RU2497230C1 - Method of creation of multilayered nanostructure - Google Patents

Method of creation of multilayered nanostructure Download PDF

Info

Publication number
RU2497230C1
RU2497230C1 RU2012110142/28A RU2012110142A RU2497230C1 RU 2497230 C1 RU2497230 C1 RU 2497230C1 RU 2012110142/28 A RU2012110142/28 A RU 2012110142/28A RU 2012110142 A RU2012110142 A RU 2012110142A RU 2497230 C1 RU2497230 C1 RU 2497230C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
laser radiation
diffraction grating
transparent
layers
Prior art date
Application number
RU2012110142/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2012110142A (en
Inventor
Сергей Николаевич Максимовский
Григорий Аврамович Радуцкий
Евгений Валентинович Фирсов
Original Assignee
Сергей Николаевич Максимовский
Григорий Аврамович Радуцкий
Евгений Валентинович Фирсов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сергей Николаевич Максимовский, Григорий Аврамович Радуцкий, Евгений Валентинович Фирсов filed Critical Сергей Николаевич Максимовский
Priority to RU2012110142/28A priority Critical patent/RU2497230C1/en
Priority to PCT/RU2012/000657 priority patent/WO2013141747A1/en
Publication of RU2012110142A publication Critical patent/RU2012110142A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2497230C1 publication Critical patent/RU2497230C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

FIELD: nanotechnology.
SUBSTANCE: in the method of creation of a multilayered nanostructure, on one surface of the material transparent for laser radiation the diffraction grating is applied, and the material is affected with the pulse of laser radiation, the diffraction and multipath interference of the laser beam is induced at the surface of the diffraction grating in the area of the laser spot, multiple laser beams reflected from the diffraction grating are formed in this area, the local release of energy of the laser beam is sequentially caused in the points of their reflection from the diffraction grating, as well as melting of the material transparent for laser radiation, formation of crystallisation centers, explosive crystallisation of the material which is transparent for laser radiation on beams reflected from the diffraction grating after termination of action of the pulse of laser radiation, and simultaneously multiple spliced together layers of material transparent for laser radiation are created.
EFFECT: invention enables to create multilayered nanostructures of the many hundreds of layers during the period of a single pulse of laser radiation.
5 cl, 2 dwg

Description

Настоящее изобретение относится к различным областям техники, использующим материалы с развитыми поверхностями в виде многослойных наноструктур, в том числе к энергетике для создания солнечных батарей, к приборостроению для создания фотоприемных устройств, к машиностроению для создания катализаторов, к светотехнике для создания высокоэффективных люминесцентных источников света.The present invention relates to various fields of technology using materials with developed surfaces in the form of multilayer nanostructures, including energy for creating solar panels, instrumentation for creating photodetector devices, mechanical engineering for creating catalysts, lighting engineering for creating highly efficient luminescent light sources.

Предшествующий уровень техникиState of the art

Известен способ создания многослойной наноструктуры, заключающийся в образовании отдельных ее слоев под действием импульсов лазерного излучения и их соединения между собой (см., например, патент РФ №2382440, кл. H01L 39/24, B82B 3/00).A known method of creating a multilayer nanostructure, which consists in the formation of its individual layers under the action of laser pulses and their interconnection (see, for example, RF patent No. 2382440, CL H01L 39/24, B82B 3/00).

Известный способ позволяет создавать многослойную наноструктуру путем нанесения каждого последующего слоя на предыдущий.The known method allows you to create a multilayer nanostructure by applying each subsequent layer on the previous one.

Однако этот способ технически сложен, т.к. процесс образования многослойной наноструктуры производится в кварцевой печи, помещенной в вакуумную камеру. Этот процесс также длителен, т.к. каждый слой толщиной примерно 40 нм образуют путём лазерного распыления мишени примерно за 20 сек, а затем его охлаждают примерно 20 мин перед нанесением последующего слоя.However, this method is technically complicated, because the process of forming a multilayer nanostructure is carried out in a quartz furnace placed in a vacuum chamber. This process is also long, as each layer with a thickness of about 40 nm is formed by laser sputtering of the target in about 20 seconds, and then it is cooled for about 20 minutes before applying the next layer.

Известньм способом также затруднительно создать наноструктуру, состоящую из нескольких сотен и тысяч слоев. А именно такая наноструктура имеет максимально развитую поверхность, образуемую заостренными торцами срощенных между собой слоев.It is also difficult to create a nanostructure consisting of several hundreds and thousands of layers by the known method. Namely, such a nanostructure has a maximally developed surface, formed by the pointed ends of layers joined together.

