RU168403U1 - DEVICE FOR DETECTING HETEROGENEITY ON FLAT BOUNDARIES OF A FLOW OF SINGLE TYPE CONDUCTING PRODUCTS IN INFRARED RADIATION - Google Patents

DEVICE FOR DETECTING HETEROGENEITY ON FLAT BOUNDARIES OF A FLOW OF SINGLE TYPE CONDUCTING PRODUCTS IN INFRARED RADIATION Download PDF

Info

Publication number
RU168403U1
RU168403U1 RU2016122677U RU2016122677U RU168403U1 RU 168403 U1 RU168403 U1 RU 168403U1 RU 2016122677 U RU2016122677 U RU 2016122677U RU 2016122677 U RU2016122677 U RU 2016122677U RU 168403 U1 RU168403 U1 RU 168403U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sew
radiation
incidence
plane
receiver
Prior art date
Application number
RU2016122677U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алексей Константинович Никитин
Герман Николаевич Жижин
Татьяна Александровна Рыжова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН)
Priority to RU2016122677U priority Critical patent/RU168403U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU168403U1 publication Critical patent/RU168403U1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к оптическим методам контроля качества поверхности металлов и полупроводников, а именно - к инфракрасной (ИК) амплитудной рефлектометрии. Устройство содержит источник р-поляризованного монохроматического излучения, два элемента преобразования излучения в ПЭВ, приемник излучения, размещенный в окружающей среде в плоскости падения, и измерительный прибор, регистрирующий поступающие от приемника электрические сигналы. Причем оба элемента преобразования выполнены в виде сегментов цилиндров, оси которых ориентированы перпендикулярно плоскости падения, а выпуклые поверхности способны направлять ПЭВ и имеют длину дуги в поперечном сечении меньше длины распространения ПЭВ. Для последовательного перемещения изделий перпендикулярно плоскости падения устройство имеет лентопротяжный механизм. Техническим результатом является уменьшение продолжительности измерений. 2 ил.The utility model relates to optical methods for monitoring the surface quality of metals and semiconductors, namely to infrared (IR) amplitude reflectometry. The device contains a source of p-polarized monochromatic radiation, two elements of the conversion of radiation into SEW, a radiation receiver located in the environment in the plane of incidence, and a measuring device that registers the electrical signals received from the receiver. Moreover, both transformation elements are made in the form of cylinder segments, the axes of which are oriented perpendicular to the plane of incidence, and convex surfaces are able to direct SEW and have an arc length in the cross section less than the propagation length of the SEW. For sequential movement of products perpendicular to the plane of incidence, the device has a tape drive mechanism. The technical result is to reduce the duration of the measurements. 2 ill.

Description

Полезная модель относится к оптическим методам контроля качества поверхности металлов и полупроводников, а именно - к инфракрасной (ИК) амплитудной рефлектометрии, в которой взаимодействие зондирующего излучения с поверхностью опосредовано поверхностной электромагнитной волной (ПЭВ), возбуждаемой падающим излучением и направляемой поверхностью, и может найти применение в микроэлектронике при производстве металлизированных подложек микросхем, в лазерной технике при изготовлении металлических зеркал, в высокотехнологическом производстве для контроля качества металлических изделий и металлизированных материалов различного специального назначения.The utility model relates to optical methods for monitoring the surface quality of metals and semiconductors, namely to infrared (IR) amplitude reflectometry, in which the interaction of the probe radiation with the surface is mediated by a surface electromagnetic wave (SEW) excited by incident radiation and directed by the surface, and can be used in microelectronics in the production of metallized microcircuit substrates, in laser technology in the manufacture of metal mirrors, in high-tech manufacturing dstve for quality control of metal products and metallic materials of various special purpose.

Одна из основных областей применения ИК ПЭВ - абсорбционная спектроскопия поверхности твердого тела, в которой мерой поглощения излучения поверхностью является длина распространения ПЭВ, определяемая путем промера интенсивности поля ПЭВ вдоль ее трека [1].One of the main fields of application of IR SEW is absorption spectroscopy of a solid surface, in which the measure of absorption of radiation by a surface is the SEW propagation length, determined by measuring the intensity of the SEW field along its track [1].

