 представлен вариант конструктивной схемы источника; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.

Источник состоит из диэлектрической разр дной камеры 1, индуктора 2, высокочастотного генератора (не показан ) , ионно-оптической системы 3, диэлектрической вставки 4 с прорезью 5.

Источник работает следующим образом .

Диэлектрическа вставка 4 устанавливаетс в разр дной камере 1. После откачки системы и напуска рабочего газа на индуктор 2 подаетс высокочастотное напр жение, которое создает внутри колбы высокочастотные разр ды . При подаче высокого напр жени между электродами ионно-оптической с:истемы из плазмы выт гиваетс и формируетс ионный пучок. В процессе работы источника происходит распыление электродов ионно-оптической системы, при этом значительна часть распьшенного материала электродов осаждаетс на внутренней поверкнрсти диэлектрической вставки 4. Поскольку вставка имеет прорезь 5, длина проекции которой на образующую 3 не меньше длины индуктора, то в провод щем покрытии образуетс разрыв. В то же врем запыление внутренней стенки разр дной камеры ограничено, так как вставка создает затенение большой площади. 138853А Изобретение позвол ет повысить ресурс источника в несколько раз,что способствует повьпиению производительности различных технологических процессов, в которых может быть использован предлагаемый источник.

Claims

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИСТОЧНИК ИОНОВ, содержащий диэлектрическую разрядную камеру с размещенным в ней диэлектрическим экранирующим эле· ментом, индуктор, охватывающий разрядную камеру и ионнооптическую систему, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса источника путем снижения запыления внутренней поверхности разрядной камеры, экранирующий элемент выпол нен в виде вставки с прорезью, установленной эквидистантно внутренней поверхности разрядной камеры, а длина прорези не меньше длины индуктора.

Ό п38853

1 1138853 2