RU158910U1 - MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER - Google Patents

MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER Download PDF

Info

Publication number
RU158910U1
RU158910U1 RU2015131140/28U RU2015131140U RU158910U1 RU 158910 U1 RU158910 U1 RU 158910U1 RU 2015131140/28 U RU2015131140/28 U RU 2015131140/28U RU 2015131140 U RU2015131140 U RU 2015131140U RU 158910 U1 RU158910 U1 RU 158910U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetoresistive
magnetic field
magnetoresistive elements
elements
bridge circuit
Prior art date
Application number
RU2015131140/28U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алексей Алексеевич Резнев
Александр Николаевич Сауров
Владимир Викторович Амеличев
Владимир Сергеевич Суханов
Александр Валерьевич Сватков
Сергей Иванович Касаткин
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ filed Critical федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ
Priority to RU2015131140/28U priority Critical patent/RU158910U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU158910U1 publication Critical patent/RU158910U1/en

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

1. Магниторезистивный преобразователь магнитного поля, содержащий тонкопленочные магниторезистивные элементы, соединенные по мостовой схеме, отличающийся тем, что в каждом плече мостовой схемы параллельно соединены ряды последовательно соединенных магниторезистивных элементов с однонаправленным изменением сопротивления под действием магнитного поля.2. Магниторезистивный преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что магниторезистивные элементы выполнены в виде магниторезистивных элементов с анизотропным магниторезистивным эффектом.1. Magnetoresistive magnetic field transducer containing thin-film magnetoresistive elements connected by a bridge circuit, characterized in that in each arm of the bridge circuit, rows of series-connected magnetoresistive elements with a unidirectional change in resistance under the influence of a magnetic field are connected in parallel. The magnetoresistive converter according to claim 1, characterized in that the magnetoresistive elements are made in the form of magnetoresistive elements with an anisotropic magnetoresistive effect.

Description

Полезная модель относится к области приборостроения, в частности к датчикам и преобразователям физических величин и может быть использовано в приборах контроля и измерения вектора магнитного поля.The utility model relates to the field of instrumentation, in particular to sensors and converters of physical quantities and can be used in devices for monitoring and measuring the magnetic field vector.

Известна конструкция анизотропного магниторезистивного датчика, состоящего из резистивных полосок, соединенных в мостовую схему (Патент на изобретение РФ №2279737 H01L 43/08 опубл. 10.07.2006 г.).A known design of an anisotropic magnetoresistive sensor consisting of resistive strips connected to a bridge circuit (Patent for the invention of the Russian Federation No. 2279737 H01L 43/08 publ. 10.07.2006).

Известна конструкция анизотропного магниторезистивного датчика по изобретению РФ №2312429, H01L 43/08 опубл. 10.12.2007 г.). Магниторезистивный датчик содержит тонкопленочные магниторезистивные элементы, соединенные по мостовой схеме.A known construction of an anisotropic magnetoresistive sensor according to the invention of the Russian Federation No. 2312429, H01L 43/08 publ. December 10, 2007). The magnetoresistive sensor contains thin-film magnetoresistive elements connected by a bridge circuit.

Недостатками указанных датчиков является наличие достаточно высокого значения уровня шумов в широком частотном диапазоне. Причиной шумов являются неоднородности в проводящей среде (дефекты структуры тонкой магниторезистивной пленки, границы магниторезистивной пленки, границы магниторезистивных полосок и областей контактов магниторезистивного материала с низкоомными шунтами и перемычками и тепловое движение носителей зарядов.The disadvantages of these sensors is the presence of a sufficiently high noise level in a wide frequency range. The cause of the noise is inhomogeneities in the conducting medium (structural defects of a thin magnetoresistive film, the boundaries of the magnetoresistive film, the boundaries of the magnetoresistive strips and the contact areas of the magnetoresistive material with low-resistance shunts and jumpers, and the thermal motion of the charge carriers.

Задачей полезной модели является создание более эффективного магниторезистивного преобразователя.The objective of the utility model is to create a more efficient magnetoresistive converter.