Известно устройство, реализующее оптический способ индикации конденсата на зеркальных металлических поверхностях посредством ИК ПЭВ [2]. Устройство содержит источник р-поляризованного монохроматического излучения, призменный элемент преобразования излучения в ПЭВ, удаленный от него вдоль трека ПЭВ на макроскопическое (по сравнению с длиной волны λ излучения) расстояние, призменный элемент преобразования ПЭВ в объемную волну, размещенный в окружающей среде приемник излучения, измерительный прибор, регистрирующий поступающие от приемника электрические сигналы, и холодильник, приведенный в тепловой контакт с металлическим образцом и охлаждающий его до точки росы. Основным недостатком известного устройства является невозможность контролировать всю поверхность грани образца.A device is known that implements an optical method for indicating condensate on mirrored metal surfaces by means of IR sew [2]. The device contains a source of p-polarized monochromatic radiation, a prismatic element for converting radiation into a SEW, distant from it along the SEW track at a macroscopic (compared to the wavelength λ radiation) distance, a prismatic element for converting SEW into a body wave, a radiation receiver placed in the environment, a measuring device that registers electrical signals from the receiver and a refrigerator brought into thermal contact with a metal sample and cools it to the dew point. The main disadvantage of the known device is the inability to control the entire surface of the face of the sample.

Известно устройство, реализующее оптический способ изучения и контроля качества поверхности заготовок микросхем с использованием ПЭВ ИК-диапазона [3]. Устройство содержит источник р-поляризованного монохроматического излучения, поворотный предметный столик для размещения на нем объекта исследований, призменный элемент преобразования излучения в ПЭВ, удаленный от него вдоль трека ПЭВ на макроскопическое (по сравнению с λ) расстояние. призменный элемент преобразования ПЭВ в объемную волну, размещенный в окружающей среде приемник излучения, измерительный прибор, регистрирующий поступающие от приемника электрические сигналы, и компьютер для накопления и обработки данных, поступающих от приемника. Устройство позволяет зондировать контролируемый участок поверхности заготовки микросхемы пучком ПЭВ, проходящим через участок в различных направлениях, что делает возможным оконтуривание неоднородности. Основными недостатками известного устройства являются большая продолжительность измерений и необходимость тщательной юстировки элементов схемы при смене объекта исследований.A device is known that implements an optical method for studying and controlling the quality of the surface of blanks of microcircuits using infrared sew-band [3]. The device contains a source of p-polarized monochromatic radiation, a rotary stage for placing an object of research on it, a prismatic element for the conversion of radiation into SEW, removed from it along the SEW track by a macroscopic (in comparison with λ) distance. a prismatic element for converting a SEW into a body wave, a radiation receiver located in the environment, a measuring device that registers electrical signals from the receiver, and a computer for accumulating and processing data from the receiver. The device allows you to probe a controlled area of the surface of the workpiece microcircuit PEV beam passing through the site in different directions, which makes it possible to contour the heterogeneity. The main disadvantages of the known device are the long duration of the measurements and the need for careful adjustment of circuit elements when changing the object of study.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является устройство, реализующее способ локализации неоднородностей плоской металлической поверхности в ИК-излучении [4]. Известное устройство содержит источник р-поляризованного монохроматического излучения, апертурный элемент преобразования излучения в пучок ПЭВ, перемещаемую вдоль трека пучка плоскую матрицу приемников излучения и устройство обработки поступающих с матрицы электрических сигналов. Смещая матрицу вдоль трека, регистрируют распределение поля ПЭВ над контролируемым участком поверхности; вариации распределения позволяют оконтурить неоднородность в направлении распространения ПЭВ. Переместив элемент преобразования на противоположную сторону грани образца и выполнив аналогичные измерения, определяют местоположение второй половины границы неоднородности. Основными недостатками устройства-прототипа являются большая продолжительность измерений, низкая точность локализации неоднородностей из-за перекрытия объемных волн, порождаемых при дифракции ПЭВ на крае неоднородности, необходимость тщательной юстировки элементов схемы при смене объекта исследований.The closest in technical essence to the claimed device is a device that implements a method for localizing inhomogeneities of a flat metal surface in infrared radiation [4]. The known device comprises a source of p-polarized monochromatic radiation, an aperture element for converting radiation into a PEV beam, a flat matrix of radiation receivers moved along the beam track, and a device for processing electric signals coming from the matrix. By shifting the matrix along the track, the distribution of the SEW field over the controlled surface area is recorded; distribution variations allow to outline the heterogeneity in the direction of propagation of sew. By moving the transformation element to the opposite side of the sample face and performing similar measurements, determine the location of the second half of the heterogeneity boundary. The main disadvantages of the prototype device are the long duration of measurements, the low accuracy of localization of inhomogeneities due to the overlap of body waves generated by diffraction of surface electromagnetic waves at the edge of heterogeneity, the need for careful alignment of the circuit elements when changing the object of study.

