RU2386191C1

RU2386191C1 - Spherical multilayer component of electronic circuit for nano- and microelectronics

Info

Publication number: RU2386191C1
Application number: RU2008151880/28A
Authority: RU
Inventors: Дмитрий Александрович Горин (RU); Дмитрий Александрович Горин; Сергей Вячеславович Семенов (RU); Сергей Вячеславович Семенов
Original assignee: Дмитрий Александрович Горин; Сергей Вячеславович Семенов
Priority date: 2008-12-29
Filing date: 2008-12-29
Publication date: 2010-04-10

Abstract

FIELD: electric engineering.

SUBSTANCE: method consists in provision of another parametre for control of characteristics and parametres of electronic components, namely area of contact surfaces, due to transition from planar to three-dimensional model of electronic components buulding. Concept of the invention is as follows: spherical multilayer component of electronic circuit is characterised by availability of nucleus with size from 5 nm to 100 micrometre of organic or inorganic origin with applied nanosize layers from material having various electric properties - specific resistance and type of conductivity, at the same time each layer has a conducting coating with a separated insulated lead, conducting coatings are arranged between neighbouring layers as perforated.

EFFECT: improved efficiency of discrete elements, such as resistors, capacitors, diodes, transistors and creation of matrix systems from these elements.

10 cl, 5 dwg

Description

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве резистора, конденсатора, диода, транзистора и др., которые могут быть объединены в матричную систему (аналог интегральной схемы).The invention relates to the field of micro- and nanoelectronics and can be used as a resistor, capacitor, diode, transistor, etc., which can be combined into a matrix system (analog of an integrated circuit).

Известен полевой нанотранзистор, содержащий слой полупроводникового материала, в котором выполнен проводящий канал, слой тонкого диэлектрика, расположенный на поверхности полупроводникового материала, затвор, выполненный на поверхности тонкого диэлектрика, контакты сток, исток, слой полупроводникового материала расположен на слое нижнего диэлектрика, выполненного на полупроводниковой подложке, являющейся нижним затвором, проводящий канал наноструктурирован в виде периодической решетки квантовых проволок, слой тонкого диэлектрика обхватывает каждую квантовую проволоку проводящего канала с трех сторон, а затвор выполнен в виде металлической полоски нанометровой ширины и обхватывает каждую квантовую проволоку проводящего канала с трех сторон, причем тонкий диэлектрик содержит окна, в которых выполнены металлические контакты сток и исток, подсоединенные к каналу. В качестве полупроводникового материала может быть использован кремний. В качестве диэлектрика может быть использована термическая двуокись кремния. В качестве полупроводниковой подложки может быть использована подложка из кремния. Технический результат - повышение степени интеграции, уменьшение размеров полевого нанотранзистора, исключение короткоканальных эффектов при работе полевого нанотранзистора, повышение крутизны и радиационной стойкости полевого нанотранзистора, повышение экологичности производства (см. патент РФ №2250535, МПК H01L 29/786).Known field nanotransistor containing a layer of semiconductor material in which a conductive channel is made, a thin dielectric layer located on the surface of the semiconductor material, a gate made on the surface of the thin dielectric, contacts drain, source, a layer of semiconductor material is located on the lower dielectric layer made on the semiconductor the substrate, which is the lower gate, the conducting channel is nanostructured in the form of a periodic lattice of quantum wires, a thin dielectric layer wraps around each quantum wire of the conductive channel on three sides, and the shutter is made in the form of a metal strip of nanometer width and wraps around each quantum wire of the conductive channel on three sides, and the thin dielectric contains windows in which the drain and source metal contacts connected to the channel are made. Silicon may be used as a semiconductor material. As dielectric, thermal silicon dioxide can be used. As the semiconductor substrate, a silicon substrate can be used. The technical result - increasing the degree of integration, reducing the size of the field nanotransistor, eliminating short-channel effects during operation of the field nanotransistor, increasing the steepness and radiation resistance of the field nanotransistor, increasing the environmental friendliness of production (see RF patent No. 2250535, IPC H01L 29/786).

Недостатком данного устройства является техническая сложность и высокая стоимость изготовления, в частности при реализации проводящего канала, который наноструктурирован в виде периодической решетки квантовых проволок. Для формирования затвора, представляющего собой металлическую полоску нанометровой толщины, необходимо применение электронной литографии.The disadvantage of this device is the technical complexity and high manufacturing cost, in particular when implementing a conductive channel, which is nanostructured in the form of a periodic lattice of quantum wires. The formation of a shutter, which is a metal strip of nanometer thickness, requires the use of electronic lithography.