Раскрытие изобретенияDisclosure of invention

В основу изобретения положена задача получения такого способа создания многослойной наноструктуры, который позволил бы создавать наноструктуру из многих сотен слоев за время длительности одного импульса лазерного излучения.The basis of the invention is the task of obtaining such a method of creating a multilayer nanostructure, which would allow to create a nanostructure of many hundreds of layers during the duration of a single laser pulse.

Поставленная задача решается тем, что в способе создания многослойной наноструктуры, заключающемся в образовании отдельных её слоев под действием импульсов лазерного излучения и их соединения вплотную между собой, в соответствии с изобретением, на одну из поверхностей материала, прозрачного для лазерного излучения, наносят металлизированную дифракционную решетку, воздействуют на этот материал импульсом лазерного излучения, вызывают дифракцию и многолучевую интерференцию лазерного луча у поверхности дифракционной решетки в области лазерного пятна, образуют в этой области множество отраженных от дифракционной решетки лазерных лучей, вызывают последовательно в точках их отражения от дифракционной решетки локальное выделение энергии лазерного луча, плавление прозрачного для лазерного излучения материала, образование центров кристаллизации, взрывную кристаллизацию прозрачного для лазерного излучения материала по отраженным от дифракционной решетки лучам после завершения действия импульса лазерного излучения и создают одновременно множество ерошенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала.The problem is solved in that in the method of creating a multilayer nanostructure, which consists in the formation of its individual layers under the action of laser pulses and their connection closely with each other, in accordance with the invention, a metallized diffraction grating is applied to one of the surfaces of a material transparent to laser radiation act on this material with a laser pulse, cause diffraction and multipath interference of the laser beam at the surface of the diffraction grating in the region laser spots, form in this region a lot of laser beams reflected from the diffraction grating, sequentially at the points of their reflection from the diffraction grating produce local energy of the laser beam, melting the material transparent to the laser radiation, the formation of crystallization centers, explosive crystallization of the material transparent to the laser radiation from the reflected from the diffraction grating to the rays after the completion of the action of the laser pulse and create at the same time many erosion between the battle of layers of transparent material for laser radiation.

При таком способе создания многослойной наноструктуры за время действия одного импульса лазерного излучения в пределах лазерного пятна одновременно образуют множество ерошенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала.With this method of creating a multilayer nanostructure during the action of a single laser pulse within the laser spot, at the same time, many ruffled layers of a material transparent to laser radiation are formed.

Целесообразно, что устанавливают шаг дифракционной решетки её профиль, длину волны, фокусировку, мощность и длительность импульсов лазерного излучения и изменяют размер, толщину и число слоев многослойной наноструктуры.It is advisable to set the step of the diffraction grating, its profile, wavelength, focusing, power and duration of laser radiation pulses and change the size, thickness and number of layers of a multilayer nanostructure.

При таком способе создания многослойной наноструктуры можно в широком диапазоне варьировать её параметрами от минимального числа составляющих её толстых слоев до максимального числа составляющих эту структуру тонких слоев.With this method of creating a multilayer nanostructure, it is possible to vary its parameters in a wide range from the minimum number of thick layers composing it to the maximum number of thin layers composing this structure.

Целесообразно, что создают многослойную наноструктуру со слоями внутри прозрачного для лазерного излучения материала или с выступающими за его пределы.It is advisable that they create a multilayer nanostructure with layers inside the material transparent to laser radiation or with protruding beyond it.

При таком способе создания многослойной наноструктуры можно создавать наноструктуру в изолированном от внешней среды объеме внутри прозрачного для лазерного излучения материала.With this method of creating a multilayer nanostructure, it is possible to create a nanostructure in a volume isolated from the external environment inside a material transparent to laser radiation.

Целесообразно, что легируют металлом или окислом металла прозрачный для лазерного излучения материал, а при образовании слоев из этого материала оттесняют металл или окисел металла на границу между слоями и создают многослойную наноструктуру из чередующихся слоев двух различных материалов.It is advisable that a material transparent to laser radiation is doped with metal or metal oxide, and when layers of this material are formed, metal or metal oxide is pushed to the boundary between the layers and a multilayer nanostructure is created from alternating layers of two different materials.

