RU199472U1 - PHOTOSENSOR BASED ON A FLEXIBLE MEMBRANE WITH FILAMENT NANOCRYSTALS - Google Patents

PHOTOSENSOR BASED ON A FLEXIBLE MEMBRANE WITH FILAMENT NANOCRYSTALS Download PDF

Info

Publication number
RU199472U1
RU199472U1 RU2020120992U RU2020120992U RU199472U1 RU 199472 U1 RU199472 U1 RU 199472U1 RU 2020120992 U RU2020120992 U RU 2020120992U RU 2020120992 U RU2020120992 U RU 2020120992U RU 199472 U1 RU199472 U1 RU 199472U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nanocrystals
polymer matrix
flexible
flexible polymer
insulating layer
Prior art date
Application number
RU2020120992U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Сергеевич Бердников
Владимир Владимирович Неплох
Иван Сергеевич Мухин
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО"
Priority to RU2020120992U priority Critical patent/RU199472U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU199472U1 publication Critical patent/RU199472U1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к области оптоэлектронных устройств и может использоваться в качестве высокоэффективного фотосенсора. Техническим результатом полезной модели является повышение эффективности работы гибких фотосенсоров за счет снижения процесса рекомбинации генерируемых носителей заряда. Технический результат достигается при использовании фотосенсора на основе гибкой мембраны с нитевидными нанокристаллами, содержащего массив нанокристаллов, представляющих собой ядро одного типа проводимости и оболочку с фотоактивной областью и слоем другого типа проводимости, встроенных в гибкую полимерную матрицу и отделенных от ростовой подложки, при этом гибкая полимерная матрица содержит два слоя, один из которых является нижним проводящим слоем, а второй – верхним изолирующим слоем, причем на верхний изолирующий слой нанесен верхний электрод, оболочка нитевидных нанокристаллов частично покрывает длину ядра нитевидных нанокристаллов, нижний проводящий слой гибкой полимерной матрицы расположен в области оболочки нитевидных нанокристаллов, а изолирующий слой гибкой полимерной матрицы и верхний электрод расположены в области ядра нитевидных нанокристаллов. 3 з. п. ф-лы; 2 ил.The utility model relates to the field of optoelectronic devices and can be used as a highly efficient photosensor. The technical result of the utility model is to increase the efficiency of flexible photosensors by reducing the recombination process of the generated charge carriers. The technical result is achieved by using a photosensor based on a flexible membrane with whisker nanocrystals containing an array of nanocrystals, which are a core of one type of conductivity and a shell with a photoactive region and a layer of another type of conductivity, embedded in a flexible polymer matrix and separated from the growth substrate, while a flexible polymer the matrix contains two layers, one of which is the lower conductive layer, and the second is the upper insulating layer, with the upper electrode applied to the upper insulating layer, the filamentous nanocrystal shell partially covers the length of the filamentous nanocrystal core, the lower conductive layer of the flexible polymer matrix is located in the filamentous nanocrystals, and the insulating layer of the flexible polymer matrix and the upper electrode are located in the core region of the whisker nanocrystals. 3 h. p. f-ly; 2 ill.

Description

Полезная модель относится к области оптоэлектронных устройств и может использоваться в качестве высокоэффективного фотосенсора.The utility model relates to the field of optoelectronic devices and can be used as a highly efficient photosensor.

Известна конструкция фотосенсора (US 2015280034 А, 01.10.2015), состоящая из полупроводниковой подложки, служащей нижним электродом, полупроводниковых нитевидных нанокристаллов со структурой ядро-оболочка, содержащей p-n переход, и верхнего электрода, осуществляющего контакт к оболочкам нитевидных нанокристаллов. The known design of a photosensor (US 2015280034 A, 01.10.2015), consisting of a semiconductor substrate serving as the lower electrode, semiconductor whisker nanocrystals with a core-shell structure containing a p-n junction, and an upper electrode in contact with the shells of filamentous nanocrystals.