Техническим результатом, на достижение которого направлена полезная модель, является уменьшение продолжительности измерений.The technical result, which the utility model aims to achieve, is to reduce the duration of the measurements.

Технический результат достигается тем, что устройство для обнаружения неоднородностей на плоских гранях потока однотипных проводящих изделий в инфракрасном излучении, содержащее источник р-поляризованного монохроматического излучения, элемент преобразования излучения в ПЭВ, приемник излучения, размещенный в окружающей среде в плоскости падения, и измерительный прибор, регистрирующий поступающие от приемника электрические сигналы, дополнительно содержит еще один элемент преобразования излучения в ПЭВ, причем оба элемента выполнены в виде сегментов цилиндров, оси которых ориентированы перпендикулярно плоскости падения, а выпуклые поверхности способны направлять ПЭВ и имеют длину дуги в поперечном сечении меньше длины распространения ПЭВ; кроме того, устройство содержит лентопротяжный механизм для последовательного перемещения изделий перпендикулярно плоскости падения.The technical result is achieved by the fact that a device for detecting inhomogeneities on the flat faces of the flow of the same type of conductive products in infrared radiation, containing a source of p-polarized monochromatic radiation, an element for converting radiation into a SEW, a radiation receiver placed in the environment in the plane of incidence, and a measuring device, recording electrical signals received from the receiver, additionally contains another element for the conversion of radiation into SEW, and both elements are made in the form of segments of cylinders whose axes are oriented perpendicular to the plane of incidence, and convex surfaces capable of directing the PEV and have an arc length in cross-section smaller than the propagation length SEW; in addition, the device comprises a tape drive for sequentially moving products perpendicular to the plane of incidence.

Уменьшение продолжительности измерений достигается в результате: 1) неподвижности обоих элементов преобразования (излучения источника в ПЭВ и ПЭВ в объемную волну), что позволяет исключить их юстировку при контроле каждого следующего изделия; 2) дистанцированности обоих элементов преобразования на макроскопическое расстояние от контролируемых изделий, что снижает требование к точности установки изделий и обеспечивает бесконтактность измерений; 3) применения лентопротяжного механизма для последовательного экспонирования изделий под пучок зондирующего излучения. Возможность макроскопического дистанцирования элементов преобразования от контролируемых граней изделий обосновывается способностью ПЭВ ИК-диапазона преодолевать с приемлемыми потерями воздушные зазоры (величиной до 103⋅λ) между направляющими их подложками [5].A reduction in the measurement duration is achieved as a result of: 1) the immobility of both conversion elements (radiation from the source in the SEW and SEW into the body wave), which makes it possible to exclude their adjustment during the control of each subsequent product; 2) the distance of both conversion elements at a macroscopic distance from the controlled products, which reduces the requirement for the accuracy of installation of the products and ensures non-contact measurements; 3) the use of a tape drive for sequential exposure of products under a probe beam. The possibility of macroscopic distance of the conversion elements from the controlled faces of the products is justified by the ability of the IR-IR sewer to overcome air gaps (up to 10 3 ⋅λ) between the guiding substrates with acceptable losses [5].

На Фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, где цифрами обозначены: 1 - источник ИК-излучения; 2 - элемент преобразования объемного излучения в ПЭВ, выполненный в виде цилиндрического сегмента; 3 - плоскогранное проводящее изделие; 4 - лентопротяжный механизм; 5 - цилиндрический элемент преобразования объемного излучения в ПЭВ; 6 - приемник излучения; 7 - измерительный прибор, регистрирующий поступающие от приемника 6 электрические сигналы.In FIG. 1 shows a diagram of the inventive device, where the numbers denote: 1 - a source of infrared radiation; 2 - element for the conversion of volumetric radiation into SEW, made in the form of a cylindrical segment; 3 - flat conductive product; 4 - tape drive mechanism; 5 - a cylindrical element for converting volumetric radiation into SEW; 6 - radiation receiver; 7 - measuring device that registers electrical signals received from the receiver 6.

На Фиг. 2 приведен расчетный график значений относительной интенсивности ПЭВ по мере продвижения ленты механизма 4, несущей ряд однотипных плоскогранных изделий из золота с неоднородностью в виде слоя сульфида цинка толщиной 0.3 мкм, имеющего форму равностороннего треугольника со стороной 50 мм и вершиной, обращенной к источнику 1.In FIG. Figure 2 shows a calculated graph of the values of the relative intensity of SEW as the ribbon of mechanism 4 advances, bearing a series of the same type of flat-shaped gold products with heterogeneity in the form of a layer of zinc sulfide 0.3 μm thick, having the shape of an equilateral triangle with a side of 50 mm and a vertex facing source 1.

Заявляемое устройство работает следующим образом. Излучение источника 1 падает на ребро цилиндрической поверхности элемента 2, имеющей радиус кривизны не менее 100⋅λ, что обеспечивает неизлучающий характер ПЭВ на искривленной поверхности. Излучение дифрагирует на ребре и, с некоторой эффективностью, преобразуется в ПЭВ, направляемую выпуклой поверхностью элемента 2 [5]. Достигнув второго ребра выпуклой поверхности, ПЭВ трансформируется в объемную волну с узкой диаграммой направленности, захватывающей ребро контролируемой грани изделия 3, несомого лентой механизма 4 и пересекающего в этот момент плоскость распространения излучения. Преодолев воздушный зазор, отделяющий элемент 2 от изделия 3, объемная волна дифрагирует на ребре изделия 3 и генерирует на его грани новую ПЭВ. Затухая по экспоненте, эта ПЭВ достигает противоположного ребра грани, дифрагирует на нем и порождает еще одну объемную волну, пересекающую воздушный зазор, отделяющий изделие 3 от элемента 5, аналогичного по своим параметрам элементу 2. Взаимодействуя с ребром элемента 5, эта волна преобразуется в ПЭВ, направляемую его выпуклой поверхностью. Эта ПЭВ, достигнув второго ребра элемента 5, трансформируется в объемную волну, детектируемую приемником 6. Электрический сигнал, пропорциональный интенсивности излучения на входной апертуре приемника 6 регистрируется прибором 7. Если на пути ПЭВ, распространяющейся по грани изделия 3, встретится какая-либо неоднородность, то это приведет к уменьшению регистрируемого прибором 7 сигнала. Таким образом, признаком наличия неоднородности на поверхности изделия 3, а, следовательно, и критерием для его выбраковки, является достижение электрическим сигналом минимального порогового значения, задаваемого оператором после калибровки величины сигнала по эталонному образцу изделия 3. Отметим также, что цилиндрическая форма направляющих ПЭВ поверхностей элементов преобразования 2 и 5 обеспечивает надежную экранировку приемника 6 от паразитных засветок объемными волнами, порождаемыми при дифракции излучения на ребрах как обоих упомянутых элементов, так и на ребрах изделий 3.The inventive device operates as follows. The radiation of source 1 falls on the edge of the cylindrical surface of element 2, having a radius of curvature of at least 100⋅λ, which ensures the non-emitting character of SEW on a curved surface. The radiation diffracts on the edge and, with some efficiency, is converted into a SEW, directed by the convex surface of element 2 [5]. Having reached the second edge of the convex surface, the SEW is transformed into a body wave with a narrow radiation pattern that captures the edge of the controlled face of the product 3 carried by the tape of the mechanism 4 and intersects the radiation propagation plane at this moment. Having overcome the air gap separating the element 2 from the product 3, the body wave diffracts on the edge of the product 3 and generates a new SEW on its face. Attending exponentially, this SEW reaches the opposite edge of the face, diffracts on it and generates another body wave crossing the air gap separating the article 3 from element 5, which is similar in its parameters to element 2. Interacting with the edge of element 5, this wave is converted to SEV directed by its convex surface. This SEW, having reached the second edge of element 5, is transformed into a body wave detected by the receiver 6. An electrical signal proportional to the radiation intensity at the input aperture of the receiver 6 is detected by the device 7. If any inhomogeneity occurs on the SEW path propagating along the face of the product 3, this will lead to a decrease in the signal registered by the device 7. Thus, a sign of the presence of heterogeneity on the surface of the product 3, and, therefore, a criterion for its rejection, is the achievement by the electric signal of the minimum threshold value set by the operator after calibrating the signal value according to the reference sample of the product 3. We also note that the cylindrical shape of the PEV guiding surfaces conversion elements 2 and 5 provides reliable screening of the receiver 6 from spurious illumination by volume waves generated by diffraction of radiation on the edges as both -mentioned elements and the edges of the objects 3.