При таком способе создания многослойной наноструктуры за время действия импульса лазерного излучения в пределах лазерного пятна может быть создана многослойная наноструктура металл-диэлектрик, если в качестве прозрачного для лазерного излучения материала будет использована, например, пластмасса.With this method of creating a multilayer nanostructure during the duration of the laser pulse within the laser spot, a multilayer metal-insulator nanostructure can be created if, for example, plastic is used as a transparent material for laser radiation.

Целесообразно, что при использовании в качестве материала, прозрачного для лазерного излучения, чистого или легированного примесями полупроводникового материала, перед воздействием на него импульсом лазерного излучения нагревают этот материал в контролируемой защитной атмосфере до температуры, близкой к температуре его плавления.It is advisable that when using a semiconductor material pure or doped with impurities as a material transparent to laser radiation, this material is heated in a controlled protective atmosphere to a temperature close to its melting temperature before being exposed to a laser pulse.

При таком способе создания многослойной наноструктуры за время действия импульса лазерного излучения в пределах лазерного пятна может быть создана многослойная наноструктура из чередующихся слоев металл-полупроводник.With this method of creating a multilayer nanostructure during the duration of the laser pulse within the laser spot, a multilayer nanostructure can be created from alternating metal-semiconductor layers.

Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings

В дальнейшем изобретение поясняется описанием конкретного, но не ограничивающего настоящего изобретения варианта осуществления и прилагаемыми чертежами, на которых:The invention is further illustrated by the description of a specific, but not limiting embodiment of the invention and the accompanying drawings, in which:

Фиг.1 иллюстрирует фотографию двух многослойных наноструктур, полученных в результате воздействия на прозрачный для лазерного излучения материал двумя последовательными импульсами лазерного излучения.Figure 1 illustrates a photograph of two multilayer nanostructures obtained by exposing a material transparent to laser radiation to two successive pulses of laser radiation.

Фиг.2 иллюстрирует предлагаемый способ создания многослойной наноструктуры.Figure 2 illustrates the proposed method for creating a multilayer nanostructure.

Лучшие варианты осуществления изобретенияThe best embodiments of the invention

Предлагаемый способ создания многослойной наноструктуры осуществляют следующим образом.The proposed method for creating a multilayer nanostructure is as follows.

На одну из поверхностей 1 материала 2 прозрачного для лазерного излучения наносят металлизированную дифракционную решетку 3. Воздействуют на материал 2 импульсом лазерного излучения 4, имеющим множество мод, которые характеризуют пространственное распределение интенсивности этого излучения. При вхождении лазерного луча 4 в материал 2, прозрачный для лазерного излучения, происходит его дисперсия, определяемая показателем преломления материала 2 в зависимости от частоты лазерного излучения 4. При взаимодействии мод лазерного излучения 4 с дифракционной решеткой 3 у ее поверхности в области лазерного пятна 5 происходит дифракция и многолучевая интерференция мод лазерного излучения 4. В результате в области лазерного пятна 5 образуется множество отраженных от дифракционной решетки лучей 6. В точках отражения лучей 6 от дифракционной решетки 3 последовательно происходит локальное выделение энергии, плавление прозрачного для лазерного излучения материала 2, образование центров кристаллизации и возникает взрывная кристаллизация прозрачного для лазерного излучения материала 2 по отраженным от дифракционной решетки 3 лучам 6 после завершения действия импульса лазерного излучения 4. В результате одновременно образуется множество ерошенных между собой слоев 7 из прозрачного для лазерного излучения материала 2.A metallized diffraction grating is applied to one of the surfaces 1 of the material 2 transparent for laser radiation. The material 2 is affected by a laser pulse 4, which has many modes that characterize the spatial distribution of the intensity of this radiation. When the laser beam 4 enters the material 2, which is transparent to laser radiation, its dispersion occurs, which is determined by the refractive index of the material 2 depending on the frequency of the laser radiation 4. When the modes of laser radiation 4 interact with the diffraction grating 3 near its surface in the region of the laser spot 5, diffraction and multipath interference of laser radiation modes 4. As a result, in the region of the laser spot 5, a plurality of rays 6 are reflected from the diffraction grating. At the points of reflection of the rays 6 from the diffraction of the lattice 3, local energy is sequentially released, the material 2 transparent for laser radiation melts, crystallization centers form, and explosive crystallization of the laser transparent material 2 occurs along the rays 6 reflected from the diffraction grating 3 after the completion of the laser pulse 4. As a result, a plurality of ruffled layers 7 of a material 2 transparent to laser radiation.

