RU2636575C1 - Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections - Google Patents

Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections Download PDF

Info

Publication number
RU2636575C1
RU2636575C1 RU2016126452A RU2016126452A RU2636575C1 RU 2636575 C1 RU2636575 C1 RU 2636575C1 RU 2016126452 A RU2016126452 A RU 2016126452A RU 2016126452 A RU2016126452 A RU 2016126452A RU 2636575 C1 RU2636575 C1 RU 2636575C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
metal foil
photolithography
plastic
manufacturing
Prior art date
Application number
RU2016126452A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Петрович Тимошенков
Денис Васильевич Вертянов
Василий Михайлович Николаев
Алексей Михайлович Шишов
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ)
Priority to RU2016126452A priority Critical patent/RU2636575C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2636575C1 publication Critical patent/RU2636575C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: method involves manufacturing of a rigid base in the form of a supporting metal ring. Then, a metal foil is fixed on the supporting metal ring. Apply a photosensitive material on one side of the metal foil and form a topological drawing with photolithography in this layer. After this, the first layer of silicone polymer is applied to the drawing formed by photolithography. Then the topological drawing is formed by photolithography on the other side of the metal foil and etched through the metal foil. Finally, the second layer of silicone polymer is applied to the obtained topological drawing.
EFFECT: reduction of labour intensity of manufacturing, expansion of functionality and increase in reliability of plastic radioelectronic nodes and interconnections.
11 dwg

Description

Настоящее изобретение относится к приборостроению, а именно к технологии производства пластичных электронных устройств и межсоединений, которые обладают способностью компенсировать большие деформации (растяжение и сжатие), сохраняя при этом функциональное состояние, и способу получения таких пластичных устройств и межсоединений для технологии производства радиоэлектронных узлов.The present invention relates to instrumentation, and in particular to a technology for the production of plastic electronic devices and interconnects that have the ability to compensate for large deformations (tension and compression), while maintaining a functional state, and to a method for producing such plastic devices and interconnects for the production technology of electronic components.

Известен способ изготовления пластичного межсоединения электронного устройства для связи двух или более электронных устройств, включающий формирование коммутации между двумя устройствами методом фотолитографии. При этом проводник для межсоединения имеет предпочтительно спиралевидную форму [1]. Пластичные межсоединения выполняются V-образной формы на предварительно закрепленном основании, после снятия закрепления и поворота основания проводники должны образовывать спиралевидную форму. Недостатками данного способа являются сложность технологического процесса, необходимость изготовления сложной оснастки для закрепления основания, большая трудоемкость, длительность технологического формирования слоев и высокая себестоимость ее изготовления.A known method of manufacturing a plastic interconnect of an electronic device for communication of two or more electronic devices, including the formation of switching between two devices by photolithography. In this case, the conductor for interconnection is preferably spiral-shaped [1]. Plastic interconnects are V-shaped on a pre-fixed base, after removing the fastening and turning the base, the conductors should form a spiral shape. The disadvantages of this method are the complexity of the process, the need for manufacturing complex equipment for fixing the base, the high complexity, the duration of the technological formation of the layers and the high cost of its manufacture.

Наиболее близким к заявленному техническому решению является способ изготовления пластичного электронного устройства, принятый нами за прототип, включающий изготовление основания, соединение слоя коммутации с жестким основанием и формирование топологического рисунка [2]. Слой коммутации усиливается промежуточным гибким слоем и имеет предварительно определенную форму.Closest to the claimed technical solution is a method of manufacturing a plastic electronic device, which we adopted for the prototype, including the manufacture of the base, the connection of the switching layer with a rigid base and the formation of a topological pattern [2]. The switching layer is enhanced by an intermediate flexible layer and has a predetermined shape.