В качестве примера применения заявляемого устройства рассмотрим возможность обнаружения слоя сульфида цинка (ZnS) на плоских гранях находящегося в воздухе потока однотипных изделий 3 с непрозрачным золотым покрытием путем регистрации интенсивности ПЭВ, генерируемой излучением с λ=130 мкм. Для расчета длины распространения L и коэффициента поглощения α таких ПЭВ решим дисперсионное уравнение ПЭВ для трехслойной структуры [1], подставив в него диэлектрическую проницаемость золота, рассчитанную по модели Друде (столкновительная частота свободных электронов в золоте равна 215 см-1, плазменная частота - 72800 см-1), и полагая показатель преломления ZnS равным 3.95. Результаты расчетов показали, что для ПЭВ на золоте, не содержащем ZnS-покрытия, L=650 см, а величина α=1.5×10-3 см-1; в то время как при наличии ZnS слоя толщиной 0.3 мкм - L=70 см, что соответствует α=1.44×10-2 см-1. Предположим, что размеры плоской грани каждого из изделий равны 100×50 мм2, причем ПЭВ распространяется вдоль ее более длинного ребра (см. Фиг. 1). Пусть эта грань содержит неоднородность в виде ZnS слоя толщиной d=0.3 мкм, имеющего форму правильного треугольника со стороной 50 мм и опирающегося своим основанием на короткое ребро b грани. Тогда, величина нормированного сигнала I/Io (где Io - сигнал при d=0) с выхода приемника 6 при перемещении данного изделия от его края (х=0) до середины (x=b/2) будет описываться выражением:

Figure 00000001
; здесь αo и α - значения коэффициента поглощения ПЭВ при d=0 и d=0.3 мкм, соответственно. Графически расчетная зависимость I/Io(x) для одного изделия 3 представлена на Фиг. 2. Для последовательного же ряда таких изделий, размещенных на ленте механизма 4 с некоторым интервалом, приведенная зависимость I/Io(x) будет многократно повторена с падением сигнала до нуля в промежутке между изделиями, поскольку ПЭВ не могут преодолеть большой воздушный зазор между элементами 2 и 5. Отметим также, что устройство позволяет оценить размер неоднородности вдоль трека ПЭВ по величине регистрируемого относительного сигнала I/Io. Преодоление сигналом определенного минимального порогового значения, задаваемого оператором после калибровки устройства по эталонному образцу изделия 3, является критерием для выбраковки соответствующего изделия на конвейере 4.As an example of the application of the inventive device, we consider the possibility of detecting a layer of zinc sulfide (ZnS) on the flat faces of a stream of similar products 3 with an opaque gold coating in the air by recording the intensity of the SEW generated by radiation with λ = 130 μm. To calculate the propagation length L and the absorption coefficient α of such SEWs, we solve the dispersion equation of the SEW for a three-layer structure [1], substituting the dielectric constant of gold calculated according to the Drude model (the collision frequency of free electrons in gold is 215 cm -1 , the plasma frequency is 72800 cm -1 ), and setting the refractive index of ZnS equal to 3.95. The calculation results showed that for SEW on gold that does not contain a ZnS coating, L = 650 cm, and the value α = 1.5 × 10 -3 cm -1 ; while in the presence of a ZnS layer 0.3 μm thick - L = 70 cm, which corresponds to α = 1.44 × 10 -2 cm -1 . Assume that the dimensions of the flat face of each of the products are 100 × 50 mm 2 , with the SEW extending along its longer edge (see Fig. 1). Let this face contain an inhomogeneity in the form of a ZnS layer with a thickness of d = 0.3 μm, having the shape of a regular triangle with a side of 50 mm and resting its base on a short edge b of the face. Then, the value of the normalized signal I / I o (where I o is the signal at d = 0) from the output of receiver 6 when moving this product from its edge (x = 0) to the middle (x = b / 2) will be described by the expression:
Figure 00000001
; here α o and α are the values of the absorption coefficient of the SEW at d = 0 and d = 0.3 μm, respectively. Graphically, the calculated dependence I / I o (x) for one product 3 is presented in FIG. 2. For a consecutive series of such products placed on the tape of mechanism 4 with a certain interval, the given I / I o (x) dependence will be repeated many times with the signal falling to zero in the gap between the products, since the SEW cannot overcome the large air gap between the elements 2 and 5. Note also that the device allows you to estimate the size of the heterogeneity along the SEW track by the value of the recorded relative signal I / I o . Overcoming the signal with a certain minimum threshold value set by the operator after calibrating the device according to the reference sample of the product 3 is a criterion for rejecting the corresponding product on the conveyor 4.

Таким образом, по сравнению с прототипом, заявляемое устройство позволяет не только сократить время измерений, но и повысить их точность за счет повышения соотношения сигнал/шум путем экранирования приемника от паразитных засветок выпуклыми поверхностями элементов преобразования излучения.Thus, compared with the prototype, the claimed device allows not only to reduce the measurement time, but also to increase their accuracy by increasing the signal-to-noise ratio by shielding the receiver from spurious illumination by the convex surfaces of the radiation conversion elements.

Источники информации, принятые во внимание при составлении заявки:Sources of information taken into account when preparing the application:

1. Поверхностные поляритоны. Электромагнитные волны на поверхностях и границах раздела сред / Под ред. В.М. Аграновича и Д.Л. Миллса. - М.: Наука, 1985. - 525 с.1. Surface polaritons. Electromagnetic waves on surfaces and media interfaces / Ed. V.M. Agranovich and D.L. Mills. - M .: Nauka, 1985 .-- 525 p.

2. Алиева Е.В., Жижин Г.Н., Москалева М.А., Яковлев В.А. Способ индикации конденсата на зеркальных металлических поверхностях // Автор. св. СССР №1267331, Бюл. №40 от 30.10.1986 г.2. Alieva E.V., Zhizhin G.N., Moskaleva M.A., Yakovlev V.A. A method for indicating condensate on mirrored metal surfaces // Author. St. USSR No. 1267331, Bull. No.40 on 10/30/1986

3. Васильев А.Ф., Гушанская Н.Ю., Жижин Г.Н., Яковлев В.А. Применение спектроскопии ПЭВ для изучения и контроля качества поверхности заготовок микросхем // Оптика и спектроскопия, 1987, Т. 63, вып. 3, с. 682-684.3. Vasiliev A.F., Gushanskaya N.Yu., Zhizhin G.N., Yakovlev V.A. The use of SEW spectroscopy for the study and quality control of the surface of blanks of microcircuits // Optics and Spectroscopy, 1987, T. 63, no. 3, p. 682-684.