В данном техническом решении эффективность работы фотосенсора достигается за счет возможности формирования монокристаллических структур из массивов вертикальных нитевидных нанокристаллов с одинаковой ориентацией, обеспечиваемой в процессе синтеза от кристаллической подложки. Такие подложки являются важными конструктивными элементами предлагаемых устройств, через которые при достаточном уровне легирования может осуществляться электрический контакт к основаниям нитевидных нанокристаллов. In this technical solution, the efficiency of the photosensor is achieved due to the possibility of forming single-crystal structures from arrays of vertical whisker nanocrystals with the same orientation, which is provided during synthesis from a crystalline substrate. Such substrates are important structural elements of the proposed devices, through which, with a sufficient level of doping, electrical contact can be made to the bases of the whisker nanocrystals.

В то же время описанная выше структура фотосенсора, содержащая кристаллическую подложку как один из основных элементов, не подразумевает создание гибких устройств, что ограничивает функциональные возможности и повышает стоимость изготовления оптоэлектронных устройств.At the same time, the above-described photosensor structure containing a crystalline substrate as one of the main elements does not imply the creation of flexible devices, which limits the functionality and increases the cost of manufacturing optoelectronic devices.

В отношении фотосенсоров на основе гибкой мембраны с нитевидными нанокристаллами стоит отметить следующее. With regard to photosensors based on a flexible membrane with whisker nanocrystals, the following should be noted.

Эффективность функционирования таких фотосенсоров зависит как от эффективности поглощения фотонов падающего излучения, так и от эффективности транспортировки носителей заряда внутри наноструктуры. The efficiency of functioning of such photosensors depends both on the efficiency of absorption of photons of incident radiation and on the efficiency of transport of charge carriers inside the nanostructure.

Например, известна конструкция фотосенсора (US 8932940, 13.01.2015), принятая за наиболее близкий аналог к заявляемому решению, состоящая измассива III-V нитевидных нанокристаллов со структурой ядро-оболочка, содержащей радиальный p-n переход. Массив III-V нитевидных нанокристаллов встроен в гибкую полимерную матрицу, которая отделена от полупроводниковой подложки. При этом сверху и снизунепроводящейгибкой полимерной матрицы установлены контакты для снятия электрического заряда.For example, the known design of a photosensor (US 8932940, 01/13/2015), taken as the closest analogue to the claimed solution, consisting of an array of III-V whisker nanocrystals with a core-shell structure containing a radial p-n junction. An array of III-V whiskers is embedded in a flexible polymer matrix that is separated from the semiconductor substrate. At the same time, contacts are installed above and below the non-conductive flexible polymer matrix to remove the electric charge.

Согласно данному решению, контакт к нитевидным нанокристаллам осуществляется через ограниченную площадь - только через их вершины. Этот факт, а также увеличенная длина нитевидных нанокристаллов и наличие верхнего и нижнего контактовснижают эффективность транспортировки носителей заряда ввиду снижения подвижности носителей заряда и возрастания процессов рекомбинации, либо приводят к поглощению излучения.According to this solution, the contact to the whisker nanocrystals occurs through a limited area - only through their tops. This fact, as well as an increased length of nanocrystals and the presence of upper and lower contacts, reduce the efficiency of carrier transport due to a decrease in the mobility of charge carriers and an increase in recombination processes, or lead to absorption of radiation.

В итоге, при использовании подобной структуры фотосенсора возникает необходимость выбора длины нитевидных нанокристаллов и толщины гибкой полимерной мембраны, что приводит к ограничению использования таких гибких мембран в оптоэлектронных устройствах.As a result, when using such a photosensor structure, it becomes necessary to choose the length of filamentary nanocrystals and the thickness of the flexible polymer membrane, which leads to the limitation of the use of such flexible membranes in optoelectronic devices.

Дополнительным недостатком указанного решения является сложность изготовления верхнего и нижнего контактов с низким омическим сопротивлением. Кроме того, использование таких контактов подразумевает выполнение оболочки нитевидных нанокристаллов с высокой степенью легирования, что также отражается на повышении сложности изготовления и стоимости производства.An additional disadvantage of this solution is the complexity of manufacturing the upper and lower contacts with low ohmic resistance. In addition, the use of such contacts implies the implementation of a nano-nanocrystal shell with a high degree of doping, which is also reflected in an increase in the manufacturing complexity and production cost.

Технической проблемой, решаемой настоящей полезной моделью, является создание конструкции фотосенсора на основе гибкой мембраны, которая устраняет недостатки вышерассмотренных аналогов и при этом позволяет снизить стоимость производства.The technical problem solved by the present utility model is the creation of a photosensor design based on a flexible membrane, which eliminates the disadvantages of the above analogs and at the same time allows to reduce the production cost.