Технический результат заключается в снижении уровня собственных шумов магниторезистивного преобразователя и повышении его динамического диапазона, и, как следствие, увеличении отношения сигнал/шум в широком частотном диапазоне.The technical result consists in reducing the intrinsic noise level of the magnetoresistive converter and increasing its dynamic range, and, as a result, increasing the signal-to-noise ratio in a wide frequency range.

Для достижения вышеуказанного технического результата по второму объекту в магниторезистивном преобразователе магнитного поля, содержащем тонкопленочные магниторезистивные элементы, соединенные по мостовой схеме, в каждом плече мостовой схемы магниторезистивные элементы последовательно соединены в ряды, а ряды соединены параллельно, магниторезистивные элементы выполнены с однонаправленным изменением сопротивления под действием магнитного поля.To achieve the above technical result for the second object in a magnetoresistive magnetic field transducer containing thin-film magnetoresistive elements connected by a bridge circuit, in each arm of the bridge circuit, the magnetoresistive elements are connected in series in series and the rows are connected in parallel, magnetoresistive elements are made with a unidirectional change in resistance under the action magnetic field.

В частных случаях выполнения полезной модели магниторезистивные элементы выполнены в виде магниторезистивных элементов с анизотропным магниторезистивным эффектом.In particular cases of the utility model, the magnetoresistive elements are made in the form of magnetoresistive elements with an anisotropic magnetoresistive effect.

Между совокупностью существенных признаков и достигаемым техническим результатом существует причинно-следственная связь.Between the totality of essential features and the achieved technical result, there is a causal relationship.

Уровень шумов мостового магниторезистивного преобразователя зависит от величины сопротивлений каждого из его плеча. Параллельное включение резисторов в плече уменьшает суммарное значение сопротивления и, следовательно, уменьшает уровень шумов. Формула Найквиста для расчета уровня шумов показывает: при параллельном включении N резисторов, их уровень шумов падает в N1/2 раз. Таким образом, мостовой магниторезистивный преобразователь, каждое плечо которого состоит из N параллельных магниторезистивных полосок будет иметь уровень собственных шумов в N1/2 раз меньше, чем прототип.The noise level of the bridge magnetoresistive converter depends on the resistance values of each of its arm. The parallel inclusion of resistors in the shoulder reduces the total value of the resistance and, therefore, reduces the noise level. The Nyquist formula for calculating the noise level shows: when N resistors are connected in parallel, their noise level drops by N 1/2 times. Thus, a bridge magnetoresistive transducer, each arm of which consists of N parallel magnetoresistive strips, will have a noise floor N 1/2 times less than the prototype.

Уровень шума магниторезистивного преобразователя с мостовой схемой включения снижается за счет параллельного подключения нескольких рядов магниточувствительных элементов в каждом плече мостовой схемы, что обеспечивает снижение амплитуды флуктуаций в каждом из них. Поскольку флуктуации тока в каждом из этих магниторезистивных элементов не совпадают по фазе, а их суперпозиция имеет меньшее амплитудное значение.The noise level of a magnetoresistive converter with a bridge switching circuit is reduced due to the parallel connection of several rows of magnetically sensitive elements in each arm of the bridge circuit, which reduces the amplitude of fluctuations in each of them. Since the current fluctuations in each of these magnetoresistive elements do not coincide in phase, and their superposition has a lower amplitude value.

При этом значение относительно магниточувствительности не ухудшается, поскольку величина магниторезистивного эффекта при этом не меняется.Moreover, the value relative to the magnetosensitivity does not deteriorate, since the magnitude of the magnetoresistive effect does not change.

Полезная модель поясняется схемой магниторезистивного преобразователя.The utility model is illustrated by a magnetoresistive converter circuit.

Магниторезистивный преобразователь магнитного поля содержит тонкопленочные магниторезистивные элементы 1, соединенные по мостовой схеме, причем в каждом плече 2 мостовой схемы параллельно соединено, по меньшей мере, два ряда последовательно соединенных магниторезистивных элементов 1 с однонаправленным изменением сопротивления под действием магнитного поля (фиг.).The magnetoresistive magnetic field transducer contains thin-film magnetoresistive elements 1 connected in a bridge circuit, with at least two rows of magnetically resistive elements 1 connected in series with a unidirectional change in resistance under the influence of a magnetic field in each arm 2 of the bridge circuit (Fig.).