4. Никитин А.К., Князев Б.А., Жижин Г.Н. Способ локализации неоднородностей металлической поверхности в инфракрасном излучении // Патент РФ на изобретение №2479833, Бюл. №11 от 20.04.2013 г. (прототип)4. Nikitin A.K., Knyazev B.A., Zhizhin G.N. A method for localizing inhomogeneities of a metal surface in infrared radiation // RF patent for the invention No. 2479833, Bull. No. 11 of 04/20/2013 (prototype)

5. Gerasimov V.V., Knyazev В.А., Nikitin А.K., Zhizhin G.N. Experimental investigations into capability of terahertz surface plasmons to bridge macroscopic air gaps // Optics Express, 2015, v. 23, No. 26, p. 33448-33459.5. Gerasimov V.V., Knyazev V.A., Nikitin A.K., Zhizhin G.N. Experimental investigations into capability of terahertz surface plasmons to bridge macroscopic air gaps // Optics Express, 2015, v. 23, No. 26, p. 33448-33459.

Claims (1)

Устройство для обнаружения неоднородностей на плоских гранях потока однотипных проводящих изделий в инфракрасном излучении, содержащее источник р-поляризованного монохроматического излучения, элемент преобразования излучения в поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), приемник излучения, размещенный в окружающей среде в плоскости падения, и измерительный прибор, регистрирующий поступающие от приемника электрические сигналы, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит еще один элемент преобразования излучения в ПЭВ, причем оба элемента выполнены в виде сегментов цилиндров, оси которых ориентированы перпендикулярно плоскости падения, а выпуклые поверхности способны направлять ПЭВ и имеют длину дуги в поперечном сечении меньше длины распространения ПЭВ; кроме того, устройство содержит лентопротяжный механизм для последовательного перемещения изделий перпендикулярно плоскости падения.A device for detecting inhomogeneities on the flat faces of a stream of the same conductive products in infrared radiation, containing a source of p-polarized monochromatic radiation, an element for converting radiation into a surface electromagnetic wave (SEW), a radiation receiver placed in the environment in the plane of incidence, and a measuring device recording electrical signals coming from the receiver, characterized in that it further comprises another element for the conversion of radiation into SEW, and ba element embodied as cylinder segments, the axes of which are oriented perpendicular to the plane of incidence, and convex surfaces capable of directing the PEV and have an arc length in cross-section smaller than the propagation length SEW; in addition, the device comprises a tape drive for sequentially moving products perpendicular to the plane of incidence.
RU2016122677U 2016-06-09 2016-06-09 DEVICE FOR DETECTING HETEROGENEITY ON FLAT BOUNDARIES OF A FLOW OF SINGLE TYPE CONDUCTING PRODUCTS IN INFRARED RADIATION RU168403U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016122677U RU168403U1 (en) 2016-06-09 2016-06-09 DEVICE FOR DETECTING HETEROGENEITY ON FLAT BOUNDARIES OF A FLOW OF SINGLE TYPE CONDUCTING PRODUCTS IN INFRARED RADIATION

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016122677U RU168403U1 (en) 2016-06-09 2016-06-09 DEVICE FOR DETECTING HETEROGENEITY ON FLAT BOUNDARIES OF A FLOW OF SINGLE TYPE CONDUCTING PRODUCTS IN INFRARED RADIATION

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU168403U1 true RU168403U1 (en) 2017-02-01

Family

ID=58450785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016122677U RU168403U1 (en) 2016-06-09 2016-06-09 DEVICE FOR DETECTING HETEROGENEITY ON FLAT BOUNDARIES OF A FLOW OF SINGLE TYPE CONDUCTING PRODUCTS IN INFRARED RADIATION