Описанный процесс создания многослойной наноструктуры из прозрачного для лазерного излучения материала с низкой температурой плавления происходит на открытом воздухе, вне вакуумной камеры.The described process of creating a multilayer nanostructure from a material transparent to laser radiation with a low melting point occurs in the open air, outside the vacuum chamber.

На фиг.1 показаны две полученные описанным способом наноструктуры, каждая из которых создана в результате воздействия одного импульса лазерного излучения на прозрачную для лазерного излучения пластмассу. Фотографии этих наноструктур получены при помощи атомно-силового микроскопа.Figure 1 shows two nanostructures obtained by the described method, each of which was created as a result of the action of a single laser pulse on a laser-transparent plastic. Photographs of these nanostructures were obtained using an atomic force microscope.

Таким образом после завершения действия одного импульса лазерного излучения длительностью порядка 10 нс, в пределах лазерного пятна в результате взрывной кристаллизации прозрачного для лазерного излучения материала, идущей со скоростью 80 м/сек-100 м/сек, одновременно образуется множество слоев из этого материала и создается многослойная наноструктура. Число образуемых таким образом слоев может превышать несколько тысяч и зависит от числа отраженных от дифракционной решетки лучей, количество которых в свою очередь определяется шагом и профилем дифракционной решетки, а также длиной волны, фокусировкой, мощностью и длительностью импульсов лазерного излучения. Варьируя этими параметрами можно в широком диапазоне менять условия для создания многослойной наноструктуры, создавая наноструктуры с различным числом и толщиной слоев из прозрачного для лазерного излучения материала. Можно также создавать многослойные наноструктуры внутри прозрачного для лазерного излучения материала.Thus, after the completion of the action of one laser pulse of a duration of the order of 10 ns, within the laser spot as a result of explosive crystallization of laser-transparent material traveling at a speed of 80 m / s-100 m / s, many layers of this material are simultaneously formed and created multilayer nanostructure. The number of layers formed in this way can exceed several thousand and depends on the number of rays reflected from the diffraction grating, the number of which in turn is determined by the step and profile of the diffraction grating, as well as the wavelength, focusing, power, and duration of laser pulses. By varying these parameters, it is possible to change the conditions for creating a multilayer nanostructure in a wide range, creating nanostructures with different numbers and thicknesses of layers from a material transparent to laser radiation. It is also possible to create multilayer nanostructures inside a material transparent to laser radiation.

Как видно на фиг.1, торцы созданных таким образом срощенных между собой слоев образуют развитую поверхность, на которую в дальнейшем любым известным способом могут быть нанесены слои различных материалов, в том числе металлов, полупроводников и т.д.As can be seen in figure 1, the ends of the layers thus created joined together form a developed surface, on which layers of various materials, including metals, semiconductors, etc., can be applied in the future by any known method.

Предлагаемым способом также возможно создавать многослойные наноструктуры из чередующихся слоев двух различных материалов. Такая возможность создается при легировании металлом или окислом металла прозрачного для лазерного излучения материала, например, пластмассы. В этом случае в процессе взрывной кристаллизации прозрачного для лазерного излучения материала происходит оттеснение примесей из расплава на границу между образуемыми слоями и образование наноструктуры из чередующихся слоев металл-диэлектрик.The proposed method is also possible to create multilayer nanostructures of alternating layers of two different materials. This possibility is created by alloying with a metal or metal oxide a material transparent to laser radiation, for example, plastic. In this case, in the process of explosive crystallization of a material transparent to laser radiation, impurities are pushed from the melt to the boundary between the formed layers and a nanostructure is formed from alternating metal-insulator layers.

Предлагаемым способом можно также создавать многослойные наноструктуры из слоев прозрачного для лазерного излучения полупроводникового материала или из чередующихся слоев металл-полупроводник при легировании полупроводникового материала металлом. Однако в этом случае, с учётом высокой температуры плавления прозрачного для лазерного излучения материала, перед воздействием на него импульсом лазерного излучения, этот материал предварительно нагревают в контролируемой защитной атмосфере, близкой к температуре плавления.The proposed method can also create multilayer nanostructures of layers transparent to laser radiation of a semiconductor material or of alternating layers of a metal-semiconductor by doping a semiconductor material with a metal. However, in this case, taking into account the high melting temperature of the material transparent to laser radiation, before exposure to it by a laser pulse, this material is preheated in a controlled protective atmosphere close to the melting temperature.