Недостатками данного способа является большое количество операций, относительно невысокая надежность и плохая ремонтопригодность, так как при повторном монтаже электронных компонентов участки упрочняющего материала легко могут быть повреждены. Так изготавливаемый образец необходимо закрепить по всей поверхности к технологическому основанию, это требует дополнительных операций (в том числе высокотемпературных) и сложных материалов. Кроме того, это влечет за собой создание напряженных областей в местах формирования проводников и контактов, которые после удаления технологического основания и перед нанесением последующих топологических слоев может привести к разрыву созданных электрических соединений. Приклеивание осуществляется после формирования топологического рисунка на одной из сторон. А это повышает риск повреждения контактов и соединений. Кроме того требуется дополнительные операции для подготовки к приклеиванию и операции по удалению слоя адгезива. Еще одним недостатком является необходимость изготовления специальных литейных форм под каждое отдельное устройство, что существенно влияет на трудоемкость и себестоимость.The disadvantages of this method is the large number of operations, relatively low reliability and poor maintainability, since when re-installing electronic components, sections of the reinforcing material can easily be damaged. So the manufactured sample must be fixed over the entire surface to the technological base, this requires additional operations (including high-temperature) and complex materials. In addition, this entails the creation of tense areas in the places of formation of conductors and contacts, which, after removing the technological base and before applying subsequent topological layers, can lead to rupture of the created electrical connections. Gluing is carried out after the formation of a topological pattern on one side. And this increases the risk of damage to contacts and connections. In addition, additional operations are required to prepare for gluing and operations to remove the adhesive layer. Another disadvantage is the need to manufacture special casting molds for each individual device, which significantly affects the complexity and cost.

Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является снижение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений.The problem to which the invention is directed is to reduce the complexity of manufacturing, expand the functionality and increase the reliability of plastic electronic components and interconnects.

Для достижения указанной задачи в способе изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений, включающем изготовление основания, соединение слоя коммутации с жестким основанием, формирование топологического рисунка и усиление слоя коммутации промежуточным гибким слоем, изготавливают жесткое основание - опорное металлическое кольцо, закрепляют металлическую фольгу на опорном металлическом кольце, наносят промежуточный гибкий слой на одной стороне металлической фольги, формируют в нем рисунок фотолитографией, наносят первый слой кремнийорганического полимера на сформированный фотолитографией рисунок, формируют топологический рисунок фотолитографией на другой стороне металлической фольги, травят насквозь металлическую фольгу, наносят второй слой кремнийорганического полимера на полученный топологический рисунок.To achieve this goal in a method of manufacturing a plastic electronic components and interconnects, including the manufacture of the base, the connection of the switching layer with a rigid base, the formation of a topological pattern and the strengthening of the switching layer with an intermediate flexible layer, a rigid base is made - a support metal ring, a metal foil is fixed on the support metal ring , an intermediate flexible layer is applied on one side of the metal foil, a photolithography pattern is formed in it, rvy silicone polymer layer formed on a photolithography pattern is formed by photolithography topological figure on the other side of the metal foil, etched through the metal foil is applied to the second layer of the organosilicon polymer obtained topological pattern.

Признаками, отличающими заявленный способ от известного является то, что изготавливают жесткое основание - опорное металлическое кольцо. Закрепляют металлическую фольгу на опорном металлическом кольце. Наносят фоточувствительный материал на одной стороне металлической фольги. Формируют топологический рисунок фотолитографией в слое фоточувствительного материала. Наносят первый слой кремнийорганического полимера на сформированный фотолитографией рисунок. Формируют топологический рисунок фотолитографией на другой стороне металлической фольги. Травят насквозь металлическую фольгу. Наносят второй слой кремнийорганического полимера на полученный топологический рисунок.Signs that distinguish the claimed method from the known is that they make a rigid base - a supporting metal ring. Fix the metal foil on the support metal ring. A photosensitive material is applied on one side of the metal foil. A topological pattern is formed by photolithography in a layer of photosensitive material. The first layer of organosilicon polymer is applied to the pattern formed by photolithography. A topological pattern is formed by photolithography on the other side of the metal foil. Poison metal foil through and through. A second layer of organosilicon polymer is applied to the resulting topological pattern.