Известны упорядоченные 2D и 3D структуры металлического материала, составленного из полых металлических сфер, и метод их составления (см. патент CN № 1487108, МПК C22C 1/08). Для создания структуры использованы полистирольные микросферы как основа для нанесения металлического покрытия. Для нанесения металлического покрытия используется электролиз, расстояние между полистирольными сферами обеспечивается электростатическими силами отталкивания, что позволяет формировать последующие металлические оболочки на поверхности подложки. Недостатком изобретения является то, что предполагается с использованием данной методики формирование коллоидного кристалла, пределы применения которого достаточно ограничены в силу отсутствия возможности задействовать функциональные возможности отдельных металлических сфер в связи с тем, что в описании изобретения отсутствует описание коммутирования металлических оболочек между собой.Known ordered 2D and 3D structures of a metal material composed of hollow metal spheres, and a method for compiling them (see CN Patent No. 1487108, IPC C22C 1/08). To create the structure used polystyrene microspheres as the basis for applying a metal coating. For the deposition of a metal coating, electrolysis is used, the distance between the polystyrene spheres is provided by electrostatic repulsive forces, which allows the formation of subsequent metal shells on the surface of the substrate. The disadvantage of the invention is that it is assumed using this technique the formation of a colloidal crystal, the application limits of which are quite limited due to the inability to use the functionality of individual metal spheres due to the fact that the description of the invention does not describe the commutation of metal shells with each other.

Известны непланарные эпитаксиальные структуры кремния, полученные методом газофазной эпитаксии на полупроводниковой подложке, выполненной в виде полого цилиндра (см. патент РФ №2290717, МПК H01L 21/20).Non-planar silicon epitaxial structures are known obtained by gas-phase epitaxy on a semiconductor substrate made in the form of a hollow cylinder (see RF patent No. 2290717, IPC H01L 21/20).

Недостатком изобретения является сложность изготовления полупроводниковой подложки в виде полого цилиндра, которая существенно возрастает с уменьшением размеров цилиндра. Последующее нанесение других функциональных слоев ограничено с точки зрения контролируемого управления толщины покрытия в нанометровом диапазоне.The disadvantage of the invention is the difficulty of manufacturing a semiconductor substrate in the form of a hollow cylinder, which increases significantly with decreasing cylinder size. Subsequent application of other functional layers is limited from the point of view of controlled control of the coating thickness in the nanometer range.

Задачей изобретения является повышение эффективности дискретных элементов, таких как резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы, и создание матричных систем из данных элементов (аналогов интегральных схем).The objective of the invention is to increase the efficiency of discrete elements, such as resistors, capacitors, diodes, transistors, and the creation of matrix systems from these elements (analogs of integrated circuits).

Технический результат заключается в получении еще одного параметра управления характеристиками и параметрами электронных компонент, а именно площади контактных областей, за счет перехода от планарной к трехмерной модели построения электронных компонент. Наиболее существенное повышение эффективности (увеличение коэффициента полезного действия, уменьшение внутреннего сопротивления и т.д.) ожидается в результате применения матричных систем на основе сферических многослойных компонент электронной схемы для создания оптоэлектронных и фотопреобразующих устройств.The technical result consists in obtaining another parameter for controlling the characteristics and parameters of electronic components, namely the area of contact areas, due to the transition from a planar to a three-dimensional model for constructing electronic components. The most significant increase in efficiency (increase in efficiency, decrease in internal resistance, etc.) is expected as a result of using matrix systems based on spherical multilayer components of an electronic circuit to create optoelectronic and photoconverting devices.

Поставленная задача решается тем, что сферический многослойный компонент электронной схемы характеризуется наличием ядра размером от 5 нм до 100 мкм органической или неорганической природы с нанесенными на него наноразмерными слоями из материала с различными электрическими свойствами - удельным сопротивлением и типом проводимости, при этом каждый слой имеет проводящее покрытие с отдельным изолированным выводом, проводящие покрытия, расположенные между соседними слоями, выполнены перфорированными.The problem is solved in that the spherical multilayer component of the electronic circuit is characterized by the presence of a core with a size of 5 nm to 100 μm of an organic or inorganic nature with nanoscale layers of a material with various electrical properties deposited on it — resistivity and type of conductivity, each layer having a conductive a coating with a separate insulated terminal, conductive coatings located between adjacent layers are perforated.