Техническим результатом полезной модели является повышение эффективности работы гибких фотосенсоров за счет снижения процессарекомбинации генерируемых носителей заряда.The technical result of the utility model is to increase the efficiency of flexible photosensors by reducing the process of recombination of generated charge carriers.

Технический результат достигается при использовании фотосенсора на основе гибкой мембраны с нитевидными нанокристаллами, содержащего массив нанокристаллов, представляющих собой ядро одного типа проводимости и оболочку с фотоактивной областью и слоем другого типа проводимости, встроенных в гибкую полимерную матрицу и отделенных от ростовой подложки, при этом гибкая полимерная матрица содержитдва слоя, один из которых является нижним проводящим слоем, а второй – верхним изолирующим слоем, причем на верхний изолирующий слойнанесен верхний электрод, оболочка нитевидных нанокристаллов частично покрывает длину ядра нитевидных нанокристаллов, нижний проводящий слой гибкой полимерной матрицы расположен в области оболочки нитевидных нанокристаллов, а изолирующий слой гибкой полимерной матрицы и верхний электрод расположены в области ядра нитевидных нанокристаллов.The technical result is achieved by using a photosensor based on a flexible membrane with whisker nanocrystals containing an array of nanocrystals, which are a core of one type of conductivity and a shell with a photoactive region and a layer of another type of conductivity, embedded in a flexible polymer matrix and separated from the growth substrate, while the flexible polymer the matrix contains two layers, one of which is the lower conductive layer, and the second is the upper insulating layer, with the upper electrode applied to the upper insulating layer, the filamentous nanocrystal shell partially covers the length of the filamentous nanocrystal core, the lower conductive layer of the flexible polymer matrix is located in the region of the filamentous nanocrystal envelope, and the insulating layer of the flexible polymer matrix and the upper electrode are located in the region of the core of the whisker nanocrystals.

Нижний проводящий слой гибкой полимерной матрицывыполнен оптически непрозрачным, является первым электродом, характеризуется высокой электрической проводимостью и осуществляет контакт с оболочками нитевидных нанокристаллов. The lower conductive layer of the flexible polymer matrix is optically opaque, is the first electrode, is characterized by high electrical conductivity and makes contact with the shells of the filamentary nanocrystals.

Изолирующий слой, расположенный в области ядер нитевидных нанокристаллов, обладает высокой оптической прозрачностью. The insulating layer located in the region of the cores of the whisker nanocrystals has a high optical transparency.

Верхний электрод выполнен оптически полупрозрачным и расположен поверх изолирующего слоя гибкой полимерной матрицы в области ядра нитевидных нанокристаллов.The upper electrode is made optically semitransparent and is located above the insulating layer of the flexible polymer matrix in the region of the core of the whisker nanocrystals.

В данном случае нижний проводящий слой охватывает всю боковую поверхность нитевидных нанокристаллов, а верхний прозрачный электродпри этом охватывает верхушки ядер нитевидных нанокристаллов. Таким образом, площадьконтакта к нитевидным нанокристалламзначительно увеличивается, что способствует повышению эффективности транспортировки носителей зарядаи поглощению света в широком спектральном диапазоне. При этомфотосенсор обладает гибкостью и может быть расположенна поверхности любой формы.In this case, the lower conducting layer covers the entire lateral surface of the whisker nanocrystals, while the upper transparent electrode encompasses the tops of the whisker nanocrystal cores. Thus, the area of the contact to nanocrystals is significantly increased, which contributes to an increase in the efficiency of transport of charge carriers and absorption of light in a wide spectral range. In this case, the photosensor is flexible and can be located on surfaces of any shape.

На фиг. 1 приведен общий вид заявляемого фотосенсора.FIG. 1 shows a general view of the claimed photosensor.

На фиг. 2 представлен вид заявляемого фотосенсорав поперечном сечении.FIG. 2 shows a view of the inventive photosensor in cross section.