Предлагаемое изобретение иллюстрируется чертежами фиг. 1 (а, б, в, г, д, е, ж, з, и, к) - последовательность технологических операций способа изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений,The invention is illustrated by the drawings of FIG. 1 (a, b, c, d, d, e, f, h, and, k) is a sequence of technological operations of a method for manufacturing plastic electronic components and interconnects,

где:Where:

1 - слой металлической фольги,1 - a layer of metal foil,

2 - жесткое опорное кольцо,2 - rigid support ring,

3 - фоточувствительный материал,3 - photosensitive material

4 - топологический рисунок в слое фоточувствительного материала,4 is a topological drawing in a layer of photosensitive material,

5 - первый слой кремнийорганического полимера,5 - the first layer of organosilicon polymer,

6 - слой фоторезиста,6 - layer of photoresist,

7 - сформированный в слое фоторезиста рисунок,7 is a drawing formed in a photoresist layer,

8 - топологический рисунок в слое металла,8 is a topological drawing in a metal layer,

9 - второй слой кремнийорганического полимера.9 - the second layer of organosilicon polymer.

На фиг. 2 изображен пластичный радиоэлектронный узел со сформированными S-образными проводящими каналами изготовленный предлагаемым способом.In FIG. 2 shows a plastic electronic assembly with formed S-shaped conductive channels manufactured by the proposed method.

Способ реализуется следующим образом. Процесс изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений начинается с изготовления и подготовки специальной оснастки в виде жесткого опорного кольца 2. Кольцо может изготавливаться из любого температуро- и химически стойкого к травителям, применяемым в последующих операциях материала, предпочтительно из металла. Способ изготовления жесткого опорного кольца не имеет значения. В случае необходимости рабочая сторона опорного кольца механически обрабатывается в целях получения гладкой поверхности с низкой шероховатостью. Использование жесткого опорного металлического кольца позволяет закрепить проводящий слой металла - фольгу, которая используется для изготовления пластичных оснований (печатных плат) для микроэлектронных устройств и сформировать форму под наносимый далее кремнийорганический полимер, который в данном способе играет роль конструкционного основания.The method is implemented as follows. The manufacturing process of plastic electronic components and interconnects begins with the manufacture and preparation of special equipment in the form of a rigid support ring 2. The ring can be made of any material that is thermally and chemically resistant to etchants used in subsequent operations, preferably metal. A method of manufacturing a rigid support ring does not matter. If necessary, the working side of the support ring is machined in order to obtain a smooth surface with low roughness. The use of a rigid support metal ring allows you to fix the conductive layer of metal - the foil, which is used for the manufacture of plastic bases (printed circuit boards) for microelectronic devices and form a shape for the applied silicone polymer, which plays the role of a structural base in this method.

Следующим шагом является закрепление металлический фольги 1, позднее выступающей в роли коммутационного слоя, на жесткое опорное кольцо (фиг. 1а). Крепление можно проводить с помощью различных адгезивов приклеиванием с приложением требуемого давления. В зависимости от способа закрепления и применяемого адгезива выбираются определенные режимы сушки для достижения надежного закрепления.The next step is to fix the metal foil 1, later acting as a switching layer, on a rigid support ring (Fig. 1A). Fastening can be carried out using various adhesives by gluing with the application of the required pressure. Depending on the fixing method and the adhesive used, certain drying modes are selected to achieve reliable fixing.