Вывод выполнен в виде углеродных нанотрубок. Поверхность нанотрубки покрыта диэлектрическим покрытием, а внутри трубка содержит неорганические наночастицы.The conclusion is made in the form of carbon nanotubes. The surface of the nanotube is coated with a dielectric coating, and inside the tube contains inorganic nanoparticles.

В качестве материала ядра может быть выбран любой материал органической или неорганической природы, нерастворимый в среде, из которой будет происходить процесс адсорбции слоев, например полимер (полистирол, полиамид), диоксид кремния или карбонат кальция.As the material of the core, any material of organic or inorganic nature, insoluble in the medium from which the adsorption process of the layers, for example, polymer (polystyrene, polyamide), silicon dioxide or calcium carbonate, can be selected.

Ядро может содержать добавки из наночастиц магнетита или другого магнитного материала.The core may contain additives from magnetite nanoparticles or other magnetic material.

При использовании в качестве транзистора компонент может содержать три слоя из материалов с полупроводниковыми свойствами, различающиеся типом проводимости (n и p-типа).When used as a transistor, the component can contain three layers of materials with semiconductor properties that differ in the type of conductivity (n and p-type).

При использовании в качестве тиристора компонент содержит четыре слоя из материала с полупроводниковыми свойствами, различающиеся типом проводимости (n и p). При этом слои с разным типом проводимости чередуются.When used as a thyristor, the component contains four layers of a material with semiconductor properties that differ in the type of conductivity (n and p). Moreover, layers with different types of conductivity alternate.

При использовании двух слоев, различающихся типом проводимости, формируется диод.When using two layers that differ in the type of conductivity, a diode is formed.

Если компонент содержит один слой, выполненный из диэлектрика, при этом ядро имеет проводящее покрытие, он представляет собой конденсатор.If the component contains one layer made of a dielectric, while the core has a conductive coating, it is a capacitor.

Резистор на основе предлагаемого решения содержит слой с заданным удельным сопротивлением, расположенный между двумя проводящими покрытиями.A resistor based on the proposed solution contains a layer with a given resistivity located between two conductive coatings.

По сути, решение обеспечивает переход от планарного подхода для создания электронных компонент к их трехмерному исполнению, причем в отличие от других аналогов 3D электронных компонент и интегральных схем использует сферическую форму для исполнения дискретных элементов. Возможность реализации технологического исполнения данных систем непосредственно связана с развитием материаловедения и приборостроения в рамках современных нанотехнологий, а именно результатам исследования физических свойств углеродных нанотрубок, полимерных полупроводников и проводников и успехам сканирующей зондовой микроскопии.In essence, the solution provides a transition from a planar approach to creating electronic components to their three-dimensional execution, and, unlike other analogs of 3D electronic components and integrated circuits, it uses a spherical shape to execute discrete elements. The feasibility of the technological implementation of these systems is directly related to the development of materials science and instrument engineering in the framework of modern nanotechnology, namely the results of a study of the physical properties of carbon nanotubes, polymer semiconductors and conductors and the success of scanning probe microscopy.

Изобретение иллюстрируется чертежами, где на фиг.1-4 изображены одновременно и схемы последовательного формирования элементов, и их разновидности.The invention is illustrated by drawings, where Figs. 1-4 depict simultaneously and sequential formation of elements, and their varieties.

Фиг.1 - основа для получения электронных компонент, которая представляет собой ядро 2 с проводящем покрытием 3 и присоединенной углеродной трубкой 1.Figure 1 - the basis for producing electronic components, which is a core 2 with a conductive coating 3 and an attached carbon tube 1.