Магниторезистивные элементы 1 могут быть выполнены в виде магниторезистивных элементов с анизотропным магниторезистивным эффектом. Магниторезистивные элементы могут быть выполнены в виде полосок.Magnetoresistive elements 1 can be made in the form of magnetoresistive elements with an anisotropic magnetoresistive effect. Magnetoresistive elements can be made in the form of strips.

В настоящее время в анизотропных магниторезистивных датчиках применяются пермаллоевые (FeNi) и FeNiCo магниторезистивные полоски.Currently, permalloy (FeNi) and FeNiCo magnetoresistive strips are used in anisotropic magnetoresistive sensors.

Магниторезистивный преобразователь магнитного поля может быть изготовлен на стандартном оборудовании с использованием известных методов, используемых в микроэлектронике.Magnetoresistive magnetic field transducer can be manufactured on standard equipment using well-known methods used in microelectronics.

Claims (2)

1. Магниторезистивный преобразователь магнитного поля, содержащий тонкопленочные магниторезистивные элементы, соединенные по мостовой схеме, отличающийся тем, что в каждом плече мостовой схемы параллельно соединены ряды последовательно соединенных магниторезистивных элементов с однонаправленным изменением сопротивления под действием магнитного поля.1. Magnetoresistive magnetic field transducer containing thin-film magnetoresistive elements connected by a bridge circuit, characterized in that in each arm of the bridge circuit, rows of series-connected magnetoresistive elements with a unidirectional change in resistance under the influence of a magnetic field are connected in parallel. 2. Магниторезистивный преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что магниторезистивные элементы выполнены в виде магниторезистивных элементов с анизотропным магниторезистивным эффектом.
Figure 00000001
2. The magnetoresistive converter according to claim 1, characterized in that the magnetoresistive elements are made in the form of magnetoresistive elements with an anisotropic magnetoresistive effect.
Figure 00000001
RU2015131140/28U 2015-07-28 2015-07-28 MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER RU158910U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015131140/28U RU158910U1 (en) 2015-07-28 2015-07-28 MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015131140/28U RU158910U1 (en) 2015-07-28 2015-07-28 MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014119940 Division 2014-05-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU158910U1 true RU158910U1 (en) 2016-01-20

Family

ID=55087575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015131140/28U RU158910U1 (en) 2015-07-28 2015-07-28 MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU158910U1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6403326B2 (en) Current sensor
CN103645369B (en) A kind of current sensor device
WO2018028147A1 (en) Liquid level detection method and liquid level sensor
CN104655919B (en) A kind of quasi- digital direct current large current sensor of single magnetic core
RU2727565C1 (en) Current measurement method and current measurement device
CN105021967A (en) Precision measurement of voltage drop across a semiconductor switching element
CN107728036A (en) Hall effect tester and method of testing
KR20220118437A (en) High-precision, non-invasive current sensor system
RU158910U1 (en) MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER
RU156482U1 (en) MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC FIELD CONVERTER
RU2436200C1 (en) Magnetoresistive sensor
CN103995173B (en) Root mean square detector and circuit breaker using the same
CN102288815A (en) Temperature compensator for giant magneto-resistance effect current sensor
RU2561339C1 (en) Magnetoresistive converter of magnetic field (versions)
CN203479906U (en) Four-wire system Pt100 resistor measuring circuit
TW201623929A (en) Micro-force sensing device
Kaufmann et al. Novel coupling concept for five-contact vertical hall devices
CN205880137U (en) Eliminate field effect transistor snowslide test inductance error circuit
RU150181U1 (en) MAGNETIC CONVERTER
CN104407170B (en) Based on the measuring method that hull is realized with wave relative motion measurement apparatus
CN103823116A (en) Self-checking type precision battery internal resistance instrument
CN202929120U (en) Self-checking precise battery internal resistance instrument
CN204595079U (en) 6/10kV high voltage electric node test and diagnostic device
CN204558534U (en) A kind of force snesor
CN204154817U (en) A kind of many resistance based on corrosion sensor resistance lacing film pick-up unit simultaneously

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20160301

NF1K Reinstatement of utility model

Effective date: 20170802

PD1K Correction of name of utility model owner