На металлическую фольгу 1 с внутренней стороны опорного кольца 2 наносится фоточувствительный материал 3 (фиг. 1б). В роли материала может выступать фоточувствительный материал, обладающий диэлектрическими свойствами и высокой прочностью на разрыв. Наиболее оптимальный способ получения равномерного слоя фоточувствительного материала - центрифугирование, однако может быть использован любой другой хорошо известный метод. В зависимости от вязкости подобранного материала подбирается оптимальный режим нанесения. Затем выполняется сушка материала в конвекционной печи по температурным режимам, указанным в ТУ выбранного материала. Данный материал выступает в роли буферного слоя между слоями коммутации и пластичного конструкционного основания. Он предотвращает чрезмерные растяжения, придает необходимую жесткость и обладает высокой адгезией, как к металлам, так и к кремнийорганическим полимерам.A photosensitive material 3 is applied to the metal foil 1 from the inside of the support ring 2 (Fig. 1b). The material may be a photosensitive material with dielectric properties and high tensile strength. The most optimal way to obtain a uniform layer of photosensitive material is centrifugation, however, any other well-known method can be used. Depending on the viscosity of the selected material, the optimum application mode is selected. Then the material is dried in a convection oven according to the temperature conditions specified in the technical specifications of the selected material. This material acts as a buffer layer between the switching layers and the plastic structural base. It prevents excessive stretching, gives the necessary rigidity and has high adhesion to both metals and organosilicon polymers.

Методом фотолитографии формируется топологический рисунок в слое фоточувствительного материала 3 (фиг. 1в), также в слое формируются реперные знаки для последующего совмещения слоев.Using the method of photolithography, a topological pattern is formed in the layer of photosensitive material 3 (Fig. 1c), also marks are formed in the layer for subsequent combination of layers.

Наносится первый слой кремнийорганического полимера 5 на сформированный в фоточувствительном материале рисунок (фиг. 1г). Полимер может наноситься любым известным способом - пульверизацией, центрифугированием, окунанием, поливом. Применение в качестве конструкционного материала кремнийорганического полимера, обладающего уникальными электрофизическими и механическими параметрами, обеспечивает пластичным многослойным коммутационным платам высокие технологические и эксплуатационные характеристики. Применение кремнийорганического полимера расширяет функциональные возможности изготавливаемых таким способом пластичных печатных плат для микроэлектронных устройств с высокой степенью интеграции, то есть фактически имеют неограниченные возможности размещения микроэлектронных компонентов в заданном объеме прибора - возможность адаптации формы. Такие пластичные печатные платы для микроэлектронных устройств могут растягиваться, сгибаться и скручиваться вместе с объектом, на котором они установлены. Кроме того, резко повышается уровень влагозащиты и устойчивость к вибрациям. Предлагаемый способ позволяет снизить массогабаритные параметры. Увеличивается надежность, повышается вибростойкость, термостойкость и влагозащита узлов радиоэлектронной аппаратуры. Кроме того, использование предлагаемого способа позволяет улучшить контролеспособность, воспроизводимость и надежность соединений в пластичном электронном устройстве.The first layer of organosilicon polymer 5 is applied to the pattern formed in the photosensitive material (Fig. 1d). The polymer can be applied in any known manner — by spraying, centrifuging, dipping, watering. The use of an organosilicon polymer with unique electrophysical and mechanical parameters as a structural material provides high technological and operational characteristics to plastic multilayer patch boards. The use of organosilicon polymer expands the functionality of plastic printed circuit boards manufactured in this way for microelectronic devices with a high degree of integration, that is, they actually have unlimited possibilities for placing microelectronic components in a given volume of the device — the ability to adapt the form. Such plastic printed circuit boards for microelectronic devices can stretch, bend and twist together with the object on which they are installed. In addition, the level of moisture protection and resistance to vibration increases sharply. The proposed method allows to reduce weight and size parameters. Reliability increases, vibration resistance, heat resistance and moisture protection of electronic components are increased. In addition, the use of the proposed method can improve the controllability, reproducibility and reliability of compounds in a plastic electronic device.