При последующем нанесении слоя 4 и следующего проводящего покрытия 5, но в отличие от слоя 3 перфорированного (аналог сетки в вакуумном триоде) с присоединенной трубкой в качестве второго контакта, получаем структуру, изображенную на фиг.2 (однослойная структура). В зависимости от электрических свойств слоя 4 можно получить дискретный функциональный элемент - сопротивление, термосопротивление или фотосопротивление (слои 4 - полупроводник, или проводник) и конденсатор (слой 4 - диэлектрик). Полученная структура может быть также использована для построения последующих более сложных систем: двухслойных - фиг.3 (диодные структуры, включая фотодиоды, светодиоды); трехслойных - фиг.4 (транзисторы) и многослойных (переключающие элементы). В частности, двухслойный элемент, изображенный на фиг.3, содержит полупроводниковые слои 6 и 7, различающиеся типом проводимости. Принцип работы перечисленных выше устройств является аналогичным традиционным полупроводниковым структурам и могут быть созданы в случае трехслойных систем (фиг.4) аналоги как биполярных, так и полевых транзисторов. На основе фиг.1-4 можно проиллюстрировать схему изготовления сферического многослойного компонента электрической схемы (СМКЭС) (на схеме в качестве компонента представлен транзистор). Для создания СМКЭС необходимо использовать сканирующий атомно-силовой микроскоп, совмещенный с конфокальным оптическим микроскопом (например, Интегра-спектра фирмы НТ-МДТ [www.ntmdt.ru]).In the subsequent application of layer 4 and the next conductive coating 5, but in contrast to the perforated layer 3 (an analog of the mesh in a vacuum triode) with the tube connected as a second contact, we obtain the structure shown in Fig. 2 (single-layer structure). Depending on the electrical properties of layer 4, it is possible to obtain a discrete functional element — resistance, thermal resistance, or photo resistance (layers 4 — semiconductor or conductor) and a capacitor (layer 4 — dielectric). The resulting structure can also be used to build the following more complex systems: two-layer - figure 3 (diode structures, including photodiodes, LEDs); three-layer - figure 4 (transistors) and multilayer (switching elements). In particular, the two-layer element shown in figure 3, contains semiconductor layers 6 and 7, differing in the type of conductivity. The principle of operation of the above devices is similar to traditional semiconductor structures and can be created in the case of three-layer systems (figure 4) analogues of both bipolar and field-effect transistors. Based on FIGS. 1-4, it is possible to illustrate a manufacturing circuit for a spherical multilayer component of an electrical circuit (SMCES) (a transistor is shown as a component in the circuit). To create an SMCES, it is necessary to use a scanning atomic force microscope combined with a confocal optical microscope (for example, the Integra-spectrum of NT-MDT [www.ntmdt.ru]).