Промышленная применимостьIndustrial applicability

Описанным способом могут быть созданы развитые поверхности в виде многослойных наноструктур для использования при производстве солнечных батарей, фотоприемных устройств, катализаторов, высокоэффективных люминесцентных источников света.The described method can be used to create developed surfaces in the form of multilayer nanostructures for use in the manufacture of solar cells, photodetectors, catalysts, highly efficient luminescent light sources.

Claims (5)

1. Способ создания многослойной наноструктуры, заключающийся в образовании отдельных ее слоев под действием импульсов лазерного излучения и их соединения вплотную между собой, отличающийся тем, что на одну из поверхностей материала, прозрачного для лазерного излучения, наносят металлизированную дифракционную решетку, воздействуют на этот материал импульсом лазерного излучения, вызывают дифракцию и многолучевую интерференцию лазерного луча у поверхности дифракционной решетки в области лазерного пятна, образуют в этой области множество отраженных от дифракционной решетки лазерных лучей, вызывают последовательно в точках их отражения от дифракционной решетки локальное выделение энергии лазерного луча, плавление прозрачного для лазерного излучения материала, образование центров кристаллизации, взрывную кристаллизацию прозрачного для лазерного излучения материала по отраженным от дифракционной решетки лучам после завершения действия импульса лазерного излучения и создают одновременно множество ерошенных между собой слоев из прозрачного для лазерного излучения материала.1. The method of creating a multilayer nanostructure, which consists in the formation of its individual layers under the action of laser pulses and their close connection with each other, characterized in that a metallized diffraction grating is applied to one of the surfaces of the material transparent to laser radiation, and the material is affected by the pulse laser radiation, cause diffraction and multipath interference of the laser beam at the surface of the diffraction grating in the region of the laser spot, form in this region many in the laser beams reflected from the diffraction grating, sequentially, at the points of their reflection from the diffraction grating, they cause local release of the laser beam energy, melting of the laser-transparent material, the formation of crystallization centers, explosive crystallization of the laser-transparent material from the rays reflected from the diffraction grating after completion of the action pulses of laser radiation and simultaneously create many ruffled layers of transparent laser radiation material. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что устанавливают шаг дифракционной решетки, ее профиль, длину волны, фокусировку, мощность и длительность импульсов лазерного излучения и изменяют размер, толщину и число слоев многослойной наноструктуры.2. The method according to claim 1, characterized in that the step of the diffraction grating, its profile, wavelength, focusing, power and duration of laser radiation pulses are established and the size, thickness and number of layers of the multilayer nanostructure are changed. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают многослойную наноструктуру со слоями внутри прозрачного для лазерного излучения материала или с выступающими за его пределы.3. The method according to claim 1, characterized in that they create a multilayer nanostructure with layers inside the material transparent to laser radiation or with protruding beyond it. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что легируют металлом или окислом металла прозрачный для лазерного излучения материал, а при образовании слоев из этого материала оттесняют металл или окисел металла на границу между слоями и создают многослойную наноструктуру из чередующихся слоев двух различных материалов.4. The method according to claim 1, characterized in that a material transparent to laser radiation is doped with metal or metal oxide, and when layers of this material are formed, metal or metal oxide is pushed to the boundary between the layers and a multilayer nanostructure is created from alternating layers of two different materials. 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что при использовании в качестве материала, прозрачного для лазерного излучения, чистого или легированного примесями полупроводникового материала, перед воздействием на него импульсом лазерного излучения нагревают этот материал в контролируемой защитной атмосфере до температуры, близкой к температуре его плавления. 5. The method according to claim 4, characterized in that when using a semiconductor material pure or doped with impurities as a laser transparent material, this material is heated in a controlled protective atmosphere to a temperature close to the temperature before being exposed to a laser pulse its melting.
RU2012110142/28A 2012-03-19 2012-03-19 Method of creation of multilayered nanostructure RU2497230C1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012110142/28A RU2497230C1 (en) 2012-03-19 2012-03-19 Method of creation of multilayered nanostructure
PCT/RU2012/000657 WO2013141747A1 (en) 2012-03-19 2012-08-09 Method for producing a multi-layered nano-structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012110142/28A RU2497230C1 (en) 2012-03-19 2012-03-19 Method of creation of multilayered nanostructure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012110142A RU2012110142A (en) 2013-09-27
RU2497230C1 true RU2497230C1 (en) 2013-10-27