На другую поверхность фольги 1 наносится фоторезист 6 (фиг. 1д). В слое фоторезиста формируется рисунок методом фотолитографии (фиг. 1е). Травится металл (фиг. 1ж). Снимается фоторезист (фиг. 1з). Процессы формирования рисунка и травления металла являются типовыми и не отличаются от таковых в процессах формирования, к примеру, традиционных печатных плат. В результате имеем пластичный микроэлектронный узел со сформированными S-образными проводящими каналами (фиг. 2). Такая форма проводников обуславливается необходимостью растяжения и сжатия изготовленного образца по осям X и Y. В связи с непластичной природой металлов коммутационный рисунок традиционных форм приведет к возникновению дефектов и разрывов в проводящих цепях. После рассмотрения и проведения теоретических исследований различных форм проводников, была выявлена оптимальная S-образная форма. Она позволяет достичь растяжений до 100% без возникновения разрывов и других дефектов. Так же для повышения надежности коммутационный рисунок рекомендуется выполнять из нескольких дублирующих проводящих линий меньшей толщины (например, вместо проводящей линии толщиной 100 мкм рекомендуется выполнить 4 проводящих линии толщиной 20 мкм с небольшими зазорами).A photoresist 6 is applied to another surface of the foil 1 (Fig. 1e). In the photoresist layer, a pattern is formed by photolithography (Fig. 1e). Like metal (Fig. 1g). The photoresist is removed (Fig. 1h). The processes of forming a pattern and etching of a metal are typical and do not differ from those in the processes of forming, for example, traditional printed circuit boards. As a result, we have a plastic microelectronic assembly with S-shaped conductive channels formed (Fig. 2). This form of conductors is caused by the need to stretch and compress the manufactured sample along the X and Y axes. Due to the non-plastic nature of metals, the switching pattern of traditional forms will lead to defects and ruptures in the conductive circuits. After reviewing and conducting theoretical studies of various forms of conductors, the optimal S-shape was identified. It allows you to achieve stretchings up to 100% without the occurrence of tears and other defects. Also, to increase reliability, the switching pattern is recommended to be made of several duplicate conductive lines of smaller thickness (for example, instead of a conductive line 100 microns thick, it is recommended to make 4 conductive lines 20 microns thick with small gaps).

На полученный проводящий топологический рисунок наносят второй слой кремнийорганического полимера 9 (фиг. 1и). При наличии необходимости проведения процессов пайки или сварки для монтажа компонентов, сначала проводится пайка/сварка, затем наносится второй слой кремнийорганического полимера. Кроме того, возможно формирование последующих слоев коммутации и создание многослойного основания. Для создания межслойных переходов можно применять различные виды жидкостного и/или сухого травления. Формирование последующих слоев коммутации можно проводить аддитивными методами с последующим процессом фотолитографии в целях получения рисунка. После завершения всех процессов формирования слоев изготовленный образец отделяется от оснастки (фиг. 1к).A second layer of organosilicon polymer 9 is applied to the resulting conductive topological pattern (Fig. 1i). If there is a need for soldering or welding processes for the installation of components, first soldering / welding is carried out, then a second layer of silicone polymer is applied. In addition, the formation of subsequent layers of switching and the creation of a multilayer base. To create interlayer transitions, various types of liquid and / or dry etching can be used. The formation of subsequent layers of switching can be carried out by additive methods with the subsequent process of photolithography in order to obtain a picture. After completion of all the processes of layer formation, the manufactured sample is separated from the snap (Fig. 1K).

ПримерExample

Рассмотренный ниже пример описывает процесс формирования пластичного соединителя (шлейфа) на основе кремнийорганического материала марки СИЭЛ. Изготавливают жесткое опорное металлическое кольцо из листа нержавеющей стали AISI304 (ст. 08Х12Н10) 0,8×250×500 диаметром 100 мм с внутренним диаметром 80 мм.The example below describes the process of forming a plastic connector (cable) based on silicone material brand SIEL. A rigid support metal ring is made of AISI304 stainless steel sheet (Art. 08X12H10) 0.8 × 250 × 500 with a diameter of 100 mm and an inner diameter of 80 mm.

Затем на кольцо из нержавеющей стали с помощью термостойкого эпоксидного клея приклеивается медная фольга ДПРНТ M1 0,015×210 ГОСТ 5638-75. Для достижения качественного неразъемного соединения на образец прикладывается давление 10 Н и ставиться в конвекционную печь для сушки клея.Then, with a heat-resistant epoxy adhesive, a copper foil DPRNT M1 0.015 × 210 GOST 5638-75 is glued to the stainless steel ring. To achieve a high-quality one-piece connection, a pressure of 10 N is applied to the sample and placed in a convection oven to dry the glue.