I этап изготовления заключается в закреплении углеродной нанотрубки к кантеливеру атомно-силового микроскопа. Предполагается использование углеродной нанотрубки с диэлектрическим покрытием. Трубка закрепляется таким образом, чтобы продольная ось трубки была ориентирована перпендикулярно оси балки кантиливера сканирующего зондового микроскопа. Особенностью покрытия трубки является то, что на свободный конец трубки адсорбирован слой полиэлектролита анионного или катионного типа, который при погружении в водную среду приобретает заряд. Далее углеродная нанотрубка опускается в суспензию ядер органической и неорганической природы. Например, в качестве ядра может выступать полистирольное ядро с магнетитом, ядра такого типа произодятся фирмой Microparticles GmbH [www.microparticles.de]. Наличие наночастиц магнетита в ядре может существенно упростить многие технологические операции по получению СМКЭС и электронных схем на основе СМКЭС. Поверхность ядер покрыта слоем полиэлектролита, заряд которого противоположен заряду покрытия углеродных нанотрубок, т.е. используется принцип полиионной сборки (Decher G. // Science, 1997, 277, 1232-1237, G.В.Sukhorukov, E.Donath, S.Davis, H.Lichtenfeld, F.Caruso, V.I.Popov, H.Möhwald // Polym. Adv. Technol., 1998, 9, 759-767), который может быть реализован и в автоматическом режиме (Губский А.С., Портнов С.А., Горин Д.А. Автоматизированная установка для получения наноразмерных покрытий методом полиионной сборки, патент РФ на полезную модель №52657, МПК H01L 21/00), и имеет достаточно высокую электропроводность, поэтому для данного покрытия следует использовать проводящие полимеры, например полипирол, полианилин. Альтернативным методом получения проводящих покрытий является адсорбция золотых наночастиц с возможностью проведения процесса фотолитографии (Cho J., Jang H., Yeom В., Kim H., Kim R., Kim S., Char K., F.Caruso // Langmuir. 2006. V.2. P.1356-1364). За счет кулоновского взаимодействия происходит сорбция ядер на обработанную полиэлектролитом часть трубки. В результате данных операций получаем структуру, изображенную на фиг.1. Методики, описанные в работах (О.А.Иноземцева, С.А.Портнов, Т.А.Колесникова, Д.А.Горин Формирование и физико-химические свойства полиэлектролитных нанокомпозитных капсул // Российские нанотехнологии, 2007, Т.2, №9-10, С.68-80, D.A.Gorin, S.A.Portnov, O.A.Inozemtseva, Z.Luklinska, A.M.Yashchenok, A.M.Pavlov, A.G.Skirtach, H.Möhwald, G.B.Sukhorukov "Magnetic/gold nanoparticle functionalized biocompatible microcapsules with sensitivity to laser irradiation" // Phys. Chem. Chem. Phys., 2008, 10, 6899-6905, D.V.Andreeva, D.A.Gorin, H.Möhwatd, G.B.Sukhorukov, "Novel Type of Self-Assembled Polyamide and Polyimide Nanoengineered Shells - Fabrication of Microcontainers with Shielding Properties" // Langmuir, 23, p.9031-9036 (2007)) позволяют реализовать структуру, изображенную на фиг.1.The first stage of manufacture consists in fixing a carbon nanotube to the canteliver of an atomic force microscope. It is proposed to use a carbon nanotube with a dielectric coating. The tube is fixed so that the longitudinal axis of the tube is oriented perpendicular to the axis of the cantilever beam of the scanning probe microscope. A feature of the tube coating is that an anionic or cationic type polyelectrolyte layer is adsorbed onto the free end of the tube, which acquires a charge when immersed in an aqueous medium. Next, a carbon nanotube is lowered into a suspension of nuclei of an organic and inorganic nature. For example, a polystyrene core with magnetite may act as a nucleus; nuclei of this type are produced by Microparticles GmbH [www.microparticles.de]. The presence of magnetite nanoparticles in the core can greatly simplify many technological operations for the production of SMCES and electronic circuits based on SMCES. The surface of the nuclei is covered with a layer of polyelectrolyte, the charge of which is opposite to the charge of the coating of carbon nanotubes, i.e. the principle of polyionic assembly is used (Decher G. // Science, 1997, 277, 1232-1237, G. B. Sukhorukov, E. Donath, S. Davis, H. Lichtenfeld, F. Caruso, VIPopov, H. Möhwald // Polym. Adv. Technol., 1998, 9, 759-767), which can be implemented automatically (Gubsky A.S., Portnov S.A., Gorin D.A. Automated installation for producing nanoscale coatings by the polyionic method assembly, patent of the Russian Federation for utility model No. 52657, IPC H01L 21/00), and has a sufficiently high electrical conductivity, therefore, conductive polymers, for example polypyrene, polyaniline, should be used for this coating. An alternative method for producing conductive coatings is the adsorption of gold nanoparticles with the possibility of a photolithography process (Cho J., Jang H., Yeom B., Kim H., Kim R., Kim S., Char K., F. Caruso // Langmuir. 2006. V.2. P.1356-1364). Due to the Coulomb interaction, nuclei are sorbed onto the portion of the tube treated with a polyelectrolyte. As a result of these operations, we obtain the structure depicted in figure 1. The techniques described in the works (O.A. Inozemtseva, S.A. Portnov, T.A. Kolesnikova, D.A. Gorin Formation and physicochemical properties of polyelectrolyte nanocomposite capsules // Russian Nanotechnologies, 2007, vol. 2, no. 9-10, P.68-80, DAGorin, SAPortnov, OAInozemtseva, Z. Luklinska, AMYashchenok, AMPavlov, AGSkirtach, H. Möhwald, GBSukhorukov "Magnetic / gold nanoparticle functionalized biocompatible microcapsules with sensitivity to laser irradiation "// Phys. Chem. Chem. Phys., 2008, 10, 6899-6905, DVAndreeva, DAGorin, H. Möhwatd, GB Sukhorukov," Novel Type of Self-Assembled Polyamide and Polyimide Nanoengineered Shells - Fabrication of Microcontainers with Shielding Properties "// Langmuir, 23, p.9031-9036 (2007)) allow you to implement the structure depicted in phi d.1.