Массив III-V нитевидных нанокристаллов 1 инкапсулирован в гибкую полимерную матрицу, состоящую из трех слоев 2, 3, 4. Нижний проводящий слой 2 – объемный электродиз непрозрачного проводящего полимера - расположен вокруг оболочек нитевидных нанокристаллов. Прозрачный изолирующий полимерный слой 3 расположен поверх электрода 2 и вокруг открытых ядер нитевидных нанокристаллов, освобожденных от оболочек. Верхний прозрачный электрод 4 нанесен поверх изолирующего полимерного слоя 3 и контактирует с верхушками ядер нитевидных нанокристаллов (фиг. 1).An array of III-V whisker nanocrystals 1 is encapsulated in a flexible polymer matrix consisting of three layers 2, 3, 4. The lower conducting layer 2, a bulk electrode of an opaque conducting polymer, is located around the shells of whisker nanocrystals. A transparent insulating polymer layer 3 is located over the electrode 2 and around the open cores of filamentary nanocrystals, freed from the shells. The upper transparent electrode 4 is applied over the insulating polymer layer 3 and contacts the tops of the whisker nanocrystals cores (Fig. 1).

В качестве верхнего электрода, контактирующего с нитевидными кристаллами, могут быть использованыполупрозрачные металлические слои, проводящие оксиды или иные материалы, подбираемые в каждом конкретном случае.As the upper electrode in contact with the whiskers, semi-transparent metal layers, conductive oxides or other materials selected in each case can be used.

Внутри нитевидных нанокристаллов 1 сформированарадиальнаягетероструктура, состоящая из ядра 6 и оболочки 7 c разными типами легирования. Нанижнем 2 и верхнем 4 электродахрасположены контактные площадки 5 для соединения гибкой полимерной мембраны при помощи проводов 8 с внешней электрической цепью (фиг. 2).Inside the whisker nanocrystals 1, a radial heterostructure is formed, consisting of a core 6 and a shell 7 with different types of doping. On the lower 2 and upper 4 electrodes are contact pads 5 for connecting a flexible polymer membrane using wires 8 with an external electrical circuit (Fig. 2).

Принцип работы фотосенсора заключается в следующем. Поглощение падающего излучения в оптически активном материале нитевидных кристаллов 1 приводит генерации носителей заряда. Формирование электрического тока происходит при разделении генерируемых носителей заряда при приложении разности потенциалов к нижнему 2 и верхнему 4 электродам. В рабочем режиме электрический ток с одной стороны собирается со всех оболочек7 инкапсулированных нитевидных нанокристаллов 1 при помощи нижнего проводящего слоя 2, а с другой стороны - растекается через верхний электрод 4 к верхушкам ядер 6нанокристаллов. При этом внутри нитевидных нанокристаллов1 ток течёт от ядра 6 к оболочке 7. Вывод тока во внешний участок электрической цепи осуществляется через контактные площадки 5 и подсоединенные к ним провода 8.The principle of operation of the photosensor is as follows. The absorption of incident radiation in the optically active material of whiskers 1 results in the generation of charge carriers. The formation of an electric current occurs when the generated charge carriers are separated when a potential difference is applied to the lower 2 and upper 4 electrodes. In the operating mode, the electric current on one side is collected from all shells 7 of the encapsulated filamentary nanocrystals 1 with the help of the lower conducting layer 2, and on the other hand, it spreads through the upper electrode 4 to the tops of the nuclei 6 of nanocrystals. In this case, inside the filamentous nanocrystals 1, the current flows from the core 6 to the shell 7. The current is output to the external section of the electric circuit through the contact pads 5 and the wires 8 connected to them.

Эффективное поглощение света осуществляется за счет высокой плотности нитевидных нанокристаллов 1. При этом высокая разница в показателях преломления полупроводникового материаланитевидных кристаллов 1 и проводящего полимера, используемого для получения непрозрачного электрода 2, подавляет утечки электромагнитной энергии в материал проводящего полимера. Массив выступающих ядер 6 нитевидных нанокристаллов1 обладает естественными антиотражающими свойствами, способствующими деформированию фронта падающей световой волны в множественные точечные центры рассеянного излучения, которое может быть эффективно захвачено материалом нитевидного нанокристалла1 и поглощено в активной области, поскольку материалы ядра6 и оболочки 7 оптически прозрачны в требуемом спектральном диапазоне. Efficient light absorption is achieved due to the high density of filamentary nanocrystals 1. At the same time, a high difference in the refractive indices of the semiconducting material filamentary crystals 1 and the conductive polymer used to obtain the opaque electrode 2 suppresses the leakage of electromagnetic energy into the conductive polymer material. The array of protruding cores 6 of whisker nanocrystals1 possesses natural antireflection properties that contribute to the deformation of the front of the incident light wave into multiple point centers of scattered radiation, which can be effectively captured by the filamentous nanocrystal material1 and absorbed in the active region, since the materials of the core6 and shell 7 are optically transparent in the required spectral range ...