На медную фольгу с внутренней стороны кольца наносится фоточувствительный полиимидный лак. Для получения равномерного по толщине и бездефектного покрытия, лак наносится на центрифуге при режиме 2500 об/мин на протяжении 30 с. Полиимидный слой выступает в качестве буферного. Промежуточный слой позволяет снизить напряжения на слой металла при последующих растяжениях и сжатиях изготовленных устройств, кроме того, полиимид обладает высокой адгезией к металлу и к кремнийорганическому материалу. После нанесения образец помещается в конвекционную печь для сушки фотолака. Необходимо соблюдать температурный профиль сушки во избежание дальнейших сложностей с экспонированием и проявлением фоточувствительного лака.A photosensitive polyimide varnish is applied to the copper foil from the inside of the ring. To obtain a uniform and defect-free coating, varnish is applied in a centrifuge at a speed of 2500 rpm for 30 s. The polyimide layer acts as a buffer. The intermediate layer allows you to reduce stress on the metal layer during subsequent stretching and compression of the manufactured devices, in addition, the polyimide has high adhesion to the metal and to the organosilicon material. After application, the sample is placed in a convection oven for drying photolac. It is necessary to observe the temperature profile of drying in order to avoid further difficulties with exposure and the manifestation of photosensitive varnish.

Затем фоточувствительный лак экспонируют через фотошаблон. Режим экспонирования:Then the photosensitive varnish is exposed through a photo mask. Exposure Mode:

Время экспонирования - 22 сек; Мощность лампы - 25 мВт/см2.Exposure time - 22 sec; Lamp power - 25 mW / cm 2 .

Далее лак проявляется при следующих режимах:Further, the varnish appears in the following modes:

Время проявки - 20 сек; Промывка в деионизованной воде - 40 сек; Обдув азотом, сушка от влаги - 50 сек; Температура раствора – комнатная.Development time - 20 seconds; Rinsing in deionized water - 40 sec; Blowing with nitrogen, drying from moisture - 50 sec; The temperature of the solution is room temperature.

После этого наносят кремнийорганический полимер «СИЭЛ». Полимер наносится на внутреннюю сторону образца. Примерная толщина полимера - 0,65 мм, полимер заливается до грани кольца из нержавеющей стали. Сушка кремнийорганического полимера может проводится в различных режимах как при комнатной температуре так и при повышенных температурах, в данном примере был применен режим: 60 мин при комнатной температуре, 60 мин при 100°С в конвекционной печи. Данный слой в дальнейшем и будет служить в качестве конструкционного основания.After that, the silicone polymer "SIEL" is applied. The polymer is applied to the inside of the sample. The approximate polymer thickness is 0.65 mm, the polymer is poured to the brink of a stainless steel ring. Drying of the organosilicon polymer can be carried out in various modes, both at room temperature and at elevated temperatures, in this example, the regime was applied: 60 min at room temperature, 60 min at 100 ° C in a convection oven. This layer will continue to serve as a structural basis.

Далее на поверхность меди наносится фоторезист, экспонируется, проявляется с помощью проявителя. Образец погружают в травитель для травления меди.Next, a photoresist is applied to the surface of the copper, exposed, manifested by the developer. The sample is immersed in an etchant to etch copper.

Режим травления и снятия фоторезиста.Photoresist etching mode.

Образец погружается в травитель для меди на 6 сек, затем промывается в деионизованной воде и сушится от влаги в потоке горячего воздуха с обеих сторон. Затем снимается фоторезист, используется растворитель диметилформамид. Снятие фоторезиста проводят при следующих режимах.The sample is immersed in an etchant for copper for 6 seconds, then washed in deionized water and dried from moisture in a stream of hot air from both sides. Then the photoresist is removed, the solvent dimethylformamide is used. Photoresist removal is carried out in the following modes.

Время снятия - 10±2 мин; Промывка в деионизованной воде - 10-20 мин.Removal time - 10 ± 2 min; Rinsing in deionized water - 10-20 minutes.