II этап СМКЭС заключается в погружении данной системы (полученной в результате операции I) в раствор органических молекул полимерного полупроводника n-типа. После завершения сорбции молекул полимера на сферическую часть системы образуется соответственно слой с проводимостью n-типа, далее сферическая часть системы опускается в раствор с молекулами проводящего полимера и наносится проводящее покрытие. В отличие от первого проводящего покрытия ядра данное проводящее покрытие должно быть перфорированным (это может реализовывается посредством фотолитографии (Cho J., Jang H., Yeom В., Kim H., Kim R., Kim S., Char К., F.Caruso // Langmuir. 2006. V.2. P.1356-1364) либо при помощи внешнего электрического поля средствами нанолаборатории Интегра-спектра www.ntmdt.ru). Указанная сферическая система далее погружается в раствор с углеродными нанотрубками, где происходит селективная адсорбция одной нанотрубки, ориентированный радиально к поверхности сферы, таким образом мы получаем структуру, изображенную на фиг.2. Аналогичным образом получаются двухслойные (фиг.3) и трехслойные структуры (фиг.4).The second stage of the SMCES consists in immersing this system (obtained as a result of operation I) in a solution of organic molecules of an n-type polymer semiconductor. After the sorption of polymer molecules is completed, an n-type conductivity layer is formed on the spherical part of the system, then the spherical part of the system is immersed in a solution with the molecules of the conductive polymer and a conductive coating is applied. Unlike the first conductive coating of the core, this conductive coating must be perforated (this can be realized by photolithography (Cho J., Jang H., Yeom B., Kim H., Kim R., Kim S., Char K., F. Caruso // Langmuir. 2006. V.2. P.1356-1364) or using an external electric field using the Integra-spectrum nanolaboratory www.ntmdt.ru). The specified spherical system is then immersed in a solution with carbon nanotubes, where selective adsorption of one nanotube occurs, oriented radially to the surface of the sphere, thus we obtain the structure depicted in figure 2. In a similar manner, two-layer (Fig. 3) and three-layer structures (Fig. 4) are obtained.

В последующем с помощью внешних полей, например магнитных, можно ориентировать созданные СМКЭС на гибкой, диэлектрической и прозрачной в необходимом диапазоне длин волн подложке и далее с помощью установки Интегра-спектра или ее аналога сварить углеродные трубки - контакты излучением лазера между собой, получив тем самым матричную схему-аналог интегральных схем (фиг.5). После операции разварки контактов пленка с СМКЭС покрывается сверху второй гибкой пленкой для герметизации и защиты, таким образом получаем функциональное устройство, например фотоэлектрический преобразователь или устройство отображения или обработки информации. Другим вариантом создания матричных систем на основе СМКЭС является их сборка в веществе в жидком состоянии с возможностью последующей полимеризации вещества. При этом осуществляется переход из жидкого в твердое состояние.Subsequently, using external fields, for example, magnetic, it is possible to orient the SMCES created on a flexible, dielectric, and transparent substrate in the required wavelength range, and then, using the Integra-spectrum setup or its analogue, weld carbon tubes - contacts by laser radiation, thereby obtaining matrix circuit-analogue of integrated circuits (figure 5). After the contact unwinding operation, the film with SMKES is coated on top with a second flexible film for sealing and protection, thus we obtain a functional device, for example a photoelectric converter or a device for displaying or processing information. Another option for creating matrix systems based on SMKES is their assembly in a substance in a liquid state with the possibility of subsequent polymerization of the substance. In this case, a transition from liquid to solid is carried out.

Claims

1. A spherical multilayer component of an electronic circuit, characterized by the presence of a nucleus with a size of 5 nm to 100 μm of an organic or inorganic nature with nanoscale layers of a material with various electrical properties deposited on it — resistivity and type of conductivity, each layer having a conductive coating with a separate insulated output, conductive coatings located between adjacent layers are perforated.

2. The component according to claim 1, characterized in that the output is made in the form of carbon nanotubes.

3. The component according to claim 1, characterized in that the surface of the nanotube is coated with a dielectric coating, and inside the tube contains inorganic nanoparticles.

4. The component according to claim 1, characterized in that the polymer or silicon dioxide or calcium carbonate is selected as the core material.

5. The component according to claim 1, characterized in that the core contains additives from magnetite nanoparticles or other magnetic material.

6. The component according to claim 1, characterized in that it is a transistor and contains 3 layers of material with semiconductor properties.

7. The component according to claim 1, characterized in that it is a thyristor and contains 4 layers of material with semiconductor properties.

8. The component according to claim 1, characterized in that it is a diode, while the number of layers is 2.

9. The component according to claim 1, characterized in that it is a capacitor and contains one layer made of a dielectric, while the core has a conductive coating.

10. The component according to claim 1, characterized in that it is a resistor and contains a layer with a given resistivity located between two conductive coatings.