Нанесение верхнего прозрачного электрода облегчено естественной планаризацией контактной поверхности нитевидных нанокристаллов, реализуемой в результате отделения кристаллов от ростовой подложки: основания всех нитевидных нанокристаллов после отделения находятся на одном уровне вне зависимости от морфологических особенностей кристаллов, таких как длина, диаметр, форма и поверхностная плотность структур. The deposition of the upper transparent electrode is facilitated by the natural planarization of the contact surface of whisker nanocrystals, which is realized as a result of the separation of crystals from the growth substrate: the bases of all whisker nanocrystals after separation are at the same level, regardless of the morphological features of the crystals, such as the length, diameter, shape, and surface density of structures.

Таким образом, в предлагаемой полезной модели благодаря увеличению площади электрического контакта к нитевидным нанокристалламсокращается путь транспортировки носителей заряда, значительно снижаются рекомбинационные потери, в результате чего достигается снижение контактного сопротивления, повышение эффективности работы фотосенсора и снижение стоимости производства. Thus, in the proposed utility model, due to an increase in the area of electrical contact to the filamentary nanocrystals, the path of transport of charge carriers is shortened, recombination losses are significantly reduced, as a result of which a decrease in contact resistance, an increase in the efficiency of the photosensor and a decrease in production costs are achieved.

Claims (4)

1. Фотосенсор на основе гибкой мембраны с нитевидными нанокристаллами, характеризующийся тем, что содержит массив нанокристаллов, представляющих собой ядро одного типа проводимости и оболочку с фотоактивной областью и слоем другого типа проводимости, встроенных в гибкую полимерную матрицу и отделенных от ростовой подложки, при этом гибкая полимерная матрица содержит два слоя, один из которых является нижним проводящим слоем, а второй – верхним изолирующим слоем, причем на верхний изолирующий слой нанесен верхний электрод, оболочка нитевидных нанокристаллов частично покрывает длину ядра нитевидных нанокристаллов, нижний проводящий слой гибкой полимерной матрицы расположен в области оболочки нитевидных нанокристаллов, а изолирующий слой гибкой полимерной матрицы и верхний электрод расположены в области ядра нитевидных нанокристаллов.1. A photosensor based on a flexible membrane with whisker nanocrystals, characterized by the fact that it contains an array of nanocrystals, which are a core of one type of conductivity and a shell with a photoactive region and a layer of another type of conductivity, embedded in a flexible polymer matrix and separated from the growth substrate, while flexible the polymer matrix contains two layers, one of which is the lower conductive layer, and the second is the upper insulating layer, with an upper electrode applied to the upper insulating layer, the filamentous nanocrystal shell partially covers the length of the filamentous nanocrystal core, the lower conductive layer of the flexible polymer matrix is located in the shell region whisker nanocrystals, and the insulating layer of the flexible polymer matrix and the upper electrode are located in the core region of the whisker nanocrystals. 2. Фотосенсор по п. 1, характеризующийся тем, что нижний проводящий слой гибкой полимерной матрицы выполнен оптически непрозрачным.2. The photosensor according to claim 1, characterized in that the lower conductive layer of the flexible polymer matrix is optically opaque. 3. Фотосенсор по п. 1, характеризующийся тем, что изолирующий слой выполнен оптически прозрачным.3. Photosensor according to claim 1, characterized in that the insulating layer is optically transparent. 4. Фотосенсор по п. 1, характеризующийся тем, что верхний электрод выполнен оптически полупрозрачным.4. Photosensor according to claim 1, characterized in that the upper electrode is optically translucent.
RU2020120992U 2020-06-25 2020-06-25 PHOTOSENSOR BASED ON A FLEXIBLE MEMBRANE WITH FILAMENT NANOCRYSTALS RU199472U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020120992U RU199472U1 (en) 2020-06-25 2020-06-25 PHOTOSENSOR BASED ON A FLEXIBLE MEMBRANE WITH FILAMENT NANOCRYSTALS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020120992U RU199472U1 (en) 2020-06-25 2020-06-25 PHOTOSENSOR BASED ON A FLEXIBLE MEMBRANE WITH FILAMENT NANOCRYSTALS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU199472U1 true RU199472U1 (en) 2020-09-02