На сторону с проводящим рисунком наносится кремнийорганический полимер для дополнительной защиты и герметизации образца. Нанесение можно проводить как ручным методом, так и на центрифуге. В связи с тем, что материал самонивелирующийся, достаточно равномерно нанести материал по всей поверхности и оставить на время, чтобы материал растекся равномерно по всей поверхности. Сушка проводится при ранее указанном режиме.An organosilicon polymer is applied to the side with a conductive pattern for additional protection and sealing of the sample. Application can be carried out either manually or in a centrifuge. Due to the fact that the material is self-leveling, it is enough to apply the material evenly over the entire surface and leave it for a while so that the material spreads evenly over the entire surface. Drying is carried out at the previously indicated mode.

Таким образом, изготовленные предлагаемым способом изделия позволяют использовать их в широком диапазоне рабочих температур, широком спектре воздействия вибраций по сравнению с прототипом. Изготовленные таким способом радиоэлектронные узлы обладают высокой пластичностью, гибкостью, прочностью по сравнению с прототипом, что расширяет их функциональные возможности. Способ предназначен для монтажа электронных компонентов или для изготовления и подключения пластичного шлейфа к другим приборам или печатным платам, а также используемые при их формировании материалы и покрытия, также позволяют осуществлять высокоплотное межъячеечное соединение в электронной аппаратуре. Изготовленные по предложенному способу изделия позволяют создавать устройства одного размера и затем изменять их форму и размеры до необходимой, это позволит создавать устройства, встраиваемые в корпуса сложной формы и формирование 3Д структур. Возможность деформации в необходимую форму позволяет создавать нательные устройства и носимые устройства. Кроме того, появляется возможность создания различных датчиков и сенсоров.Thus, manufactured by the proposed method, the products allow their use in a wide range of operating temperatures, a wide range of vibration effects in comparison with the prototype. The electronic components made in this way have high ductility, flexibility, and strength compared to the prototype, which expands their functionality. The method is intended for mounting electronic components or for manufacturing and connecting a plastic cable to other devices or printed circuit boards, as well as the materials and coatings used in their formation, also allow for high-density intercell connection in electronic equipment. Products made according to the proposed method make it possible to create devices of the same size and then change their shape and dimensions to the necessary, this will allow you to create devices that are built into complex-shaped cases and the formation of 3D structures. The possibility of deformation into the necessary form allows you to create wearable devices and wearable devices. In addition, it becomes possible to create various sensors and sensors.

Полученное в результате изделие обладает уникальными свойствами с возможностью растяжения, сжатия и принятия необходимой формы, при этом сохраняя свои функциональные свойства и обладая повышенной надежностью, вибростойкостью.The resulting product has unique properties with the ability to stretch, compress and take the necessary shape, while maintaining its functional properties and having increased reliability, vibration resistance.

Источники информацииInformation sources

Патент США №2002/0094701,U.S. Patent No. 2002/0094701,

Патент WO №2010/086416 - прототип.Patent WO No. 2010/086416 - prototype.

Claims (1)

Способ изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений, включающий изготовление основания, соединение слоя коммутации с жестким основанием, формирование топологического рисунка и усиление слоя коммутации промежуточным гибким слоем, отличающийся тем, что изготавливают жесткое основание - опорное металлическое кольцо, закрепляют металлическую фольгу на опорном металлическом кольце, наносят промежуточный гибкий слой на одной стороне металлической фольги, формируют в нем рисунок фотолитографией, наносят первый слой кремнийорганического полимера на сформированный фотолитографией рисунок, формируют топологический рисунок фотолитографией на другой стороне металлической фольги, травят насквозь металлическую фольгу, наносят второй слой кремнийорганического полимера на полученный топологический рисунок.A method of manufacturing a plastic electronic components and interconnects, including the manufacture of the base, the connection of the switching layer with a rigid base, the formation of a topological pattern and the strengthening of the switching layer by an intermediate flexible layer, characterized in that they make a rigid base - a support metal ring, fix the metal foil to the support metal ring, apply an intermediate flexible layer on one side of the metal foil, form a photolithography pattern in it, apply the first layer of cre of an organo-organic polymer onto a pattern formed by photolithography, a topological pattern is formed by photolithography on the other side of the metal foil, etched through the metal foil, a second layer of organosilicon polymer is applied to the obtained topological pattern.
RU2016126452A 2016-07-01 2016-07-01 Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections RU2636575C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016126452A RU2636575C1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016126452A RU2636575C1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2636575C1 true RU2636575C1 (en) 2017-11-24