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU168403U1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2737725C1 (en) * 2020-06-05 2020-12-02 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН) Method of rendering inhomogeneities of a flat semiconductor surface in terahertz radiation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2173837C2 (en) * 1999-11-17 2001-09-20 Российский Университет Дружбы Народов Wideband spectrometer of surface electromagnetic waves
US7719694B1 (en) * 2008-06-23 2010-05-18 Hrl Laboratories, Llc System and method of surface wave imaging to detect ice on a surface or damage to a surface
RU2479833C2 (en) * 2011-04-14 2013-04-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) Localisation method of non-homogeneities of metal surface in infrared radiation
RU2522775C1 (en) * 2013-02-12 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) Method for passive location of edges of metal rectangular parallelepiped in infrared radiation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2173837C2 (en) * 1999-11-17 2001-09-20 Российский Университет Дружбы Народов Wideband spectrometer of surface electromagnetic waves
US7719694B1 (en) * 2008-06-23 2010-05-18 Hrl Laboratories, Llc System and method of surface wave imaging to detect ice on a surface or damage to a surface
RU2479833C2 (en) * 2011-04-14 2013-04-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) Localisation method of non-homogeneities of metal surface in infrared radiation
RU2522775C1 (en) * 2013-02-12 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) Method for passive location of edges of metal rectangular parallelepiped in infrared radiation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2737725C1 (en) * 2020-06-05 2020-12-02 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН) Method of rendering inhomogeneities of a flat semiconductor surface in terahertz radiation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3986774A (en) Gauging surfaces by remotely tracking multiple images
JP2015508160A (en) Caliper coating measurement on web with continuous non-uniformity using THZ sensor
CN105333841B (en) Metal Surface Roughness detection method based on reflection-type terahertz time-domain spectroscopy
US9304190B2 (en) Method and system for unveiling hidden dielectric object
JPS5965708A (en) Sonde for automatic surface inspection
RU168403U1 (en) DEVICE FOR DETECTING HETEROGENEITY ON FLAT BOUNDARIES OF A FLOW OF SINGLE TYPE CONDUCTING PRODUCTS IN INFRARED RADIATION
Hasegawa et al. Remote identification of protrusions and dents on surfaces by terahertz reflectometry with spatial beam filtering and out-of-focus detection
RU2645008C1 (en) Device for measuring the length of infrared surface of the electromagnetic wave
RU2614660C1 (en) Device for detecting non-homogeneities on flat faces of conducting similar product flow in infrared radiation
RU2522775C1 (en) Method for passive location of edges of metal rectangular parallelepiped in infrared radiation
CN106091954B (en) Utilize the method for dielectric film control Otto structure hollow air gap thickness
RU2512659C2 (en) Method to measure length of distribution of infra-red superficial plasmons on real surface
WO2019173900A1 (en) Scanning caliper and basis weight sensor for sheet product using terahertz
Sakata et al. Stress-induced light scattering method for the detection of latent flaws on fine polished glass substrates
RU2660765C1 (en) Method of noncontact measurement of temperature in situ
Miroshnichenko et al. Development and justification of optical device for contactless measurement of the displacements of control object surfaces
RU2479833C2 (en) Localisation method of non-homogeneities of metal surface in infrared radiation
CN111536885A (en) Double-incidence-angle type terahertz time-domain spectral coating measuring method
CA2127477A1 (en) Non-contact measurement of displacement and changes in dimension of elongated objects such as filaments
WO2017036065A1 (en) Detection device of display panel assembly and detection method of display panel assembly
US20060164638A1 (en) Near-field film-thickness measurement apparatus
RU2477841C2 (en) Infrared amplitude-phase plasmon spectrometer
Nikitin et al. Quality control of solid surfaces by the method of surface plasmon interferometry in the terahertz range
US3322024A (en) Optical method for the inspection of a transparent object for deffects including comparing light energy at two stations
RU2709600C1 (en) Michelson interferometer for determination of refraction index of surface plasmon-polaritons of terahertz range