Family

ID=72421390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020120992U RU199472U1 (en) 2020-06-25 2020-06-25 PHOTOSENSOR BASED ON A FLEXIBLE MEMBRANE WITH FILAMENT NANOCRYSTALS

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU199472U1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU221953U1 (en) * 2023-09-28 2023-12-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Elastic LED matrix emitting in the ultraviolet range

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002073699A2 (en) * 2001-03-14 2002-09-19 University Of Massachusetts Nanofabrication
US20130269762A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-17 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Core-shell nanostructure based photovoltaic cells and methods of making same
RU2517924C2 (en) * 2011-12-08 2014-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Semiconductor photoconverter
US8816324B2 (en) * 2010-02-25 2014-08-26 National University Corporation Hokkaido University Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8932940B2 (en) * 2008-10-28 2015-01-13 The Regents Of The University Of California Vertical group III-V nanowires on si, heterostructures, flexible arrays and fabrication
RU197477U1 (en) * 2019-12-09 2020-04-30 Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук" (СПБАУ РАН им. Ж.И. Алферова) Functional three-dimensional component of an optoelectronic device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002073699A2 (en) * 2001-03-14 2002-09-19 University Of Massachusetts Nanofabrication
US8932940B2 (en) * 2008-10-28 2015-01-13 The Regents Of The University Of California Vertical group III-V nanowires on si, heterostructures, flexible arrays and fabrication
US8816324B2 (en) * 2010-02-25 2014-08-26 National University Corporation Hokkaido University Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
RU2517924C2 (en) * 2011-12-08 2014-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Semiconductor photoconverter
US20130269762A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-17 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Core-shell nanostructure based photovoltaic cells and methods of making same
RU197477U1 (en) * 2019-12-09 2020-04-30 Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук" (СПБАУ РАН им. Ж.И. Алферова) Functional three-dimensional component of an optoelectronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU221953U1 (en) * 2023-09-28 2023-12-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Elastic LED matrix emitting in the ultraviolet range

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9082920B2 (en) Back contact solar cell and manufacturing method thereof
CN105378940B (en) The translucent photovoltaic monocell of thin layer
EP2219222B1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20100252094A1 (en) High-Efficiency Solar Cell and Method of Manufacturing the Same
DE102010036187A1 (en) Encapsulated Photovoltaic Concentration System Subassembly for III-V Semiconductor Solar Cells
CN103367465B (en) A kind of multijunction solar cell having metallic mirror and preparation method thereof
KR20200006791A (en) Hetero junction tandem solar cell and manufacturing method
CN109698248A (en) Enhance the production method of the silicon detector array device of blue light efficiency
JP5948148B2 (en) Photoelectric conversion device
KR20150013306A (en) Hetero-contact solar cell and method for the production thereof
JP3781600B2 (en) Solar cell
RU199472U1 (en) PHOTOSENSOR BASED ON A FLEXIBLE MEMBRANE WITH FILAMENT NANOCRYSTALS
KR100741306B1 (en) High efficiency solar cells and manufacturing method the same
WO2012057604A1 (en) Nanostructure-based photovoltaic cell
TW201304172A (en) Photo-electric conversion element
CN104488092B (en) Thin layer photocell structure with mirror layer
TW201442260A (en) Solar cell and manufacturing method thereof
KR101230639B1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR20120036115A (en) Flexible solar cell and method of fabricating the same
KR20110039777A (en) Solar cell and method of fabricating the same
JPH03263880A (en) Solar cell and manufacture thereof
CN109712999A (en) Blue light enhanced sensitivity silicon substrate avalanche photodiode array device
JP2013219073A (en) Photoelectric conversion element
US20230141956A1 (en) Solar cell module, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
JPH0230190B2 (en)