Family

ID=63853115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016126452A RU2636575C1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2636575C1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2049365C1 (en) * 1990-02-14 1995-11-27 Эли Лилли Энд Компани Thin-film electrical component and its manufacturing process
US6743982B2 (en) * 2000-11-29 2004-06-01 Xerox Corporation Stretchable interconnects using stress gradient films
RU2421833C2 (en) * 2010-01-18 2011-06-20 Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) Metal mesh structure and method of making said structure
US20120051005A1 (en) * 2009-01-30 2012-03-01 Universiteit Gent Stretchable electronic device
RU2458492C2 (en) * 2008-03-26 2012-08-10 Текномар Ой Method for manufacturing of multilayer printed circuit board
RU2492553C1 (en) * 2012-02-21 2013-09-10 Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" Design of flexible photoelectric module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2049365C1 (en) * 1990-02-14 1995-11-27 Эли Лилли Энд Компани Thin-film electrical component and its manufacturing process
US6743982B2 (en) * 2000-11-29 2004-06-01 Xerox Corporation Stretchable interconnects using stress gradient films
RU2458492C2 (en) * 2008-03-26 2012-08-10 Текномар Ой Method for manufacturing of multilayer printed circuit board
US20120051005A1 (en) * 2009-01-30 2012-03-01 Universiteit Gent Stretchable electronic device
RU2421833C2 (en) * 2010-01-18 2011-06-20 Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) Metal mesh structure and method of making said structure
RU2492553C1 (en) * 2012-02-21 2013-09-10 Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" Design of flexible photoelectric module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3536545A (en) Method of making electrical members
US4920639A (en) Method of making a multilevel electrical airbridge interconnect
CN101449633B (en) Process for producing copper wiring polyimide film, and copper wiring polyimide film
US20130000968A1 (en) 1-Layer Interposer Substrate With Through-Substrate Posts
EP0073910B1 (en) Method of etching polyimide
CN100559918C (en) Flexible metal clad laminate and manufacture method thereof
KR100874172B1 (en) Method for manufacturing flexible printed circuit board and metallic wiring pattern of flexible printed circuit board using thereof
JP2004528725A (en) Flexible polyimide circuit board with predetermined inclined vias
KR920017528A (en) Multilayer Wiring Structures and Multilayering Methods
KR101565324B1 (en) Method for forming coating layers of thermoplastic polyimide
JPH0524678B2 (en)
KR20010007271A (en) Method for production of interposer for mounting semiconductor element
US5848465A (en) Method for fabrication of probe
JP5547566B2 (en) Method for manufacturing through wiring board
JP4346541B2 (en) Wiring circuit board and manufacturing method thereof
RU2636575C1 (en) Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections
KR100229637B1 (en) Method of manufacturing two-layer tab tape
US10743418B2 (en) Thinned flexible polyimide substrate and method for manufacturing the same
TW201743672A (en) High-current transmitting method utilizing printed circuit board
TW201330737A (en) Method of forming via hole in circuit board
JPH06283866A (en) Multilayer circuit board and manufacture thereof
JP2002337268A (en) Metal foil laminate and its manufacturing method
IT8147843A1 (en) METHOD FOR THE PRODUCTION OF CIRCUIT PANELS AND PRODUCTS THAT ARE SO OBTAINED.
KR20170016266A (en) Method for forming coating layers of thermoplastic polyimide
JP3986949B2 (en) Flexible metal laminate for flexible printed circuit board