Family

ID=49223067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012110142/28A RU2497230C1 (en) 2012-03-19 2012-03-19 Method of creation of multilayered nanostructure

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2497230C1 (en)
WO (1) WO2013141747A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117431495B (en) * 2023-12-19 2024-02-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Super-hydrophobic anti-corrosion double-layer structure of metal surface and preparation method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007058603A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Replisaurus Technologies Ab Method of forming a multilayer structure
US20080179762A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Au Optronics Corporation Layered structure with laser-induced aggregation silicon nano-dots in a silicon-rich dielectric layer, and applications of the same
RU2382440C1 (en) * 2008-11-01 2010-02-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" METHOD OF MAKING MULTILAYER SUPERCONDUCTING yBaCuO NANOFILMS ON SUBSTRATE
RU2415026C2 (en) * 2006-08-09 2011-03-27 Овд Кинеграм Аг Method of producing multilayer body and multilayer body
RU2459319C1 (en) * 2011-07-08 2012-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Высокие технологии" Method to produce nanostructured multilayer 3d composite material for negative electrode of lithium-ion battery, composite material, negative electrode and lithium-ion battery

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007058603A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Replisaurus Technologies Ab Method of forming a multilayer structure
RU2415026C2 (en) * 2006-08-09 2011-03-27 Овд Кинеграм Аг Method of producing multilayer body and multilayer body
US20080179762A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Au Optronics Corporation Layered structure with laser-induced aggregation silicon nano-dots in a silicon-rich dielectric layer, and applications of the same
RU2382440C1 (en) * 2008-11-01 2010-02-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" METHOD OF MAKING MULTILAYER SUPERCONDUCTING yBaCuO NANOFILMS ON SUBSTRATE
RU2459319C1 (en) * 2011-07-08 2012-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Высокие технологии" Method to produce nanostructured multilayer 3d composite material for negative electrode of lithium-ion battery, composite material, negative electrode and lithium-ion battery

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012110142A (en) 2013-09-27
WO2013141747A1 (en) 2013-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2240955B1 (en) Engineering flat surfaces on materials doped via pulsed laser irradiation
EP3759529B1 (en) Using lasers to reduce reflection of transparent solids, coatings and devices employing transparent solids
KR102231517B1 (en) How to trap attacker points within the crystal lattice
US9784683B2 (en) Surface Enhanced Raman Scattering (SERS) sensor and a method for production thereof
CN106102899A (en) Interference formula laser treatment
Henley et al. Laser implantation of plasmonic nanostructures into glass
Tanaka et al. Giant photo-expansion in chalcogenide glass
Indrisiunas et al. Direct laser beam interference patterning technique for fast high aspect ratio surface structuring
RU2497230C1 (en) Method of creation of multilayered nanostructure
CN109132998A (en) The method of pulse nanosecond laser induction transparent dielectric material surface periodic structure
JP7335473B2 (en) Manufacturing method of spatially modulated wave plate
EP2000558B1 (en) Method and apparatus for manufacturing purely refractive optical structures
Rapp et al. Selective femtosecond laser structuring of dielectric thin films with different band gaps: a time-resolved study of ablation mechanisms
CN100491234C (en) Method for making nanometer structure by optical operated atom and apparatus thereof
Kulchin et al. Modification of a new polymer photorecording material based on PMMA doped with 2, 2-difluoro-4-(9-antracyl)-6-methyl-1, 3, 2-dioxaborine by ultrashort pulses
Kawamura et al. New adjustment technique for time coincidence of femtosecond laser pulses using third harmonic generation in air and its application to holograph encoding system
WO2013026463A1 (en) Laser scribing process
KR20130113149A (en) Organic light emitting diode device and fabrication method thereof
Nakata et al. Interfering ultraviolet femtosecond laser processing of gold thin film and prospect of shortest period
Helvajian Process control in laser material processing for the micro and nanometer scale domains
JP6785573B2 (en) A method for manufacturing a substrate having a coating and a substrate having a corresponding coating.
Nastas et al. A study of the effect of a corona discharge on recording of holographic diffraction gratings in the Cu-As 2 S 3 structure
RU174220U1 (en) LASER-RADIATED FERROELECTRIC ANNEALING DEVICE WITH SPATIAL RESOLUTION EXCEEDING THE DIFFRACTION LIMIT
RU2096815C1 (en) Optical switching-over element
Overmeyer et al. Laser induced quasi-periodical microstructures with external field modulation for efficiency gain in photovoltaics

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180320